【課題】フロー半田槽を用いて電子部品の端子線とプリント配線基板のランドとを半田付けした後に、通電不良を検出するための通電確認部がフラックスで覆われるのを抑制することができる支持台、プリント配線基板装置の製造方法、プリント配線基板装置を得る。
【解決手段】プリント配線基板１６の裏面１６Ａに塗布されていたフラックスは、ノズルから噴射される溶融半田によって、搬送方向下流側（鉛直方向上方）に移動する。搬送方向下流側へ移動するフラックスは、開口縁３０を凹状とすることで形成されるフラックス誘導部３４に流れ込む。これにより、フラックスはフラックス誘導部３４に捕獲され、通電確認部及び電子部品１２の端子線１４は、フラックスが残留しない状態となる。 （もっと読む）

【課題】はんだ付け装置の噴流ノズルに関わる。フラックス枯れを起こすことなく、安定したはんだ噴流を供給でき、はんだ付け不良を低減することが可能な噴流ノズルを得ることを目的とする。
【解決手段】本発明に関わるはんだ付け装置は、溶融はんだを貯蔵するはんだ槽と、はんだ槽に配設されていて上部が開口していている噴流ノズルと、はんだ槽に貯蔵された溶融はんだを噴流ノズルに供給する循環機構とを備えており、噴流ノズルは、周囲を囲む外壁と外壁よりも背の低い隔壁を有していて、外壁の内側上端部は、溶融はんだに対し濡れ性の良い帯状部材で被覆されているものである。 （もっと読む）

【課題】半田の溶融に併せて基板に超音波振動を印加するリフロー半田付け装置において、基板の加熱時に発生する基板の湾曲の防止と、半田付け処理時間の短縮化を図ること。
【解決手段】
半田の溶融に併せて基板Ｐに超音波振動を印加する構成を有するリフロー半田付け装置において、半田接合部が形成される基板Ｐに搭載されている半田ボールＨＢを加熱し溶融させる加熱機構４と、この加熱を行う前に、基板Ｐを予熱する予熱機構３と、半田ボールＨＢが溶融された後、溶融された半田を冷却する冷却機構５と、予熱時、および加熱時において、基板Ｐの雰囲気を窒素雰囲気とすることができる窒素ガス噴出部３０，３１と、基板Ｐを、予熱領域５８、加熱領域５９、冷却領域６４の順で搬送する搬送機構８とを備える。 （もっと読む）

【課題】送風機構の駆動方法を工夫して、当該送風機構による搬送経路上の雰囲気を遮断する機能に優先して乱流の発生を防止できるようにすると共に、基板が乱流を伴うことなくエアーカーテンエリアを通過できるようにする。
【解決手段】基板に電子部品をはんだ付けする装置において、基板を搬送する搬送経路の所定位置に設けられ、当該搬送経路上に気体を送風して雰囲気を遮断するエアーカーテンエリア９２７を形成する送風機構９９と、当該機構を通過する基板の通過タイミングに対応してエアーの送出又は停止するように送風機構９９を制御する制御部６５とを備えるものである。基板がエアーカーテンエリア９２７を通過する直前に送風を停止すると共に基板通過中も送風を停止し、基板がエアーカーテンエリア９２７を通過した直後に送風を再開するように制御できる。 （もっと読む）

【課題】基板とマスクプレートとの間の密着性に起因して生じる印刷品質不良を防止することができるスクリーン印刷装置およびスクリーン印刷方法を提供することを目的とする。
【解決手段】クランプ部材８ａによってクランプされた基板９を対象とするスクリーン印刷において、基板クランプ状態における基板９の上面とクランプ部材８ａの上面との相対高さを調整するためのクランプ状態制御工程に際し、クランプ部材８ａに設定された複数の第１の高さ計測点および基板９の上面について設定された複数の第２の高さ計測点を対象として高さ計測作業を実行してクランプ部材高さＨＣＭおよび基板上面高さＨＢＭを算出し、算出されたクランプ部材高さＨＣＭおよび基板上面高さＨＢＭに基づいて基板下受け部６の動作を制御して、基板９の上面とクランプ部材８ａの上面との相対高さを調整する。 （もっと読む）

【課題】無鉛はんだで取り付けるリードピッチの狭い挿入型電子部品のリード挿入ランドを形成する際、隣り合うランド同士のショートおよびはんだ付け後のランド剥がれさらにランドに接続している回路パターンとの断線が無く、はんだ取り付け強度が十分なランドを形成できるようにする。
【解決手段】プリント配線板に実装する挿入型電子部品リード取り付け用スルーホール４を形成後、その周囲表裏面にはんだ付け用ランド３を長円にて形成し、そのランドの外縁３ａおよび回路パターンとの接続部をランド間の一部のみ除きソルダーレジスト２で被覆する様形成した。 （もっと読む）

