【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、中間層及び上部層は、それぞれ、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｚｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】多孔質の有機ケイ酸塩ガラス膜を提供する。
【解決手段】当該膜、Ｓｉ_vＯ_wＣ_xＨ_yＦ_z（式中、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖは１０〜３５原子％、ｗは１０〜６５原子％、ｘは５〜３０原子％、ｙは１０〜５０原子％、ｚは０〜１５原子％である）は、Ｓｉ−ＣＨ₃を有するケイ酸塩の網目構造を有し、細孔及び２．７よりも低い誘電率を有する。予備的な膜が、オルガノシラン及び／又はオルガノシロキサン前駆体と細孔形成前駆体とからＣＶＤ法によって堆積される。ポロゲン前駆体が予備的な膜中に細孔を形成し、続いて除去されて多孔質膜を与える。組成物は、少なくとも１つのＳｉ−Ｈ結合を含有するオルガノシラン及び／又はオルガノシロキサン化合物と、アルコール、エーテル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトロ、第一、第二及び／又は第三アミン官能性又はそれらの組み合わせを含有する炭化水素のポロゲン前駆体とを含む。 （もっと読む）

【課題】厚さ方向に屈折率が変化した接合膜を有し、この接合膜を介して２つの光学部品同士を高い寸法精度で強固に接合したことによって、耐光性および光学特性に優れた光学素子、およびかかる光学素子を容易に製造可能な光学素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】積層光学素子５は、第１の光学部品２および第２の光学部品４を用意し、第１の光学部品２の表面上に、プラズマ重合法により、接合膜３を成膜する第１の工程と、接合膜３をプラズマに曝すことにより、接合膜３にエネルギーを付与し、接着性を発現させる第２の工程と、接合膜３を介して第１の光学部品２と第２の光学部品４とを接合し、積層光学素子５を得る第３の工程とを経て製造されたものであり、プラズマ重合法における成膜条件を徐々に変化させることにより、接合膜３の屈折率が第１の光学部品２の屈折率と第２の光学部品４の屈折率とをつなぐように変化していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス周期を延長し、メンテナンス性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、基板を積層載置して収容する処理室と、前記基板の積層方向に沿って立設され、前記処理室内に処理ガスを供給するガスノズルと、前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、を備える基板処理装置であって、前記ガスノズルは、前記処理室内に処理ガスを導入する複数のガス供給口を有する第１のノズル部と、前記第１のノズル部より外径が細い第２のノズル部とを有し、第１のノズル部及び前記第２のノズル部はノズル接合部にて、前記第１のノズル部が処理ガスの流れの下流側となるよう互いに接合され、前記第２のノズル部の外周に前記ノズル接合部を補強する補強部材を設けることを特徴とする基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】酸化膜の形成に自由度をもたせる。低温で窒素成分を低減または含まない酸化膜を形成する。バッチ方式の成長装置にて低温で厚い酸化膜膜を形成する。
【解決手段】アルキル基或いはアルコキシ基を含むシリコン系のガス又はシロキサンガス又はシラザンガスと、前記ガスを酸化させる酸化剤とを、減圧状態で５００℃以下の温度下で反応させる。前記ガスに対して、シランガス、ジシランガス、リン系ガス、又は、ボロン系ガスを添加剤として反応させる。 （もっと読む）

【課題】少ない工程で、水を使用せず、しかも繊維品の風合いや強力を損ねることなく、深色性とその耐洗濯性に優れた繊維品を提供する。
【解決手段】大気圧下の窒素又は空気の雰囲気中でグロー放電或いはアーク放電を行ってプラズマ化ガスを生成した後、このプラズマ化ガスにケイ素化合物をキャリアガスとともに気体状態で混入して複合プラズマ化ガスを生成し、この複合プラズマ化ガスを着色された繊維品２０に対して照射するプラズマ処理を行うことにより上記繊維品の表面にケイ素酸化物Ｂの被膜を形成して、繊維品を深色化する方法。上記ケイ素化合物が１分子中にケイ素を１原子又は２原子含む化合物であり、上記プラズマ処理がプラズマ処理面積１ｍ²当たりケイ素２０ｍモル以上１２０ｍモル以下の量のケイ素化合物を含む。 （もっと読む）

