【課題】高いガスバリア性が必要とされる場合に好適に用いられる透明なガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】基材層１の一方の表面上に、ガスバリア層２、ガスバリア被膜層３、ガスバリア層４、ガスバリア被膜層５を順次積層してなり、ガスバリア層２、４は酸化珪素からなり、ガスバリア被膜層３、５は、一般式Ｓｉ（ＯＲ^１）_４…（１）で表される珪素化合物およびその加水分解物のうちの少なくとも１つ、一般式（Ｒ^２Ｓｉ（ＯＲ^３）_３）_ｎ…（２）で表される珪素化合物およびその加水分解物のうちの少なくとも１つ、（Ｒ^１、Ｒ^３はＣＨ_３、Ｃ_２Ｈ_５、またはＣ_２Ｈ_４ＯＣＨ_３を表し、Ｒ^２は有機官能基を表し、ｎは１以上の数を表す）、および水酸基を有する水溶性高分子を含有する塗布液を塗布して乾燥させてなるガスバリア性積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】プラズマ励起化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）により、半導体基板上にＳｉ−Ｎ結合を有するコンフォーマルな誘電体膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】本方法は、窒素及び／または水素を含有する反応ガスと希ガスを、中に半導体基板が配置された反応空間に導入する工程と、ＲＦパワーを反応空間に印加する工程と、水素を含有するシリコンガスを含む前駆体を、５秒以下の持続時間をもつパルスの状態で反応空間に導入し、その間プラズマが励起されている状態で反応ガスと希ガスとを中断することなく導入し、それによって基板上にＳｉ−Ｎ結合を有するコンフォーマルな誘電体膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、625〜800℃の温度で化学蒸着によって切削工具インサート上に結晶質α−Al₂O₃層を堆積する方法による切削工具に関する。
【解決手段】本発明の方法は、X+Y+Z≧1及びZ>0好ましくはZ>0.2であり、0.1〜1.5μmのTiC_XN_YO_Zの層を堆積する工程、0.5〜3vol％のO₂好ましくはCO₂とH₂またはO₂とH₂を含有するガス混合物中で任意に0.5〜6vol％のHClの存在する中において約0.5〜4分の短い時間625〜1000℃で前記層を処理する工程、及び40〜300ミリバールの処理圧力と625〜800℃の温度で、処置した前記層を、H₂中に2〜10vol％のAlCl₃と16〜40vol％のCO₂とを含有するガス混合物と、0.8〜2vol％の硫黄含有剤好ましくはH₂Sとに、接触させることによって前記Al₂O₃層を堆積させる工程を含む。本発明は、本発明のα−Al₂O₃層の少なくとも1層の被膜を有する切削工具インサートも含む。 （もっと読む）

【課題】
高い誘電率のチタン酸化膜を低温で形成する。
【解決手段】
ウエハ１４上に下電極１５５を形成するステップ（Ｓ１００）と、下電極１５５界面にＡｌＯｘ膜１６０を形成するステップ（Ｓ２００）と、ＡｌＯｘ膜１６０上にＨｆＡｌＯｘ膜１６５を形成するステップ（Ｓ３００）と、ＨｆＡｌＯｘ膜１６５が形成されたウエハ１４をアニーリング（熱処理）するステップ（Ｓ４００）と、アニーリングされたＨｆＡｌＯｘ膜１６５上にＴｉＯ_２膜１７０を形成するステップ（Ｓ５００）と、ＴｉＯ_２膜１７０が形成されたウエハ１４をアニーリングするステップ（Ｓ６００）と、を行いキャパシタ絶縁膜を形成し、このキャパシタ絶縁膜の上に上電極１７５を形成する（Ｓ７００）。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程から排出される排ガス中に含まれるヒドラジン誘導体を効果的に除害処理することができる排ガス処理方法及び除害剤を提供する排ガス処理方法及び除害剤を提供する。
【解決手段】ヒドラジン又はヒドラジン誘導体を含む排ガスを、酸化鉄(III)を反応主成分とする除害剤に接触させる。特に、有機金属化合物、アミン化合物、揮発性無機水素化物のいずれか少なくとも一種を含む排ガスを前記除害剤に最初に接触させてヒドラジン又はヒドラジン誘導体を除害処理することにより、排ガスに含まれる有機金属化合物、アミン化合物、揮発性無機水素化物の除害処理を確実に行える。 （もっと読む）

