【課題】 イオン源の引出し電極系を構成する電極の広い領域に亘って高速で堆積物を除去することができるクリーニング装置を提供する。
【解決手段】 引出し電極系１０の相対向する二つの電極１１、１２間にクリーニングガス４８を供給して当該電極間のガス圧をグロー放電を発生させるガス圧に保つクリーニングガス源４２等の手段と、両電極１１、１２間に直流電圧を印加してグロー放電８０を発生させるグロー放電電源６０とを備えている。かつ、所定時間内の電極１１、１２間の異常放電の発生回数Ｎを測定する異常放電測定器８４と、それで測定した異常放電の発生回数Ｎを用いてグロー放電電源６０の出力電流Ｉ_g を所定幅ずつ増減させる制御を行う電源制御器８６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】
複数枚のスリット電極を有するイオン源において、電流量と制御性のバランスの取れたイオンビームの引出しを行う。
【解決手段】
この発明のイオン源１は、引出し電極系として複数枚のスリット電極７〜１０を有するイオン源１である。そして、スリット電極７〜１０は、開口部１５を有する電極枠体１４と開口部１５内に並設された複数本の電極棒１６とから構成されているとともに、イオン源１より発生されるイオンビーム２の進行方向に沿って最も上流側に位置するスリット電極５を構成する電極棒１６において、隣り合う電極棒１６間に形成されるスリット状開口部１７の形状がイオンビーム３の進行方向に沿って略テーパー状となるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】イオン電流量の低下を抑えつつ、原料ガスの使用量を低減させることが可能なイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。
【解決手段】イオン注入装置１０は、イオンビ−ムを引き出すイオン源１２と、半導体基板３０（ターゲット）にイオン注入を行う注入室２０と、注入室２０へガスを導入するガス導入部１１を備えている。そして、注入室２０へ導入されるガスは、原料ガスと不活性ガスとの混合ガスであり、原料ガスのみを注入室２０へ導入したときのイオン電流量が最大となる流量をＸａとしたときに、混合ガスの総流量が０．７Ｘａ以上、且つ、原料ガスの流量が０．４Ｘａ以上（原料ガスがＢＦ_３を主体として構成される場合は、原料ガスの流量が０．３Ｘａ以上）となるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】
スリット状開口部を形成する複数本の電極棒を交換する際の作業効率の改善されたスリット電極を提供する。
【解決手段】
この発明のスリット電極１は、開口部３を有する電極枠体２と、長手方向と交差する方向に沿って開口部３内に並設された複数本の電極棒５と、開口部３を挟んで各電極棒５の長手方向の端部を支持する複数の電極棒支持部７とを備えている。さらに、電極枠体２上に配置され、電極棒５が並設される方向に沿って複数の電極棒支持部７の上面を覆う蓋体６を備えていて、この蓋体６が電極棒支持部７の上面に配置された際、電極棒５の長手方向において電極棒支持部７に開放端部１３が形成されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】マイクロ電子デバイスの製造に使用されるイオン注入装置の真空室やビームラインの構成部品からの残留物を洗浄する。
【解決手段】残留物を有効に除去するため、構成部品は、残留物を少なくとも部分的に除去するのに十分な時間の間かつ十分な条件下で、気相反応性のハロゲン化物組成物と接触させられる。気相反応性のハロゲン化物組成物は、残留物と選択的に反応し、一方で、真空室のイオン源領域の構成部品と反応しないように選択される。 （もっと読む）

【課題】イオンビーム源装置においてイオンビームの発散を抑制し効率を著しく向上させことができる電荷中和装置を提供する。
【解決手段】メッシュ構造、あるいは１個ないし多数の孔を持った電極を用いて、プラズマ源容器内のプラズマ源からイオンを引き出すイオンビーム源装置において、プラズマ源とは反対のビーム引き出し方向から、一様で制御された電子ビームを照射することにより、照射された電極面から二次電子を放出させて、電極孔から引き出されたイオンの空間電荷を中和して、イオンビームの発散を抑制することを特徴とする電荷中和装置。 （もっと読む）

