【課題】耐食性に優れた表面保護膜を有するＡｌ合金部材を少なくとも一部に用いた電子装置製造装置を提供する。
【解決手段】Ａｌ合金部材７４を少なくとも一部に用いた電子装置製造装置において、前記Ａｌ合金部材７４の表面の少なくとも一部が非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜７３で覆われ、かつ該陽極酸化膜７３はフロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜７２で覆われ、前記Ａｌ合金部材の表面の前記少なくとも一部は、腐食性の液体に触れることになる部分であることを特徴とする電子装置製造装置。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンが形成された基板に対しても適切に洗浄することができる基板処理装置、および、基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、単一の基板Ｗを水平姿勢で保持する保持部１１と、微細気泡を含んだ気泡含有洗浄液を基板に供給する洗浄液ノズル１５と、洗浄液ノズル１５によって基板Ｗに気泡含有洗浄液を供給させて基板を洗浄する制御部１９と、を備える。気泡含有洗浄液によれば、基板面に与える衝撃を抑制しつつ、微細気泡の表面張力によって基板Ｗ上のゴミ、塵埃、その他の異物を除去することができる。したがって、基板Ｗに形成されたパターンを破壊することなく、基板を好適に洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】加工後の被加工物表面の乾燥を防ぐことができ、洗浄工程においてコンタミネーションを充分良好に除去することができる搬送機構を提供する。
【解決手段】加工後の被加工物Ｗを含む被搬送物１９をチャック手段（２６）から洗浄及び乾燥域（１４）へ搬送する搬送機構（５２）に被加工物Ｗを覆う洗浄水貯留部材（４４）を装備する。 （もっと読む）

【課題】 ベースに接着された基板に対し、十分な洗浄ができる基板洗浄装置、基板の製造方法、および歩留まりが向上され特性が優れた太陽電池素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 スライスベースに接着されたブロックをスライスして複数の基板を形成するスライス工程、スライスベースに接着された基板を洗浄液の入った洗浄槽に浸漬して洗浄する洗浄工程、洗浄後に基板をスライスベースから剥離する剥離工程、を有する基板の製造方法において、スライスベースが側面となるように基板を洗浄槽に浸漬し、洗浄槽の下部に設けられた複数の開口を有するノズルから基板のスライスベースがある側面とは反対側の側面に対して洗浄液を槽内に噴出する。 （もっと読む）

【解決手段】基板の表面上に形成された金属ゲート構造の周囲からポストエッチング洗浄工程中にポリマ残渣を除去するためのシステム及び方法は、金属ゲート構造に及び除去されるべきポリマ残渣に関連する複数のプロセスパラメータを決定することを含む。１又は複数の製造層が、金属ゲート構造を画定し、プロセスパラメータは、これらの製造層の及びポリマ残渣の特性を定める。第１及び第２の洗浄化学剤が特定され、プロセスパラメータに基づいて、第１及び第２の洗浄化学剤に関連する複数の適用パラメータが定められる。ゲート構造の構造的完全性を維持しつつポリマ残渣を実質的に除去するために、第１及び第２の適用化学剤は、適用パラメータを使用して制御方式で順次適用される。 （もっと読む）

【課題】基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】液体または気体が送入される槽ＴＫと、槽ＴＫ内に液体または気体を送り出す機構と、を備え、槽ＴＫ内に被処理体１を配置して処理を行う基板処理装置であって、機構は、槽ＴＫ内に液体または気体を送出する第１送出手段ＴＢａおよび第２送出手段Ｔｂと、第１送出手段ＴＢａからの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第１送入手段Ａと、第２送出手段ＴＢｂからの液体または気体の送出の開始と停止とを行う第２送入手段Ｂと、を備えた基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】被処理体の裏面に供給された処理液が、被処理体の周縁部で、処理液の表面張力によって被処理体の表面側に回り込むことを防止し、このことによって、被処理体の周縁部の表面を精度良く処理すること。
【解決手段】液処理装置は、被処理体Ｗを支持する支持部４０と、支持部４０を回転させる回転駆動部６０と、支持部４０によって支持された被処理体Ｗの表面の周縁部に向かって処理液を供給する表面処理液供給機構３５と、支持部４１によって支持された被処理体Ｗの裏面に処理液を供給する裏面処理液供給機構３０と、を備えている。被処理体Ｗの周縁外方には、間隙Ｇ_０を介して、第一ガイド部材２１が配置されている。被処理体Ｗの裏面を経て周縁部に達した処理液の流速は、被処理体Ｗの表面を経て周縁部に達した処理液の流速よりも速くなっている。 （もっと読む）

