次世代の誘電体膜に適切な誘電率およびヤング率を有するＳｉＣＯＨ膜を成膜するために適合した前駆体が開示される。 （もっと読む）

基板の表面をパターニングするためのプラズマ放電を基板の近くで発生させる装置であって、第１放電部を有する第１電極と、第２放電部を有する第２電極と、第１および第２電極間に高電圧差を発生させるための高電圧源と、第１電極を基板に対して位置決めするための位置決め手段とを備えた装置。本装置は、使用時に、基板に対する第１電極の位置決めを許容したまま、第１電極と基板との間に配置される中間構造をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】高融点金属においても金属薄膜の膜質を向上させることが可能な基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング部材１８及び基板を支持する基板支持部を有する処理室１と、前記処理室内の前記被エッチング部材にハロゲンガスを晒すように供給するガス供給部と、前記供給されたガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部と、前記被エッチング部材である固体金属に直流電流を印加する電源とを有する。 （もっと読む）

【課題】安全かつ簡単に、効率よく反応生成物を除去することができるＭＯＣＶＤ装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】ヒ素（Ａｓ）原子又はリン（Ｐ）原子を含む原料ガスを使用してＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓなどのIII-Ｖ族化合物半導体材料の成膜を行うＭＯＣＶＤ装置の反応炉１２や排気管１５の内面に付着した反応生成物を除去するＭＯＣＶＤ装置のクリーニング方法において、クリーニングガスとしてアミン系ガス又は反応炉内でアミン系ガスに変化するガスと水素ガスとを前記反応炉内に供給して反応生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】陽電極及び陰電極間に直流高電圧を印加した際に、瞬間的に過大電流が流れるのを回避し、数ｎｍオーダーの膜厚で導電性薄膜を安定的に成膜し、優れた再現性を実現する。直流高電圧の印加時間を長くしながら数ｎｍ単位の膜厚で導電性薄膜を成膜することができ、成膜作業に優れている。
【解決手段】（１）．反応容器内の圧力が所定の真空圧になった際に原料ガスを微量流入させながら両電極間に直流高電圧を印加する。（２）．原料ガスの微量流入により反応容器内における原料ガス濃度が、両電極間を低電流値で導通させる低濃度状態になった際に、該低電流状態を維持するように原料ガスの微小流入量を制御しながら両電極間に発生するグロー放電により導電性金属分子をプラズマ化して試料表面に堆積させる。（３）．上記（２）による原料ガスの低濃度状態及び低電流状態を所定時間の間、維持して試料表面に堆積される導電性金属分子により導電性薄膜をｎｍオーダーで成膜する。上記（１）乃至（３）の工程からなる。 （もっと読む）

本発明の諸実施形態は、多層堆積する間中の欠陥を低減する方法を提示する。一実施形態では、この方法は、基板をプラズマの存在下で第１のガス混合物および不活性ガスに曝して、基板上に第１の材料の層を堆積するステップと、第１の材料の所望の厚さが得られたときに、プラズマを引き続き維持しつつ不活性ガスを流しながら、第１のガス混合物を終了させるステップと、基板をプラズマの存在下で、第１のガス混合物と共存できる不活性ガスおよび第２のガス混合物に曝して、第１の材料の層の上に第２の材料の層を同じ処理チャンバ内で堆積するステップとを含み、第１の材料の層と第２の材料の層は互いに異なる。
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基板内に画定されたトレンチまたはビアを充填するケイ素含有誘電体材料上で湿式酸化処理を実行する方法が提供される。一実施形態では、誘電体材料を基板上に形成する方法は、流動性ＣＶＤ処理によって誘電体材料を基板上に形成するステップと、基板上に配置された誘電体材料を硬化させるステップと、基板上に配置された誘電体材料上で湿式酸化処理を実行するステップと、酸化させた誘電体材料を基板上に形成するステップとを含む。
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【課題】製造コストを抑えつつ成膜の際の自由度を向上させることが可能な成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】複数のガイドロール１３，１４を用いて基材２０を搬送しつつ、複数のＡＬＤヘッド１１Ａ，１１Ｂによって前駆体ガス１０Ａ，１０Ｂを基材２０に対して出力し、原子層堆積による成膜を行う。各ＡＬＤヘッド１１Ａ，１１Ｂをガイドロール１３に対して個別に対向配置し、前駆体ガス１０Ａ，１０Ｂが基材２０に対して局所的に出力されるようにする。使用する前駆体ガス１０Ａ，１０Ｂの量が従来よりも削減されると共に、使用可能な前駆体ガスの種類の幅が広くなる。 （もっと読む）

