【課題】隣接デバイスの特性への悪影響を低減するＴＳＶ相互接続構造の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の主面Ｓ１を有する基板を設け、少なくとも一つのＴＳＶ穴部と、ＴＳＶ穴部を囲み残りの基板材料によって分離されるトレンチ状構造３、とをエッチングにより同時に作製する。基板の第１の主面でトレンチ状構造の開口をピンチオフするためと、ＴＳＶ穴部側壁を平滑にするために、誘電性のライナー２ａ、２ｂを堆積し、トレンチ状構造にエアギャップ４を作製する。ＴＳＶ相互接続１０を生成するためにＴＳＶ穴部に導体材料を堆積する。 （もっと読む）

【課題】貫通孔への金属のめっき充填性を向上させることができる技術を提供することである。
【解決手段】貫通孔５が設けられた基板１へ金属を充填するために、貫通孔５が設けられた基板１と導電層４を有する基板２とが結合された基板３を用意する。導電層４から通電して貫通孔５内の一部に第１のめっき層６を形成する。第１のめっき層６上に第２のめっき層７を形成する。第１のめっき層６をエッチング除去し、第１のめっき層６がエッチング除去された孔内に、第２のめっき層７から通電して第３のめっき層９を形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】装置特性の低下を防止するとともに、半導体基板と貫通電極の短絡を防止する半導体装置を提供する。
【解決手段】第１面と、第１面と対向してトレンチが形成された第２面とを有する基板と、基板内に形成されたビアホールを充填し、ビアホールの内壁から順にビアホール絶縁膜、障壁膜、および導電性接続部を有してなる貫通ビアと、第２面上に形成されて貫通ビアの一部領域を露出する開口部を有する絶縁膜と、トレンチ内に埋め込まれ、貫通ビアと電気的に接続される再配線と、を有し、絶縁膜は導電性接続部の一部領域と重複する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極のための開口部を形成する時に、上部配線層の配線とのミスアラインメント問題が発生しない半導体装置を製造する方法の提供。
【解決手段】第１面及び第１面の反対側に第２面を有する基板を準備する段階と、基板の第１面から基板の厚さ方向に延長して貫通電極が形成される領域に犠牲膜パターンを形成する段階と、基板の第１面上に形成され、犠牲膜パターン上に位置する配線を有する上部配線層を形成する段階と、基板の第２面を部分的に除去して犠牲膜パターンを露出させる段階と、犠牲膜パターンを基板の第２面から除去して配線を露出させる開口部を形成する段階と、開口部内に配線と電気的に接続される貫通電極を形成する段階と、を有する。 （もっと読む）

【課題】材料コストが安く高周波特性が良好な貫通電極基板を簡便な工程で得ることができ、製造時間とコストの大幅な削減が可能な貫通電極基板の製造方法を提供する。
【解決手段】厚さ方向に形成された複数の貫通孔を有するガラス基板の前記貫通孔内に、導電性材料からなる貫通電極を有する貫通電極基板の製造方法であって、金属粒子を含む流動性の導電性組成物を前記ガラス基板上に塗布して、該導電性組成物を前記貫通孔内に充填する工程と、前記貫通孔内に充填された前記導電性組成物を加熱して、該貫通孔内に前記貫通電極を形成する工程を備える貫通電極基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】チップの縁領域は、膨張係数が異なることによって、温度サイクル中に、ＴＣ応力とも称される特定の負荷を受けることが多い。これらの縁領域は特にＴＣ応力を受け易いため、同領域内において様々な不良が生じる可能性がある。これによって、実際のデバイスにおける信頼性のリスクが増大する可能性がある。
【解決手段】半導体デバイスの金属構造２１０のための固定用構造２００は、オーバーハング形状の側壁２３０を少なくとも１つ含んだ固定用凹部構造２２０を含んでいる。上記金属構造２１０は、少なくとも部分的に上記固定用凹部構造２２０内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】貫通孔の底面部付近において、導電層をカバレッジ良く形成し、接触不良がなく、電気的な安定性を向上させた貫通配線を、工程やコストを増加することなく形成する。
【解決手段】半導体基板の一方の面に第一絶縁層を介して導電部を形成する第一工程、ドライエッチング法により半導体基板の他方の面側から第一絶縁層が露呈するように貫通孔を形成する第二工程、貫通孔の内壁面および底面に第二絶縁層を形成する第三工程、第二絶縁層及び第一絶縁層のうち貫通孔の底面に位置する部分を除去し導電部を露呈する第四工程、第二絶縁層上に導電層を形成し該導電層を導電部と電気的に接続する第五工程、を有し、第四工程において、第二絶縁層に続いて導電部の一部をエッチングすると共に、エッチングにより除去された第一金属成分とエッチングガス成分とからなる第一副生成物を、貫通孔の底面部及びその近傍に位置する内壁面部に堆積させ、テーパー部を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来のＢＣｌ_３ガスに代わる、腐食性のない有機アミノボロン系ガスを用いてＢ
ＣＮ膜を成膜ことが特徴である。その例として、トリスジメチルアミノボロンを用いて、
プラズマＣＶＤにより成膜を行うことで、安定した低誘電率と高い硬度（ヤング率）を有
するＢＣＮ膜が形成できる半導体装置の製造方法が提供すること。
【解決手段】 有機アミノボロン系ガスを用いて窒化ホウ素炭素（ＢＣＮ）系絶縁膜を形
成する絶縁膜の製造方法。前記有機アミノボロン系ガスはトリスジメチルアミノボロンで
ある。比誘電率が２．５以下で弾性率（ヤング率）が８ＧＰａ以上であるＢＣＮ系の絶縁
膜。 （もっと読む）

