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Fターム[5F157CF42]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 構成要素細部 (6,182) | センサ、検知手段 (471)

Fターム[5F157CF42]に分類される特許

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【課題】平面状の被照射体に対して効率よく均一に、かつ安定してエキシマ光を照射することができるとともに、使用する放電用ガスの交換によって複数種類の波長のエキシマ光の何れかを選択的に照射することができるようにする。
【解決手段】放電容器2を、側面に流入口211及び流出口212を備えるとともに厚さ方向に直交する2面の一方が開放面にされた筐体形状の本体21と、開放面に接合される平板状の蓋体22で構成した。蓋体22は、加工容易な平板状であるため、広い波長域のエキシマ光に対する透過性の高いフッ化物で構成できる。本体21の流入口211を経由して放電容器2内に放電用ガス供給装置9から処理内容に応じた波長のエキシマ光を発生する放電用ガスを選択的に供給できる。放電容器2内で発生したエキシマ光は、平板状の蓋体22の全面から均一に照射される。 (もっと読む)


【課題】処理部から排出される排液を回収して再利用するにあたりより多くの量の排液を回収することができ、このため純水の使用量を低減することができるのでコストを低減することができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体を提供する。
【解決手段】排出部40の下流側には第1の排液ライン42bおよび第2の排液ライン44bが分岐して接続され、第1の排液ライン42bおよび第2の排液ライン44bからそれぞれ処理液供給部30に排液が回収液として互いに独立して送られる。排出部40から第1の排液ライン42bまたは第2の排液ライン44bへの排液の流れの切り替えを行う切り替え部41が設けられている。処理液供給部30は、第1の排液ライン42bから送られた回収液および第2の排液ライン44bから送られた回収液を選択的に処理部10に供給する。 (もっと読む)


【課題】被洗浄物に対するダメージを抑え、所望な洗浄性能を発揮することができる超音波洗浄装置を提供すること。
【解決手段】超音波洗浄装置1は、洗浄液700を用いて被洗浄物800を超音波洗浄処理する洗浄処理部100と、洗浄液700に対して超音波振動を照射する振動子200と、振動子200を圧電効果によって超音波振動させるために、所望の周波数で、且つ所望の振幅の電気信号を振動子200に付与する発振器300と、洗浄液700中に所望の気体410を溶解する気体溶解部400と、洗浄液700に溶解している気体410の濃度を測定する気体濃度測定部500と、データベースに基づいて超音波の出力範囲を算出する制御部600とを有している。制御部600は、気体410の濃度と、超音波の出力範囲との関係に基づいて、発振器300が振動子200へ付与する超音波の出力値を制御し、発振器300が振動子200に付与する電気信号を制御する。 (もっと読む)


物体の統合されたクリーニングのための方法及び装置は、同じプロセスチャンバにおける一連の湿式クリーニング及び真空乾燥を含む。本発明の統合されたクリーニングプロセスは、部材の移動を排除することができ、システム信頼性を高める。クリーニングされた物体を脱気及び汚染除去するために、真空汚染除去を提供することができる。1つの実施の形態において、クリーナシステムは、例えばスループットを高めるために、様々な移動を、ロボットによって行われる統合された移動に組み合わせる。例えば、統合されたロボット移動は、閉鎖された容器をインプットロードポートから取り上げ、蓋及び本体を一緒に移動させ、次いで、本体及び蓋を別々に、クリーニングされるためにクリーナの適当な位置へ配置することを含む。
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【課題】基板の処理を良好に行うことができる基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを格納した記憶媒体を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板(2)を処理液(23)で処理する処理槽(24)と、処理槽(24)に第1の薬液(21)を供給する第1薬液供給機構(25)と、第1の薬液(21)と反応して処理液(23)を生成する第2の薬液(22)を処理槽(24)に供給する第2薬液供給機構(26)と、処理槽(24)に接続した循環流路(45)を用いて処理液(23)を循環させる処理液循環機構(27)と、第1及び第2の薬液の処理槽への供給を制御する制御部とを備え、所定の循環流量で処理液を循環させて基板(2)を処理する基板処理装置(1)を用い、第2の薬液(22)の供給を開始するとともに第2の薬液(22)の供給開始に基づいて循環流量を変化させることにした。 (もっと読む)