【課題】鉛入りはんだと同等の融点をもつとともに耐衝撃性にも優れる鉛フリーはんだ合金を提供する。
【解決手段】Ｂｉを15〜31質量％、Ａｇを1.0〜3.0質量％、Ｃｕを０〜1.1質量％、Ｃｏを０〜0.3質量％、Ｎｉを０〜0.2質量％、含み、残部をＳｎと、はんだ合金の酸化防止元素としてのＰ、Ｇｅ、Ｇａのうち少なくとも一種類と、不可避不純物とする。 （もっと読む）

【課題】回路基板の四隅に設けたパターンランドに板金カバーの脚片を確実に半田付けでき、該半田接合箇所に外観上の不具合も生じにくい電子回路モジュールを提供する。
【解決手段】電子回路モジュール１は、電子素子１０が搭載されて四隅にパターンランド３が設けられた矩形状の回路基板２と、隅切り矩形状の天板部６の各隅切り箇所から脚片７を垂下させている板金カバー５とを備えている。板金カバー５は電子素子１０を覆っており、各脚片７がパターンランド３に半田付けされている。パターンランド３のうち板金カバー５に覆われない露出部Ｓ２は、直角二等辺三角形の頂部を所定の円弧に沿って切除した丸みを帯びた凸状領域であり、該円弧の曲率半径はパターンランド３に内接する仮想円Ｃの半径と同等またはそれ以上の大きさに設定されている。 （もっと読む）

【課題】実装基板およびこれに実装される電子部品のリフロー時の反りを抑える。
【解決手段】実装基板４と電子部品３との間にスペーサー１を配置するとともに、スペーサーの配置位置とは異なる位置に、実装基板と電子部品とを接合する接着剤２を配置した。実装基板と電子部品の少なくとも一方に、はんだボール、スペーサーを配置するとともに、スペーサーの配置位置とは異なる位置に熱硬化型接着剤を塗布し、その後、実装基板上に電子部品を搭載し、加熱処理により、熱硬化型接着剤を硬化させた後に、はんだボールを溶融させる。 （もっと読む）

【課題】焼結プリフォームを使用する、少なくとも２つの部品を接続するための方法を提供すること。
【解決手段】本発明のプリフォームは、硬化したペーストを含有する少なくとも１つの構造化要素を有する表面を有する担体を含み、この硬化したペーストは、（ａ）少なくとも１つの有機化合物を含有するコーティングを有する金属粒子、ならびに（ｂ）（ｂ１）有機過酸化物、（ｂ２）無機過酸化物、（ｂ３）無機酸、（ｂ４）１〜４個の炭素原子を有する有機酸の塩、（ｂ５）１〜４個の炭素原子を有する有機酸のエステル、および（ｂ６）カルボニル錯体からなる群から選択される少なくとも１つの焼結助剤を含有し、硬化したペーストを有するこの担体の表面は、当該ペーストの構成成分と反応性ではない。 （もっと読む）

【課題】はんだ材を用いることなく、接合界面のクラックの発生の抑制を図ることのできる電子部品の表面実装方法及び電子部品が実装された基板を提供する。
【解決手段】絶縁性基材１０上に、導電性回路２１と、導電性回路２１の表面側に形成される熱可塑性樹脂で構成されるレジスト３０とを設ける工程と、電子部品４０の電極４１の表面に金属層５０を設ける工程と、電子部品４０の金属層５０を、レジスト３０に押し当てながら、金属層５０の表面に略平行な方向に振動する超音波振動による負荷を与えることで、レジスト３０を溶融により部分的に除去させて金属層５０と導電性回路２１とを接合させ、その後、超音波振動による負荷をなくして、溶融した熱可塑性樹脂を冷却により硬化させる工程と、を備える電子部品４０の表面実装方法であって、金属層５０は、そのせん断強度が導電性回路２１を構成する材料のせん断強度よりも低い材料からなる薄い層で構成される。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、均一なはんだ付けを行うことが可能な汲み上げ式はんだ槽であって、ポット内の溶融はんだに含まれる不純物の含有濃度を低減することが可能な、汲み上げ式はんだ槽を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明の汲み上げ式はんだ槽１０は、上端が開放され、底面２１に開口２２が形成された、内部に溶融はんだ６０が充填されるポット２０と、ポット２０と溶融はんだ６０とを収納するはんだ槽３０と、ポット２０の上端が、はんだ槽３０に収納された溶融はんだ６０の上面の下方または上方に位置するように、ポット２０を上昇および下降させる移動手段４０と、ポット２０の移動時に、ポット２０の開口２２を開状態と閉状態とにする開閉手段５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーはんだを使用する場合であっても、電子部品を損傷させることなく且つ容易にはんだ付けを行うことができるはんだこて装置を提供する。また、はんだこて装置を簡単な構成によって実現する。
【解決手段】ヒータ５及び吹出口１ｂが設けられたはんだこて１と、こて先１ａの先端近傍に設定された所定位置の温度を測定する温度センサ１０と、吹出口１ｂから温風を吹き付ける温風発生装置６と、はんだこて１が接続された制御装置２と、所定の報知を行う報知手段１２とを備える。制御装置２では、温度比較部１３が、温度センサ１０による測定温度が所定の第１設定温度を超えると予熱の完了を検出する。そして、動作制御部１５は、温度比較部１３によって予熱の完了が検出されると、その旨を報知手段１２から報知させる。 （もっと読む）

