【課題】ＳＷＰの手法により微細なマスクパターンを形成するときに、酸化シリコン膜を成膜する際、及びエッチバック処理する際に、レジスト膜よりなる芯材が変形することを防止できるマスクパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】レジスト膜よりなる第１のライン部をマスクとして反射防止膜をエッチングすることによって、第２のライン部を含むパターンを形成する第１のパターン形成工程Ｓ１３と、レジスト膜に電子を照射する照射工程Ｓ１４と、酸化シリコン膜を成膜する酸化シリコン膜成膜工程Ｓ１５と、第２のライン部の側壁部として残存するように、酸化シリコン膜をエッチバック処理するエッチバック処理工程Ｓ１６と、第２のライン部をアッシング処理することによって、酸化シリコン膜よりなり、側壁部として残存する第３のライン部を含むマスクパターンを形成する第２のパターン形成工程Ｓ１８とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングチャンバ内でデュアルドープゲート構造をエッチングするための方法を提供する。
【解決手段】エッチングされるポリシリコンフィルムを保護するパターンを設ける工程、次いで、プラズマが点火され、保護されていないポリシリコンフィルムのほぼすべてがエッチングされる。次いで、シリコン含有ガスを導入しつつポリシリコンフィルムの残りをエッチングする。また、エッチング処理中にシリコン含有ガスを導入するよう構成されたエッチングチャンバ。 （もっと読む）

【課題】ボーイング形状の発生を防止してマスク層に良好な垂直加工形状のホールを形成し、且つマスク層としての残膜量を確保することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象層上にマスク層５２及び中間層５４が積層されたウエハＷを、チャンバ１１に収容し、チャンバ１１内で処理ガスのプラズマを発生させ、このプラズマを用いてウエハＷにエッチング処理を施し、中間層５４及びマスク層５２を介して処理対象層にパターン形状を形成する基板処理方法において、処理圧力を５ｍＴｏｒｒ（９．３１×１０^−１Ｐａ）以下、ウエハＷの温度を−１０℃〜−２０℃とし、さらにプラズマを発生させるための励起電力を５００Ｗとしてマスク層５２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】深さが深いホールであっても、良好な形状にエッチングすることのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。
【解決手段】所定のパターンが形成されたフォトレジスト層と、フォトレジスト層の下層に位置する有機系の反射防止膜と、反射防止膜の下層に位置するＳｉＯＮ膜と、ＳｉＯＮ膜の下層に位置するアモルファスカーボン層と、により多層マスクを構成し、アモルファスカーボン層の下層に位置するシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を最終的なマスクとなるアモルファスカーボン層のパターンによりプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜のプラズマエッチングを開始する際の初期マスクが、アモルファスカーボン層の上にＳｉＯＮ膜が残った状態であり、かつ、アモルファスカーボン層の膜厚／残ったＳｉＯＮ膜の膜厚≦１４である。 （もっと読む）

【課題】製造工程時間の増加を抑制して、微細なラインアンドスペースパターンを形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被加工材であるシリコン酸化膜２３上に、パターニングされた芯材３１ａとなるアンドープ多結晶シリコン膜３１を形成する工程と、アンドープ多結晶シリコン膜３１をスリミングして芯材３１ａとする工程と、芯材３１ａの側面及び上面、並びにシリコン酸化膜２３の上面を被うように、シリコン酸化膜２３と同じシリコン酸化膜にボロンが導入されたＢドープ多結晶シリコン膜３４を形成する工程と、芯材３１ａ及びシリコン酸化膜２３の上面のＢドープ多結晶シリコン膜３４を除去し、芯材３１ａの側面にＢドープ多結晶シリコン膜３４からなる側壁マスク膜３４ａを形成する工程と、芯材３１ａを除去する工程と、側壁マスク膜３４ａをマスクとしてシリコン酸化膜２３をエッチング加工する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】無機膜と有機膜とを含む積層マスク膜をエッチングしてライン部を形成する場合、又は、マスク膜をエッチングして隣接するライン部の間隔が異なる複数種類のライン部を形成する場合に、ウェハの面内におけるライン部の線幅及び高さの分布を独立して制御できるプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗに荷電粒子と中性粒子とを含むプラズマを照射することによって、基板Ｗにプラズマエッチングを行うプラズマエッチング方法において、支持部１０５に支持されている基板Ｗの面内における温度分布を調整することによって、基板Ｗの面内における、基板Ｗが中性粒子と反応する反応量の分布を制御し、支持部１０５に支持されている基板Ｗと、支持部１０５と対向するように設けられている電極１２０との間隔を調整することによって、基板Ｗの面内における荷電粒子の照射量の分布を制御する。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 一実施形態では、デバイスはＩＩＩ族窒化物チャネル層（３）とＩＩＩ族窒化物チャネル層（３）上のＩＩＩ族窒化物障壁層（４）とを含み、ＩＩＩ族窒化物障壁層（４）は第１部分（４−１）と第２部分（４−２）とを含み、第１部分（４−１）は第２部分（４−２）より薄い厚さを有する。ｐドープＩＩＩ族窒化物ゲート層部（５）は、ＩＩＩ族窒化物障壁層（４）の少なくとも第１部分（４−１）上に配置され、ゲートコンタクト（１０）はｐドープＩＩＩ族窒化物ゲート層部（５）上に形成される。 （もっと読む）

