【課題】金属カルコゲナイド材料を製造するための新規なセットの化学物質を提供すること。
【解決手段】基板上に金属カルコゲナイド合金膜を作製する一実施態様として（ａ）上記基板をシリルテルリウム及びシリルセレニウムからなる群から選択されるシリル−カルコゲンに接触させるステップ；並びに（ｂ）上記基板を、一般式ＭＸ_n（式中、ＭはＧｅ、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇａ，Ｂｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｈｇ、Ｃｄ、Ｚｎ、及び貴金属からなる群から選択される；ＸはＯＲ（アルコキシ）、Ｆ（フッ素）、Ｃｌ（塩素）、Ｂｒ（臭素）、ＮＲ₂（アミノ）、ＣＮ（シアノ）、ＯＣＮ（シアネート）、ＳＣＮ（チオシアネート）、ジケトネート、カルボン酸基、及びそれらの混合物からなる群から選択される求核基である；そしてｎ＝１〜５である）を有する少なくとも一種の金属化合物に接触させるステップを含む。 （もっと読む）

【課題】容器の内面成膜の不均一性を改善することを課題とし、とりわけ、真空成膜装置におけるガスの供給管の工夫により、成膜ガスの流動分布のムラを減らして、容器内面の膜質と膜厚を均一化することで、成膜される容器の品質向上に役立つガス供給管を提供する。
【解決手段】ガス供給系主配管のプラズマ処理側に先端配管部を有し、該先端配管部内には、主管と主管から分岐した複数の枝管と各枝管の先端に取り付けた側壁部ノズルがあって、該側壁部ノズルは主管の中心軸の回りの先端配管部外径を超えない円周上に配置され、各側壁部ノズルからの噴出ガスが、該円周上の略接線方向に回転対称の方向で噴き出すように設置する。 （もっと読む）

【課題】 真空装置の真空容器や真空容器内部品等の真空容器類の表面全面にガス放出の少ない均質な膜を成膜する表面処理方法及び真空容器類を提供する。
【解決手段】 窒素及び酸素のうち少なくとも１種類の元素と、水素と、炭素とが含まれたシリコン化合物を原料とし、この原料を１０^−３〜１０^−５Ｐａの圧力に減圧された処理容器に気体状態で導入し、該原料によるプラズマを生成することにより、シリコン、水素と炭素及び酸素、窒素の少なくとも１種類の元素が含まれた膜を、この減圧された処理容器内に収容した被処理真空容器類の表面に堆積させることを特徴とする。 （もっと読む）

Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｂｉ−Ｔｅ、およびＺｎ−Ｔｅ薄膜などのＴｅ含有薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。Ｓｂ−Ｓｅ、Ｇｅ−Ｓｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｂｉ−Ｓｅ、およびＺｎ−Ｓｅ薄膜などのＳｅ含有薄膜を形成するためのＡＬＤプロセスも、提供される。式（Ｔｅ、Ｓｅ）（ＳｉＲ^１Ｒ^２Ｒ^３）_２のＴｅおよびＳｅ前駆体が使用されることが好ましい（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、およびＲ^３はアルキル基である）。これらのＴｅおよびＳｅ前駆体を合成するための方法も提供される。相変化メモリ素子において当該ＴｅおよびＳｅ薄膜を使用するための方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、酸素ガス及び水蒸気に対して高いバリア性を示し、且つ危険な原料を使用せずに効率よく大量生産することができるガスバリア性積層フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】 プラスチックフィルムからなる基材の一方の面上に、ケイ素化合物蒸着膜とガスバリア性塗布膜とを、この順序で、交互に２回又はそれ以上繰り返し積層し、且つガスバリア性塗布膜が最外層となるように形成したガスバリア性積層フィルムであって、ケイ素化合物蒸着膜が特定の組成を有することを特徴とするガスバリア性積層フィルムを提供する。 （もっと読む）

本発明は、基板上の透明バリア層システムに関しており、このバリア層システムには一連の個別層が含まれており、これらの個別層は層Ａおよび層Ｂから交互に構成されており、層Ａと層Ｂとは、水蒸気が透過する際の活性化エネルギが少なくとも1.5kJ/molの差分だけ異なる。
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【課題】ポリシリコン膜のシート抵抗のバッチごとの増加を防止すること。
【解決手段】減圧した反応管３内で気相成長法により基板上にポリシリコン膜を成膜するポリシリコン膜製造方法であって、水分供給手段によって水分を供給しつつ、上記成膜を行うことを特徴とする。このポリシリコン膜製造方法によれば、水分供給手段によって水分を供給しているので、成膜されるポリシリコン膜のシート抵抗のバッチごとの増加を防止することができる。 （もっと読む）

