本発明は、例えば電流閉じ込め層として機能する、Ｉｎ含有量量がゼロではないＡｌＩｎＮ層（７）を有するIII−窒化物複合デバイスに関する。ＡｌＩｎＮ層（７）は、その内部に規定される少なくとも１つの開口部を有する。ＡｌＩｎＮ層（７）は、その下にあるＧａＮ層などに対する格子不整合が少ないように成長され、その結果、デバイス内の付加的な結晶ひずみを抑制する。最適化された成長条件を用いて、ＡｌＩｎＮの抵抗率を１０^２Ω．ｃｍよりも高くする。その結果、より小さな抵抗率を有する層を、多層半導体デバイス内の電流ブロック層として用いるときに生じる電流の流れが、抑制される。結果として、ＡｌＩｎＮ層が開口部を有し、レーザーダイオードデバイス内に配置されると、デバイスの抵抗率は相対的に低くなり、デバイスの性能が向上する。
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本発明は、（i）単結晶の基板を提供するステップと、（ii）上記基板上に、単結晶の酸化物の層をエピタキシャル成長するステップと、（iii）（ａ）単結晶の酸化物層の表面から不純物を除去するステップと、（ｂ）遅いエピタキシャル成長によって、半導体のサブ層を蒸着するステップと、を有するステップを用いて、サブ層を形成するステップと、（ｉｖ）そのように形成されたサブ層上に、エピタキシャル成長によって、単結晶の半導体層を形成するステップと、を備える固体の半導体構造を製造する方法に関する。本発明は、また、そのように得られた固体の半導体ヘテロ構造に関する。 （もっと読む）

本発明は、電子工学、光学、光電子工学または光起電力工学用の、基板(10)と前記基板(10)の一方の面上に材料を堆積させることにより形成された層(20)とを含む構造体(1)の製造方法に関し、この方法は、前記基板(10)の面(1B)が堆積した材料の層(20)により覆われ、前記基板の他の面(1A)が露出している前記構造体(1)を形成するように、−一方で前記基板(10)を、他方で残りの部分を画定する脆化区域を含む脆化された基板を形成する工程、−前記脆化された基板の2つの面のそれぞれの上に前記材料の層を堆積させる工程、−前記脆化された基板をへき開する工程を含むことを特徴とする。
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【課題】分子線エピタキシ装置のための粒子線供給装置を提供する。
【解決手段】粒子線供給装置１７では、粒子線生成器３１は、分子線エピタキシ成長のための原料を提供する開口３１ａを有する。シャッタ装置３３では、シャッタ３５は粒子線生成器３１の開口３１ａの前方に位置し、回転軸３７は、シャッタ３５を支持しており所定の軸Ａｘに沿って延び、駆動機構３９は、回転軸３７を所定の軸Ａｘの回りに回転駆動する。シャッタ３５は、開口３１ａの位置に合わせて設けられた窓３５ａを有する。粒子線生成器３１からの粒子線は、窓３５ａを通して進み、或いは、シャッタ３５の遮蔽部３５ｂによって遮断される。矢印Ａｒｒｏｗの一方向のみにシャッタ３５を等角速度で回転させたとき、シャッタ３５の移動と停止を成長中に繰り返すことなく、一定の周期で、粒子線が窓３５ａを介して軸Ｂｘに沿って供給される。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム化合物半導体層及び窒素化合物半導体層の両方の形成に際してＡｌの混入を低減可能な、化合物半導体を成長する方法を提供する。
【解決手段】ＭＢＥ用の原料供給装置５１では、Ｎラジカルガン５３は原料チャンバ５５に保持されており、原料チャンバ５５はＮラジカルガン５３のためのプラズマ生成用の空間を提供する。原料チャンバ５５は排気システム５９にゲートバルブ６１を介して接続されている。原料チャンバ５５は、ゲートバルブ５７を介して成長用チャンバ１３ｃに接続され、原料供給装置５１はゲートバルブ５７を通して窒素原料を成長用チャンバ１３ｃに供給できる。ゲートバルブ６５の開閉は、窒素以外の原料源の動作と独立している。化合物半導体を成長する方法において、窒素ラジカルビームを提供するための期間に、ゲートバルブ５７を開きまた窒素ラジカルビームを提供しない期間に、ゲートバルブ５７を閉じる。 （もっと読む）

【課題】選択領域の方位、位置合わせの精度、再現性が確保し易く、特性を変えた量子ドットを近接領域に交互に配列させるなどの特異な構造をモノリシックに作ることができる微細構造素子製造装置及び微細構造素子生産方法を提供すること。
【解決手段】基板３０が搭載され、回転方向の角度を規定することのできる回転規制手段４４を有する試料ホルダ４０と、基板３０に選択的に結晶３２を成長させるための少なくとも１つ以上の開口を有するマスク１０と、マスク１０が搭載され、かつ回転規制手段４４に接合して回転方向と半径方向との試料ホルダ４０との相対位置が決まる位置固定手段２９を有するマスクホルダ２０と、を備える微細構造素子製造装置。 （もっと読む）

