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Fターム[5E319AA03]の内容

Fターム[5E319AA03]に分類される特許

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【課題】伝送コネクタ用の中継基板において、伝送特性や接地特性が高く、低コストな中継基板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の中継基板は、複数のワイヤとコネクタとを中継する伝送コネクタ用の中継基板であって、表面に配置された、第一及び第二の表グランドパッド12a、12bと、裏面に配置された第一及び第二の裏グランドパッド13a、13bと、グランドパッド間に配置されたシグナルパッド14a〜15bと、第一の表グランドパッド12aと第一の裏グランドパッド13aとを接続する第一のVIAホール17aと、第二の表グランドパッド12bと第二の裏グランドパッド13bとを接続する第二のVIAホール17bとを備え、第一のVIAホール17aと第二のVIAホール17bとが、シグナルパッドの両側に配置されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 比較的簡便で安価な手法により導体パターンの表面に凹部を形成する。
【解決手段】 絶縁フィルム1上に形成した、導体パターン2pの表面に凹部2dを形成するプリント配線板の製造方法であって、エッチング阻害剤を含むエッチング液13を導体パターン2pの表面の一部に接触させてエッチングすることで、導体パターン2pの表面に、略平坦なエッチング底面2t及び略垂直なエッチング側壁2sを有する凹部2dを形成する。 (もっと読む)


【課題】製造が効率的で、アンテナと無線IC素子との接続信頼性の高い無線通信デバイスの製造方法を得る。
【解決手段】基材シート10に金属材を含む導電性インクによってアンテナ用パターン21及び接合用パターン25を形成するパターン形成工程と、接合用パターン25に無線IC素子30を搭載した状態で、アンテナ用パターン21及び接合用パターン25を熱処理して金属化するとともに、無線IC素子30の端子電極31,32と接合用パターン25とを一体化する熱処理工程とを備えた無線通信デバイスの製造方法。パターン形成工程では、接合用パターン25の厚みをアンテナ用パターン21の厚みよりも大きく形成する。 (もっと読む)


【課題】非硬化性であり、信頼できるはんだ付け接続を容易にし、かつ従来のエポキシベースのアンダーフィル材料との適合性を容易にするようにカスタマイズすることができるフラックス剤を提供する。さらに又、このポリアミンフラックス組成物を使用して電気接点をはんだ付けする方法も提供される。
【解決手段】当初成分として式Iで表されるポリアミンフラックス剤を含むポリアミンフラックス組成物を使用する。


式中、R、R、RおよびRは独立して水素等、Rは少なくとも2つの第三級炭素を有する置換C5−80アルキル基等から選択される。このポリアミンフラックス組成物は様々なアンダーフィル組成物との適合を容易にするように設計され、その結果、はんだ付けされた表面は、仕上げの電気接合を形成するアンダーフィル組成物の適用前にクリーニングを必要としない。 (もっと読む)


【課題】非硬化性であり、信頼できるはんだ付け接続を容易にし、かつ従来のエポキシベースのアンダーフィル材料との適合性を容易にするようにカスタマイズすることができるフラックス組成物を提供する。
【解決手段】当初成分として式Iにより表されるフラックス剤を含むフラックス組成物。このフラックス組成物を用いて電気接点をはんだ付けする方法。


式中、R、R、RおよびRは独立して水素、置換C1−80アルキル基、非置換C1−80アルキル基、置換C7−80アリールアルキル基、および非置換C7−80アリールアルキル基から選択され;並びに、R、R、RおよびRの0〜3つは水素である。 (もっと読む)


【課題】速やかに熱硬化させることができ、更に電極間の電気的な接続などに用いられた場合に、導通信頼性を高めることができる異方性導電材料、並びに該異方性導電材料を用いた接続構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る異方性導電材料は、熱硬化性化合物と、熱硬化剤と、発熱材料と、導電性粒子5とを含む。本発明に係る接続構造体1は、第1の接続対象部材2と、第2の接続対象部材4と、該第1,第2の接続対象部材2,4を電気的に接続している接続部3とを備える。接続部3が、上記異方性導電材料を硬化させることにより形成されている。 (もっと読む)


【課題】電機部品における信頼性のあるはんだ付けされかつ封止された相互接続の製造を容易にする硬化性フラックス材料を提供する。
【解決手段】分子あたり少なくとも2つのオキシラン基を有する樹脂成分式Iのアミンフラックス剤、並びに、場合によっては硬化剤を当初成分として含む硬化性アミンフラックス組成物とする。


(式中、R、R、RおよびRは独立して水素等、RおよびRは独立してC1−20アルキル基等、R10およびR11は独立してC1−20アルキル基等、Rは水素等から選択される) (もっと読む)


