【課題】 フォトリソグラフィ工程の解像限界内で、具現可能なサイズのパターンを利用して超微細な幅及び間隔を持つ高密度パターンを形成できる配置構造を持つ半導体素子及びその半導体素子パターン形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子は、コネクション領域に隣接するメモリセル領域を含む基板、メモリセル領域からコネクション領域まで第１方向に延びて配され、第１ライン幅及び第１ライン間隔を持つ複数の第１導電ライン、第１導電ラインそれぞれに連結されるように配され、第２ライン幅及び第２ライン間隔を持つ複数の第２導電ライン、コネクション領域に配され、第１導電ラインに電気的に連結された複数のパッド、を備える。半導体素子上のパターン形成方法は、微細ライン幅及び間隔を提供するために２段階のスペーサ形成工程を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】より低コストで、より信頼性の高いＭＩＭキャパシタを有する、より信頼性の高い半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本製造方法は、半導体基板ＳＵＢを準備する工程と、半導体基板ＳＵＢの一方の主表面上に、アルミニウム層ＡＣ１を有する第１の金属電極ＬＥＬ１と、第１の金属電極ＬＥＬ１上の誘電体層ＤＥＣと、誘電体層ＤＥＣ上の第２の金属電極ＵＥＬとを形成する工程とを備える。第１の金属電極ＬＥＬ１を形成する工程においては、表面がＲｍａｘ＜８０ｎｍ、Ｒｍｓ＜１０ｎｍ、Ｒａ＜９ｎｍの関係を満たすように、アルミニウム層ＡＣ１が形成される。第１の金属電極ＬＥＬ１を形成する工程には、少なくとも１層の第１のバリア層Ｔ１を形成する工程と、第１のバリア層Ｔ１上に、アルミニウム層ＡＣ１を形成する工程と、アルミニウム層ＡＣ１を構成する結晶を再結晶化する工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】従来の蓚酸系エッチング液のような界面活性剤配合に伴う泡や蓚酸に由来する残渣の発生を生じることなく、界面活性剤を一切使用しなくても、濡れ性、泡切れ性が優れ、高精度で透明導電膜をエッチングすることができるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも蓚酸を主成分とする導電膜用エッチング剤（Ａ）と、（Ｂ）群および（Ｃ）群から選ばれる少なくとも１種とを含有し、界面活性剤を一切含有しないことを特徴とする導電膜用エッチング液。 （もっと読む）

【課題】機械的強度および密着力に優れた低誘電率の層間絶縁層を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された、ＳｉＯ_２骨格を含む第１の多孔質層６と、第１の多孔質層６の直上に形成された、ＳｉＯ_２骨格を含む第２の多孔質層７と、第１の多孔質層６に埋め込まれたビア１０と、第２の多孔質層７に埋め込まれた配線１１と、を有し、第１の多孔質層６の孔密度ｘ_１は４０％以下であり、第２の多孔質層７の孔密度ｘ_２は、（ｘ_１＋５）％以上である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程時に銅が露出して不純物が発生することを最小化できる薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板の上にゲート線１２４、ゲート絶縁膜１４０、第１非晶質シリコン膜１５４、第２非晶質シリコン膜１６４、第１金属膜１７４ａ、及び第２金属膜１７４ｂを順次形成する段階と、第２金属膜１７４ｂの上に第１部分と第１部分より厚さの厚い第２部分とを有する感光膜パターン５２を形成する段階と、感光膜パターン５２をマスクとして第２金属膜１７４ｂ及び第１金属膜１７４ａをエッチングして、第２金属パターン及び第１金属パターンを形成する段階と、第２金属パターンにＳＦ_６気体またはＳＦ_６とＨｅの混合気体で前処理する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜と電極配線膜が直接接続する構造を有する薄膜トランジスタ基板であって、その製造工程において、腐食防止用塗料の塗布や剥離といった工程を設けることなく、ピンホール腐食を防止できるような薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜と電極配線膜が直接接続する構造を有する薄膜トランジスタ基板であって、前記透明導電膜の結晶最大粒径が２００ｎｍ以下である薄膜トランジスタ基板。 （もっと読む）

