【課題】異常により所定の処理が停止しても、リトライ処理を行うことで、ウェハ回収作業等の実施に起因する装置稼働率の低下を抑止できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ウェハ１を搬送する搬送手段と、前記搬送手段を制御する制御手段を備えた基板処理装置であって、前記搬送手段が、前記基板を搬送中にエラーが発生して一時停止したときに、前記制御手段は、所定回数のリトライ処理を前記搬送手段に実施させても前記エラーが解消されない場合、前記搬送手段を待機状態（コマンド入力待ち状態）に移行させる。 （もっと読む）

【課題】洗浄中での洗浄液の量を制御する洗浄システム及び洗浄方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本実施例の洗浄システムは、洗浄の対象物の所定箇所に洗浄液を供給する供給部と、前記対象物に供給された前記洗浄液に接触して振動させる振動体と、前記洗浄液の量を監視する監視部と、前記監視部の監視結果に基づいて前記洗浄液の減少を検出し、前記洗浄液の減少を検出した場合には前記洗浄液に新たな洗浄液を補給するように前記供給部を制御する制御部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】異なる温度の二つの液を、それぞれ、所望の温度で吐出することができる処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置１０は、第１の液を吐出する吐出開口３０ａを有した第１供給ライン３０と、第２の液を吐出する吐出開口４５ａを有した第２供給ライン４５と、第１および第２の供給ラインの吐出開口を支持する支持部材６０を有した処理ユニット５０と、を有する。支持部材は、前記仕切り部材６３を有する。第１および第２供給ラインの一方が仕切り部材の一側を延び、他方が仕切り部材の他側を延びている。 （もっと読む）

【課題】 高圧蒸気を微小領域に吹き付け、当該微小領域を拡大させることで被洗浄対象物の洗浄を行う洗浄装置を提供する。
【解決手段】 特定部に開口する槽形状の洗浄槽の開口部をエアカーテンにて閉鎖することとし、洗浄槽内に置かれた被洗浄物に対して高圧蒸気を吹き付けるノズルを、該エアカーテンを超えた洗浄槽内に配置することとする。 （もっと読む）

【課題】基板から残留物を除去する装置および方法を提供する。
【解決手段】基板から残留物を除去する方法を開示する。この方法においては、まず、誘電体層と、パターンが形成され該誘電体層を覆うマスク層とを有する基板がプラズマ処理システムに配置される。ここで、マスク層にはパターンが形成されており、このパターンを誘電体層に転写するのに使用されるエッチング処理の結果として、このパターンに対応した幾何形状が誘電体層に形成される。この幾何形状は、エッチング処理に起因する第１の粗さを有する側壁を含んでいる。二酸化炭素および一酸化炭素を含む処理ガスがプラズマ処理システムへ導入され、処理ガスからプラズマが生成される。基板からマスク層が除去され、二酸化炭素の流量に対する一酸化炭素の流量の比を選択することにより、第１の粗さよりも小さい第２の粗さが生成される。 （もっと読む）

本発明は、作製が簡単でかつ作製費が低いのはもとより、窒素ガスの噴射方向を反応副産物の流れ方向と一致させ、反応副産物ガスの流れを損なわず、効果的に噴射されるようにした半導体装備やＬＣＤ装備の窒素ガス噴射装置に関し、フランジを有する一対のフランジ配管と、一対のフランジ配管間でフランジ配管の壁体に沿ってリング状に結合され、フランジ配管の内部に窒素を供給する噴射ノズルと、窒素ガスの供給のために噴射ノズルと連結された窒素供給ラインと、を備え、噴射ノズルは、円周方向に沿って供給された窒素が移動可能に内部に中空が形成され、内部中空と連通し、供給された窒素がフランジ配管の内部に噴射されるようにする多数の噴射孔を備えるが、噴射孔は、フランジ配管の内周面から突出した位置において、前記反応副産物ガスの流れ方向に噴射されるように形成される。
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【課題】被処理体の処理に用いられる液の温度変動を抑制することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、循環ライン２０と、循環ラインから分岐した複数の供給ライン３０と、各供給ラインに対応して設けられた複数の処理ユニット５０と、循環ラインから各供給ラインに流れ込んだ液を循環ラインへ戻す複数の戻しライン３５と、を有する。処理ユニットは、各供給ラインから吐出される温度調節された液を用いて被処理体を処理するように構成されている。戻しラインは、複数の供給ラインのうちの最下流側の供給ラインとの接続位置よりも下流側の位置において循環ラインに接続している。 （もっと読む）

