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Fターム[5F047FA01]の内容

ダイボンディング (10,903) | ボンディング装置 (2,221) | ダイ供給部材、テーブルフィード (411)

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【課題】 実装装置において、基板マガジンから載置テーブルまで基板を搬送する構成の設置面積を抑制する。
【解決手段】 基板マガジンを昇降可能に支持するマガジン昇降テーブルと、基板マガジンの棚上に支持された基板を該基板マガジンから所定の方向に沿って押し出す基板押し出し手段と、押し出された該基板を収容して昇降可能な基板昇降手段と、基板昇降手段の降下位置において基板を把持する基板把持搬送手段と、を有し、基板把持搬送手段はマガジン昇降テーブルの下方で待機し、降下した基板昇降手段に向かって前進して基板昇降手段から基板を把持する。 (もっと読む)


【課題】マス形成はんだを冷却することによって形成されるチップとホルダの間の接合部の質を向上させる製造方法を提供する。
【解決手段】この方法は、ろう材を形成するマス16を加熱するステップ、加熱ステップの前にマスおよび部材12を支持体14上に配置するステップを含む。具体的には、方法は、マスを支持体上に位置付けるステップと、前記マスを支持体に対して押し付けるように、第1の圧縮力F1をマス上に加えるステップとを含み、第1の力F1の強度は、マスを平らにするように選択される所定の第1の値まで上がる。次に、方法は、部材を、平らにされたマス上に位置付けるステップと、前記部材を、平らにされたマスおよび支持体に対して押し付けるように、第2の圧縮力F2を部材に加えるステップとを含み、第2の力F2の強度は第2の所定値まで上がり、第2の所定値は第1の所定値より低い。 (もっと読む)


【課題】基板上に配置された電子部品に対する加圧機構の位置精度を向上することができる電子部品の実装方法および装置の提供。
【解決手段】半導体チップ11を本圧着する前に、半導体チップ11を撮像カメラ22fで撮像し、その後、撮像カメラの認識結果に応じて第2の圧着部22の動作を行うようにした。これにより、多数個取り基板10f上に配置された半導体チップ11に対して正しい対向位置に第2のヘッド22aの加圧面Pを平行移動させた後、半導体チップ11の多数個取り基板10fに対する加圧動作を行うことができ、よって、半導体チップ11に対する加圧面Pの位置精度を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】撮像装置およびノズルの動作の無駄が少ないチップ取出方法を提供することを課題とする。
【解決手段】チップ取出方法は、連続して処理されるN(Nは2以上の自然数)枚のウェハ62のうち、最初のn(nはN未満の自然数)枚のウェハ62からチップ620を取り出す際、撮像エリアにウェハ62の外縁が含まれるように撮像装置33によりウェハ62を撮像し、チップ620がある有座標、チップ620がない無座標に関連するマップMtを作成し、ノズル8により有座標からチップ620を取り出すマップ作成工程と、n+1枚目以降のウェハ62からチップ620を取り出す際、マップMtを基に、撮像装置33の撮像対象およびノズル8の取出対象から無座標を除外し、有座標からチップ620を取り出す対象補正工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体ダイのピックアップ装置において、より薄い半導体ダイを容易にピックアップする。
【解決手段】ステージ20と、吸引開口41と、吸引開口41を開閉する蓋23と、吸引開口41の周縁に配置され、密着面22から突出する各突起31,32と基本孔33a〜33dと、を備え、半導体ダイ15をピックアップする際に、半導体ダイ15の外形の少なくとも一部が各突起31,32からステージ外周方向に向かってはみ出した状態で基本孔33a〜33dによってはみ出した部分の保持シート12を吸引すると共に、蓋23の先端23aを上方向に進出させ、保持シート12と半導体ダイ15とを押し上げながら蓋23をスライドさせて吸引開口41を順次開き、開いた吸引開口41に保持シート12を順次吸引させて半導体ダイ15から保持シート12を順次引き剥がす。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、ダイを正確にボンディングできる信頼性の高いダイボンダ及び半導体製造方法を提供することである。
【解決手段】
本発明は、基板または前記基板近傍に設けられた基準マークと前記基板のボンディング位置に設けられた認識パターンとを撮像し、ダイを前記ボンディング位置に近接させ、前記基準マークとボンディング位置に近接した前記ダイとを撮像し、前記2つの撮像によって得られた撮像データに基づいてボンディング位置に近接した前記ダイの位置を補正して前記基板に前記ダイをボンディングする。 (もっと読む)