【課題】配線間の実効的な容量の増加を抑制する。
【解決手段】半導体装置１００は、６員環構造の環状シロキサンを原料とする絶縁膜１１と、絶縁膜１１に形成された配線溝１２と、配線溝１２に金属膜（配線メタル）１５が埋め込まれて構成される配線１０と、を有する。半導体装置１００では、配線溝１２の底面において、絶縁膜１１の内部よりも単位体積あたりの炭素原子数、又は／及び、窒素原子数が多い改質層１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 研磨剤由来の砥粒の除去性、絶縁膜上の金属残渣と有機残渣の除去性に優れ、かつ銅配線の耐腐食性に優れる銅配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 銅または銅合金配線を形成する半導体製造工程中の化学的機械的研磨の後に続く工程において使用される洗浄剤であって、アミン（Ａ）、グアニジンの塩またはグアニジン誘導体の塩（Ｂ）、および水を必須成分とし、使用時のｐＨが８．０〜１３．０であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】下地に対する選択比が大きく、テーパー形状の配線を形成するドライエッチング
方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下の配線を形成
する。また、基板上に導電性材料からなる膜を形成し、ＩＣＰエッチング装置を用いて前
記導電性材料からなる膜をドライエッチングして、テーパー角が６０°以下のゲート配線
を形成し、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に活性層を形
成する。 （もっと読む）

【課題】溝部を絶縁膜で埋設する際に、溝部のアスペクト比が大きい場合であっても、内部にボイドを残存させることなく、溝部内に絶縁膜を充填する。これにより微細化した半導体装置の製造を容易に行うことを可能とする。
【解決手段】隣り合う凸部の間に形成される溝部の上端部においてオーバーハング形状を有すると共に、溝部の上部にボイドを有するように溝部内に溝部用絶縁膜を形成する。凸部の高さ方向に対して斜め方向から、溝部用絶縁膜に不純物をイオン注入することにより、溝部内に形成された溝部用絶縁膜の一部に不純物をドープする。溝部用絶縁膜の不純物がドープされた部分を除去した後、溝部内に溝部用絶縁膜を充填する。 （もっと読む）

【課題】 動作不良を抑制するのに適する半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体チップ１と、半導体チップ１に積層された第１電極パッド２１と、方向ｘに延びる第１の縁４９ａと、方向ｙに延びる第２の縁とに規定された矩形状を呈する中間層４と、半導体チップ１とともに中間層４を挟むように配置された複数のバンプ５と、を備え、複数のバンプ５のいずれか一つは、複数のバンプ５のうち、方向ｘの一端且つ方向ｙの一端に配置され並びに第１電極パッド２１に導通する第１バンプ５１であり、複数のバンプ５のいずれか一つは、第１電極パッド２１に導通する第２バンプ５２である。 （もっと読む）

【課題】高性能及び高機能で、高周波特性に優れ、コストダウンに有効な絶縁構造を持つ電子デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１は、その厚み方向に伸びる縦孔３０を有している。絶縁物充填層３は、縦孔３０内にその内周面を覆うように充填してなる環状層である。縦導体２は、絶縁物充填層３によって囲まれた領域２０内に充填された凝固金属体でなる。絶縁充填層３は、有機絶縁物又はガラスを主成分とする無機絶縁物と、ナノコンポジット構造のセラミックとを有する層である。ナノコンポジット構造のセラミックは、常温比抵抗が１０^１４Ω・ｃｍを超え、比誘電率が４〜９の範囲にある。 （もっと読む）