【課題】 弾性層から染み出す低分子量成分の電子写真感光体への付着の抑制効果が高く、且つ、耐久性にも優れた表面層を備えた帯電部材を具備することにより、安定して高品位な電子写真画像を与える電子写真画像形成装置を提供すること。
【解決手段】 電子写真感光体と、該電子写真感光体と当接して配置されている帯電部材と、
該帯電部材に電圧を印加して、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段とを具備している電子写真画像形成装置であって、該帯電部材は、導電性支持体、弾性層、保護層及び該弾性層の表面を被覆している表面層とを具備し、該表面層は、ケイ素原子と化学結合している炭素原子を含む酸化ケイ素膜を含み、該酸化ケイ素膜は、特定の組成を有していることを特徴とする電子写真画像形成装置。 （もっと読む）

【課題】強靭ダクタイル鋳鉄の高速ミーリング切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、硬質被覆層として、ＴｉＮからなる最内層、高窒素ＴｉＣＮからなる内層、ＴｉＣＯ、ＴｉＣＮＯからなる内側密着層、α型Ａｌ_２Ｏ_３からなる中間層、ＴｉＣＯ、ＴｉＣＮＯからなる外側密着層、高炭素ＴｉＣＮと高炭素ＣｒＣＮとの積層からなる外層を蒸着形成し、さらに、硬質被覆層の表面には、乾式もしくは湿式ブラスト処理を施し、硬質被覆層の表面平滑化、残留応力の低減化を図る。 （もっと読む）

【課題】切れ刃部ごとの工具寿命のバラつきがより少なく、長期間使用してもいずれの切れ刃部も欠損を起こしにくい表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】基材とその基材の一部または全部を覆う被膜とを備える表面被覆切削工具であって、その被膜は、少なくとも１層または２層以上の被覆層を含み、その被覆層のうち少なくとも１層は、Ｚｒを含有するＺｒ含有被覆層であって、さらに表面被覆切削工具は、２以上の切れ刃部を有し、この切れ刃部のうち１の切れ刃部である第１切れ刃部における被膜のＺｒ含有量は、該第１切れ刃部を除く他の切れ刃部のうちの少なくとも１の切れ刃部における被膜のＺｒ含有量と実質的に等しい表面被覆切削工具である。 （もっと読む）

【課題】高いアスペクト比で狭い幅の溝に、シリコン酸化膜を埋め込むことの可能な、スループットの高い半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、基板を処理室内へ搬入する工程と、炭素及び水素を含むシリコン化合物ガスを処理室内へ供給して、処理室内を第１の圧力の状態にする工程と、処理室内を前記第１の圧力にした状態において、処理室内へ供給されたシリコン化合物ガスに紫外光を照射して、基板上にシリコン酸化膜を形成する工程と、処理室内を前記第１の圧力よりも低い第２の圧力の状態にする減圧処理工程とを行う。これにより、高アスペクト比で狭い幅の溝内に、緻密なシリコン酸化膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛を成長する方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ法により酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、成長温度が２５０℃から４５０℃の範囲内で、かつ、成長圧力が１ｋＰａから３０ｋＰａの範囲内であって、酸素原子を含まない有機亜鉛化合物材料と水蒸気とを少なくとも含む材料ガスを基板１０に吹き付けて酸化亜鉛の単結晶層１１を成長させる。ＺｎＯ結晶層１１の成長後、ＺｎＯ結晶層１１の結晶性および平坦性の向上を目的として、ＺｎＯ結晶層１１を１ｋＰａから３０ｋＰａの圧力下で、７００℃から１１００℃の温度範囲内で熱処理を行う。熱処理は水蒸気雰囲気下で行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
誘電率を低減したＳｉＣ膜を銅拡散防止膜として用いることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、−ＣＨ_２−結合が環状にＳｉの２つの結合手を接続し、残り２つのＳｉの結合手に官能基Ｒ１，Ｒ２がそれぞれ結合され、官能基Ｒ１、Ｒ２は酸素を含まず２重結合を含む、原料を用いて、半導体基板上方に、酸素を含まない第１のＳｉＣ膜を成膜し、第１のＳｉＣ膜上に第１絶縁膜を成膜して、第１のＳｉＣ膜及び第１絶縁膜を含む層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜に銅配線を埋め込み、銅配線を覆って、層間絶縁膜上に、第１のＳｉＣ膜と同じ原料を用いて第２のＳｉＣ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕ膜を誘電体膜上に成膜する際に、インキュベーション時間を短縮し、高い密度で核生成を生じさせることにより、高品質のルテニウム膜の成膜を可能とする。
【解決手段】ルテニウム膜の成膜方法は、誘電体膜を担持する被処理基板表面近傍にプラズマを発生させ、前記誘電体膜表面を前記プラズマで改質する工程と、前記改質された誘電体膜表面に、ルテニウムの有機金属錯体を不活性キャリアガスとともに供給し、前記有機金属錯体を分解させることにより、前記誘電体膜上にルテニウム膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れたエッチング選択性及び微細加工性を示し、高密度プラズマ下においてもエッチング速度とエッチング選択性のバランスに優れたドライエッチングが可能であり、また、加熱処理を施しても応力緩和の小さいフルオロカーボン膜を成膜可能なプラズマ反応用ガスを提供すること。
【解決手段】パーフルオロ−(３−メチレンシクロペンテン)を含有してなるプラズマ反応用ガス。 （もっと読む）