【課題】化学処理チャンバ及び／又は熱処理チャンバを保護するシステムを提供する。
【解決手段】内表面の少なくとも一部分上に形成された保護バリアを有する温度制御された化学処理チャンバを備え、基材上の露出表面層を非プラズマ環境の下で化学的に変化させる化学処理システムと；温度制御された熱処理チャンバを備え、化学変化された基材上の前記表面層を熱処理する熱処理システムと；前記熱処理システムおよび前記化学処理システムに接続された断熱組立体と；を備える処理システムにより上記課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】側壁転写によるマスクパターンの倒れ、マスクパターンの接触を抑制する。
【解決手段】シリコン基板１上に、第１のＴＥＯＳ酸化膜２、シリコン窒化膜３、第１のアモルファスシリコン膜４、第２のＴＥＯＳ酸化膜５を積層形成する。レジストによるパターニングでＴＥＯＳ酸化膜５を第１幅Ｄ１の中間パターン５ａに加工し、スリミング処理をして第２幅Ｄ２の芯材パターン５ｂを形成する。第２のアモルファスシリコン膜６を形成してスペーサ処理をすることで側壁膜６ａを形成し、芯材パターン５ｂを除去して孤立したマスクパターン６ｂを得る。下地に同じアモルファスシリコン膜４を用いるので、マスクパターン６ｂの倒れや接触の発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加および歩留まりを低下させることなく、配線抵抗を下げることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１００上の絶縁膜１０４上にマスク材料膜１０６を形成した後、第１のトレンチ形成用開口と第２のトレンチ形成用開口とを有するマスクパターン１０９をマスク材料膜１０６に形成する工程と、マスク材料膜１０６上に、第１のトレンチ形成用開口を露出する第３のトレンチ形成用開口１１２を有し、且つ、第２のトレンチ形成用開口部を覆うレジストパターン１１３を形成する工程と、レジストパターン１１３及びマスクパターン１０９を用いて、絶縁膜１０４内に第１のトレンチ１１５を形成する工程と、レジストパターン１１３を除去した後、マスクパターン１０９を用いて、絶縁膜１０４内に第２のトレンチを形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】コストの上昇を招くことなく、より安定した状態でＩｎＰの層がドライエッチング法によりエッチングできるようにする。
【解決手段】塩素ガスを用いたドライエッチング法によりマスクパターン１０６をマスクとして基板１０１を選択的にエッチングすることで、基板１０１にビアホール（開口パターン）１０７を形成する。例えば、温度条件を２００℃程度とし、塩素ガスを用いた反応性イオンエッチング法によりエッチングすればよい。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の微細パターン形成方法はパターン対象層上に多数の第１感光膜パターンを形成しＳ１００、パターン対象層および多数の第１感光膜パターン上に境界膜を形成しＳ１１０、境界膜上に平坦化膜を形成しＳ１２０、平坦化膜上に多数の第２感光膜パターンを形成しＳ１３０、多数の第２感光膜パターンを利用して多数の平坦化膜パターンを形成しＳ１４０、多数の平坦化膜パターンおよび多数の第１感光膜パターンを利用して多数のパターン対象層パターンを形成するＳ１５０ことを含む。 （もっと読む）