【解決課題】 複数の微細な貫通孔が存在するシリコン基板において、半導体プロセスに依らない簡素な技術により平坦部のみならず貫通孔内部にも密着性が良好な金属膜を成膜して、高密度実装用途に好適なシリコン基板を提供する。
【解決手段】 めっき前処理によりシリコン基板の平坦部と貫通孔内部の清浄シリコン表面を現出させ、ニッケル置換めっき・無電解銅めっき（Ｓ４）を順に行うことにより、シリコン基板の全ての貫通孔の内壁全面ならびに主面の全面もしくは一部の面を直接被覆し、密着性に優れ良好な導電性を示す膜を有するめっき層付シリコン基板を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】３次元集積化技術を適用した場合にも十分な放熱効果が得られる、放熱効率の高い放熱構造を持つ半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の素子形成面の反対面１ｂには、貫通電極２の少なくとも端面を露出させる第１の凹部３と、貫通電極２を露出させない第２の凹部８とが形成されている。半導体基板１の反対面１ｂ上には、第１の凹部３における貫通電極３の端面を除く内面及び第２の凹部８の内面を覆うように第１の絶縁膜４が形成されている。第１の絶縁膜４上には、貫通電極２の端面と接続し且つ第１の凹部３の外側まで延びる導電膜５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】優れたスループットを実現できる導電性素子を提供する。
【解決手段】導電性素子は、第１の波面および第２の波面を有する基体と、第１の波面上に形成された導電層とを備える。導電層は、導電パターン部を形成し、第１の波面および第２の波面が、０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】ボイドとヒロックの発生の双方を抑制してＣｕ配線を形成する。
【解決手段】半導体基板上の層間絶縁膜に溝パターンを形成する工程（Ｓ１）、めっき法によりＣｕ膜を形成する工程（Ｓ２，Ｓ３）、１３０〜１８０℃で第１アニールを行う工程（Ｓ４）、ＣＭＰにより溝パターン以外の銅膜を除去する工程（Ｓ５）、３００〜３５０℃でグレイン成長のための第２アニールを行う工程（Ｓ６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来の、真空装置を用いた形成方法に比べて簡便かつ安価に形成され、しかもインクジェット印刷方法によって形成されるもの比べて、断線等を生じることなしに、より細線化された金属配線を提供する。
【解決手段】Ａｇ粒子、またはＡｇを５０原子％以上含む合金粒子を含む分散液を塗布して塗膜を形成し、乾燥後にパターン形成したのち焼成して形成され、その縁部２における、基材の表面方向の、想定される外形線４からの凹入量の最大値と突出量の最大値との和が５０ｎｍ以下、前記縁部２における、基材３の表面方向の、想定される外形線４と直交し、かつ金属配線１の厚み方向の断面のうち、前記厚み方向の外形線の、前記基材３の表面と接する部分の、前記基材３の表面との交差角度が７０°以下で、かつ抵抗率が１４μΩ・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】パッド電極に荷重または衝撃力が加わっても、周囲の絶縁膜にクラックが発生しにくい構造の半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、平面形状が、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形、ならびに、これらの少なくとも一部分を含む形状の組合せからなる群から選ばれた平面形状となるような凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部の内面に少なくとも一部を被覆する下敷膜を形成する下敷膜形成工程と、絶縁膜で覆われた前記凹部に導電性の電極材質を埋め込むパッド部形成工程とを含み、前記凹部形成工程は、第１の凹部を形成する工程と、前記第１の凹部の一部分においてさらに深く凹む第２の凹部を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング法を用いる場合にパターンの疎密に拘わらず、所望のパターンを形成できるようにする。
【解決手段】第１のレジスト膜に第１の露光光を照射し第１の現像を行なうことにより、配線溝パターンを含む第１の領域Ａに第１パターン５ａを形成すると共に、第１の領域Ａと接続され且つ配線溝パターンと比べてパターン密度が疎である第２の領域Ｂにダミーパターン５ｂを形成する。その後、第１のレジスト膜を硬化し、硬化した第１のレジスト膜の上に、第２のレジスト膜９を形成する。その後、第２のレジスト膜９に第２の露光光を照射し第２の現像を行なうことにより、第１の領域Ａに第２パターン９ａを形成する。該第２パターン９ａを形成する際に、第１の領域Ａには、第１パターン５ａ及び第２パターン９ａにより配線溝パターン２ａが形成される一方、第２の領域Ｂは、ダミーパターン５ｂの開口部が第２のレジスト膜９によって埋められる。 （もっと読む）

【課題】基材の内部に空隙を形成するための方法を提供する。
【解決手段】基材を用意する工程；少なくとも１つの犠牲材料前駆体の堆積によって犠牲材料を堆積する工程；複合層を堆積する工程；該複合層中のポロゲン材料を除去して多孔質層を形成する工程；及び積層基材を除去媒体と接触させて前記犠牲材料を実質的に除去し、前記基材の内部に空隙を与える工程を含み、前記少なくとも１つの犠牲材料前駆体が、有機ポロゲン、シリコン、極性溶媒に可溶な金属酸化物、及びそれらの混合物からなる群より選択される方法が提供される。 （もっと読む）