【課題】複数の領域で異なる特性を有している量子ドットをもつ半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の（平均表面格子）パラメータ値を有する少なくとも１つの第１の領域２と、上記第１のパラメータ値とは異なる第２のパラメータ値を有する少なくとも１つの第２の領域３とを含む半導体表面１上に、半導体層を堆積する工程を含んでいる。上記半導体層は、自己組織化アイランド６および７が形成される厚さまで堆積される。アイランド６および７上には、キャップ層８が堆積される。キャップ層の禁制バンドギャップは上記アイランドよりも大きいため、上記アイランドが量子ドットを形成する。これらの量子ドットは、上記第１の領域アイランドと第２の領域アイランドとの（複数の）差により、上記第１の領域および第２の領域とは異なる特性を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、均一性の良好なバッファ層としての結晶層を得ることができ、その上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶構造を作製する際、良好な結晶性の膜を得ることにある。
【解決手段】本発明は、基板上に、スパッタ法によって成膜されたＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層を備え、少なくとも第１の層に接してＩＩＩ族窒化物材料からなる第２の層を備えたＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造において、前記第１の層が成膜装置のチャンバの内部において成膜された層であり、前記第１の層が成膜装置のチャンバ内において到達真空度、１．０×１０^−３Ｐａ以下の条件で製造された層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質を有するＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体製造装置、並びにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタチャンバ４１内に基板１１及びＧａ元素を含有するターゲット４７を配置し、プラズマを用いた反応性スパッタ法によって、基板１１上に単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体を形成する方法であり、スパッタチャンバ４１内に、基板１１を加熱するヒータ４４と、プラズマ発生空間７０を取り囲むシールド部材５０と、該シールド部材５０を冷却するパイプ部材（冷却手段）５１とが備えられ、ヒータ４４によって基板１１を加熱するとともに、パイプ部材５１によってシールド部材５０を冷却しつつ、ＩＩＩ族窒化物半導体を形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】衛星放送用の送受信用増幅素子や高速データ転送用素子としての高電子移動度トランジスタや磁気センサなどの半導体デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１と、この基板１上に設けられた第１のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層（０≦ｙ≦１、０≦ｚ＜１）２と、この第１のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層２の上に設けられた電子走行層としてのＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ層（０≦ｘ≦１）３と、このＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ層３の上に設けられた第２のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層（０≦ｙ≦１、０≦ｚ＜１）４とを備えている。第１のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層２、第２のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層４のいずれか一方、若しくは両方にはＳｎがドープされており、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓ電子走行層３への電子供給層となっている。 （もっと読む）

【課題】基板上に配向特性の良好な中間層が設けられ、その上に結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体が備えられてなり、優れた発光特性及び生産性を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、少なくともＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２が積層され、該中間層１２上に、下地層１４ａを備えるｎ型半導体層１４、発光層１５及びｐ型半導体層１６が順次積層されてなるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であり、中間層１２の結晶組織中には、中間層１２のＸ線ロッキングカーブをピーク分離手法によって、半価幅が７２０ａｒｃｓｅｃ以上となるブロード成分と、ナロー成分とに分離した場合の、ブロード成分に対応する無配向成分が含まれ、中間層１２の結晶組織における無配向成分の割合が、中間層１２の面積比で３０％以下とされている。 （もっと読む）