無機金属前駆体のリサイクルおよび精製のための方法ならびに装置。四酸化ルテニウムを含む第1のガス流が提供され、固相の低級ルテニウム酸化物へと変換される。この低級ルテニウム酸化物は水素で還元されて金属ルテニウムを生じる。金属ルテニウムは酸化性混合物と接触し、四酸化ルテニウムを含む流を生じ、残留するあらゆる酸化性混合物は蒸留によってこの流から除去される。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ容易に製造でき、バンドキャップの制御が容易な半導体カーボン膜、半導体素子、及び半導体カーボン膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体カーボン膜は、π結合を持ち、５員環、６員環、７員環のうち少なくともいずれかを含む多環炭素と、前記多環炭素に結合した水素及び／又は窒素と、から成り、前記多環炭素を１００重量部としたとき、前記水素及び／又は窒素の量が、５〜２０重量部であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置に於いて、処理室に処理ガスを導入するガス供給ノズル接続部からの処理ガスの外部へのリークを防止し、ガス供給ノズル取付け時の破損を防止すると共に取付けが容易に行える様にする。
【解決手段】基板４を積層して収納する処理室６１と、該処理室内を所望の温度迄加熱する加熱手段５８と、前記処理室に所望の処理ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内を排気する排気手段６２，６３，６４とを具備し、前記ガス供給手段は、前記基板の積層方向に立設された直管のガス供給ノズル６６と、該ガス供給ノズルを支持する金属配管６５と、前記処理室の下部を形成するマニホールド２とを有し、前記金属配管は、前記処理室外から前記マニホールドを貫通して前記処理室内に延在する第１の部位と、該第１の部位に接続され、前記積層方向に沿って延在する第２の部位とを有し、前記ガス供給ノズルは前記第２の部位に嵌合して支持される。 （もっと読む）

【課題】 気化器の液体原料流路内からの有機金属液体原料の除去を促進させ、液体原料流路内の閉塞を抑制する。
【解決手段】 処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内に複数種類の反応物質を複数回供給することにより基板を処理する工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する工程と、を有し、複数種類の反応物質のうち少なくともいずれか一つは、液体原料を気化部で気化させた原料ガスを含み、基板を処理する工程では、気化部に液体原料を供給して気化させる気化動作を間欠的に行うと共に、少なくとも液体原料の気化動作時以外の時に、気化部に液体原料を溶解することのできる溶媒を第１の流量で流し、液体原料の気化動作時以外の時であって、液体原料の気化動作を所定回数行う毎に、気化部に溶媒を第１の流量よりも大きな第２の流量で流す。 （もっと読む）

【課題】高品質で、しかも均質なＣＶＤダイヤモンド膜を効率よく、経済速度で製造する方法を提供する。
【解決手段】一桁ナノダイヤモンド粒子凝膠体を、ビーズミリングを行なって水性コロイドを作成し、水を除いてフレーク状とした後、非水系分散媒に再分散させて一桁ナノダイヤモンド粒子の非水系分散媒中コロイドを製造し、前記一桁ナノダイヤモンド粒子の非水系分散媒中コロイドを、インクジェットプリント原理を利用したパターニング装置を用いて、一桁ナノダイヤモンド粒子が一平方糎当たり２×１０１１以上の密度となるように基板上に種付けしたあと、真空加熱乾燥法又はマイクロ波照射により、非水系分散媒を除去し、続いて、一桁ナノダイヤモンド粒子を種として、ＣＶＤ法により基板上にダイヤモンド膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】
金属酸化物の薄膜形成に於いて、ローディング効果、段差被覆性、表面平坦性を改善し、又成膜時間の短縮を図り、歩留りの向上、スループットの改善、製造コストの低減を図る。
【解決手段】
基板を処理室に搬入する第１の工程と、前記処理室に金属化合物又はケイ素化合物である第１の原料を供給する第２の工程と、前記処理室の雰囲気を排気する第３の工程と、前記処理室にＯ含有ガスである第２の原料を導入する第４の工程と、前記処理室の雰囲気を排気する第５の工程と、前記基板の表面にＨ₂ Ｏを曝す第６の工程と、前記処理室の雰囲気を排気する第７の工程と、前記基板を前記処理室から搬出する第８の工程とを含み、前記第２の工程から前記第７の工程を順に所定回数繰返して行い、前記基板の表面に金属酸化膜又はケイ素酸化膜を形成する基板処理方法であって、前記基板を１５５℃〜１６５℃に含まれる温度の範囲で加熱しつつ、前記第６の工程を行う。
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【課題】触媒反応に伴う化学エネルギーを利用することによって使用電力量を低減でき、酸化亜鉛等の金属酸化物の薄膜、窒化ガリウムや窒化アルミニウム等の金属窒化物の薄膜、および珪素窒化物の薄膜などを、低コストで効率良く基板に堆積させる堆積装置および堆積方法を提供する。
【解決手段】第１の原料ガスを導入する導入部と、前記導入部から導入された前記第１の原料ガスから反応性ガスを生成する触媒を収容する触媒容器と、前記触媒容器から前記反応性ガスを噴出する反応性ガス噴出部であって、前記反応性ガスの噴出方向に沿って内径が小さくなる縮径部と、前記噴出方向に沿って内径が大きくなる拡径部と、を含む当該反応性ガス噴出部とを含む触媒反応装置；基板を支持する基板支持部；および、前記反応性ガス噴出部から噴出される前記反応性ガスと反応して前記基板に膜を堆積させる第２の原料ガスを供給する供給部；を備える堆積装置。 （もっと読む）