【課題】特に半導体集積回路（ＩＣ）デバイス製造の分野において、約１００ｎｍより小さい、好適には約７０ｎｍより小さい、更に好適には約５０ｎｍより小さい、より好適には約３５ｎｍより小さい幅を有するトレンチ、バイアなどの開口部を充填する電着方法を提供する。
【解決手段】０．５ｍｍｏｌ・ｌ^−１と５０ｍｍｏｌ・ｌ^−１との間に含まれる銅イオン濃度と、電着浴の体積あたり０．０５％と１０％との間に含まれる酸濃度とを有する電着浴中に基板を浸責し、銅の堆積物を電着する。 （もっと読む）

【課題】超高周波帯におけるシリコン基板による損失を低減すると共に、貫通配線のインダクタンス成分の影響を小さくした半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、回路素子１０５が形成された半導体基板１００と、半導体基板１００の主面の上に形成された第１の誘電体層１２１と、第１の誘電体層１２１の上に形成された第２の誘電体層１３１と、第１の誘電体層１２１を貫通し、回路素子１０５と接続された第１の貫通配線１２２と、第２の誘電体層１３１を貫通し、第１の貫通配線１２２と接続された第２の貫通配線１３２とを備えている。第２の貫通配線１３２は、第１の貫通配線１３２よりもインダクタンスが小さい。 （もっと読む）

【課題】配線構造における電気特性の向上を図る。
【解決手段】グラフェン配線は、配線溝を有する絶縁膜１３と、前記配線溝内の両側面の前記絶縁膜上に形成された第１触媒膜１５と、前記配線溝内の両側面の前記第１触媒膜上に形成され、両側面に対して垂直方向に積層された複数のグラフェンシートで構成された第１グラフェン層１６と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】配線構造における電気特性の向上を図る。
【解決手段】グラフェン配線の製造方法は、絶縁膜１３内に、配線溝３０を形成し、前記配線溝内の全面に、触媒膜１４を形成し、前記配線溝内の前記触媒膜上に、前記配線溝の底面に対して垂直方向に積層された複数のグラフェンシート１６ａ〜１６ｅで構成されるグラフェン層１６を形成することを具備する。 （もっと読む）

【課題】ボイドが存在しても高い信頼性を確保可能な配線構造を提案する。
【解決手段】実施形態に係わる装置は、第１の溝１０を有する絶縁層１３と、第１の溝１０内に形成され、上部に凹部１６を有する銅を含む第１の配線層１５と、第１の配線層１５の凹部１６の内面上に形成され、少なくとも１つのグラフェンシートから構成されるグラフェン層１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの保護層に形成された溝のアスペクト比が０．５以上である場合においても、再配線を形成する際のレジスト膜に破壊が生じることを防止する手段を提供する。
【解決手段】半導体ウェハが、集積回路を形成した複数の能動領域と、隣合う能動領域間に設けられたダイシング領域と、能動領域とダイシング領域とを覆う保護層５と、保護層の能動領域の外側を掘込んで形成されたガイド溝２１と、能動領域の保護層上を覆う保護膜７と、保護膜上に形成され、集積回路に電気的に接続する第２の配線９とを備え、ガイド溝のアスペクト比が０．５以上の場合にそのガイド溝を保護膜で覆う。 （もっと読む）