【課題】種々の状況において低温で二酸化ケイ素の薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。
【解決手段】例えば、一部の実施形態において、二酸化ケイ素の薄膜は、高感度表面または柔軟性のある表面に堆積されて、太陽電池、磁気ヘッド、ＭＥＭＳデバイス、インクジェット、または他の微小流体デバイスの一部を形成する。他の実施形態において、シャロートレンチ分離（ＳＴＩ）構造、側壁スペーサーおよびゲート不動態化層が堆積される。 （もっと読む）

【課題】膜密度及び膜硬度が高い金属酸化薄膜及び製膜速度の速いその製造方法を提供することにある。
【解決手段】大気圧または大気圧近傍の圧力下において、対向する２種の電極間に高周波電圧を印加して反応空間に放電させることにより、反応性ガスをプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に金属酸化薄膜を形成する金属酸化薄膜の製造方法において、前記反応空間に酸解離定数ｐＫａが３．５以下の酸を導入することを特徴とする金属酸化薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電極層を介さず太陽光を空乏層あるいは真性層に導く構成を採用するとともに、これを安価なガラス基板等で実現する。
【解決手段】透明非晶質基板上に真性の半導体層を形成させ、半導体層表面に仕事関数の異なる材料を接合させる。また、異なる材料は、不純物を拡散させたｐ型とｎ型の導電型の拡散層であり、互いに隣接または隔離して形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、基材と被覆層との密着性が向上した表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、超硬合金からなる基材とそれを被覆する１層以上の被覆層とを備えるものであって、該基材は、該被覆層と接する表面部にＷとＣｏとの複炭化物を主成分とする、厚みが０．００５μｍ以上０．１μｍ未満の基材表面層を有し、該被覆層のうち上記基材と接する最下層は、厚みが０．００５μｍ以上０．１μｍ以下であり、かつ化学式Ｍ_1-XＺ_X（ただし、ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｏ、およびＶからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を示し、Ｚは炭素、窒素、酸素、硼素、および塩素からなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を示し、Ｘは原子比を示し、０＜Ｘ≦０．５である。）で示される第１化合物を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、薄膜被覆技術に有用な新しいプラズマ源を提供し、更にプラズマ源の使用方法を提供する。より具体的には、本発明は、プラズマ強化化学蒸着に有用な線状及び二次元のプラズマをそれぞれ生成する、新しい線状及び二次元のプラズマ源を提供する。また、本発明は、薄膜被覆を形成する方法及びそのような方法による被覆効率を向上させる方法を提供する。
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【課題】化学蒸着により水素化オキシ炭化珪素の低誘電率薄膜を製造する方法を与える。
【解決手段】メチル含有シラン及び酸素付与ガスを含む反応性ガス混合物を、基体の入った化学蒸着室へ導入し、前記メチル含有シランと前記酸素付与ガスとの間の反応を２５℃〜５００℃の温度で引き起こし、反応中存在する酸素の量を調節して、３．６以下の誘電率を有する水素、珪素、炭素及び酸素を含むフィルムを基体上に形成する、ことからなる水素化オキシ炭化珪素フィルムの製造方法。 （もっと読む）