【課題】金属製部材を強固に熱衝撃性よく接合できるペースト状銀粒子組成物、接合強度と熱衝撃性が優れた金属製部材接合体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】(A)平均粒径が０.３μｍを越え１０μｍ以下であり、アスペクト比（平均粒径／平均厚さ）が５以上１００以下である加熱焼結性フレーク状銀粒子と、(B)平均粒径（メディアン径Ｄ50）が０.００５μｍ以上０.１μｍ未満である加熱焼結性銀微粒子と（(A)と(B)の質量比が、５０：５０から９５：５の範囲内である）、(C)揮発性分散媒とからなるペースト状銀粒子組成物、該ペースト状銀粒子組成物の加熱焼結により複数の金属製部材を接合する金属製部材接合体の製造方法、その製造方法による金属製部材接合体。 （もっと読む）

【課題】リフローはんだ付けによって配線基板に信頼性よく固定できる新規な構造のリードピンを提供する。
【解決手段】軸部１２と、軸部１２の先端側に設けられて、軸部１２の径より大きな径をもち、外面全体が球状面からなる接続ヘッド部１４とを有し、軸部１２及び接続ヘッド部１４が銅、銅合金、又はコバールから形成されるリードピン１０と、ピン接続部Ｓ２を備えた配線基板２０とを含み、接続ヘッド部１４は、横方向の直径が縦方向の直径より長い楕円球形状からなり、リードピン１０の接続ヘッド部１４がはんだ層３６を介して配線基板２０のピン接続部Ｓ２に接続されており、リードピン１０の接続ヘッド部１４の径は、配線基板２０のピン接続部Ｓ２の径の４０乃至８０％に設定される。 （もっと読む）

【課題】コア層の少なくとも一方の主面上において導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、最表面にソルダーレジスト層が形成されてなる、いわゆるＢＧＡタイプの配線基板において、導体層と半田ボールとの密着性を改善した新規な配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】コア層の少なくとも一方の主面上において導体層と樹脂絶縁層とがそれぞれ少なくとも１層積層されるとともに、最表面にソルダーレジスト層が形成され、このソルダーレジスト層に形成された開口部から前記少なくとも１層の導体層が露出してなる配線基板を準備する。次いで、前記少なくとも１層の導体層上にＳｎを含む下地層をメッキにより形成し、さらに前記下地層を加熱して溶融させた後、溶融した前記下地層上に半田ボールを搭載し、この半田ボールを前記下地層と直接接続する。 （もっと読む）

【課題】はんだペーストのリフロー時における濡れ性や、ボイドの発生を簡易に評価する方法を提供するとともに、濡れ性及び接合強度に優れたはんだペースト用のはんだフラックスを提供する
【解決手段】はんだフラックスを加熱するとともに、作製するはんだペーストの融点の直前からその融点を含む温度領域におけるイオン伝導率を測定してはんだフラックスの活性度を評価することにより、濡れ性及び接合強度に優れたはんだペースト用のはんだフラックスを選定する。 （もっと読む）

【課題】ニッケル層、パラジウム層、金層を順次積層してなる接合部を形成する際に、均一な膜厚を実現できる置換金めっき液及びめっき処理技術を提供する。
【解決手段】導電性金属からなる導体層上に、ニッケル層、パラジウム層、金層を順次積層してなる接合部を形成するための置換金めっき液であって、置換金めっき液は、シアン化金塩、錯化剤、銅化合物を含有するものであり、置換金めっき液中の錯化剤と銅化合物とのモル比が錯化剤／銅イオン＝１．０〜５００の範囲であり、錯化剤と銅化合物とから形成される化合物のｐＨ４〜６における安定度定数が８．５以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より多くの導電粒子を電極間に捕捉可能な導電接合構造と、導電接合構造によって実装基板に実装部品を接合した実装構造体、及び、この導電接合構造によって２つの被接合部材を接合するための導電接合方法を得る。
【解決手段】基板側電極１８には接合用凹部２４が形成され、部品側電極２０には接合用凸部２６が形成される。接合用凹部２４と、接合用凸部２６の間に、異方性導電接合材２２の導電粒子２２Ｐを捕捉する捕捉間隙３０が構成されている。 （もっと読む）

【課題】 外部端子とランドとの間の材料の拡散が防止可能な構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置２００は、基材１３、基材１３の一方の面側に設けられたソルダーレジスト２１ｂ、基材１３の一方の面側に設けられ、外部端子が搭載されるＣｕ等のランド９、ランド９の表面に設けられたメッキ層９ａ、基材１３の他の面に設けられ、ランド９と電気的に接続された半導体チップ５を有し、ソルダーレジスト２１ｂは、ランド９およびメッキ層９ａの外周を覆うように、かつメッキ層９ａの表面の一部が露出するように設けられている。 （もっと読む）