【課題】カード所有者がカード内に蓄積された情報を知りたい場合等に、外部のカード読取装置を用いてカード内に蓄積された情報を解読し、カード読取装置に搭載されているディスプレイ上に前記の蓄積情報を読み出さなければならないという不便さがあった。
【解決手段】ＩＣカード本体と、ＩＣカード本体における外部からの機械的な変形を電力に変換するセルフ電源装置と、ＩＣカード本体の外側へ露出して表示を行うディスプレイ面を有し、セルフ電源装置で発生した電力の供給を受けてディスプレイ面に情報を表示する表示装置とを備えるＩＣカード表示システムが提供される。 （もっと読む）

【課題】複数のフラッシュメモリダイを含むデバイス内の欠陥フラッシュメモリダイを動作不能化する製品ならびに関連する方法およびシステムを提供する。
【解決手段】動作不能化されていないフラッシュメモリダイに基づくフラッシュメモリのデータ記憶容量を示すラベルを、複数のフラッシュメモリダイを含むパッケージに付すことができる。ダイレベル、パッケージレベル、および／またはボードレベルにおいて、様々な動作不能化方法を適用することができる。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあわせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】論理値の反転処理を行う回路をコアチップ側に設けることなく、ＴＳＶを含む電流パスラインのショート不良を検出する。
【解決手段】半導体装置１０は、第１及び第２の電流パスＳａ，Ｓｂと、これらとそれぞれ電気的に接続する第１及び第２のラッチ回路１００ａ，１００ｂと、第１のラッチ回路１００ａに第１のデータＤ１を供給するとともに、第２のラッチ回路１００ｂに第１のデータとは逆の論理値を有する第２のデータＤ２を供給するドライバ回路１０１と、第１のデータＤ１が第１のラッチ回路１００ａに供給され、かつ第２のデータＤ２が第２のラッチ回路１００ｂに供給されない第１の期間と、第２のデータＤ２が第２のラッチ回路１００ｂに供給され、かつ第１のデータＤ１が第１のラッチ回路１００ａに供給されない第２の期間と、が交互に繰り返されるよう、ドライバ回路１０１を制御する制御回路１０４と、モニタ回路１２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気特性の変動が生じにくく、且つ電気特性の良好な半導体装置の作製方法を提供することである。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、酸化物半導体膜を形成し、第１の酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理をして第２の酸化物半導体膜を形成し、第１の導電膜を形成し、厚さの異なる領域を有する第１のレジストマスクを形成し、第１のレジストマスクを用いて第２の酸化物半導体膜および第１の導電膜をエッチングして第３の酸化物半導体膜および第２の導電膜を形成し、第１のレジストマスクを縮小させて、第２のレジストマスクを形成し、第２のレジストマスクを用いて第２の導電膜の一部を選択的に除去することでソース電極およびドレイン電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は単一の半導体装置を構成する複数個のチップでヒューズ情報を伝送できる半導体装置に関することである。
【解決手段】半導体装置は信号伝送部及び信号受信部を含む。信号伝送部は第１チップに配置されて、伝送制御信号に同期してヒューズ情報を伝送する。信号受信部は第１チップ及び第２チップに各々配置されて、受信制御信号に同期して前記ヒューズ情報を受信する。 （もっと読む）

【課題】制御チップと複数の被制御チップが積層されたタイプの半導体装置において、コマンド信号よりも層アドレス信号を早く伝送させる。
【解決手段】互いに異なる層情報を保持する複数の被制御チップＣＣ０〜ＣＣ７と、被制御チップＣＣ０〜ＣＣ７に対して層アドレス信号Ａ１３〜Ａ１５及びコマンド信号ＩＣＭＤを共通に供給する制御チップＩＦとを備える。層アドレス信号Ａ１３〜Ａ１５を構成する各ビットは、複数の第１の貫通電極のうち、被制御チップごとに並列接続された少なくとも２本の貫通電極を経由して伝送され、コマンド信号ＩＣＭＤを構成する各ビットは、出力切り替え回路及び入力切り替え回路によって選択された対応する１本の貫通電極を経由して伝送される。これにより、コマンド信号ＩＣＭＤよりも先に層アドレス信号Ａ１３〜Ａ１５が各被制御チップに到達する。 （もっと読む）