【課題】
排気系配管内への反応物の堆積を抑制することのできる気相成長装置を提供する。
【解決手段】
気相成長装置は、内部の温度及び圧力を制御可能なチャンバと、前記チャンバ内において回転軸で支持され、成長基板を設置するためのサセプターと、前記サセプター上の成長基板に対して原料ガスを供給するガス供給手段と、前記サセプターと前記チャンバ内で対向し、又は前記サセプターを支持するステージと、前記ステージに設置され、前記ステージよりも大きい径サイズを有する構造体と、前記チャンバ内のガスの流れ方向から見て前記構造体の下流に設けられ、前記チャンバ内から排気ガスを搬出する排気手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】内外圧差によって容易に変形が生じてしまう非耐圧性プラスチック容器であって、内面の実質上全体にわたってマイクロ波プラズマＣＶＤ法によって成膜された蒸着膜を有する容器を提供する。
【解決手段】マイクロ波導入チャンバー内にプラスチック容器を配置し、該プラスチック容器内に反応ガスを導入しながら該チャンバー内にマイクロ波を導入することにより、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によって容器内面に蒸着膜が形成されている非耐圧性プラスチック容器。 （もっと読む）

【課題】少なくとも潤滑油中で摩擦特性が優れること、または無潤滑および潤滑油中の両方の環境下で摩擦特性が優れた非晶質炭素膜およびその成膜方法を提供する。
【解決手段】原料ガスはトルエンガスおよびＨＭＤＳで、周波数は５０ｋＨｚ以上５００ｋＨｚ以下で、圧力は０．５Ｐａ以上２０Ｐａ以下で、成膜中の温度は１５０〜４００℃の条件のプラズマＣＶＤ法を用いて基材上に形成された炭素と水素または炭素と珪素と水素を含有する非晶質炭素膜であって、組成がＣ_{１−ａ−ｂ}Ｓｉ_ａＨ_ｂで、かつ、０≦ａ≦０．２、０．７５≦ｂ＜０．２５であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 常圧下でのＣＶＤ法において、膜質・カバレージ性が良好な酸化膜を速い成膜速度で形成できるようにする。
【解決手段】 大気圧近傍の圧力条件でのＣＶＤ法により基板Ｓの表面に酸化膜を形成する装置において、シリコン含有ガスからなる原料ガス（Ａ）、酸化性ガスからなる反応ガス（Ｂ）、Ｈ₂Ｏガス（Ｃ）という３成分のプロセスガスを供給するガス供給源３Ａ，３Ｂ，３Ｃと、放電処理部１とを備える。放電処理しない原料ガス（Ａ）に、放電処理部１にて放電処理した反応ガス（Ｂ）を基板Ｓ表面付近で混合すると共に、放電処理した又は放電処理しないＨ₂Ｏガス（Ｃ）を添加することによって、常圧下でのＣＶＤ法において、膜質・カバレージ性が良好な酸化膜を速い成膜速度で形成する。 （もっと読む）

【課題】危険性を低減し、かつ低温で効率よく窒素を供給できるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法、発光デバイスの製造方法および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１０２の結晶成長方法は、以下の工程を備えている。まず、窒素の原料としてモノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方を含むガスが準備される。そして、ガスを用いて気相成長法によりＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１０２が成長される。 （もっと読む）

【課題】制御された蒸気の供給を可能とする。
【解決手段】液体又は固体の物質を保持する保持部４と、保持部を冷却する冷却手段５と、保持部の温度を検知する検知手段６と、検知手段により検出した温度に基づき、冷却手段を制御する制御手段７と、を有し、制御手段により、冷却手段を用いて保持部の温度を制御することで、液体又は固体の物質の気化又は昇華を制御して、物質の蒸気を供給する。蒸気供給装置の置かれた雰囲気での、液体又は固体から気化又は昇華した蒸気の圧力を測定する手段９又は１０を有し、制御手段は、測定された圧力に基づき蒸気の圧力が所定の値になるように保持部の温度を制御する。 （もっと読む）