【課題】装置全体を大きくすることなく、基板への入射イオンビームの均一性を図ったイオンビーム発生装置を提供する。
【解決手段】放電槽２でプラズマを発生させ、引き出し電極７より環状のイオンビームを引き出し、偏向電極３０によって、該イオンビームを環状の中心方向に屈曲させて基板Ｗに対して、傾斜した方向から入射させる。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィを用いたエッチング方法は、スパッタリングまたは蒸着などの方法により、クロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）などからなる膜を成膜し、レジストの塗布、硬化処理、露光、さらに現像およびレジスト膜の除去などの工程を必要とし、そして現像液や膜を除去するための溶液などを必要とし工程が複雑である。簡略なエッチング方法を実現する。
【解決手段】転写体１０は、基材１と、基材１上にパターン形成された剥離層２と、剥離層２上に形成された接合膜３とを備える。このような転写体１０を用いることで、フォトリソグラフィを用いることなく、被転写体２０の表面２５に、レジストからなるエッチングマスクを形成するので、従来のようにクロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）などからなる膜を成膜することなく、現像液などを用いることもなく、エッチングすることができ、被転写体２０の表面２５に、凹部２１を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】集積回路製造工程のバックエンドプロセス、およびフロントエンドプロセスにおいて利用することができる、高硬度、且つ低応力のハードマスク膜を提供する。
【解決手段】ハードマスク膜は、応力が約−６００ＭＰａから６００ＭＰａの範囲内であり、硬度は少なくとも約１２Ｇｐａである。ハードマスク膜は、ＰＥＣＶＤ処理チャンバにおいて、高密度化プラズマ後処理を複数回行うことによって、ドープ済または未ドープのシリコンカーバイドの副層を複数成膜することによって得られる。ハードマスク膜は、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＣ_ｚ、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＮ_ｚ、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＣ_ｚＮ_ｗ、Ｂ_ｘＣ_ｙ、およびＢ_ｘＮ_ｙから成る群から選択される高硬度のホウ素含有膜を含む。ハードマスク膜は、ゲルマニウム含有率が少なくとも約６０原子パーセントと、ゲルマニウム含有率が高いＧｅＮ_ｘハードマスク材料を含む。 （もっと読む）

【課題】開孔径が均一で開孔径の制御が容易な、微細化に適した開孔パターンを有するマスクを製造する。
【解決手段】第１及び第２のマスク層内に開孔を設ける。この後、第１のマスク層内の開孔の径よりも第２のマスク層内の開孔の径を、Ｘの量だけ大きくする。この後、第２のマスク層内の開孔内にマスク材料を形成することによって第２のマスク層内の開孔内に、Ｘの径の空洞部を形成する。この空洞部を開孔として有する第２のマスク層及びマスク材料を、マスクとして形成する。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型のプラズマプロセスにおいて簡易な補正コイルを用いてプラズマ密度分布を自在かつ精細に制御すること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。そして、サセプタ１２近傍のプラズマ密度分布を径方向で均一化するうえで、ＲＦアンテナ５４の発生するＲＦ磁界に対して補正リング７０により電磁界的な補正をかけるとともに、チャンバ１０内の圧力に応じてアンテナ−コイル間隔制御部７２により補正リング７０の高さ位置を可変するようにしている。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型のプラズマプロセスにおいて簡易な補正コイルを用いてプラズマ密度分布を自在かつ精細に制御すること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。そして、サセプタ１２近傍のプラズマ密度分布を径方向で均一化するうえで、ＲＦアンテナ５４の発生するＲＦ磁界に対して補正リング７０により電磁界的な補正をかけるとともに、プロセス条件に応じてスイッチング機構１１０により補正コイル７０の通電デューティ・レシオを可変するようにしている。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物の露出エリアを絶縁膜の開口に対して良好な位置制御性で形成できる、III族窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】コンタクト層２７及びクラッド層２５を含むIII族窒化物半導体領域２９をマスク３５ａを用いてエッチングして、III族窒化物領域３３ｃ及びエピタキシャル領域２９ｂを形成する。次いで、マスク３５ａ、パターン形成されたIII族窒化物リフトオフ層３１ａ及びパターン形成されたIII族窒化物半導体領域３３ｃ上に絶縁膜３９を成長する。絶縁膜３９は、マスク３５ａ上に成膜される第１の部分３９ａと、パターン形成されたIII族窒化物半導体領域３３ｃ上に成膜される第２の部分３９ｂとを含む。引き続き、パターン形成されたIII族窒化物リフトオフ層３１ａを絶縁膜３９に対してエッチャントを用いて選択的に除去して、リフトオフ法により、開口３９ｃを有する絶縁膜３９ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法及びパターン形成体を提供する。
【解決手段】基板上に第１層目のハードマスク層を形成し、基板上の第１層目のハードマスク層を備えた面に、順に、第２層目から第Ｎ層目までのハードマスク層を形成し、第Ｎ層目のハードマスク層のパターニング処理し、順に、第（Ｎ−１）層目から第１層目までのハードマスク層のパターニング処理し、パターニングされた第１層目から第Ｎ層目までのハードマスク層をエッチングマスクとして基板に第１段目の異方性エッチングしてパターニング処理することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）