【課題】高い可視光透過率、低い抵抗率、高いヘイズを同時に満足する透明電極膜を製膜可能な透明電極膜の製膜方法を提供することを目的とする。また、高い可視光透過率、低い抵抗率、高いヘイズを同時に満足する透明電極膜を用いた高効率な太陽電池を製造可能な太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（ａ）ＳｉＨ_４とＯ_２とをＯ／Ｓｉ第１比で含む第４原料ガスを供給し、基板上にアルカリバリア膜を形成する工程を具備し、Ｏ／Ｓｉ第１比は、４０以上２００以下であり、アルカリバリア膜の膜厚は、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である透明導電膜及びアルカリバリア膜から構成される透明電極膜の製膜方法である。 （もっと読む）

【課題】 複数本のボトルの処理を可能とするとともに、ボトルの内面全体に良質な薄膜を形成可能とする。
【解決手段】 チャンバ１１ａにマイクロ波を供給する同軸導波管２３ａと、チャンバ１１ａの内部に原料ガスを供給するガスノズル１２と、チャンバ１１ａが載置された基台１３ａとを備え、同軸導波管２３ａが、内部導体２３ａ−２を有し、ガスノズル１２が、内部導体２３ａ−２の中心軸からずれた位置に配置された。 （もっと読む）

酸化ケイ素層を形成する方法が開示される。これらの方法は、ラジカル前駆体とラジカル酸素前駆体の両方を炭素のないケイ素含有前駆体と同時に組み合わせるステップを含む。ラジカル前駆体およびケイ素含有前駆体の１つは窒素を含有する。このような方法の結果、ケイ素、酸素、および窒素含有層が基板上に堆積される。次いで、ケイ素、酸素、および窒素含有層の酸素含有量を増大させて、窒素をほとんど含有しない酸化ケイ素層を形成する。ラジカル酸素前駆体およびラジカル前駆体は、別個のプラズマまたは同じプラズマ内で作り出すことができる。酸素含有量の増大は、酸素含有雰囲気の存在下でこの層をアニールすることによって引き起こすことができ、膜の密度は、不活性環境中の温度をさらに高くすることによって、さらに増大させることができる。
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【課題】赤外線領域での遮熱性能に優れ、色味調整が容易で、誘電体膜積層膜のクラック耐性、耐衝撃性に優れ、低ヘイズで、耐久性（耐光性）に優れた誘電体膜積層体と、その製造方法を提供する。
【解決手段】基材上に、無機顔料を含有する層と、低屈折率誘電体膜と高屈折率誘電体膜とを交互に積層した誘電体膜ユニットとを有することを特徴とする誘電体膜積層体。 （もっと読む）

【課題】 高い密着性と耐摩耗性を有する切削工具等の表面被覆部材を提供する。
【解決手段】 Ａｌ_２Ｏ_３質基体６の表面に被覆層８が被着形成され、被覆層８のうちの基体６の表面には、基体６側の第１Ａｌ_２Ｏ_３層７ａと上層の第２Ａｌ_２Ｏ_３層７ｂとの２層のＡｌ_２Ｏ_３層７が順に形成されており、第１Ａｌ_２Ｏ_３層７ａを構成するＡｌ_２Ｏ_３結晶を基体６の表面に対して平行な方向から見たときの平均結晶幅が、第２Ａｌ_２Ｏ_３層７ｂを構成するＡｌ_２Ｏ_３結晶を基体６の表面に対して平行な方向から見たときの平均結晶幅よりも小さい切削工具１等の表面被覆部材であり、高い密着性と耐摩耗性を有する。 （もっと読む）

