【課題】めっき膜の成膜が進んでも、被めっき面の表面電位と所望する表面電位との誤差が生じることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体基板１に形成されたシード膜２０を、めっき液３２に接触させる工程と、シード膜２０にカソード電極５４を接続し、シード膜２０とめっき液３２中のアノード電極４０との間で電流を流すことにより、シード膜２０上にめっき膜２２を形成する工程と、を備え、めっき膜２２を形成する工程において、めっき液２０中に挿入された参照電極３４とカソード電極５４との間の電位差、またはカソード電極５４とアノード電極４０の電位差を、時間の経過と共に徐々に下げる工程を有する。 （もっと読む）

【課題】配線信頼性が向上される。
【解決手段】半導体基板上に配線層１１と層間絶縁膜１２とが順に形成され、層間絶縁膜１２にトレンチ溝１３とトレンチ溝１３中に配線層１１に達するビア孔１４とが形成され、トレンチ溝１３内、ビア孔１４内および層間絶縁膜１２上に、チタン、ジルコニウムおよびマンガンのうちのいずれか、もしくはこれらの合金である金属膜１５が成膜され、スパッタ法を用いて、ビア孔１４の底部の金属膜１５をエッチングするとともに、トレンチ溝１３の底部および側壁とビア孔１４の側壁に、タンタル、タングステンのいずれか、もしくはこれらの合金である金属膜１６が成膜されて、さらに、ビア孔１４の側壁にそれぞれの金属によって新たな金属膜が生成され、ビア孔１４とトレンチ溝１３とを導電性材料１７ａで埋め込んだ配線層が形成されるようになる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に形成された開口部の側壁全体を均一に成膜することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法は、底壁及び複数の凹部を有する側壁により構成された開口部を素子が形成された半導体基板に形成し、前記開口部側から蒸着又はスパッタリングを行い、前記底壁及び前記側壁の各凹部の前記底壁側に成膜部材を堆積させ、前記半導体基板に所定の電圧を印加しつつスパッタリングを行うことにより前記成膜部材を前記側壁の各凹部の前記開口部側に堆積させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体積層体を製造することのできる半導体積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】貫通電極用溝２が形成されたウエハ１の貫通電極用溝２を有する面に、半導体加工用テープ４を介して支持体５を積層する工程（１）と、ウエハ１を半導体加工用テープ４と反対側の面から研削し、貫通電極用溝２を露出させる工程（２）と、露出した貫通電極用溝２に電極部６を形成する工程（３）と、ウエハ１の半導体加工用テープ４と反対側の面に封止樹脂層７を形成する工程（４Ａ）と、封止樹脂層７を介してウエハ１にダイシング用テープ８を貼り合わせ、半導体加工用テープ４及び支持体５を剥離する工程（４Ｂ）と、ウエハ１を個片化して半導体チップを作製する工程（５）と、前記半導体チップを、封止樹脂層７を介して他の半導体チップ又は基板に積層する工程（６）とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハハンドリングが容易であり、高精度の位置合わせを必要とせず、ビアホールとして機能する開口部を浅く形成でき、さらに開口部を埋め込む第１電極と基板との界面の割れを防止できる電極構造、及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板に、第１主表面側から、深さが基板の厚さよりも小さい開口部３３を形成する。次に、開口部を埋め込む第１電極３５を形成する。次に、第１主表面と対向する基板を第２主表面側から薄層化して、開口部の深さよりも大きい厚さとする。次に、第２主表面側１１１ｂから開口部の底面３３ｂへ向けて、基板１１１に切り込みを入れる３９ことによって、第２主表面側から第１電極を露出させる。次に、切り込みを埋め込む第２電極４４を形成する。 （もっと読む）

【課題】膜の形成によって生じる半導体基板の反りを緩和できる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体基板１０の主面上にイオン注入用マスク材１８を形成する。マスク材は半導体基板とは異なる熱膨張係数を有する。レジスト膜２０をマスクとしてドライエッチングにより複数の装置形成領域の間の領域上（ダイシングライン）１４に切欠き部１６ａを有するマスク用膜１６を形成する。イオン注入などの工程を経て半導体装置を形成後、ダイシングラインに沿って各装置形成領域に分離する。 （もっと読む）