【課題】被処理体の処理に用いられる液の温度変動を抑制することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、液供給機構１５と、液供給装置に接続され温度調節された液を吐出する吐出開口３０ａを有した供給ライン３０と、供給ラインの吐出開口を支持しする処理ユニット５０と、供給ラインに供給された液を液供給機構へ戻す戻しライン３５と、処理ユニットでの被処理体の処理に用いられる液の供給および供給停止を切り替える液供給切り替え弁３８ａと、を有する。液供給切り替え弁３８ａは、供給ライン３０上に設けられ、供給ライン３０から戻しライン３５を介して液供給機構１５へ戻る液の経路上に、位置している。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の反応炉部品上の残留反応生成物（不可視膜）の有無を、簡単な方法で検知できる反応生成物の検知方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を気相成長させた後の反応炉部品１１上に付着した反応生成物を洗浄した後、反応炉部品１１に特定の波長の光、例えば、ブラックライト１６を照射して反応炉部品１１上に残留する反応生成物の発光状態を検出することにより、反応炉部品１１上の反応生成物の残留状態を検知する。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板を処理する処理液の濃度を求めることができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】薬液を希釈液で希釈した処理液によって基板を処理する基板の処理装置であって、
基板に供給された処理液の厚さを測定する撮像カメラ７と、測定された処理液の厚さと処理時間の関係から処理液に含まれる薬液の濃度を判定する制御装置８を具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、温度状態の管理をより正確に行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、内部にプラズマを発生させる領域を有し、前記処理容器から離隔された位置に設けられた放電管と、マイクロ波発生部から放射されたマイクロ波を伝播させて、前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入する導入導波管と、前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、前記放電管と、前記処理容器と、を連通させる輸送管と、前記放電管の温度を検出する第１の温度検出部と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のウェット処理において、エッチングを制御しながら薬液使用量を削減する。
【解決手段】薬液を用いて複数の基板を順次処理するウェット処理方法は、次の各工程を備える。つまり、第１の基板をウェット処理する際の設備パラメータの値を収集する工程（ａ）と、設備パラメータに基づいて、工程（ａ）における基板の被処理層のエッチングレートを算出する工程（ｂ）と、エッチングレートと、被処理層に対して予定したエッチング量とに基づいて、処理時間を算出する工程（ｃ）と、工程（ａ）の後に、第１の基板とは異なる他の基板について、処理時間のウェット処理を行なう工程（ｄ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板上に処理液が存在するか否かについて、簡易な構造で検出し、製品の歩留まりの悪化を抑えること。
【解決手段】スピンチャック２に静電センサ５４Ａ〜５４Ｃを埋設する。静電センサ５４の静電容量は、基板であるウエハＷ上に処理液が存在すると、存在しない場合に比べて大きくなる。従って静電センサ５４Ａ〜５４Ｃにより、スピンチャック２上のウエハＷ上に処理液が存在するか否かについて検出することができる。従って所定のタイミングでウエハＷ上に処理液が存在するか否かについて検出することによって、処理液ノズル４からの処理液の吐出や、基板上における処理液の拡散の異常を速やかに検出できるため、これらの異常に直ちに対処でき、製品の歩留まりの悪化を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】送り出し部から処理液を供給ノズルを介して基板に吐出するにあたり、処理液の流量の監視と、処理液中の気泡のトラップとを同一の機器により行うこと。
【解決手段】気密な容器の上部に開口し、送り出し部から処理液が送り出される第１の流路と、当該容器の底部に接続され、途中に開閉バルブが設けられた第２の流路と、この第１の流路から滴下される液滴の落下軌跡を横切るように光軸が形成された光電センサーと、光電センサーからの検知信号に基づいて処理液の流量を計測する流量監視部と、容器の上部に設けられ、排気バルブを介して大気に開口する排気路と、前記容器内の液面レベルが下限レベルに達したか否かを監視し、下限レベルに達したときに、開閉バルブを閉じると共に排気バルブを開放し、送り出し部から容器内に処理液を送り出す制御部と、を備えるように装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】経時変化や故障、人為的ミス等により所定の閾値を超えた場合に当該事実を自動報知することが可能な極めて実用性に秀れた超音波強度監視装置の提供。
【解決手段】洗浄液１が貯留される洗浄槽２に該洗浄液１に超音波振動を付与する振動部３が設けられ、この超音波振動が付与される洗浄液１により被洗浄物を洗浄する超音波洗浄装置に設けられる超音波強度監視装置であって、前記洗浄槽２に接合部材を介して設けられ前記超音波振動を感知して前記洗浄槽２に伝達される超音波強度を検出する超音波強度検出センサ４と、この超音波強度検出センサ４と接続され該超音波強度検出センサ４で検出した前記超音波強度が所定の上限閾値若しくは下限閾値を超えた際、この上限閾値若しくは下限閾値を超えたことを報知する報知機構を有する制御部５とを備える。 （もっと読む）

