【課題】真空中で、基板を静電吸着装置に吸着保持した状態で搬送する際に、搬送終了後に短時間で基板を静電吸着装置から容易に離脱させる技術に関する。
【解決手段】本発明では、静電吸着装置内の電極に第１の電圧Ｖ₁を印加して基板を静電吸着装置に吸着させた後に基板の移動を開始し、移動中に電極に印加する電圧を第２の電圧Ｖ₂に変更して吸着力を低下させている。このため、基板の移動が終了した時点では、同一電圧を電極に印加していた従来に比して、基板と静電吸着装置との間の残留電荷の量が少なくなり、残留吸着力が低下するので、静電吸着装置から基板を離脱させられるまでに要する時間を、従来に比して短縮することができる。特に、移動終了後に電極に逆極性の電圧を短期間印加して残留電荷を消滅させる場合には、従来のように高電圧を印加しなくとも残留電荷を消滅させることができる。 （もっと読む）

【課題】保護テープ剥離後、効果的にデバイスを除電することが可能な矩形基板の分割装置を提供する。
【解決手段】裏面に保護テープが貼着され、表面に複数のデバイスが格子状に形成された矩形基板を保持する保持テーブルと、保持された矩形基板を個々のデバイスへと分割する切削手段と、個々のデバイスへ分割された矩形基板から保護テープを剥離するテープ剥離機構５１と、個々のデバイスをデバイスケース１０４ａ，１０４ｂへ収容するピックアップ手段８０とを備えた矩形基板の分割装置であって、複数のデバイスを載置可能な除電テーブル８４と、テープ剥離機構によって保護テープが剥離されたデバイスを、除電テーブルに搬送する搬送手段７６と、除電テーブルに載置されたデバイスを除電する除電手段とを具備し、除電テーブルは、デバイスの裏面の一部を吸着保持する複数の吸着部と、吸引源からの吸引力を吸着部へ伝達する複数の吸引路とを有する。 （もっと読む）

【課題】真空中で、基板を静電吸着装置に吸着保持した状態で搬送する際に、搬送終了後に短時間で基板を静電吸着装置から容易に離脱させる技術に関する。
【解決手段】本発明では、静電吸着装置内の電極に第１の電圧Ｖ₁を印加して基板を静電吸着装置に吸着させた後に基板の移動を開始し、移動中に電極に印加する電圧を第２の電圧Ｖ₂に変更して吸着力を低下させている。このため、基板の移動が終了した時点では、同一電圧を電極に印加していた従来に比して、基板と静電吸着装置との間の残留電荷の量が少なくなり、残留吸着力が低下するので、静電吸着装置から基板を離脱させられるまでに要する時間を、従来に比して短縮することができる。特に、移動終了後に電極に逆極性の電圧を短期間印加して残留電荷を消滅させる場合には、従来のように高電圧を印加しなくとも残留電荷を消滅させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の組立工程におけるチップのピックアップ工程において、急速なチップの薄膜化によるチップ周辺部のチップの割れ、欠けの発生、ピックアップの不良を低減する。
【解決手段】突き上げ部材１１０を構成する３体の突き上げブロック１１０a、１１０b、１１０cが一体となって上昇した状態で、イオン化エアノズル４２からイオン化エアブロー４１がチップ１の周辺下方にできた剥離部４０に向かって供給されると、エアナイフ作用により剥離がエアブローの方向に伝播する。その結果、チップの裏面とダイシングテープ４の上面の間にガスの流路が形成され、エアブローのガス圧によりコレット１０５がチップおよびラバーチップ１２５と共に持ち上げられ、最終的にチップの裏面全域に剥離が拡大し、完全剥離となる。 （もっと読む）