【課題】 より信頼性の高いＣｕ−Ｃｕ接合界面を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置１を、第１の配線１８を含む第１半導体部１０と、第１半導体部１０と貼り合わせて設けられ、第１の配線１８と電気的に接合された第２の配線２８を含む第２半導体部２０とを備える構成とする。さらに、半導体装置１は、酸素に対して水素よりも反応し易い金属材料と酸素とが反応して生成された金属酸化物１７ｂを備える。そして、この金属酸化物１７ｂを、第１の配線１８及び第２の配線２８の接合界面Ｓｊ、並びに、第１の配線１８及び第２の配線２８の少なくとも一方の内部を含む領域に拡散させた構成とする。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを用いた特性が良好な半導体基板、その製造方法、および電子装置を提供することにある。
【解決手段】
本発明の一態様による半導体基板は、一主面に下部電極を有する基板と、前記基板上の前記下部電極以外の部分に設けられた層間絶縁膜と、前記下部電極の上に設けられた触媒層と、前記触媒層上に設けられ、前記下部電極の一主面に垂直な方向に延伸する複数のカーボンナノチューブと、前記カーボンナノチューブ上に設けられ、前記下部電極と対向する上部電極と、前記触媒層および前記カーボンナノチューブの前記触媒層側の端部を覆う第１の埋め込み膜と、前記カーボンナノチューブの他端部の間に満たされ、前記第１の埋め込み膜よりも高密度のである第２の埋め込み膜と、を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に形成されるヴィアホールの直径を縮小化することが可能で、高密度化に寄与することのできる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、基板１０上に第１導電体を形成する第１導電体形成工程と、第１導電体を被覆する様にゲート絶縁膜２１を成膜する第１絶縁膜成膜工程と、第１導電体上のゲート絶縁膜２１に貫通孔３２を開口して、当該貫通孔３２を介して第１導電体の表面および基板の表面を部分的に露出させる貫通孔形成工程と、貫通孔３２内に露出する第１導電体の表面を撥液化させる撥液化工程と、貫通孔３２内に露出する第１導電体以外の領域に第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に設けられた層間絶縁膜４０に開口部４８を形成する工程と、開口部４８の側面上および底面上、ならびに層間絶縁膜４０上に第１金属材料からなる第１膜１０を形成する工程と、第１膜１０上であって、開口部４８内および層間絶縁膜４０上に、第１金属材料よりも電気陰性度が小さい第２金属材料からなる第２膜２０を形成する工程と、第２膜２０上に、第２金属材料よりも電気陰性度が小さい第３金属材料からなる第３膜３０を形成する工程と、熱処理する工程と、開口部４８外に位置する第１膜１０および第２膜２０、ならびに第３膜３０を研磨によって除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】被処理基板を加熱してトレンチやホールの間口部のオーバーハングを抑制しつつ金属膜を成膜するとともに、成膜後に速やかに被処理基板の温度を低下させることができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】載置台を低温に保持して、載置台上に被処理基板を吸着させずに載置する工程と、プラズマ生成ガスのプラズマを生成し、載置台に高周波バイアスを印加した状態で、被処理基板にプラズマ生成ガスのイオンを引きこんで被処理基板を予備加熱する工程と、ターゲットに電圧を印加して金属粒子を放出させ、プラズマ生成ガスのイオンとともにイオン化した金属イオンを被処理基板に引きこんで金属膜を形成する工程と、被処理基板を低温に保持された載置台に吸着させ、載置台と被処理基板との間に伝熱ガスを供給して被処理基板を冷却する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 金属部材の表面に、再現性よくバリア膜を形成する技術が望まれている。
【解決手段】 基板の上に、下部バリア膜を形成する。下部バリア膜の上にシード膜を形成する。シード膜の一部の領域上に、導電部材を形成する。導電部材をエッチングマスクとして、シード膜をエッチングし、導電部材の形成されていない領域において、下部バリア膜を露出させる。下部バリア膜の表面には堆積しない条件で、導電部材の表面に選択的に上部バリア膜を成長させる。上部バリア膜をエッチングマスクとして、下部バリア膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】安定した性能と高い生産性とを実現する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、メモリセルアレイ部と、第１平面内においてメモリセルアレイ部と並置されたコンタクト部と、を備えた不揮発性半導体記憶装置が提供される。メモリセルアレイ部は、積層体、半導体層、メモリ膜を含む。積層体は、第１平面に対して垂直な第１軸に沿って積層された複数の電極膜とそれらの間の電極間絶縁膜とを含む。半導体層は電極膜の側面に対向する。メモリ膜は電極膜と半導体層との間に設けられ電荷保持層を含む。コンタクト部は、コンタクト部絶縁層と複数のコンタクト電極とを含む。コンタクト部絶縁層は、コンタクト部絶縁膜と粒子とを含む。コンタクト電極はコンタクト部絶縁層を第１軸に沿って貫通する。コンタクト電極は電極膜に接続される。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が可及的に少なく、従来よりも抵抗率の低い高質のグラフェンを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上方に設けられた配線とを具備する。前記助触媒層のうち前記触媒層と接触している部分は、面心立方構造もしくは六方最密構造を有し、かつ、前記面心立方構造の（１１１）面もしくは前記六方最密構造の（００２）面が前記半導体基板の表面と平行になるように配向しているか、または、前記助触媒層のうち前記触媒層と接触している部分は、アモルファス構造もしくは微結晶構造を有する。前記触媒層は、面心立方構造もしくは六方最密構造を有し、かつ、前記面心立方構造の（１１１）面もしくは前記六方最密構造の（００２）面が前記半導体基板の表面と平行になるように配向する。 （もっと読む）