【課題】マルチチップパッケージのパッケージングを容易にし、半導体メモリチップとマルチチップパッケージのパッドとを接続するボンディングによって伝送される信号のローディングを一定にすることができるようにした半導体メモリチップを提供すること。
【解決手段】第１のデータ信号と第１のストローブ信号と第１のマスク信号とが入力される第１のパッド部と、第１のモードでは、前記第１のデータ信号と前記第１のストローブ信号と前記第１のマスク信号とを第１の書き込み経路回路に伝達し、交換モードでは、前記第１のデータ信号と前記第１のストローブ信号と前記第１のマスク信号とを第２の書き込み経路回路に伝達する第１の選択伝達部と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】積層型の半導体装置においていずれかのバンクがアクティブ状態であるか否かを判定する。
【解決手段】バンクアドレス信号ＢＡ及びアクティブ信号ＡＣＴ０を出力するインターフェースチップＩＦと、インターフェースチップＩＦに積層され、それぞれ対応するバンクアドレス信号ＢＡ及びアクティブ信号ＡＣＴ０を受けて独立にアクティブ状態となる複数のメモリバンクを備えるコアチップＣＣ０〜ＣＣ７とを備える。コアチップＣＣ０〜ＣＣ７は、其々に含まれる複数のメモリバンクの少なくとも１つがアクティブ状態であるか否かを示すローカルバンクアクティブ信号ＭＣＩＤＴをインターフェースチップＩＦに其々出力し、インターフェースチップＩＦは、ローカルバンクアクティブ信号ＭＣＩＤＴの少なくとも１つが活性状態を示すときにバンクアクティブ信号ＰＭＣＩＴを活性化させる。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を接着する際のそりを抑制でき且つ強固に接着できる基板の接着方法を提供する。
【解決手段】第１の基板Ｓａの表面に第１の下地層３５ａを形成する第１の下地層形成工程と、第２の基板Ｓｂの表面に第２の下地層３５ｂを形成する第２の下地層形成工程と、前記第１の基板Ｓａ表面に形成された前記第１の下地層３５ａ上に第１の単量体１３ａを蒸着させる第１の単量体蒸着工程と、前記第２の基板Ｓｂ表面に形成された前記第２の下地層３５ｂ上に前記第１の単量体１３ａと反応して重合体を形成する第２の単量体１３ｂを蒸着させる第２の単量体蒸着工程と、前記第１の基板Ｓａと前記第２の基板Ｓｂとを前記単量体を蒸着させた側の面が対向するように載置し、前記第１の単量体１３ａと前記第２の単量体を接触させると共に、反応させて重合体を形成することにより、前記第１の基板Ｓａと前記第２の基板Ｓｂとを接着する重合体形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する積層構造の半導体装置、半導体メモリ装置、半導体メモリ・システム及びその動作方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体レイヤ間で伝送される情報の衝突を防止する構造を有する半導体装置であり、該半導体装置は、第１温度情報を出力する第１温度センサ回路を含む少なくとも１つの第１半導体チップと、貫通電極に電気的に連結されずに、第１温度センサ回路に電気的に連結される第１バンプと、第１半導体チップの貫通電極に電気的に連結される第２バンプと、を具備する半導体装置であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 複数のチップを実装した場合において、複数のチップ間で通信する通信線を設けることなく、ピーク電流を抑制可能な半導体記憶システムを提供する。
【解決手段】 半導体記憶システムによれば、電源配線81は、第１の半導体記憶装置71aと第２の半導体記憶装置71bに共通接続され、第１、第２の半導体記憶装置に電源を供給する。電圧検知回路74a,74b,74cは、第１、第２の半導体記憶装置のそれぞれに設けられ、電源配線の電源電圧を検知する。制御回路7は、第１、第２の半導体記憶装置のそれぞれに設けられ、電圧検知回路により電源電圧の低下が検知された場合、電源電圧が復帰するまで、第１、又は第２の半導体記憶装置の動作を、次の動作に遷移させない。 （もっと読む）

【課題】補償容量素子を構成する複数のクラウン型下部電極を備えた容量ブロック間を上部電極で直列接続する際、容量ブロック間に空洞が形成されることを防止する。
【解決手段】２つの隣接する、異なる共通パッド電極（２２ｃ、２２ｄ）上に形成された容量ブロック（第１ブロック及び第２ブロック）が、上部電極３６ｃで電気的に直列に接続され、上部電極３６ｃで直列接続される２つの隣接する容量ブロック間の間隔Ｄ１を、それぞれの容量ブロックの最外周で対向する下部電極間の距離として、２つのブロック間に埋設される上部電極膜の膜厚の２倍以下とする。 （もっと読む）

【課題】浅いトレンチ分離および基板貫通ビアの集積回路設計への統合を提供すること。
【解決手段】ＩＣを製造する方法は、第１の側、および第２の対向する側を有する基板を用意すること、基板の第１の側にＳＴＩ開口を形成すること、および基板の第１の側に部分的ＴＳＶ開口を形成すること、および部分的ＴＳＶ開口を延長することを含む。延長された部分的ＴＳＶ開口は、ＳＴＩ開口より基板内への深さが深い。方法はまた、ＳＴＩ開口を第１の固体材料で充填すること、および延長された部分的ＴＳＶ開口を第２の固体材料で充填することを含む。ＳＴＩ開口、部分的ＴＳＶ開口、または延長された部分的ＴＳＶ開口のいずれも、基板の第２の側の外面を貫通しない。少なくとも、ＳＴＩ開口および部分的ＴＳＶ開口は同時に形成され、またはＳＴＩ開口および延長された部分的ＴＳＶ開口は同時に充填される。 （もっと読む）