【課題】非接触方式による測定誤差や誤検出を低減し、さらに、電子部品ハンドリング時に連続して静電気量のモニタができ、異常値をリアルタイムに判定し異常がある場合に即時に対処することができるダイボンダおよび半導体製造方法を提供する。
【解決手段】ダイをピックアップするコレットを有するピックアップ部と、前記コレットで搬送された前記ダイをフレームにボンディングするダイボンディング部と、ダイに帯電する静電気をダイに接触して測定する静電気測定用センサと、静電気測定用センサがダイに所定の圧力で押圧されるように静電気測定用センサの一部に取り付けられた押圧付与部材とを有し、ピックアップ作業の間、静電気測定用センサを用いてダイの静電気量を測定することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ピックアップの精度を上げ、生産性が向上するダイボンダを提供する。
【解決手段】画像処理装置は、回転機構408によって移送ツール403を所定の回転角度に回転させ、回転角度ごとにカメラ405によって移送ツールの底面を撮像し、撮像された画像から、移送ツールの回転中心を算出し、かつ回転角度ごとのθずれ量をデータベースに登録し、半導体チップ402をワーク404に実装する都度、データベースに基づいて移送ツールの位置補正を行うダイボンダおよびダイボンディング方法。 (もっと読む)


【課題】チップをピックアップする際に加えられる応力負荷を低減でき、チップの破壊を防止できるピックアップ方法及びピックアップ装置を提供する。
【解決手段】粘着シートに貼り付けられているチップに第1の吸着部を近づけて接触させるとともに、粘着シートに接触する接触面に凹部が形成されている第2の吸着部を粘着シートに近づけ、第1の吸着部と対向するように粘着シートに第2の吸着部を接触させる第1のステップS11〜S13と、粘着シートに接触している第2の吸着部により粘着シートを吸引するとともに、粘着シートとチップとの間に注入部により流体を注入することによって、チップの凹部に対向する部分から粘着シートを剥離する第2のステップS14〜S17と、第1の吸着部によりチップを吸着している状態で、粘着シートから第1の吸着部を遠ざけることによって、チップをピックアップする第3のステップS18とを有する。 (もっと読む)


【課題】省スペース性、チップ搭載性に優れたウェハ供給装置、および当該ウェハ供給装置を備えたチップボンディング装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ウェハ供給装置5は、ウェハ搬送パレット50を備えている。ウェハ搬送パレット50には、ウェハシート61が搭載されている。ウェハシート61には、分割された複数のチップ620からなるウェハ62が貼り付けられている。ウェハ搬送パレット50における、ウェハシート61の搭載位置以外の部分には、廃棄されるチップ620を置く廃棄部品置場500が区画されている。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路装置の製造工程のうちの組立工程におけるダイシング後のチップのピックアップ工程では、急速なチップの薄膜化によって、ピックアップ不良の低減が重要な課題となっている。特に、剥離動作によるチップ周辺部の湾曲がチップの割れ、欠けを惹起する可能性が高い。
【解決手段】これらの課題を解決するための本願発明は、ダイシング・テープ(粘着テープ)等からチップを吸引コレットで真空吸着して剥離する場合において、吸引コレットの真空吸着系の流量をモニタすることで、チップが粘着テープから完全に剥離する以前のチップの湾曲状態を監視するものである。 (もっと読む)


【課題】チップ搭載装置が、ターゲットマークの付されてないウェハに対しても、より迅速に傾き補正を行えるようにする。
【解決手段】画像処理部610が、1行(横の並び)分の半導体チップの基準点の座標値を算出する。傾き検出部620は、座標値を算出された基準点の近似直線を求め、この近似直線の傾きを求める。駆動制御部630は、傾き検出部620が求めた傾きに基づいてチップ積載部50を回転させて傾き補正を行う。このように、基準点の座標値を求めて傾き補正を行うので、ターゲットマークの付されていないウェハに対しても傾き補正を行える。また、1行分の半導体チップの基準点に対して傾き補正を1回行えばよいので、より迅速に傾き補正を行える。 (もっと読む)


【課題】半導体チップをウェーハシートから迅速確実に剥離し得るピックアップ装置を提供する。
【解決手段】ウェーハシートSに貼り付けられた半導体チップPを個々にウェーハシートから剥離するピックアップ装置であって、ピックアップステージ1に形成されウェーハシートSと共に半導体チップP個片を受け入れる平面寸法を有した凹陥部13と、ウェーハシートSと共に半導体チップP個片を該凹陥部に挿入するための挿入手段と、凹陥部13内の半導体チップPを吸着してピックアップするコレット3とを備えたことを特徴とするピックアップ装置。 (もっと読む)