【課題】高分子フィルムと炭化酸化珪素膜との密着性を改善した従来よりもバリア性の高いガスバリアフィルムを高い生産効率で提供すること。
【解決手段】基材となる高分子フィルム１の片面もしくは両面に、炭化酸化珪素膜２が形成されたガスバリアフィルムであって、炭化酸化珪素膜２がモノマーガス、酸化用ガスおよび不活性ガスを含有する成膜原料ガスを用いた化学的気相成長法（ＣＶＤ法）によって形成され、不活性ガスとしてヘリウムを使用することを特徴とするガスバリアフィルム。 （もっと読む）

気相蒸着時にフィルムを支持するためのカセットが第１のエンドプレート及び第２のエンドプレートを有する。各エンドプレート上のリブは３００ｍｍを超える幅を有するフィルムの渦巻状の巻きを縁に沿って受容する渦巻状の溝を形成する。フィルムの巻きの巻回間の間隔はガス流路を画定し、かつリブの隣接する巻回間の間隔は１つのエンドプレート内にチャネルと連通する複数の入口開口部を画定する。各リブは、所定の幅寸法と、所定の平均厚さ寸法と、少なくとも２：１の幅対厚さのアスペクト比とを有する。エンドプレート間の間隔は少なくとも３００ミリメートル（３００ｍｍ）であり、また、気相堆積温度でフィルム基材の幅寸法を超える。各リブの幅寸法はエンドプレート間隔の約０．５％から約２．０％の間である。
（もっと読む）

【課題】優れた耐酸化性を発揮する硬質被覆層を有する炭化タングステン基被覆超硬合金工具を提供する。
【解決手段】Ｃｒを含有する超硬合金基材の表面に硬質被覆層第一層として、基材から拡散したＣｒを含有し、粒状結晶組織を有するチタンの炭化物膜を被覆し、第二層として柱状結晶組織を有するチタンの炭窒化物膜を被覆した表面被覆ＷＣ基超硬合金工具において、硬質被覆層被覆前に加熱処理を施し、基材表面のＣｒとＣｏ成分を調整した後、第一層被覆時の成膜条件を最適化することによって、Ｃｒ成分の選択的拡散を促し、同時にＣｏ成分の拡散をおさえることで、飛躍的に耐酸化性が優れた硬質被覆層被覆超硬合金工具を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＰＥＣＶＤ法により機械強度に優れた電気絶縁膜を提供し、それを配してなる半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】スピロ構造を有する環状シロキサン化合物である２，２，４，４，６，６−トリ（ブタン−１，４−ジイル）シクロトリシロキサン、２，２，４，４，６，６，８，８−テトラ（ブタン−１，４−ジイル）シクロテトラシロキサン、２，２，４，４，６，６−トリ（ペンタン−１，５−ジイル）シクロトリシロキサン、または２，２，４，４，６，６−トリ（２−ブテン−１，４−ジイル）シクロトリシロキサンを原料ガスとして用い、ＰＥＣＶＤ法によって、機械強度に優れた電気絶縁膜、およびそれを配してなる半導体電子デバイスを製造する。 （もっと読む）

【課題】基材とＤＬＣ被膜との密着力および耐食性が高い摺動部材、および当該摺動部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】摺動部材１は、プラズマ窒化処理により表層に窒化層２０が形成されたステンレス鋼製の基材３と、直流プラズマＣＶＤ法により基材３の表面に形成されたＤＬＣ被膜２１と、ＤＬＣ被膜２１により形成された摺動面２２とを含む。プラズマ窒化処理は、基材３の温度が４５０℃以下、処理室内の圧力が６００Ｐａ以上、処理室内に導入する窒素ガスおよび水素ガスを含む処理ガス中の窒素ガス濃度が８０vol％以上１００vol％未満の条件下で、処理室内にプラズマを発生させることにより行われる。また、ＤＬＣ被膜２１の成膜処理は、基材３の温度が４５０℃以下の条件下で行われる。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ膜層の密着性と耐擦傷性を高める
【解決手段】透明又は半透明プラスチック基板の表面に湿式法で硬化膜を形成し、その硬化膜上にプラズマＣＶＤ膜層を積層するプラスチック積層体の製造方法において、原料として少なくとも１種類のオルガノシロキサン又はオルガノシランの蒸気と共に酸素ガスを存在させ、且つ、成膜時間経過に伴って、オルガノシロキサン又はオルガノシランの供給速度及び酸素ガスの供給速度を増加させると共に、プラズマ発生電力を減少させてプラズマＣＶＤ膜層を積層する、プラスチック積層体の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の光起電力装置の製造方法は、光起電力装置の劣化率を低下させ、安定化効率を高めるためのものである。
【解決手段】一実施形態は、基板と、前記基板の上部に配置された第１電極と、前記第１電極の上部に受光層を含む少なくとも一つ以上の光電変換層と、前記光電変換層の上部に配置された第２電極とを含み、前記受光層は、水素化された非晶質シリコン系をそれぞれ含む第１副層と、第２副層とを含み、前記第１副層及び前記第２副層は、非シリコン系元素を含み、前記第２副層は、前記水素化された非晶質シリコン系で囲まれた結晶質シリコン粒子を含む光起電力装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】爆発の危険性が高いＳｉＨ_４を用いずとも、安全、比較的低温度で、しかも低廉なコストでＳｉ系膜を提供できる技術を提供することである。
【解決手段】Ｓｉ系膜を形成する為の膜形成材料であって、
前記膜形成材料がｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３を有する。 （もっと読む）