【課題】カセットに対するウェーハ（ワーク）の搬入／搬出時にイオン化エアを十分に吹き付けることができ、搬入／搬出時に発生する静電気を確実に除去する。
【解決手段】カセット９にウェーハ付きフレーム６を搬入／搬出する第１搬送手段３０のフレーム４を保持するクランプ３３が設けられたブロック３６に、エアを噴出する上下一対のブローノズル３７Ａ，３７Ｂを取り付け、ブロック３６内に、イオン化エア生成手段７３を配設する。ブローノズル３７Ａ，３７Ｂからウェーハ１の上下の面にイオン化エアを吹き付けて除電しながらウェーハ１を搬入したり搬出したりする。 （もっと読む）

【課題】基板への静電気の誘引を抑えることができると共に、基板を確実に吸着することができる基板吸着装置及び基板検査装置を提供する。
【解決手段】基板（Ｇ）を吸引するための吸引孔１１ｃが形成された吸着パッド１１と、この吸着パッド１１の基部１１ｂを収容し吸引孔１１ｃに連通する収容凹部１２ａ及びこの収容凹部１２ａに連通する吸引路１２ｂが形成されたパッド支持部材１２と、吸着パッド１１を基板（Ｇ）側に付勢する弾性部材（１３）と、を備える基板吸着装置１０において、吸着パッド１１は、この吸着パッド１１の揺動軸Ａ１と交差する中心軸Ａ２を有する係止ピン１６がこの係止ピン１６と略同一の幅で且つ係止ピン１６よりも高さ方向（Ｚ軸方向）に長い係止孔１７ｄ内を移動することで、高さ方向に移動し、吸着パッド１１は、係止ピン１６が係止孔１７ｄにより係止孔１７ｄの幅方向への移動を規制されることで、揺動軸Ａ１回りの回転が規制される。 （もっと読む）

【課題】 ウェハの除電を効率よく行うことができ、基板電流をより正確かつ精密に測定可能なウェハ除電方法を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハの除電方法は、電子ビーム照射によりウェハＷＥＨに流れる基板電流を真空中の試料室内で測定する前に、Ｘ線イオナイザー１’を用いて軟Ｘ線を気流存在の条件下で、ウェハＷＥＨに向けて照射して、ウェハＷEＨに帯電している電子を除電する。 （もっと読む）

【課題】被搬送物である配線基板の帯電を防止することにより、配線基板の歩留まりを向上することができる配線基板の非接触搬送装置を提供すること。
【解決手段】本発明の非接触搬送装置は吸引部２０を備える。吸引部２０は、吸引面２１に凹部７３が設けられるとともに、凹部７３の内周面にて開口するエア吹出穴８１が設けられる。非接触搬送装置は、エア吹出穴８１から凹部７３の内周面に沿って噴出したエアにより発生する負圧によって、配線基板１１０の基板主面１２０を吸引面２１に吸引保持して搬送する。また非接触搬送装置では、吸引部２０とは別体にイオナイザを設け、イオナイザから放出されるイオンエアをエア吹出穴８１から噴出するエアとして用いる。 （もっと読む）

【課題】静電チャックした工作物を破断や割れを防止しデチャッキングする方法を提供する。
【解決手段】プラズマ加工チャンバ中でガラス工作物３２を締め付けるために十分に高い電圧を維持しながら加工中にチャッキング電圧を徐々に下げることによってモノポーラ静電チャックからデチャッキングされる。加工中のチャッキング電圧は、チャッキング力および流量をほぼ一定に維持するためにチャックに流れる伝熱流体の流量に応答して制御される。加工の終了時にチャックに印加される逆極性電圧がデチャッキングを援助する。工作物温度は、デチャッキングを援助するために加工の終了時に高い値に維持される。チャックからの工作物持ち上げの間にチャック中を流れるピーク電流は、次のデチャッキング操作中の逆極性電圧の振幅および／または持続時間を制御する。チャンバ中の不活性プラズマが、チャックからの工作物持ち上げの間に工作物から残留電荷を除去する。 （もっと読む）