【課題】材料ガスの効率的な使用を可能とするイオン注入装置を提供する。
【解決手段】イオンソースチャンバ２内のアークチャンバ３内に導入された材料ガスをイオン化し、イオン化したイオンを半導体基板に注入する際に、前記イオンソースチャンバ２内のガスを真空ポンプ２０によって排気する。排気されたガスの一部は廃棄ガス流路３１を介して除害装置２１に導き、無害化して大気放出する。残りは環流ガス流路３３を介して前記イオンソースチャンバ２に戻して再使用する。 （もっと読む）

イオン注入システムのイオン源の性能および寿命が向上する、イオン注入システムおよび方法であって、そのような向上を得るために有効な、同位体濃縮されたドーパント材料を使用することによる、またはドーパント材料と補給ガスとを使用することによるイオン注入システムおよび方法。 （もっと読む）

【課題】グリッド・アセンブリ内の熱ひずみが小さいイオンビーム発生器を提供すること。
【解決手段】放電チャンバの側壁（１Ａ）、取付けプラットホーム（４０）および抽出グリッド電極アセンブリ（２０）の熱膨張係数α_Ｐ、α_Ｍおよびα_Ｇが、α_Ｐ＞α_Ｍ≧α_Ｇの関係を有するように選択される。たとえば、放電チャンバ側壁の材料はステンレス鋼またはアルミニウムであり、グリッドの材料はＭｏ、ＷまたはＣであり、また、プラットホームの材料はＴｉまたはＭｏである。 （もっと読む）

【課題】３枚の多孔板電極からなる引き出し電極を備えたイオンビーム発生装置において、第３電極を損傷することなく、第３電極に付着した付着膜を除去する技術を提供する。
【解決手段】第１電極７ａを正電位に、第２電極７ｂを負電位に、第３電極７ｃを接地電位にそれぞれ設定し、第３電極７ｃに流れる電流値を電流計９で測定しながら、該電流計９で測定された電流値が設定値を超えた場合には、フィードバック制御部１０によって第２電極７ｂに印加する電圧の絶対値を上げる。 （もっと読む）

ここに開示されたいくつかの技術は、分子ビーム部品から残留物を清浄することを促進する。例えば、典型的な方法では、分子ビームは、ビーム通路に沿って供給され、分子ビーム部品において残留物を増加させる。その残留物を減少させるために、分子ビーム部品は、フッ化炭化水素プラズマにさらされる。フッ化炭化水素プラズマへの接触は、第１の予め定められた条件が満たされたかどうかに基づいて終了し、第１の予め定められた条件は、残留物の除去の範囲を示している。他の方法およびシステムについても開示されている。
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例えば、Ｂ２Ｆ４またはその他のＢＦ３の代替物といったホウ素ソース材料を使用して、アークチャンバ熱生成によるドーパントガスの加熱および分解を抑制するために、ドーパントガス供給ラインにおいてドーパントガスの冷却を提供する、イオン注入システムシステムおよび方法。イオン注入システムの効率的な動作を達成するために、多様なアークチャンバ熱管理構成が、プラズマ特性の変形、特定の流れ構成、洗浄プロセス、電力管理、平衡シフト、抽出光学系の最適化、流路における堆積の検出およびソース寿命最適化と共に記載される。 （もっと読む）

イオン注入方法は、プラズマをチャンバのプラズマ領域に供給するステップと、複数の開口を有する第１のグリッドプレートを正にバイアスするステップと、複数の開口を有する第２のグリッドプレートを負にバイアスするステップと、プラズマ領域のプラズマからのイオンを正にバイアスされた第１のグリッドプレートの開口を通して流すステップと、正にバイアスされた第１のグリッドプレートの開口を通して流されたイオンの少なくとも一部を、負にバイアスされた第２のグリッドプレートの開口を通して流すステップと、負にバイアスされた第２のグリッドプレートの開口を通して流されたイオンの少なくとも一部を基板に注入するステップとを有する。
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【課題】イオン源に流入させる種々のガスをできる限り迅速に切り替えることができるようにする。
【解決手段】とりわけ粒子線治療設備用の、ガス噴射システムであって、イオン源にガスを導き入れる第１の導管と、分離された２つのガス流のための第２および第３の導管と、多方切替弁とを有する。第２および第３の導管はそれぞれ多方切替弁の入口に開口しており、第１の導管は多方切替弁の出口に接続されており、多方切替弁は一方または他方の入口が出口と選択的に接続されるように形成されており、これにより第２または第３の導管は流体技術的に第１の導管と接続される。 （もっと読む）