【課題】 地震による装置の損傷や危険物漏洩のリスク等を未然に防止することができ、地震等の災害に対する安全性の向上をはかる。
【解決手段】 半導体基板の洗浄処理を行うための洗浄装置１５を備えた半導体基板洗浄システムにおいて、地震情報を検出する地震検出部１１と、地震検出部１１で検出された地震情報を基に、洗浄装置１５で退避行動を取るべきか否かを判定する判定部１２と、判定部１２により退避行動を取るべきと判定された場合に、洗浄装置１５で予め定められた退避行動を実行する退避行動実行部１４とを設けた。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部から汚染物質を良好に除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製のスポンジブラシ１６を備えている。スポンジブラシ１６の外表面を含む範囲には、多数の砥粒が保持されている。基板処理装置１は、スピンチャック３により回転されるウエハＷの周縁部にスポンジブラシ１６を当接させることにより当該周縁部を洗浄することができる。スポンジブラシ１６は、ウエハＷの周縁部に強固に付着した汚染物資を砥粒によって剥離させることにより、ウエハＷの周縁部から当該汚染物質を良好に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明の実施形態は、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄剤で洗浄するための装置を提供する。この洗浄剤を用いる装置は、フィーチャを実質的に損傷することなく微細なフィーチャを備えたパターニング済みウエハを洗浄するのに有効である。洗浄剤は、液相または液／気相の流体であり、デバイスのフィーチャの周りで変形するため、実質的にデバイスのフィーチャを損傷することも損傷をまとめて低減することもない。分子量の大きい高分子化合物のポリマを含む洗浄剤は、基板上の汚染物質を捉える。さらに、洗浄剤は、汚染物質を取り込み、基板表面に汚染物質を戻さない。分子量の大きい１または複数の高分子化合物のポリマは、長いポリマ鎖を形成しており、ポリマ鎖は、さらに、架橋されて網目（すなわちポリマ網目）を形成しうる。長いポリマ鎖および／またはポリマ網目は、従来の洗浄剤と比較して、汚染物質を捉えて取り込む能力が高い。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明の実施形態は、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄するための方法を提供する。パターニング済み基板を洗浄するための方法は、記載の洗浄剤を用いて、フィーチャに対して実質的に損傷を与えることなく、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄できる利点を有する。洗浄剤は、液相または液／気相の流体であり、デバイスのフィーチャの周りで変形するため、実質的にデバイスのフィーチャを損傷することも損傷をまとめて低減することもない。分子量の大きい高分子化合物のポリマを含む洗浄剤は、基板上の汚染物質を捉える。さらに、洗浄剤は、汚染物質を取り込み、基板表面に汚染物質を戻さない。分子量の大きい１または複数の高分子化合物のポリマは、長いポリマ鎖を形成しており、ポリマ鎖は、さらに、架橋されて網目（すなわちポリマ網目）を形成しうる。長いポリマ鎖および／またはポリマ網目は、従来の洗浄剤と比較して、汚染物質を捉えて取り込む能力が高い。 （もっと読む）

【課題】薬液循環型の基板洗浄処理装置の薬液中のＣｕイオン濃度の上昇を防止する。
【解決手段】被処理基板を薬液４を用いて洗浄する処理チャンバ１と、薬液４を循環させる循環機構とを有する洗浄処理装置において、循環機構又は処理チャンパ内に、薬液４に接触するアルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属板５を着脱可能に設置する。薬液４中のＣｕイオンが金属板５のＡｌと交換して、Ｃｕが金属板５表面に析出し、薬液中のＣｕイオンが除去される。金属板５は、塵埃を発生せず、安価かつ着脱容易であるから、製造コストが低減される。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理液の洗浄処理槽内流れを上向きとし、下向きの流れを最小にすると共に、整流板及び拡散板の開口率と液流のバラツキの関係を明確にし、液流のバラツキをリアルタイムにモニターできる手段を具備した洗浄処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の洗浄処理装置は、上方向に流れる洗浄処理液を貯留する洗浄処理槽と、該洗浄処理槽内底部に洗浄処理液を流通させる小孔が面内に配列された整流板と、該洗浄処理液供給口の上方と該整流板の下方の位置に洗浄処理液を流通させる小孔が面内に配列された拡散板と、を備えている。さらに、本発明の洗浄処理装置は、洗浄処理槽内壁面に一本ないし複数本の細糸が固定されることにより、洗浄処理槽内壁面近傍の液流が可視化される整流モニター機構を有し、液流のバラツキをリアルタイムにモニターできる手段を設けている。 （もっと読む）