【課題】この発明は半導体ウエハの上面と下面とを同時に、しかも確実に洗浄することができる基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】一側面に出し入れ口2が形成された処理槽1と、この処理槽内の上記出し入れ口と対向する位置に設けられ処理槽内に搬入された半導体ウエハ10の搬入方向と交差する径方向の両端部を保持してこの半導体ウエハを回転駆動する保持駆動手段8と、保持駆動手段に保持された半導体ウエハに処理液を供給する洗浄ノズル124,125と、処理槽内の上記保持駆動手段よりも内方に設けられ先端部に上記半導体ウエハの板面を洗浄する洗浄ブラシ71,122を有するアーム63,121およびこのアームを上下方向に駆動するとともに洗浄ブラシが半導体ウエハの径方向に沿って移動するよう上記アームを揺動駆動する駆動手段を有するツールユニット61,62とを具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】被処理物の被処理領域が均一に処理されるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置1002は、被処理領域1908の平面形状と同一の平面形状を有する第1の対向面1020を持つ第1の電極1012を備える第1の電極構造体1004に支持されたワーク1902を線状の第2の対向面1050を持つ第2の電極1046を備える第2の電極構造体1036で走査する。また、プラズマ処理装置1002は、第2の電極構造体1036でワーク1902を走査しながら第1の電極1012と第2の電極1046との間に電圧を印加し、第1の電極構造体1004と第2の電極構造体1036との間隙1038にプラズマを発生させることにより、ワーク1902の上面1904にプラズマを作用させる。 (もっと読む)


【課題】基板の検出時間を短縮することができ、このことにより基板の処理のスループットを向上させることができる基板処理システム、基板検出装置および基板検出方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム1は、処理前の状態のウエハWの検出を行う第1の検出部40と、処理後の状態のウエハWの検出を行う第2の検出部50とを備えている。第1の検出部40は、収納容器80の各収納部分82にそれぞれ処理前の状態のウエハWが収納されているか否かを検出するとともに各収納部分82に収納された処理前の状態の各ウエハWの収納状態を検出するようになっている。第2の検出部50は、収納容器80の各収納部分82にそれぞれ処理後の状態のウエハWが収納されているか否かを一括して検出するようになっている。 (もっと読む)


【課題】基板を処理する処理容器内におけるガスの流れをコントロールすることにより、処理容器内の圧力を適切に制御し、所望の圧力状態にすることが可能な基板処理技術を提供する。
【解決手段】処理容器2内に処理ガスを導入するとともに排気して処理容器2内の載置台4上に置かれた基板Gを処理する基板処理装置1であって、処理容器2内において、載置台4の周囲を複数の領域15に仕切る仕切り部材6と、処理容器2の底面2aにおいて、仕切り部材6によって仕切られた複数の領域15にそれぞれ設けられた、処理ガスを排気する複数の排気口5と、複数の排気口5の各々に接続されて個別に作動可能な排気機構55と、各領域15の圧力を検出するセンサ47と、センサ47が検出した圧力に基づいて排気機構55を個別に制御する制御装置45を有する。 (もっと読む)


【課題】タクトタイムの増大による生産性の低下を生じることなく、被洗浄物の表面にシミのない清浄な乾燥状態を得る。
【解決手段】搬送治具13aに載置された被洗浄物13をIPA蒸気雰囲気4に浸漬して蒸気乾燥を行うIPA蒸気乾燥槽2の後段に余熱乾燥槽6を設け、IPA蒸気乾燥槽2で蒸気乾燥を終え、IPA蒸気雰囲気4の潜熱によって所定の温度まで加熱された状態にある被洗浄物13および搬送治具13aを、余熱乾燥槽6に搬入し、当該被洗浄物13および搬送治具13a自体が持つ余熱によって乾燥を加速させ、IPA蒸気乾燥槽2におけるIPA蒸気雰囲気4への反復浸漬等の煩雑な操作を必要とすることなく、被洗浄物13や搬送治具13aの表面における液滴の残留に起因する被洗浄物13のシミ等の欠陥の発生を確実に防止する。 (もっと読む)


【課題】スラリーのような固形分を含んだ薬液であっても、生産に寄与しない使用を抑え且つ効率よく供給できる薬液供給装置および薬液供給方法を提供する。
【解決手段】本発明の薬液供給装置は、順次に交換して設置される先後のドラム1,2などから希釈・供給ユニット6への薬液受入量と、この希釈・供給ユニット6の薬液を生産設備8へ供給する薬液供給量とを基に、制御ユニット20により、現ドラム1(あるいは2)と生産設備8との間の全薬液中における先の薬液容器からの薬液の残存率を演算するとともに、この演算値が前記先の薬液の残存率について予め決めた閾値以下となるようにドレインバルブ13を通じて薬液ドレイン量を制御する。 (もっと読む)