【課題】配線を設計通りの形状に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板の第１の面に位置する電極と、前記第１の面に設けられ、前記電極とオーバーラップする位置に開口部を有する絶縁膜と、を有する構造体を用意する工程と、前記絶縁膜の前記第１の面側の面とは反対側の第２の面に、樹脂突起を形成する工程と、前記電極および前記樹脂突起を覆う第１導電膜を前記第２の面に形成する工程と、前記第１導電膜の前記第２の面側の面とは反対側の第３の面に、前記第１導電膜の前記第３の面より反射率の低い第２導電膜を形成する工程と、前記第２導電膜の前記第３の面側の面とは反対側の第４の面に、フォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層の一部をマスク層で覆った状態で、前記フォトレジスト層を露光する工程と、前記フォトレジスト層を現像し、フォトレジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第１導電膜および前記第２導電膜をエッチングすることにより、前記第１導電膜から形成された配線であって、前記樹脂突起の少なくとも一部を覆い、かつ、前記電極と接続する前記配線を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】マイグレーションの問題を生じることなく、微細でアスペクトの高く絶縁特性に優れた絶縁膜を備えた貫通電極を有する素子付き基板、赤外線センサーおよび貫通電極形成方法を提供する。
【解決手段】予め、素子回路形成前のベース基板にビアホールを形成し、前記ベース基板の素子回路形成面と前記ビアホールの内面に熱酸化により絶縁膜を形成する熱酸化を行なう。前記熱酸化工程後に前記ビアホール形成部に導電部を有する素子回路を形成した後、前記素子回路形成工程後に前記ビアホールに導電体を埋め込み形成するようにしている。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減を図ることができる。
【解決手段】シリコンウェハ３１の上面側の内部にメタルパッド３２が形成され、シリコンウェハ３１の上面にガラスシール材３３が積層され、メタルパッド３２がシリコンウェハ３１の上面に露出するようにシリコンウェハ３１およびガラスシール材３３に加工された開口部にストッパ層３４が形成される。そして、シリコンウェハ３１の下面からストッパ層３４まで開口するように縦孔３５が形成され、縦孔３５の先端部においてストッパ層３４を介してメタルパッド３２に電気的に接続され、シリコンウェハ３１の下面まで延在するようにメタルシード層３７が形成される。本発明は、例えば、固体撮像装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】 はんだからなるバンプの形成工程中やフリップチップ実装時に、スズのようなはんだ成分がバンプ電極のアンダーバリアメタルを透過してその下のパッド電極と反応し、バンプとパッド電極間の接合信頼性が低下することを防止する。
【解決手段】 半導体基板１上に形成されたパッド電極３とはんだからなるバンプ８間にアンダーバリアメタル６が形成される。アンダーバリアメタル６は保護絶縁膜４に形成された開口５に露出するパッド電極３上から開口５周囲の保護絶縁膜４上までを被覆する。しかしバンプ８の底面はアンダーバリアメタル６より小さく、望ましくは開口５より小さく、且つ開口５内部領域の垂直上方に形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を構成する配線の信頼性向上を図る。
【解決手段】テトラメチルシランガスの流量を通常条件よりも下げて形成したＳｉＣＮ膜ＳＣＮ１（４ＭＳ↓）と、このＳｉＣＮ膜ＳＣＮ１（４ＭＳ↓）上に形成され、通常のテトラメチルシランガスの流量で形成したＳｉＣＮ膜ＳＣＮ２と、このＳｉＣＮ膜ＳＣＮ２上に形成されたＳｉＣＯ膜ＳＣＯからバリア絶縁膜を構成する。これにより、耐透水性の向上と低誘電率化をバランス良く実現することができる。 （もっと読む）

【課題】小型化、薄型化、軽量化を実現した半導体装置の提供を課題とする。また、作製時間を短縮し、歩留まりを向上することができる半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】トランジスタと、トランジスタ上に設けられた絶縁層と、絶縁層に設けられた開口部を介して、トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続された第１の導電層（ソース配線又はドレイン配線に相当）と、絶縁層及び第１の導電層上に設けられた第１の樹脂層と、第１の樹脂層に設けられた開口部を介して、第１の導電層に電気的に接続された導電性粒子を含む層と、第２の樹脂層及びアンテナとして機能する第２の導電層が設けられた基板とを有する。上記構成の半導体装置において、第２の導電層は、導電性粒子を含む層を介して、第１の導電層に電気的に接続されている。また、第２の樹脂層は、第１の樹脂層上に設けられている。 （もっと読む）