【課題】活性層の表面の酸化を防止できる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】ソース領域およびドレイン領域の露出した表面上の自然酸化膜を、フッ酸を含有する洗浄液Ａで洗浄除去する。二酸化炭素を超純水Ｐ中に溶解させた洗浄水Ｗでソース領域およびドレイン領域の表面を洗浄する。洗浄水Ｗ中の二酸化炭素が洗浄水Ｗの比抵抗を低下させる。洗浄水Ｗが供給配管48内を通過する際に生じる摩擦帯電を防止できる。洗浄水Ｗが帯電しなくなる。ソース領域およびドレイン領域の表面の帯電を防止できる。ソース領域およびドレイン領域の露出した表面の酸化が防止できる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板を洗浄する際に、所定の時間で、被処理基板の被洗浄面の全体を均一に、効率よくかつ確実に洗浄すること。
【解決手段】基板洗浄装置は、ウエハＷを回転可能に保持するスピンチャック２０と、スピンチャック２０によって保持されたウエハＷの表面に洗浄液を供給する二流体ノズル１０と、二流体ノズル１０に連結され、当該二流体ノズル１０を回転保持部２０に保持されたウエハＷの表面に沿って移動させる移動機構３０と、を備えている。移動機構３０には、移動機構３０によって二流体ノズル１０をウエハＷの中央部からウエハＷの周縁部に向かって移動させる際、ｎ段階に分けて二流体ノズル１０の移動速度ｖ_ｋを多段的に低下させるよう移動機構３０を制御する制御部５０が接続されている。制御部５０は、ウエハＷの中央部を洗浄する１段階目における二流体ノズル１０の移動速度ｖ_１を、１段階目における二流体ノズル１０の理想移動速度ｖ_d１よりも遅くする。 （もっと読む）

【課題】処理液を基板上に供給する際に、基板上に吐出される処理液を汚染することなく、処理液と基板との間の放電により生じる基板へのダメージを抑制する。
【解決手段】基板処理装置１は、導電性の処理液を基板９に向けて連続的に流れる状態で吐出する吐出部３２、および、吐出部３２に接続される供給管３１に分岐して設けられる補助管３５を備える。補助管３５には、接地部４１に接続される接液部３５２が設けられ、基板９とは異なる排出位置へと補助管３５に沿って導かれる処理液の一部に接地電位が付与される。これにより、帯電していない基板９上に処理液を供給する際に、絶縁性の供給管３１内を流れる処理液が帯電した状態で吐出されることが防止され、基板９上に吐出される処理液を汚染することなく、処理液と基板９との間の放電により生じる基板９へのダメージを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理に使用される液体の量を低減しつつ、基板処理装置の内部に付着した薬液成分を確実に除去することができる基板処理装置の中和洗浄装置および中和洗浄方法を提供する。
【解決手段】中和洗浄装置１は、基板処理装置９０の内部との間で希釈液の循環経路を構成し、希釈液を循環させつつ希釈液中に中和剤を添加する。また、中和洗浄装置１は、循環される希釈液のｐＨ値をｐＨセンサ１６により計測し、その計測値が所定の数値範囲内に入るまで中和剤の添加を継続する。このため、希釈液を循環させることにより希釈液の使用量を低減させることができ、また、ｐＨセンサ１６の計測値に基づいて希釈液中の薬液成分を確実に中和することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程のいわゆる前工程で好適に使用されるものであり、簡便な制御機構によって炭酸ガスの流量を制御可能で、設置スペースが小さく、その製造コストが低廉である比抵抗制御装置を提供する。
【解決手段】薬液流体を供給する薬液流体供給手段１０と、超純水を供給する稀釈流体供給手段２０と、薬液流体及び超純水を混合させて処理水として排出する処理水調合手段３０とを備え、薬液流体供給手段１０が、分岐した第一の分岐路４２及び第二の分岐路４３からなる送液路４０と、第一の分岐路４２及び第二の分岐路４３に配置され、処理水調合手段３０に流入する薬液流体の流量を制限するフィルタ５１と、処理水調合手段３０から排出される処理水の比抵抗値に対応して、第一の分岐路４２、または第一の分岐路４２及び第二の分岐路４３を開閉する一つの開閉弁５２とを備える比抵抗制御装置１００。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハのウェット処理方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハをウェット処理する方法において、マイクロバブルの存在下で行うことを特徴とする。
【効果】ウェハ表面の有機物成分、パーティクル成分等を効率的に洗浄除去することが可能となる。さらに洗浄におけるエッチング速度を自在に制御することが可能となる。 （もっと読む）