【課題】洗浄液に振動音響力を与えて半導体基板の表面を洗浄する方法及び装置を提供する。
【解決手段】基板３０表面が圧電変換器３２から所定の距離になるように基板を配置する工程、基板と変換器との間に洗浄液５を供給する工程、変換器に交流の電流と電圧を供給することにより洗浄液に振動音響力を与える工程、基板と変換器を相対的に移動させる工程、表面と変換器との間の距離を測定する工程、または変換器に供給される電流と電圧との間の位相シフトを測定する工程、測定された距離を所望の距離と比較する工程、または測定された位相シフトを所望の位相シフトの値と比較する工程、表面と変換器との間の距離を調整して、この距離を所望の距離に実質的に等しくなるように維持する工程、または位相シフトを所望の位相シフトの値に等しくなるように維持する工程よりなる。 （もっと読む）

【課題】基板の一方の面の被加工膜をエッチングして剥離するときに、薬液が基板の他方の面に飛散することを防止する。
【解決手段】基板８を支持する基板ホルダー３を洗浄槽内に回転可能に設け、基板上に形成された被加工膜１８の上に薬液を吐出するノズル５を基板ホルダーの上方で横方向に移動可能に設け、ノズルを基板の上方で横方向に移動させると共に、ノズルから基板上に薬液を吐出させる制御装置を備え、基板から跳ねた液滴状の薬液を検知する液滴センサ１０を備え、制御装置は、液滴センサから出力された検知信号に応じてノズルの横方向への移動を停止させるように制御した。 （もっと読む）

【課題】処理空間の開閉動作に伴う基板の汚染を抑制しつつ開閉動作を行うことが可能な高圧処理装置を提供する。
【解決手段】上部材２２と下部材２１とを重ね合わせることにより形成される処理空間２０内にて、基板Ｗに対して高圧の処理流体により処理を行う高圧処理装置において、係止用突起部２１１は前記処理空間２０の外側にて下部材２１に固定して設けられ、前記下部材２１の周方向に沿って互いに間隔をおいて複数配置されると共に、各々横方向に突出してその下面が係止面２１２を形成し、押圧部材２３は上部材２２を下部材２１側に押圧する。また被係止用突起部２３１は押圧部材２３に前記複数の係止用突起部２１１に夫々対応して設けられ、各々横方向に突出してその上面が前記係止面２１２に係止される被係止面２３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で有機ガス供給装置から供給される混合ガス中の有機ガス濃度を検出できる有機ガス濃度検出方法、及び有機ガス供給装置を提供すること。
【解決手段】ガス導入管１２及びガス吐出管１３を備えたバブリングタンク１１内にＩＰＡ等の有機溶剤を収容し、該タンク内の有機溶剤１０４中に不活性ガスを通気して気化させ、ガス吐出管１３から不活性ガスと有機ガスの混合ガスを吐出す有機ガス供給装置において、ガス導入管１２に第１マスフローコントローラ１５を設け、ガス吐出管１３にマスフローメータ１６を設け、第１マスフローコントローラ１５からのガス流量測定値とマスフローメータ１６のガス流量測定値から、混合ガス中の有機ガス濃度を検出する。 （もっと読む）

【課題】平面状の被照射体に対して効率よく均一に、かつ安定してエキシマ光を照射することができるとともに、使用する放電用ガスの交換によって複数種類の波長のエキシマ光の何れかを選択的に照射することができるようにする。
【解決手段】放電容器２を、側面に流入口２１１及び流出口２１２を備えるとともに厚さ方向に直交する２面の一方が開放面にされた筐体形状の本体２１と、開放面に接合される平板状の蓋体２２で構成した。蓋体２２は、加工容易な平板状であるため、広い波長域のエキシマ光に対する透過性の高いフッ化物で構成できる。本体２１の流入口２１１を経由して放電容器２内に放電用ガス供給装置９から処理内容に応じた波長のエキシマ光を発生する放電用ガスを選択的に供給できる。放電容器２内で発生したエキシマ光は、平板状の蓋体２２の全面から均一に照射される。 （もっと読む）