【課題】余分なコストを掛けることなく、フレキシブル基板6の歪みに対してコンデンサ7に加わる応力を抑制できるコンデンサ7の実装構造を提供する。
【解決手段】コンデンサ7は、長手方向の側面が、第1のランド12の長手方向と平行に配置され、且つ、コンデンサ7の長手方向全体が第1のランド12の長手方向の範囲内に配置される。また、コンデンサ7は、第1のランド12の長手方向の長さをAとし、第1のランド12の長手方向の側面からコンデンサ7の反ランド側の側面までの距離をBとすると、A≧Bの関係が成立する範囲内に配置される。
上記の様に、コンデンサ7を第1のランド12に近接して実装配置することにより、フレキシブル基板6に歪みが生じた場合に、コンデンサ7及び半田付け部に加わる応力が軽減され、クラック等の発生を防止できる。 (もっと読む)


【課題】はんだ付けする領域が小さくなるとフラックスの量が少なくなり、はんだ付けの強度が低下することを防止し、且つはんだバンプが小さくなることにより基板の反りよるはんだ付け不良の発生を防止すること。
【解決手段】
基板を載置してはんだをリフローする超音波ホーンの面積を基板の面積以上に大きくし、且つ基板を超音波ホーンに吸引固定して、超音波振動を基板の厚み方向に印加しながら、はんだを溶融する。そして、基板搬送には、搬送アーム方式を採用し、基板の温度と、予熱台、加熱台と冷却台の温度との差を小さくしてから基板を予熱台、加熱台と冷却台に搭載することにより基板の反りを防止する。 (もっと読む)


【課題】圧電現象による振動によって発生される騒音を減少させることができる積層セラミックキャパシタの回路基板実装構造、実装方法及びこのため回路基板のランドパターン等を提供する。
【解決手段】内部電極12が設けられた誘電体シート11が積層され、内部電極12と並列接続する外部端子電極14a,14bが両端部に設けられた積層セラミックキャパシタ10の回路基板20への実装構造であって、積層セラミックキャパシタ10の内部電極層と凹路基板とは、互いに水平方向になるように配置され、外部端子電極14a,14bと回路基板20のランドとを導電接続し、外部端子電極14a,14bとランドとを導電接続する導電材15の高さ(T)は、積層セラミックキャパシタ10の厚さ(TMLCC)の1/3未満である。 (もっと読む)


【課題】電子チップ部品を自動実装する場合に、電子チップ部品の実装品質を保ちつつ、電子チップ部品の実装面積を減少させる。
【解決手段】第2の電子チップ部品100Bは、プリント配線板300上に実装された第1の電子チップ部品100A上に実装されるので、実装面積を減少させることができる。また、第1の電子チップ部品100Aの電極部104Aの上面には突起108Aが形成され、第2の電子チップ部品100Bの電極部104Bの下面には、突起108Aが嵌る窪み106Bが形成される。第2の電子チップ部品100Bを、第1の電子チップ部品100A上に実装した際に、突起108Aと窪み106Bとが嵌合されるので、第2の電子チップ部品100BのSMTマウンタ装置による実装時における位置ずれを抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】現在のPOLプロセスと関連する1つまたは複数の欠点を克服するコスト効率の良い半導体デバイスパッケージング製作プロセスを提供する。
【解決手段】第1の金属層130に配置された誘電体膜120を含む積層体を用意するステップと、所定のパターンに従って積層体を通って延在する複数のビア150を形成するステップと、半導体デバイスが取り付け後に1つまたは複数のビアと接触するように1つまたは複数の半導体デバイスを誘電体膜外面に取り付けるステップと、第1の金属層および導電層を含む相互接続層を形成するステップと、所定の回路構成に従って相互接続層をパターン形成して、パターン形成済み相互接続層を形成するステップで、パターン形成済み相互接続層の一部分が、1つまたは複数のビアを通って延在し、半導体デバイスとの電気接点を形成するステップとを含む半導体デバイスパッケージの製作プロセス。 (もっと読む)


【課題】高密度化に対応した導体ポストを備える配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板10は、導体層12と、その上に積層されたソルダーレジスト層13と、層13に設けられた貫通孔131の下方に配置された導体層12aに導通される導体ポスト16と、を備え、ソルダーレジスト層13は熱硬化性樹脂を含み、導体ポスト16は、スズ、銅又は半田を主体とすると共に、貫通孔131内に位置する下部導体ポスト161と、下部導体ポスト161上に位置して、層13より外側に張り出してなる上部導体ポスト162と、を有し、下部導体ポスト161は、その外側面161cに外側合金層165cを備え、導体ポスト16は、外側合金層165cを介して、層13の貫通孔131の内側面131cに密着されている。 (もっと読む)