【課題】塗布層にクレーターが発生することを抑制することができるダイコータ装置を提供する。
【解決手段】ダイコータ装置１１は、基板１３を固定するステージ１５と、前記基板上にペースト状材料を塗布するペースト状材料塗布部１８とを備え、前記ステージは、ステージ本体と、その上に配置され除電機能を有する表面層２１とを有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、トランジスタが表面に形成されている基板を静電吸着によって真空容器内で保持する際に、当該基板の表面に形成されているトランジスタに損傷が生じるおそれを低減することが可能な静電吸着用電圧印加方法を提案することを目的としている。
【解決手段】
カラーフィルタ基板が搬送手段により搬送され第二の基板保持部に前記カラーフィルタ基板が真空吸着により載置される第一の工程、第一の基板保持部及び前記第二の基板保持部を移動させて封止空間が形成される工程、その後に前記封止空間が真空排気される工程、前記封止空間の圧力が所定の圧力に達した後に前記カラーフィルタ基板が静電吸着される工程、トランジスタが形成されている基板が静電吸着される工程を有する液晶ディスプレイの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】コーティング斑の発生を防止すると共に、保持台と基板の帯電を抑制する基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｇを略水平に保持するスピンチャック５０と、スピンチャックに基板を吸着保持させる吸着手段と、スピンチャック５０に保持された基板を収容する下カップ６０と、下カップを閉塞する蓋体６１と、を具備してなり、スピンチャックを、導電性樹脂材料にて形成すると共に、該導電性樹脂材料の表面抵抗率を、１×１０^１〜１×１０^１２（Ω／ｓｑ．）にする。下カップは、カップ本体８５と、このカップ本体の底面に止着され、基板の下方及び側方を包囲する導電性樹脂製のプレート８７と、カップ本体の底面にねじ部材８９によって止着される導電性樹脂製のカバー８８により形成される。 （もっと読む）

【課題】少ない台数のイオン発生手段で例えば被処理体移載エリア内の広範囲に亘って帯電箇所の除電及び浮遊する帯電塵の除電を行うことが可能な被処理体の移載機構を提供する。
【解決手段】複数の被処理体Ｗを複数段に亘って保持して収容することが可能な収容ボックス６と、複数の被処理体を複数段に亘って保持し、被処理体に対して所定の処理を施すための処理容器６４内へロード及びアンロードされる被処理体保持手段１８との間で、被処理体の移載を行う被処理体の移載機構５２において、昇降手段５４により上下方向へ昇降可能になされた昇降台５６と、昇降台に設けられて、被処理体を載置して前進、後退及び旋回可能になされたフォーク手段５８と、フォーク手段に設けられて静電気を除去するイオンを発生させるイオン発生手段６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】被処理基板をステージの載置面から上へ容易に離すことができる表面処理用のステージ装置を提供する。
【解決手段】ステージ２１の載置面２２に被処理基板９を載置し、表面処理した後、昇降機構３０で被処理基板９を上昇させる際、ノズル４２の噴出孔４６からガスｇ２を被処理基板９と載置面２２との間に吹き出す。噴出孔４２は、載置面２２より平面視で外側に配置する。 （もっと読む）

【課題】静電気による問題がなく薄型軽量で、かつ、吸着性能に優れた搬送用の真空吸着装置を提供する。
【解決手段】基板を載置する載置面を有するセラミックス多孔質体からなる載置部と、セラミックスを強化材とした金属基複合材料または炭化珪素からなり、前記載置部を取り囲む略凹型の支持部と、前記載置部と前記支持部とを接着する接着層と、を備える基板搬送用の真空吸着装置であって、前記接着層は、バインダーと導電性フィラーとを含む接着剤からなり、前記接着剤の前記導電性フィラーの含有量は５０〜８０質量％であり、前記導電性フィラーの平均粒径は、前記セラミックス多孔質体の平均気孔径の１／２よりも小さいことを特徴とする真空吸着装置。 （もっと読む）

