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Fターム[5E343FF05]の内容

プリント配線の製造 (50,760) | 導体パターン形成処理に用いる装置 (2,620) | 塗布装置 (1,187) | ディスペンサ・描画装置 (571)

Fターム[5E343FF05]に分類される特許

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【課題】半導体素子接続の信頼性および配線板としての機能性を保全した上で、低コストで製造が可能な部品内蔵配線板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第1の絶縁層と、第1の絶縁層に対して積層状に位置する第2の絶縁層と、第2の絶縁層に埋設された、端子パッドを有する半導体素子と、第1の絶縁層と第2の絶縁層とに接触して挟設された、銀粒子または金粒子が凝集して形成の銀皮膜または金皮膜によって被覆された部品接続用のランドを含みかつ該ランドの表層を除いては銀皮膜、金皮膜で被覆されていない第1の配線パターンと、半導体素子の端子パッドと第1の配線パターンのランドとを電気的に導通させる接続部材と、接続部材をその内部に封止するように設けられた樹脂と、第1の絶縁層の第1の配線パターンが設けられた側の面とは反対の側の面上に設けられた第2の配線パターンとを具備する。 (もっと読む)


【課題】DNA又はDNA−脂質複合体を用いた簡易な方法により、基板上に導電性パターンを、画像流れを抑制しながら安定して形成できる電子回路付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、DNA又はDNA−脂質複合体を含む溶液を描画することによって電子回路パターンを形成する工程と、前記電子回路パターンが形成された基板を多価金属イオン溶液に浸漬することによって、前記電子回路パターンにおいて、前記DNA又は前記DNA−脂質複合体と前記多価金属イオンとの錯体を形成する工程と、形成された錯体中の金属イオンを還元することによって、前記電子回路パターンを導電性パターンとする工程と、を有する電子回路付き基板の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】透明フィルムと透明導電膜との密着性、柔軟性、及び耐熱性に優れた透明フレキシブルプリント配線板を提供する。
【解決手段】焼成工程に伴う寸法変化率が±0.2%以下の透明ポリイミドフィルム1を用意する。インクジェット法により、透明ポリイミドフィルム1上に、ITO微粒子及びバインダー含有するITOインクを所定のパターン状に印刷する。その後、このITOインクを230℃〜300℃で焼成することにより、バインダーの比率が5〜10重量%の透明導電膜2を形成する。 (もっと読む)


【課題】基板に対するパターン形成を迅速且つ正確に行うことができるパターン形成装置を提供する。
【解決手段】基板に対してパターン形成を行うパターン形成装置1であって、第1装着部35aが一方の基板位置検出手段51に位置し第2装着部37aが加工手段21に位置する第1のエリアと、第1装着部35aが加工手段21に位置し第2装着部37aが他方の基板位置検出手段52に位置する第2のエリアとの間で、駆動座標軸に沿って移動台26を往復搬送する駆動手段32を備え、座標位置検出手段32cの検出に基づき駆動座標軸上の第1の目標座標と第2の目標座標との間で移動台26が往復動するように駆動手段32を作動させ、第1のエリアで検出された移動台26の位置偏差に基づいて第1の目標座標を補正し、第2のエリアで検出された移動台26の位置偏差に基づいて第2の目標座標を補正する。 (もっと読む)


【課題】 銅酸化物からなる粒子を主成分とする液状組成物の印刷パターンをギ酸により処理し、空隙のほとんどない緻密な金属銅膜を提供する。
【解決手段】 基板上に、銅酸化物粒子を含む液状組成物を成形し、ギ酸ガスを濃度8質量%以上含むガスを、ギ酸供給量が処理槽の容積1Lあたり、0.01g/分以上となるように供給しながら、120℃以上に加熱して処理する緻密な金属銅膜の製造方法。加熱は、基板下方から伝熱させると好ましく、液状組成物は、銅酸化物粒子が銅化合物の90質量%より多くの銅酸化物粒子と、25℃における蒸気圧が1.34×10Pa未満である溶剤とを共に含むと好ましい。 (もっと読む)


【課題】圧電アクチュエーターの射出力を増大させて高精度の液滴射出を担保し、コンパクトなユニット化を可能とし、製作上の利便性に優れた液滴射出装置を安価に提供すること。
【解決手段】縦長型ケーシング101が、下端面に微小径な射出孔を有する射出ノズル105を取り付けるとともにその上部にシリンダ孔120を開口して該シリンダ孔にプランジャー104を摺動可能に配設し、ケーシング101内には、ケーシングに固定される取付部材113に上端面を取り付けた積層型の圧電素子103を配設して、その圧電素子の下端に前記プランジャーの上面を衝合させ、前記シリンダ孔120の先端に前記射出孔へ連なる液溜室131を形成し、液溜室には射出液を導入する供給口管106の供給路134を接続し、該供給路134から供給された液溜室131内の射出液を前記圧電素子103の駆動によって加圧して射出ノズル105の射出孔から射出させるようにする。 (もっと読む)