【課題】 長期間にわたって、基材フィルムと無機酸化物蒸着膜との間の高い密着性、及びそれに基く高いガスバリア性を維持することができる透明蒸着フィルム、並びにそれを使用した積層体を提供すること。
【解決手段】 プラスチック材料からなる基材フィルムの一方の面に、耐プラズマ保護層を設け、その上に、プラズマ化学気相成長法により無機酸化物蒸着膜を設けた透明蒸着フィルムであって、該耐プラズマ保護層が、フッ素系共重合体樹脂を含む上記透明蒸着フィルムとする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより平滑性の高いＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５となるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を成膜するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法であって、気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料を処理容器内に導入して基板上に第１段階の成膜を行う工程（工程２）と、気体状のＳｂ原料および気体状のＴｅ原料を処理容器内に導入して第１段階の成膜で得られた膜の上に第２段階の成膜を行う工程（工程３）とを有し、工程２により得られた膜と、工程３により得られた膜により、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得る。 （もっと読む）

【課題】基板の温度を低温に保持しつつ金属シリサイド膜を形成する。
【解決手段】励起用ガスをバッファ室内に供給すると共に、プラズマ電極に電力を供給してバッファ室内にプラズマを生成することで励起用ガスを活性化させ、塩素含有ガスを処理室内に供給し、バッファ室内から処理室内に流れた活性化させた励起用ガスにより塩素含有ガスを活性化させ、活性化させた塩素含有ガスを金属部材に接触させて金属塩化物を生成させ、金属塩化物を基板上に堆積させて基板上に金属含有薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルの被覆性を向上させる。
【解決手段】本発明の半導体装置は、キャップ絶縁膜１ｄ上に形成された絶縁膜と、絶縁膜に形成された配線溝と、配線溝の底面に形成されたビア孔と、少なくともビア孔の側壁を覆うバリアメタル膜と、を有する。ビア孔は、径が異なる複数の孔から構成されており、複数の孔は、下に向けて径が小さくなるように深さ方向に接続し、複数の孔の接続部にキャップ絶縁膜に対してほぼ平行な面を有する。 （もっと読む）

【課題】３００〜５００℃といった低温での成膜が可能であり、さらに、反応性が良好なプロセスを与える有機シリコン含有化合物を含有してなる化学気相成長用原料を提供すること。
【解決手段】ＨＳｉ（ＣＨ_３）（Ｒ^１）（ＮＲ^２Ｒ^３）（Ｒ^１は、ＮＲ^４Ｒ^５または炭素数１〜５のアルキル基を表し、Ｒ^２およびＲ^４は、炭素数１〜５のアルキル基または水素原子を表し、Ｒ^３およびＲ^５は、炭素数１〜５のアルキル基を表す）で表される有機シリコン含有化合物を含有してなる化学気相成長用原料。 （もっと読む）

【課題】本発明は、１０〜３００ＭＰａの低引張応力を備えたＴｉＣ_ｘＮ_ｙ層と、原子間力顕微鏡技法によって測定したときに０．１μｍ以下の高表面平滑度を備えたαＡｌ_２Ｏ_３層と、を有する化学蒸着法で被覆した切削工具インサートに関する。
【解決手段】この化学蒸着法で被覆した切削工具インサートは、Ｆ８０の粒のＡｌ_２Ｏ_３から成るスラリーを有する第一の集中湿潤ブラスト処理、引き続いてＦ３２０の粒のＡｌ_２Ｏ_３から成るスラリーを有する第二のブラスト処理を、被膜を処理することによって得られる。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率絶縁膜の下地となる金属膜の酸化を抑制し、成膜処理の生産性を向上させる。
【解決手段】 基板を収容した処理室内に原料を供給し排気する工程と、処理室内に第１酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に第１の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、処理室内に原料を供給し排気する工程と、処理室内に第１酸化源とは異なる第２酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、第１の高誘電率絶縁膜上に第２の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）