本発明は、化学気相成長コーティング、化学気相成長物品、及び化学気相成長方法に関する。当該コーティング、物品、及び方法は、ジメチルシランを熱分解して所望の表面特性を得ることを必要とする。 （もっと読む）

【課題】ガラスに替わる電極フィルムとしての、耐熱性、透明性、カール、寸法変化、耐久性をすべて兼ね備えたガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】環状オレフィンとエチレンとの共重合比率が、８０：２０〜９０：１０であり、ガラス転移温度が１７０℃以上の環状オレフィンの付加（共）重合体よりなるフィルムシート１０の少なくとも片面に、プラズマ化学気相成長法によって厚み３０〜３００ｎｍの酸化珪素膜１２を形成することによって、水蒸気透過度が０．３ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下にされたガスバリアフィルム。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く、強度が高く、かつプラズマダメージ耐性が高い低誘電率絶縁膜を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ構造を含む基本分子１の複数個を直鎖状に結合した直鎖状分子２，３，４と、この直鎖状分子２，３，４の複数個を、間にＳｉＯ構造を含むバインダー分子５を介在させて結合してなり、Ｓｉ原子、Ｏ原子、Ｃ原子、及びＨ原子を含む重合体からなる低誘電率絶縁膜であって、該膜のフーリエ変換赤外分光法により分析して得たスペクトルのピーク信号のうち、リニア型ＳｉＯ構造を示す信号、ネットワーク型ＳｉＯ構造を示す信号、及びケージ型ＳｉＯ構造を示す信号の３種の信号面積の総和を１００％としたとき、リニア型ＳｉＯ構造を示す信号の面積比が４９％以上であり、かつスペクトルのピーク信号のうち、Ｓｉ（ＣＨ_３）を示す信号量と、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２を示す信号量の総和を１００％としたとき、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２を示す信号量が６６％以上である。 （もっと読む）

【目的】
電流密度分布を均一化し、均一な発光強度分布及び高い発光効率の得られる、量産性に優れた高性能な半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）単結晶の基板上に成長したＺｎＯ系結晶層は、基板との界面にアルミニウム（Ａｌ）が８×１０^２０個／ｃｍ^３以上の濃度で固溶した固溶層、及びＡｌの濃度が１×１０^１９ｃｍ^３以上である高濃度拡散層を有している。 （もっと読む）

【課題】成膜原料としてコバルトアミジネートまたはニッケルアミジネートを用いて、低温でかつ表面状態および膜中不純物が残存しにくい、膜質の良好なＣｏ膜、Ｎｉ膜を成膜することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器１内に基板Ｗを収容し、処理容器内にコバルトアミジネートまたはニッケルアミジネートを含む成膜原料とカルボン酸を含む還元剤とを気相状態で導入して、基板上にＣｏ膜またはＮｉ膜を成膜する。また、そのような成膜方法を実行するためのプログラムを記憶した記憶媒体。 （もっと読む）

【課題】 装置稼働率を高めることができ、量産性に優れる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器内に基板を搬入する工程と、処理容器内にニッケルを含む原料を供給し基板上にニッケルを含む膜を形成する処理を行う工程と、処理容器内から処理済基板を搬出する工程と、処理容器内に基板がない状態で、処理容器内にハロゲン系ガスを供給し処理容器内に付着したニッケルを含む堆積物と反応させてニッケルハロゲン化物を生成し、その後、処理容器内にシクロペンタ基を含むガスを供給しニッケルハロゲン化物と反応させてニッケル化合物を生成し、このニッケル化合物を加熱し気化して処理容器内から排出することで、処理容器内に付着したニッケルを含む堆積物を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化膜の成膜温度を低下させつつ、溝の凹部への埋め込み性を高める。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内に成膜原料と、酸化原料と、触媒原料とを同時に供給する工程と、各原料の供給を停止して処理室内を不活性ガスでパージする工程と、を１回もしくは複数回実施することで、基板上に酸化膜を堆積させる工程と、酸化膜堆積後の基板を処理室内から搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）