【課題】 印刷法で微細配線を精度良く形成するための平坦な配線層を形成でき、しかも、平坦な絶縁材料上に印刷した配線との接着力を得ることができる絶縁体インク、これを用いた絶縁層、複合層、回路基板、半導体パッケージを提供する。
【解決手段】 分子量が40以上、1000未満のグリコールエーテルを含む分子量200以上、50,000以下のエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂の少なくともいずれか一種の樹脂を含む絶縁体インク。分子量が200以上、50,000以下のエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂の少なくともいずれか一種と硬化剤と溶媒を含むと好ましい。 (もっと読む)


【課題】インクジェット法を用いた場合でも高いスループットで微細な導電層を有する積層構造体を製造可能な積層構造体の製造方法、並びに積層構造体、多層配線基板、アクティブマトリクス基板及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に、同一パターンの高表面エネルギー部40を一定の間隔で周期的に配列しておき、インクジェット装置の主走査方向(X軸方向)における吐出ノズル1,2の間隔を、高表面エネルギー部40のパターン間隔と一致させて選択的に機能液の液滴dを滴下してソース電極230、ソース電極線290、ドレイン電極240となる導電層を形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、吐出安定性に優れたインクを用い、基板との密着性、細線再現性及び導電性に優れた金属パターンの形成に用いる触媒パターンを製造する触媒パターン製造方法及びそれを用いた金属パターン製造方法を提供することにある。
【解決手段】無電解めっき触媒前駆体を含有するインクを用いて、基板上にパターン部を形成する形成工程と、該パターン部を還元液に浸漬して無電解めっき触媒前駆体を還元する還元工程を有する触媒パターン製造方法において、前記形成工程と還元工程の間に該パターン部の乾燥工程および酸性溶液による洗浄工程を含むことを特徴とする触媒パターン製造方法。 (もっと読む)


【課題】損傷の少ない、良好な導電率となる導電膜が形成される配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板101上の導電膜形成予定位置Pに、有機材料がコーティングされた導電性材料を分散溶媒中に分散させてなる金属微粒子分散インク102を塗布する。
基板101に塗布された金属微粒子分散インク102の分散溶媒を揮発させて導電性材料の堆積膜102Aを形成する。加熱により発泡する発泡カプセルを混合した保護膜103で堆積膜102Aを覆い、除去対象物Eをエッチングする際に堆積膜102Aを保護する。除去対象物Eをエッチング後、基板101を焼成して保護膜103の発泡カプセルを発泡させて多数の通気孔105を形成すると共に、堆積膜102Aの導電性材料に含まれる有機材料のガスを通気孔105を介して放出させる。このように堆積膜102Aからガスを放出させて導電膜102Bを形成する。 (もっと読む)


【課題】金属粒子の接合により形成される配線の電気抵抗を小さくする。
【解決手段】導電性微粒子11Aは、コア材12と、そのコア材12を覆い、コア材12より低い融点を有する金属材13とを備える。 (もっと読む)


【課題】基板上に塗布した塗布液を光により硬化させて電極などのパターンを形成するパターン形成装置において、アスペクト比の高いパターンを短時間で形成する。
【解決手段】吐出ノズル部52下面の吐出口521から基板W上に塗布された塗布液Pに対し、ノズル走査移動方向(X方向)における左右両側から吐出ノズル部52を挟むように設けた1対のライトガイド551,552からUV光を照射する。ライトガイド551,552の光出射面551a,552aが吐出口521から基板Wに鉛直方向に下ろした垂線の足Qを向く方向とされているので、光L1,L2は塗布液Pの側面にも照射される。 (もっと読む)


【課題】インクジェット法により必要最小限の絶縁性の配線を形成し、絶縁性配線の断面形状を凹溝状に形成することで、高精度で正確な微細な線状の導電性配線を形成することができる配線パターン形成方法等を提供する。
【解決手段】インクジェット法により所定の物性値を満たす絶縁性の液滴を吐出し、断面凹溝状の絶縁性の配線を形成する絶縁配線工程と、絶縁配線工程で形成された断面凹溝状の溝内に導電性の配線を形成する導電配線工程とを含む。導電配線工程の前に断面凹溝状の溝内に無電解めっきの触媒となる液敵を吐出して触媒部を形成する触媒形成工程を含んでもよい。その場合、導電配線工程では無電解めっきが行われる。 (もっと読む)