【課題】 ダイアタッチフィルムなどの粘着フィルムが半導体チップの基板接合面に設けられていても、チップ搬送装置のチップ吸着面に半導体チップの貼り付きによる受け渡し不良の発生することのないチップ搬送装置を提供すること。
【解決手段】 チップ搬送装置が、半導体チップ部品を吸着保持するチップ保持部材を備え、チップ保持部材が、チップ供給部から回路基板実装部まで、水平移動することにより半導体チップを搬送する機構であって、チップ保持部材に設けられた、半導体チップの基板接合面と接触するチップ吸着面に、凸形状をした突起が形成されているチップ搬送装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】種々の半導体チップをダイシングテープから容易に剥がして確実にピックアップすることのできる半導体チップのピックアップ装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ1が接着されたダイシングテープ2を搭載面Tの上に載せ、吸着溝M2でダイシングテープ2を下面側から吸着保持する保持台10と、保持台10の内部に設けられ、ダイシングテープ2を下面側から貫通して半導体チップ1を突き上げる突き上げピン20と、ダイシングテープ2の上面側から半導体チップ1を吸着保持する吸着コレット30とを有してなり、搭載面Tにおいて、ピン穴吸着溝M2aの最短幅Wが、半導体チップ1の辺の長さLcより小さく設定されてなり、ピン穴吸着溝M2aの半導体チップ1の直下で占める面積Smaが、半導体チップ1の面積Scの30%以上に設定されてなるピックアップ装置100とする。 (もっと読む)


部材の配置方法は、基板と第1の液体を準備する工程と、部材及び第2の液体を含有する部材含有液を準備する工程と、親水性領域に第1の液体を配置する工程と、前記親水性領域に配置された前記第1の液体に前記部材含有液を接触させる工程と、前記第1の液体および前記第2の液体を除去することによって、前記部材を前記親水性領域に配置する工程と、を具備する。前記親水性領域は、部材配置領域と、前記部材配置領域の周辺に形成された液体捕捉領域とから構成されている。前記液体捕捉領域は、以下の化学式Iで表される表面を具備する。

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【課題】吸着取出しミスによる装着運転の停止を極力減少させることよって、半導体素子の装着装置における生産効率の向上を図ること。
【解決手段】吸着取出し動作の開始により、タイマー35をセットし(ステップS14)、タイムアップした後に、真空スイッチ16の状態を見て(ステップS16)、オン状態であれば半導体素子2を正しい姿勢で吸着しているものとして、角錐コレット4を上昇させる(ステップS17)。また、真空スイッチ16がオフ状態であればタイマー35を再度セットし(ステップS18)、タイムアップする前に(ステップS19)、真空スイッチ16の状態を再度見て(ステップS20)、オン状態であれば半導体素子2を正しい姿勢で吸着しているものとして、角錐コレット4を上昇させる(ステップS17)。 (もっと読む)


ウエハからダイを搬送するための方法をここに開示する。当該方法は、回転可能なマルチスピンドルピッキングヘッドを使用して2又はそれ以上のダイをウエハから取得するステップを含む。方法は、ウエハフィーダーから配置装置にマルチスピンドルピッキングヘッドを移動させるステップを含む。ウエハからダイを搬送する装置をさらに開示する。当該装置は、複数のスピンドルを有するピッキングヘッドを備える。各スピンドルは、ダイのウエハからダイを取得するように構成されている。マルチスピンドルピッキングヘッドは、回転可能且つ少なくとも一方向に移動可能である。
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【課題】高いダイボンディング精度が保証され且つ製造コストが低い半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体チップを基板の所定位置に接合する機能を有する半導体製造装置であって、ローダ20、プリフォーム部ダイボンディング部50、アンローダ70、支持フレーム80、及び基板搬送機構を備え、支持フレーム80は、1対の側フレーム部82,83を前部梁84及び後部梁85で結合した矩形枠構造をなし、ローダ20及びアンローダ70は1対の側フレーム部に各々支持され、ボンディングアームを支持するブロック本体は、前部梁84及び後部梁85に両端部を支持されて装置左右方向(X軸方向)に駆動され、ボンディングアームはブロック本体におけるアームガイド部に案内されて前後方向(Y軸方向)及び上下方向(Z軸方向)に駆動される半導体製造装置。 (もっと読む)


【課題】半導体素子を製造する際の実装工程において、多数の半導体素子を精度良く配列し一括して実装する方法を提供する。
【解決手段】エキスパンドテープを所定の大きさまでエキスパンドするエキスパンド工程と、半導体素子チップを仮載置台に載置する載置工程と、液体供給手段と、前記各半導体素子チップと前記仮載置台との間に氷結層を形成する冷凍工程と、前記各半導体素子チップから前記拡大エキスパンドテープを剥離するエキスパンドテープ剥離工程と、氷結層を解凍する解凍工程とを具備する。 (もっと読む)


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