【課題】高い蒸気圧を持ち、ケイ素含有薄膜を製造する際の優れた材料となる新しいケイ素化合物を提供し、またそれを危険性の無い安価な原材料を使用して収率良く製造する方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるジアザシラシクロペンテン誘導体を、ジイミン、すなわち１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン誘導体にアルカリ金属及びオルトケイ酸テトラアルキルを反応させることにより製造し、それを用いてケイ素含有薄膜を製造する。
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PECVDによる基板表面の被覆方法を提供し、当該方法は、有機ケイ素前駆体と随意にO2からなるガス状反応物質からプラズマを生成する手法からなる。当該被覆材の潤滑性、疎水性および/または遮断性は、ガス状反応物質内のO2対有機ケイ素前駆体の比率の設定により、および/またはプラズマ生成に使用する電力の設定により決定される。特に、前述方法により生成される潤滑性被覆材を提供する。前述方法により被覆される容器、および非被覆容器表面の機械的および/または化学的作用から前述の被覆容器内に含有されるまたは収受される化合物または組成物を保護するためのかかる容器の使用法も提供する。
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自己制御型の等角法でＺｒＯ_２又は他のＺｒ化合物の膜を成長させるためのＡＬＤプロセスにおいて用いるための酸素を含まない溶液ベースのジルコニウム前駆体を開示する。（ｔ−ＢｕＣｐ）_２ＺｒＭｅ_２の酸素を含まない溶液ベースのＡＬＤ前駆体が、ＺｒＯ_２又は他のＺｒ化合物の膜を堆積させるために特に有用である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、加工時や使用時に生じる熱による寸法変化が起こりにくく、且つ変質しにくく、したがって、長期にわたり高く安定したガスバリア性を保持することができる透明ガスバリア性フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】 プラスチックフィルムを加熱処理し、特定の熱収縮率となるように収縮させてプラスチック基材フィルムとし、該プラスチック基材フィルムの少なくとも一方の面に蒸着膜を設けて蒸着フィルムとし、さらに、該蒸着フィルムを加熱処理して、特定の熱収縮率となるように収縮させることを特徴とする透明ガスバリア性フィルムを提供する。 （もっと読む）

【課題】加工時や使用時に生じる熱による寸法変化が起こりにくく、且つ変質しにくく、したがって、長期にわたり高く安定したガスバリア性を保持することができる透明ガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】プラスチックフィルムを加熱処理し、特定の熱収縮率となるように収縮させてプラスチック基材フィルムとし、該プラスチック基材フィルムの少なくとも一方の面に蒸着膜を設けて蒸着フィルムとし、さらに、該蒸着フィルムを加熱処理して、特定の熱収縮率となるように収縮させ、該収縮させた蒸着フィルムの蒸着膜が設けられた面に、ガスバリア性塗布膜を設けることを特徴とする透明ガスバリア性フィルム。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、特別な形状の外部電極を用いることなく、炭素粉等の異物の堆積を抑制し、ガスバリア性、膜の呈色性及び膜の密着性が良好な薄膜をコーティングしたプラスチック容器を製造することである。
【解決手段】本発明に係るガスバリア性薄膜コーティングプラスチック容器の製造方法は、成膜ユニットとなる外部電極にプラスチック容器を収容する工程と、前記プラスチック容器の内部に原料ガス供給管となる内部電極を配置する工程と、真空ポンプを作動させて前記外部電極の内部のガスを排気する工程と、前記プラスチック容器の内部に原料ガスを減圧下で吹き出させる工程と、前記外部電極に電力を供給するプラズマ発生用電源の電源周波数を５．５〜６．５ＭＨｚに設定し、前記原料ガスをプラズマ化して、前記プラスチック容器の内壁面にガスバリア性を有する薄膜を成膜する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】プラスチック容器に、アーク放電を発生させずに、障害なく成膜する。
【解決手段】１つの筐体からなるサブチャンバーに複数のメインチャンバーが整列し、各メインチャンバー内部に開口を有するプラスチック容器を倒立して収納し、該プラスチック容器に全数同時にプラズマＣＶＤ法で薄膜を形成する装置であって、各メインチャンバー内部でプラスチック容器の首部を挟む力をかけてプラスチック容器１を支持する容器首部支持部品を隔壁板の貫通孔に設置し、さらに前記容器首部支持部品が前記プラスチック容器を倒立して収納する機能を併せ持った成膜装置を用いる。 （もっと読む）