【課題】焼成後の銀膜の微細化及び作業性の向上を図る。
【解決手段】インクジェットヘッド1から吐出された液滴状のインク2が飛翔中、または基板3に着弾した直後にレーザー光4を液滴状のインク2に照射して液滴状のインク2中の金属ナノ粒子及び/又は金属酸化物ナノ粒子と隣接する粒子同士を結合させ、液滴状のインク2は、組成の異なる金属ナノ粒子及び/又は金属酸化物ナノ粒子を含み、その一部の金属ナノ粒子又は金属酸化物ナノ粒子を肥大化させることで、基板3上に印刷されたインクは元々含まれていた微小径の金属ナノ粒子及び/又は金属酸化物ナノ粒子と肥大化した金属ナノ粒子又は金属酸化物ナノ粒子とが混在した状態にする。 (もっと読む)


【課題】焼成後の銀膜の微細化及び作業性の向上。
【解決手段】ヘッド1から吐出された液滴状のインク22が飛翔中、または基板3に着弾した直後にレーザー光4を液滴状のインクに照射して液滴状のインク中の金属ナノ粒子及び/又は金属酸化物ナノ粒子と隣接する粒子同士を結合させ、液滴状のインク23は、形状の異なる金属ナノ粒子及び/又は金属酸化物ナノ粒子を含み、その一部の金属ナノ粒子又は金属酸化物ナノ粒子を肥大化させることで、基板上に印刷されたインクは元々含まれていた微小径の金属ナノ粒子221及び/又は金属酸化物ナノ粒子と肥大化した金属ナノ粒子222又は金属酸化物ナノ粒子とが混在した状態にする。 (もっと読む)


【課題】ワークの裏面の擦り傷を防止し、また、静電気の発生を抑制する吸着装置および液滴吐出装置を提供する。
【解決手段】平坦面10aを有しワークを吸着する吸着穴11が設けられたステージ10と、ステージ10の吸着穴11に接続され負圧を発生させる減圧ポンプ15と、環状の無終端となる多孔質ベルト21が駆動ローラー25と従動ローラー26とに掛け渡されたベルト駆動装置20と、を備え、駆動ローラー25と従動ローラー26との間にステージ10が配置され、ワークの搬送方向と同じ方向に多孔質ベルト21が駆動可能であり、多孔質ベルト21がステージ10に吸着され、多孔質ベルト21を介してワークがステージ10に吸着される。 (もっと読む)


【課題】無電解めっき技術で金属パターンを形成する方法において基板との密着性が優れ、且つ細線描画性の優れた金属パターン形成方法とそれを用いて形成された金属パターンを提供することである。
【解決手段】基板の上に、触媒を含有するインクをインクジェット方式でパターン部を印字、乾燥し、該パターン部の上に無電解めっき処理によって金属パターンを形成する方法において、該触媒が可溶性パラジウム金属錯体でかつ該触媒を含有するインクpHが10.0〜14.0であり、前記無電解めっき処理前の印字パターン部の表面粗さRaが30nm以上45nm以下であることを特徴とする金属パターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】生産性よく化学めっきを行う方法を提供する。
【解決手段】基板2上に機能液18を配置し、機能液18を固化して下地膜40を形成する下地膜形成工程と、化学めっき処理を行って下地膜40上に金属膜45を形成する化学めっき工程と、を有し、機能液18は樹脂、金属触媒及びレベリング剤を含む。金属触媒は金属を含む官能基を備えたシランカップリング剤であり、機能液18を加熱または光照射して固化する。 (もっと読む)


【課題】半導体素子等の実装持における半導体素子等との接続信頼性の高い配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明の配線基板は、金属粒子と前記金属粒子が分散する分散媒とを含む導体パターン形成用インクを液滴吐出法により吐出して形成される導体パターンを備えた配線基板であって、セラミックス基板と、前記セラミックス基板に埋設され、露出面が湾曲凹面となっている導体パターンとを有することを特徴とする。湾曲凹面の曲率半径は、0.025cm以上3cm以下であることが好ましい。また、湾曲凹面の平均深さは、1μm以上30μm以下であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】液滴吐出ヘッドから安定して吐出することができるとともに、形成される導体パターンに導通不良が発生するのを防止することができる導体パターン形成用インクを提供すること、信頼性の高い導体パターンを提供すること、および、このような導体パターンを備え、信頼性の高い配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明の導体パターン形成用インクは、液滴吐出法により、基材上に導体パターンを形成するための導体パターン形成用インクであって、金属粒子と、前記金属粒子が分散する水系分散媒と、パンテノールとを含み、前記金属粒子を小さい粒径から粒度分布の測定をした場合において、累積体積にて全体の体積のX%の地点での粒径をD(X)としたとき、前記金属粒子のD(50)が10nm以上40nm以下であり、粒径D(90)が40nm以上100nm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


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