【課題】再配線のパターン形成後のレジストパターンの剥離性を確保しつつ、再配線のパターン形成前のレジストパターンとその下地との密着性を向上させる。
【解決手段】半導体チップ上に形成されたメタル膜５の表層には、レジスト膜６との密着性を上げる表面改質層１６が形成され、表面改質層１６を介してメタル膜５上に再配線７ａ〜７ｃが形成される。 （もっと読む）

【課題】下層配線層と配線シード層との密着性を低下させないで高く維持することが可能な配線形成方法を提供する。
【解決手段】下層配線層４と絶縁性バリヤ層６と層間絶縁膜８と上層配線層が順次積層された被処理体に対して上層配線層と、連通配線層１６とを形成する配線形成方法において、絶縁性バリヤ層を残した状態で連通ホール９Ｂを形成し、連通ホール内に犠牲膜を埋め込み、トレンチ９Ａを形成するパターンマスク６２を形成する前処理工程と、トレンチを形成するトレンチ形成工程と、犠牲膜６０とパターンマスクとをアッシングするアッシング工程と、トレンチ内と連通ホール内に熱処理によりバリヤ層１０を形成するバリヤ層形成工程と、異方性エッチングにより連通ホールの底部のバリヤ層と絶縁性バリヤ層とを除去する異方性エッチング工程と、配線シード層１２を形成する配線シード層形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】めっき工程の埋設不良を抑制する。
【解決手段】半導体基板１００上に設けられた層間絶縁膜３２０に開口部を形成する工程と、開口部上面にバリア層３４０を形成するバリア層形成工程と、バリア層３４０上に配線シード層を形成する配線シード層形成工程を有する。また、バリア層形成工程は、選択成膜工程と、スパッタエッチング工程を有する。バリア層３４０の選択成膜工程は、バリア層３４０を、開口部の平面部３４２のみに選択的に成膜する。次いで、バリア層３４０のスパッタエッチング工程は、平面部３４２のバリア層３４０をスパッタエッチングしながらバリア層３４０のスパッタ粒子を開口部の側壁部３４４に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】低伝導度領域ができるだけ少なくなるグラフェン配線構造が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、触媒金属膜２２０と、グラフェン膜２３０と、コンタクトプラグ２４０と、調整膜２５０と、を備える。触媒金属膜は、基板上に形成される。グラフェン膜は、触媒金属膜上に形成される。コンタクトプラグは、グラフェン膜と接続する。調整膜は、前記グラフェン膜表面のうち、前記コンタクトプラグと接続する領域以外の領域上に形成され、ディラック点位置をフェルミ準位に対してコンタクトプラグと接続する領域と同方向に調整する。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＭＰを伴うダマシン法を用いた配線や電極の形成は、製造工程が煩雑であり高コスト化している。表示装置等の大型基板に配線形成を行うには平坦性等の高精度が要求されて好適せず、また研磨による配線材料の除去・廃棄量が多いという課題がある。
【解決手段】配線の形成方法及び配線を有する表示装置の形成方法は、基板上若しくは回路素子上に設けられた第１の金属拡散防止膜上に、金属シード層をＣＶＤ法により形成し、フォトレジストマスクを用いて選択的に無電解メッキ法、又は電解メッキ法により、金属配線層を形成し、金属シード層及び第１の金属拡散防止膜の不要領域除去と、金属シード層及び金属配線層及び第１の金属拡散防止膜の側面を含む表面を覆うように無電解メッキ法による第２の金属拡散防止膜の選択的な形成とにより配線及び電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接続不良を抑制したコンタクト形成方法を備える半導体装置を提供するものである。
【解決手段】半導体装置は、配線層を備える第１の回路領域と、第１の回路領域の上に形成された絶縁膜と、絶縁膜の上に形成され、シリサイド膜を備える第２の回路領域と、配線層上に設けられ、配線層と電気的に接続された下部コンタクトと、下部コンタクト上に設けられ、下部コンタクトと前記シリサイド膜とを電気的に接続する上部コンタクトとを有する。 （もっと読む）