【課題】堆積導電作用を有するマスク移載容器を提供する。
【解決手段】堆積時に静電の発生を防止できるマスク移載容器構造であり、底台１０、殻体２を含み、殻体２が底台１０上に選択的に覆蓋し、マスク５０を置く収容空間を形成し、底台１０および殻体２とマスク５０との間に静電を導通する通路を形成し、殻体上面に該通路と連通する把手２４を設け、底台１０が少なくとも１つの導電構造と触導ユニット４０を有し、そのうち導電構造が通路と連接し、下向きに突出する導電柱３２、３５を有し、触導ユニット４０は移載容器が隣接して堆積時、下層移載容器の把手２４に接触し、隣接する移載容器とマスク５０との静電が該触導ユニット４０と導電ユニット３０を経由して導出でき、マスクパターンを破壊することを減少させる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの輸送時に半導体チップの破損を低減することができる半導体チップの収納容器、その収納容器を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チップトレイ１０では、第１の板１１に形成された第１の凹部１１Ａに第１の緩衝材１２が設けられ、第１の凹部１１Ａと対向した第２の板１３の面には第２の緩衝材１４が設けられている。半導体チップ１５は、第１の板１１と第２の板１３が重ね合わされると、第１の凹部１１Ａの空間１１Ｃにおいて、第１の緩衝材１２と第２の緩衝材１４との間に収納される。これにより、チップトレイ１０の輸送時における衝撃は、半導体チップ１５に加わりにくくなり、半導体チップ１５の破損を防ぐことができる。また、第１の緩衝材１２、第２の緩衝材１４の少なくともいずれか一方は導電性材料からなるため、静電気による半導体チップ１５の破損や損傷を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】収納容器に収納されている半導体ウエハを取り出す際に半導体ウエハとスペーサを確実に分離できるウエハ取り出し装置を提供する。
【解決手段】本発明のウエハ取り出し装置は、半導体ウエハ１６、１７と層間紙１８が交互に重ねられ、その重ねられた半導体ウエハ１６から層間紙１８の一部が露出した状態で収納されている収納容器から半導体ウエハ１６を取り出す装置において、半導体ウエハ１６を吸着するウエハ吸着機構４と、ウエハ吸着機構４を移動させる移動機構と、層間紙１８の一部を押さえるスペーサ押さえ機構２１と、を具備し、スペーサ押さえ機構２１は、収納容器に収納されている半導体ウエハ１６をウエハ吸着機構４によって吸着しながら、前記移動機構によってウエハ吸着機構４を上昇させるときに、層間紙１８の一部を押さえる機構であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 低消費電力で振動も発生し難く、かつ、小環境内に圧力差も生じ難いダウンフロー発生機構を提供すること。
【解決手段】 清浄気体を供給する清浄気体供給機構４と、清浄気体供給機構４から清浄気体が供給され、内部の圧力が、清浄度が周囲よりも高い状態に保たれる小環境３の内部の圧力に対して陽圧とされる清浄気体溜め空間５と、清浄気体溜め空間５と小環境３の内部とを連通する複数の孔８と、を具備し、清浄気体を、清浄気体溜め空間５から小環境３の内部に複数の孔８を介して噴射し、小環境３の内部にダウンフローを発生させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造技術において使用する吸着治具を、３００℃以上の熱に耐えられるようにする。
【解決手段】コレットホルダ６１に設けられたコレット６０等の吸着治具を、高耐熱性とする。かかる構成を採用することで、これまでは金錫共晶接合等で使用される温度では、熱劣化等を起こしていたコレット６０を、熱劣化等を起こさずに使用することができる。かかる高耐熱性には、特定の高耐熱性シリコーン樹脂を使用すればよい。例えば、株式会社ＡＤＥＫＡのＦＸ−Ｔ１５４等を例として挙げることができる。かかる高耐熱性シリコーン樹脂は、さらに、ショアＡ硬度が１０以上９０以下の性質のものを使用すればよい。さらには、導電剤を添加して、高耐熱性シリコーン樹脂に適度な導電性を付与しても構わない。 （もっと読む）