【課題】速やかに熱硬化させることができ、更に導通信頼性を高めることができる異方性導電ペースト、並びに該異方性導電ペーストを用いた接続構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る異方性導電ペーストは、光硬化性化合物と、熱硬化性化合物と、光重合開始剤と、熱硬化剤と、熱伝導率が20W/m・K以上であるフィラーと、導電性粒子5とを含む。本発明に係る接続構造体1は、第1の接続対象部材2と、第2の接続対象部材4と、該第1,第2の接続対象部材2,4を電気的に接続している硬化物層3とを備える。硬化物層3が、上記異方性導電ペーストを硬化させることにより形成されている。 (もっと読む)


【課題】 小型軽量のチップコンデンサを確実に実装できる多層プリント配線板を提供する。
【解決手段】 チップコンデンサを搭載するためのパッド58up、58umは、レーザにより形成される開口151uにより露出される。即ち、形状性に優れるレーザにより開口を形成することでパッドの形状が略同一になる。従って、チップコンデンサのプラス端子に接続するパッド58upと、チップコンデンサのマイナス端子に接続するパッド58umとで、半田量及び半田濡れ性が略同等になる。このため、マンハッタン現象が生じ難い。 (もっと読む)


【課題】基板上への電子部品のはんだによる接合をより高精度に行なうことが可能な電子機器製造用治具および電子機器の製造方法を提供する。
【解決手段】治具1は、絶縁メタライズ基板4表面にはんだを介して電子部品3を接合するために用いる電子機器製造用治具であって、絶縁メタライズ基板4表面に接触する裏面と、当該裏面と反対側に位置する表面とを有する治具本体からなる。治具本体には、表面から裏面まで貫通する、上方凹部5および下方開口部6からなる貫通孔が形成される。貫通孔の側壁には、貫通孔における表面側での幅とは貫通孔の幅が変更される幅変更部としての段差部7が形成されている。 (もっと読む)


【課題】高密度化に対応した導体ポストを備える配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導体層12と、その上に積層されたソルダーレジスト層13と、その層に設けられた貫通孔131の下方に配置された導体層12aに導通される導体ポスト16と、を備える配線基板10であって、層13は熱硬化性樹脂を含み、導体ポスト16はスズ、銅又は半田を主体とし、導体ポスト16は、貫通孔131内に位置する下部導体ポスト161と、下部導体ポスト161上に位置して、層13より外側に張り出してなる上部導体ポスト162と、を有すると共に、上部導体ポスト162の下端面162bの少なくとも一部が層13の外表面132に密着されている。 (もっと読む)


【課題】高い接着強度を示し、室温〜50℃での貯蔵安定性に優れ、かつ信頼性試験後も十分な性能を有する異方導電フィルム、接続体及び半導体装置を提供する。
【解決手段】(a)ラジカル重合性化合物、(b)80〜200℃の加熱、または150〜750nmの光照射と加熱とを併用することでラジカルを発生する硬化剤、及び(c)分子内に窒素原子と炭素−炭素二重結合を含有する化合物を含有してなり、(c)分子内に窒素原子と炭素−炭素二重結合を含有する化合物は、(a)ラジカル重合性化合物とは異なるものであり、(a)ラジカル重合性化合物100重量部に対して、(c)分子内に窒素原子と炭素−炭素二重結合を含有する化合物を、1〜20重量部含有する、異方導電フィルム。 (もっと読む)


【課題】半田バンプとパッドの接続の信頼性が高いプリント配線板を提供する。
【解決手段】層間樹脂絶縁層と、上記層間樹脂絶縁層上に形成されて、電子部品を搭載するためのパッドと、上記層間樹脂絶縁層と上記パッドとの上に形成され、上記パッド上に開口部を有するソルダーレジスト層と、上記開口部から露出するパッド上に形成されている被覆層とを備えるプリント配線板であって、上記ソルダーレジスト層は、上記開口部の底部において該開口部の内方に向けて突き出た形状の突出部を有しており、上記突出部は、先端部分に平坦面を有していることを特徴とするプリント配線板。 (もっと読む)


【課題】超音波振動を印加するだけでは接合しづらい被接合物どうしを接合するときに、両金属接合部の間に箔状導電材を介在させた状態で超音波振動を印加することで被接合物どうしを良好に接合することのできる技術を提供する。
【解決手段】超音波振動を印加するだけでは接合しづらいリードフレーム123(金属接合部123a)とガラスエポキシ基板124(電極パターン124a)とを接合するときに、金属接合部123aと電極パターン124aとの間に、金属製箔状導電材50を介した状態で超音波振動を印加することにより、箔状導電材50の両面に両金属接合部がそれぞれ接触して形成される接合界面に超音波振動が確実に印加されるので、金属接合部123aを有するリードフレーム123と、電極パターン124aを有するガラスエポキシ基板124とを良好に接合することができる。 (もっと読む)


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