磁界が存在する中でのプラズマ堆積プロセスにより薄膜を形成する方法。前駆体が、堆積チャンバに配送され、活性化され、プラズマを形成する。プラズマは、磁界が在る時に開始され得るか、又は、開始後に磁界に曝され得る。プラズマは、前駆体から誘導されるイオン種と中性種とを含む。磁界は、プラズマを操作して、イオン種の濃度の低減と中性種の濃度の増加に影響を与える。続いて、薄膜材料は、その結果得られる中性種濃縮堆積媒体から形成される。本方法により、欠陥濃度が低い薄膜材料を形成することができる。一実施形態では、薄膜材料は、光起電力材料であり、欠陥の抑制により、光起電力効率が高められることになる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いる場合に問題となる電極やチャンバー壁面の汚染によるアーキング等のロングランの安定性、大面積化、ロール・ツー・ロール化の困難さを解決し、酸素バリア性および水蒸気バリア性に優れた、ガスバリア性積層体を生産する成膜装置を提供する。
【解決手段】減圧下の成膜チャンバー内に、基材を搬送する機構と、電極に電圧を印加することでプラズマ化した成膜ガスを該基材表面に噴出させる成膜手段とを少なくとも具備する成膜装置で、該電極は、成膜ガスをプラズマ化する内部空間１８と、該内部空間１８へ成膜ガスを導入するガス導入路１７と、該内部空間１８から該基材表面へプラズマ化した成膜ガスを噴出させる穴部１５とを少なくとも具備し、該電極は、一対で成膜チャンバー内に設置され、該一対の電極は、電気的に接続され、カソード又はアノードに交互に切り替わる。 （もっと読む）

【課題】 スループットの高いＭｏｌｅｃｕｌａｒ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＭＬＤ）プロセス，および高性能太陽電池，エレクトロルミネッセンス素子，光スイッチの実現。
【解決手段】
本発明の，反応性分子ガスを異なる分子領域に分離して配置し，基体または分子領域を移動させることにより行う分子領域分割型ＭＬＤは，課題解決の有力手段となる。また，太陽電池，エレクトロルミネッセンス素子，光スイッチに，ＭＬＤにより分子配列制御したポリマ鎖／薄膜を組み込むことは，課題解決の有力手段となる。 （もっと読む）

【課題】 ガスバリア性のみならず、耐酸化性および透明性にも優れるガスバリア膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ−Ｈ結合を有する原料と、Ｎ−Ｈ結合を有する原料と、窒素ガス、水素ガスおよび希ガスの少なくとも１以上とを用い、４１４ｎｍの発光強度Ａ、３３６ｎｍの発光強度Ｂ、３３７ｎｍの発光強度Ｃおよび６５６ｎｍの発光強度Ｄが、『２＜［Ｂ／Ａ］＜２０』、『Ｃ／Ｂ］』、および『０．５＜［Ｄ／Ｂ］＜５０』を満たすプラズマによるプラズマＣＶＤでガスバリア膜を成膜することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、Ｔｉ化合物層からなる下部層、改質窒化クロム層からなる中間層及び改質酸化アルミニウム層からなる上部層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、中間層及び上部層のΣ３の比率は、ΣＮ＋１全体の６０％以上を占め、また、上部層と中間層の界面に臨んで存在するΣ３対応粒界の数と位置を測定した場合、上記界面に臨んで存在する中間層Σ３対応粒界のうちの３０〜７０％が、上部層Σ３対応粒界と連続する結晶粒界を形成している。 （もっと読む）

【課題】３００〜５００℃といった低温での成膜が可能であり、さらに、反応性が良好なプロセスを与える有機シリコン含有化合物を含有してなる化学気相成長用原料を提供すること。
【解決手段】ＨＳｉＣｌ（ＮＲ¹Ｒ²）（ＮＲ³Ｒ⁴）（Ｒ¹、Ｒ³は炭素数１〜４のアルキル基または水素を表し、Ｒ²、Ｒ⁴は炭素数１〜４のアルキル基を表す）で表される有機シリコン含有化合物を含有してなる化学気相成長用原料。該化学気相成長用原料は、基体上に化学気相成長法により窒化シリコン薄膜を形成する原料として特に好適である。 （もっと読む）