【課題】 信頼性を向上可能な不揮発性記憶素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 不揮発性素子は、基板１００、基板１００の上に形成され、制御ベースゲート１２０ａ及び制御ベースゲート１２０ａの上に形成される制御金属ゲート１２５ａｎを有する制御ゲート電極１３７、制御ゲート電極１３７と基板１００との間に形成される電荷格納領域１１０ａ、制御ゲート電極１３７の上に形成される制御ゲートマスクパターン１３０、及び制御ゲートマスクパターン１３０及び制御ベースゲート１２０ａの間に形成された制御金属ゲート１２５ａの側壁の上に形成される酸化防止スペーサ１３５ａを備える。このとき、制御金属ゲート１２５ａｎの幅は、制御ゲートマスクパターン１３０の幅より小さくなるように形成されている。これにより、制御金属ゲート１２５ａｎが酸化工程又は酸化物等によって酸化されることを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】複数のメモリチップが積層された半導体装置においてリードライトバスの本数及び配線長を削減する。
【解決手段】積層された複数のメモリチップＣＣ０〜ＣＣ７を備え、各メモリチップは複数のメモリバンクＢａｎｋ０〜Ｂａｎｋ７と、各メモリバンクにそれぞれ割り当てられた複数のリードライトバスＲＷＢＳ０〜ＲＷＢＳ７と、リードライトバスにそれぞれ割り当てられ当該メモリチップを貫通して設けられた複数の貫通電極ＴＳＶ１とを備える。積層方向から見て互いに同じ位置に設けられた貫通電極ＴＳＶ１はチップ間において共通接続される。メモリチップのそれぞれは、アクセスが要求されたことに応答して積層方向から見て互いに異なる位置に設けられたメモリバンクを同時に活性化し、これにより、平面位置の異なる貫通電極ＴＳＶ１を介してデータの入出力を同時に行う。 （もっと読む）

【課題】ウェーハテスト後のウェーハ状態において所望の回路を印刷処理により容易に形成することが可能な半導体製造方法および半導体装置を提供することを課題する。
【解決手段】本発明に係る半導体製造方法は、ウェーハの被描画パターン形成領域に所定の深さを有する溝部を形成する工程、ウェーハに対してトリミング要否の検査を行う工程、前記ウェーハにおけるトリミング必要なウェーハの前記溝部に導電性溶剤を射出し描画パターンを描画する工程、描画パターンを描画した後、脱気および低温アニールする工程、脱気および低温アニールした成膜後、当該成膜表面を平坦化する工程、および平坦化した後、高温アニールする工程、を有する。 （もっと読む）

【課題】リードデータの衝突を回避すること。
【解決手段】本発明の半導体装置は、複数のメモリチップと、前記複数のメモリチップから内部データバスに出力されたリードデータを入力し、入力されたリードデータを外部データバスに出力するＩ／Ｆチップと、を有する。また、前記内部データバスは、前記複数のメモリチップごとに設けられている。また、前記Ｉ／Ｆチップは、前記複数のメモリチップから前記内部データバスを介して入力されたリードデータをバッファリングするＦＩＦＯ回路と、前記ＦＩＦＯ回路にバッファリングされたリードデータの前記外部データバスへの出力タイミングを調整するＦＩＦＯコントローラと、を有する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤのループインダクタンスを低減した半導体パッケージを提供する。
【解決手段】所定の方向に交互に配置された信号用パッドおよび補助パッドのそれぞれが複数設けられた半導体装置と、信号用ボンドフィンガー、電源電圧用ボンドフィンガーおよび接地電位用ボンドフィンガーのそれぞれが複数設けられたパッケージ基板と、を有する。複数の信号用パッドのそれぞれが複数の信号用ボンドフィンガーのそれぞれと第１のワイヤを介して接続され、複数の電源電圧用ボンドフィンガーおよび複数の接地電位用ボンドフィンガーのそれぞれが複数の補助パッドのそれぞれと第２のワイヤを介して接続されている。第１のワイヤが、電源電圧用ボンドフィンガーに接続された第２のワイヤと接地電位用ボンドフィンガーに接続された第２のワイヤとの間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明はコンタクト開口をエッチングにより形成した場合にその下に位置する埋込絶縁膜がエッチングされないようにした構造の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、半導体基板と、半導体基板の主面に形成され活性領域を横断して素子分離領域まで延在するトレンチと、トレンチの下部側に形成された埋込型ゲート電極と、活性領域において埋込型ゲート電極の上方のトレンチ内を充填し、かつ、素子分離領域において埋込型ゲート電極の上方のトレンチ内を完全には充填せずにトレンチの内側面に接して配置されるサイドウォールを構成するキャップ絶縁膜と、素子分離領域においてサイドウォールの内側のトレンチを埋めて埋込型ゲート電極に接続形成されたパッドコンタクトプラグと、パッドコンタクトプラグおよびキャップ絶縁膜上を覆う層間膜と、パッドコンタクトプラグに接続するゲートコンタクトプラグとを具備してなる。 （もっと読む）