【課題】イオンビーム抽出装置において、スリットの形成されたグリッドに印加される電圧を調節しイオンビームの方向と強度を調節することによって、ウエハに対するエッチング率の均一性を改善し半導体素子の生産性を向上させる。
【解決手段】イオンビーム抽出装置は、プラズマからイオンビームを生成するイオンソースと、該イオンソースから生成されたイオンビームの進行経路上に配置され、印加される電圧を制御してイオンビームの方向を調節するグリッドと、を備える。 （もっと読む）

【課題】開処理時において確実にマスフローコントローラが全閉状態となっており、チャンバー内へガスが突入するのを防ぐことができるガス制御装置、ガス制御装置の制御方法、及びそれらを用いたイオン注入装置を提供する。
【解決手段】ガス制御装置１０であって、可変流量バルブ４１を備え、チャンバー１に流入するガスの流量を設定流量となるように制御するマスフローコントローラ４と、前記マスフローコントローラ４の上流に設けられる１次側バルブ６と、前記マスフローコントローラの下流に設けられる２次側バルブ７と、を具備し、前記チャンバー１へのガスの流入を止めるガス閉処理時において、前記マスフローコントローラ４、前記１次側バルブ６、前記２次側バルブ７をこの順で全閉させる、又は、前記１次側バルブ６を全閉させてから第１所定時間以内に前記マスフローコントローラ４を全閉させ、その後に前記２次側バルブ７を全閉させる制御部８を備えた。 （もっと読む）

【課題】耐用年数を増加し、機器の停止時間を減少させるイオンビームを生成する方法および装置を提供すること。
【解決手段】イオン源（４００）の耐用年数は、反応性ハロゲンガス（ＦまたはＣｌ）を使用して、イオン源（４００）および引出し電極（４０５）のインサイチュでのエッチング洗浄の備えを有する供給源によって、ならびに洗浄間のサービス期間を延長する特徴を有することによって強化または延長される。後者は、正確な蒸気流制御、イオンビーム光学素子の正確な集束、および沈着物の形成を防止するか、または電極の破壊を防止する引出し電極の熱制御を含む。半導体ウェハ処理用のドーパントイオンを生成するためのイオン源から成る装置は、遠隔プラズマ源に結合され、このプラズマ源は、第１イオン源および引出し電極内の沈着物を洗浄することを目的として、第１イオン源にＦイオンまたはＣｌイオンを供給する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスの回数を少なくかつ故障を少なくした引出電極用マニピュレータを提供すること。
【解決手段】本発明の引出電極用マニピュレーター・システムは、同軸配置された支持管システムの内側支持管248によって支持される抑制電極210と、前記同軸配置された支持管システムの外側支持管246によって支持されている接地電極212と、前記同軸配置された支持管システムの遠方端に位置して、前記支持管システムを機械的に支持し、かつ高電圧真空フィードスルーとして作用する高電圧インシュレータリング211とを含む。この結果、絶縁スタンドオフとしての高電圧インシュレータリング211が、イオン源の近くから同軸配置された支持管システムの遠方端に位置するので、内側支持管を機械的に支持するとともに、高電圧フィードスルーとして作用し、インシュレータリング211の絶縁表面に蒸気が到達して汚染しかつ被覆する可能性を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームの入射エネルギー分布の変化を抑制可能なイオンビーム処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマの生成空間を規定するプラズマ室と、複数の第１貫通孔６ａを有する第１グリッド１２、第１グリッド１２を挟んで生成空間の反対側に配置され、複数の第１貫通孔６ａのそれぞれに連通する複数の第２貫通孔６ｂを有する第２グリッド１４、複数の第１貫通孔６ａの中の第１連通孔６Ａ及び複数の第２貫通孔６ｂの中の第２連通孔６Ｂにそれぞれ嵌合するように両側に突出した突起部５２、５４とを有するスペーサ２を備え、生成空間に面し、プラズマ中のイオンを引き出す引出電極１０と、引出電極１０に面し、生成空間から引き出したイオンにより処理される基板を載置する基板台とを備える。 （もっと読む）

可動マウント（１１２、１１４）に取り付けられた少なくとも１つの電極（１０２、１０４、１０６）を備える、イオンビーム加速装置（１００）。
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