【解決課題】 粉末材料の安定供給とプラズマ中での速やかな加熱・溶融・蒸発とを、同時に満たすことができるプラズマスプレーＰＶＤ用粉末、かかる粉末を用いた堆積膜の製造方法、ならびに、堆積膜を提供する。
【解決手段】 １次粒子の少なくとも一部の粒子が融着してなる２次粒子を含むプラズマスプレーＰＶＤ用粉末であって、該プラズマスプレーＰＶＤ用粉末のＢＥＴ比表面積が、前記２次粒子の平均粒子径から算出した外部比表面積の１００倍以上１５０００倍以下であるプラズマスプレーＰＶＤ用粉末。 （もっと読む）

基板表面上に薄膜を堆積するための化学気相成長(CVD)法が記載されている。当該CVD法は、処理チャンバ内の基板ホルダ上に基板を設ける工程、及び、化学前駆体を有する処理気体を前記処理チャンバに導入する工程を有する。前記処理気体は、前記基板ホルダとは別個の非電離熱源に曝されることで、前記化学前駆体の分解を引き起こす。薄膜が前記基板上に堆積される。
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【課題】
実用的な成膜速度を有しつつ低温で基板上に薄膜を形成する。
【解決手段】
原料ガスに基板を曝す原料ガス暴露工程と、電気陰性度の異なる原子を有する酸化ガスもしくは窒化ガスのいずれかである改質ガスに基板を曝す改質ガス暴露工程と、触媒に基板を曝す触媒暴露工程と、を行なうことにより、基板の表面に酸化膜もしくは窒化膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、触媒暴露工程では酸解離定数ｐＫ_ａが５〜７である触媒（ただし、ピリジンを除く）を用いる半導体デバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】より高い誘電率を有する高誘電率絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板上に高誘電率絶縁膜を形成する工程Ｓ１０６と、前記高誘電率絶縁膜に対し真空下で熱処理を施す工程Ｓ１１０と、熱処理後の前記高誘電率絶縁膜が室温となるまでの間、前記高誘電率絶縁膜が存在する空間の酸素分圧を、前記熱処理時に前記高誘電率絶縁膜が存在する空間の酸素分圧と同等もしくはそれ以下に保持する。 （もっと読む）

【課題】結晶性がよい、従来の結晶構造とは異なる窒化アルミニウム単結晶を製造する。
【解決手段】反応容器４内の上流側に酸化アルミニウム５を配置し、下流側に窒化アルミニウム基板６を配置し、上流側から窒素ガスを線速度０．５〜７５．０ｍ／分で反応容器４内に供給し、上流側に配置した酸化アルミニウム５の温度を１７００℃以上２４００℃以下の範囲とし、下流側に配置した窒化アルミニウム基板６の温度を該酸化アルミニウム５の温度よりも低い温度に設定することにより、下流側の窒化アルミニウム基板６上に、窒化アルミニウム単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 被処理物が陰極とされる構成のプラズマＣＶＤ装置において、プラズマを安定化させると共に、従来よりも成膜レートを向上させる。
【解決手段】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、接地電位に接続された真空槽１２の内壁が陽極とされ、被処理物１６が陰極とされ、これら両者間にパルス電力Ｅｐが供給されることで、当該両者間にプラズマが発生する。そして、このプラズマを用いたＣＶＤ法によって、被処理物１６の表面にＤＬＣ膜が生成される。ただし、ＤＬＣ膜が陽極としての真空槽１２の内壁に付着することで、当該真空槽１２の内壁の陽極としての機能が低下することが懸念される。この真空槽１２の内壁に代わって、アノード電極４０が陽極として機能することで、プラズマが安定化される。また、真空槽１２内に磁界Ｅが印加されることで、プラズマ密度が増大し、ＤＬＣ膜の成膜レートが向上する。 （もっと読む）

【課題】従来の蒸着方法では不十分であった無機酸化物蒸着層の密着強度を改善し、かつ高いガスバリア性能が得られるガスバリアフィルム、該ガスバリアフィルムを高い生産効率で製造可能な製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】基材となる高分子フィルム１の片面もしくは両面に、前記高分子フィルム１と同等もしくはそれ以上に平滑である下地層２、第一無機酸化物蒸着層３、前記高分子フィルム１と同等もしくはそれ以上に平滑である中間層４および第二無機酸化物蒸着層５をこの順で有するガスバリアフィルム、その製造方法および製造装置。 （もっと読む）