【課題】亜鉛酸化物半導体を形成するための方法、およびこれによって製造される亜鉛酸化物半導体を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜上に金属触媒層を導入し、これを熱処理してｐ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜に改質する。熱処理過程により、亜鉛酸化物薄膜内に存在する水素原子は、金属触媒によって除去される。したがって、金属触媒および熱処理によって薄膜内の水素原子が除去され、キャリアである正孔の濃度は増加する。すなわち、ｎ型の亜鉛酸化物薄膜は、高濃度のｐ型亜鉛酸化物半導体に改質されるのである。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法によって基板上に積層するＩＩＩ族窒化物半導体の結晶性を、成膜後にアニール等の熱処理を行なうことなく改善できるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及び、発光特性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子並びにランプを提供する。
【解決手段】チャンバ内に基板１１及びターゲットを配置し、基板１１上にＭｇがドープされたＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって形成するスパッタ工程が備えられた製造方法であり、スパッタ工程は、Ｍｇをドープして半導体薄膜を成膜する成膜工程と、該成膜工程で成膜された半導体薄膜に対して不活性ガスプラズマによる処理を行うプラズマ処理工程の各小工程を含み、成膜工程とプラズマ処理工程とを交互に繰り返して半導体薄膜を積層することにより、ＭｇドープＩＩＩ族窒化物半導体からなるｐ型半導体層１６を形成する方法としている。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの表面に窒化物の被膜が形成されることを防止でき、膜厚を精度良く制御でき、優れた結晶性を有するＩＩＩ族窒化物半導体層を形成できる装置を提供する。
【解決手段】基板１１上にＩＩＩ族窒化物半導体層をスパッタ法によって形成するための製造装置であって、ＩＩＩ族元素を含有するターゲット４７が配置され、ターゲット４７をスパッタしてターゲット４７に含まれる原料からなる原料粒子を生成する第１プラズマ発生領域４５ａと、基板１１が配置され、窒素元素含有プラズマを発生させる第２プラズマ発生領域４５ｂとがチャンバ４１内に設けられ、第１プラズマ発生領域４５ａと第２プラズマ発生領域４５ｂとが、原料粒子を基板１１上に供給するための開口部４３を有する遮蔽壁４５によって分離されているＩＩＩ族窒化物半導体層の製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内に基板１１及びＧａ元素を含有するターゲットを配置し、基板１１上にドーパントが添加された単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって形成する方法であり、チャンバの外部に設けられ、該チャンバの内部と連通されたドーパント容器内にドーパント元素を配置し、該ドーパント元素をドーパント容器内で気化してチャンバ内に供給することにより、ＩＩＩ族窒化物半導体にドーパントを添加する方法である。 （もっと読む）

【課題】装置コストが低く、形成される薄膜の結晶性が高くなるようなエピタキシャル薄膜の形成方法、半導体基板の製造方法、半導体素子、発光素子及び電子素子を提供すること。
【解決手段】ターゲットをパルス電圧によって間欠的にスパッタし、基板上に金属原子を間欠的に供給することにより、安定した格子位置の金属窒化物を基板上に成長させることができる。これにより、結晶性の極めて良好な半導体薄膜を形成することができる。加えて、本実施形態の一連の製造工程はスパッタ装置によって行うことが可能であるため、装置コストを低く抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＩｎＰ基板上のＧａＩｎＮＡｓＳｂの表面平滑性が良好で、結晶欠陥密度の低い半導体積層構造の半導体ウエハ、その製造方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１をＭＢＥ装置の基板取付部に取り付ける工程と、ＩｎＰ基板上に該ＩｎＰ基板との格子定数差が−０．５％以上＋０．５％以下の範囲のＧａ_１−ｘＩｎ_ｘＮ_ｙＳｂ_zＡｓ_１−ｙ（０．４≦ｘ≦０．８、０＜ｙ≦０．２、０≦ｚ≦０．１）を、パイロメータで測定の基板表面温度４９０℃超え５３０℃以下の状態で膜厚０．５μｍ以上に成長させる工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子等の半導体装置の特性向上が可能な高品質な結晶性を有する半極性面を成長面とする六方晶系のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板上に成長したＩＩＩ−Ｖ族窒化物層であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物層の成長面が、ｃ面となす角度が１０°以上９０°未満の半極性面であり、前記成長面を回折面として、この成長面に垂直かつｃ軸に平行な面と平行な方向から入射するＸ線に対して得られるＸ線回折強度の角度依存性の半値全幅をａ_１で表したとき、ａ_１≦０．５°を満たすことを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物層。 （もっと読む）

【課題】 完全なノーマリーオフ型動作を実現することができる、窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板上にIII−Ｖ族窒化物半導体層からなる第１の窒化物半導体層と、
III−Ｖ族窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない第２の窒化物半導体層と、
III−Ｖ族窒化物半導体層からなり、第１及び第２のIII−Ｖ族窒化物半導体層より成膜温度の低い膜からなるアルミニウムを含まない第３の窒化物半導体層が順に積層され、第３の窒化物半導体層にショットキ接触する制御電極を備えている。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの向上を図ることができ、量産性に優れ、高性能でかつ高信頼性な半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子１０は、ZnO（酸化亜鉛）単結晶基板１２と、ZnO単結晶基板１２上に成長させて形成される窒化物半導体層を含む素子３０と、ZnO単結晶基板１２の外面のうち、素子３０を形成する表面１２ａとは反対側の裏面１２ｂおよび両側面１２ｃ、１２ｃを覆う窒化物半導体からなる保護膜４０と、を備えている。ZnO単結晶基板１２の裏面１２ｂおよび両側面１２ｃ、１２ｃが窒化物半導体からなる保護膜４０で覆われているので、ZnO単結晶基板１２の表面１２ａ上に窒化物半導体層を成長させる際にZnOの昇華を抑制できる。V族原料としてアンモニアNH₃を用いて窒化物半導体層を成長させるMOCVD法を利用できる。
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