【課題】薬液が所要の洗浄能力を維持していない状態になった場合に、これを即時に認識して不具合発生を防止することができるとともに、薬液交換のタイミングの最適化を図ることができる洗浄処理装置および洗浄処理方法を提供する。
【解決手段】薬液洗浄槽6内の薬液の劣化度合いを示すパラメータを計測する計測器21〜23を備える。判定部243は、薬液の劣化度合いを示すパラメータの計測結果が予め設定された許容範囲内であるか否かに基づいて薬液交換の要否を判定する。判定の結果が薬液交換要である場合、判定部243は薬液交換を実施する。また、薬液の劣化度合いを示すパラメータの計測結果が予め設定された許容範囲外であり、かつ先の薬液交換の実行時点からの経過時間が予め設定された規定時間未満である場合には、判定部243は、薬液交換をすることなく報知部28に異常発生の報知を指示する。 (もっと読む)


【課題】超純水中に含まれるアミン系の有機物などを短時間で高精度に検出し、超純水の水質を評価できる方法及び装置を提供する。
【解決手段】超純水を第1のカラム4aに通水する。第1のカラム4aからの流出水中の溶存水素濃度測定値が第1の濃度設定値以下まで低下するか、又はこの測定値の上昇速度が第1の濃度変化速度設定値以下まで低下したときには、循環する超純水中のシリコン汚染物質の濃度が十分に低減された可能性があると判断し、通水カラムを第1のカラム4aから第2のカラム4bに切り替える。第2のカラム4bへの通水開始後、該第2のカラム4bからの流出水中の溶存水素濃度測定値が第2の濃度設定値を超えないか、又はこの測定値の上昇速度が第2の濃度変化速度設定値を超えない場合には、循環ライン23を循環する超純水中のシリコン汚染物質の濃度が十分に低減されたと判断し、ユースポイント24への供給ラインのバルブを開ける。 (もっと読む)


【課題】 静電チャックが確実に再生されたことを判断し得る静電チャックの再生方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ12内にプラズマを発生させ、このプラズマにより誘電体たるチャックプレート3の表面をクリーニングする。次に、チャックプレート表面にダミー基板を搬送し、チャック本体の電極4a、4b間に電圧を印加してダミー基板を吸着させる工程と、前記ダミー基板の裏側に画成された空間3bに不活性ガスを供給し、そのときの前記空間からのガス漏洩量を測定する工程とを含む。そして、前記ダミー基板の複数枚を順次搬送して前記各工程を行い、前記ガス漏洩量が所定の閾値以下になると、静電チャックの再生が終了したと判断する。なお、ガス流量は、所定流量まで段階的または連続して増加させるようにする。 (もっと読む)


【課題】薬液の使用量を抑えながら、基板の処理を均一に行う。
【解決手段】基板1を移動しながら、薬液タンク23から薬液ノズル21へ薬液2を供給し、薬液ノズル21から基板1へ薬液2を吐出し、薬液ノズル21から基板1へ吐出した薬液2を回収して薬液タンク23へ戻す。薬液タンク23から薬液ノズル21へ供給する薬液2の濃度を検出し、薬液2の濃度の検出結果に基づき、基板1の移動速度を変更する。そして、薬液ノズル21から基板移動方向側に離して配置された洗浄液ノズル31から基板1へ洗浄液を吐出して、基板1から薬液2を洗い流す。 (もっと読む)


【課題】エッチング処理中におけるエッチングレートの低下を抑制することにより、エッチング処理に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ふっ硝酸処理開始後、処理時間の経過に従って、ベース昇降用モータ20が制御されて、吸着ベース10が上昇される。この吸着ベース10の上昇は、ウエハWの上面とリング上面28との間の間隔が一定範囲内に保たれるように行われる。ふっ硝酸処理の結果ウエハWは薄くなるが、吸着ベース10が上昇されるために、ウエハWの上面に形成されるふっ硝酸の液膜の厚みをほぼ一定に保つことができる。 (もっと読む)


【課題】基板を処理する処理液の膜厚を均一にすることが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【解決手段】半導体ウェーハWを保持して回転駆動される回転テーブル16と、先端部に処理液を半導体ウェーハに向けて噴射する上部ノズル体51及び斜方ノズル体71と、制御装置7と、を有し、上部ノズル体51は、噴射する処理液の温度及び濃度を調整可能な第1温度調整ユニット61及び第1濃度調整ユニット62を具備し、斜方ノズル体71は、噴射する処理液の温度及び濃度を調整可能な第3温度調整ユニット76及び第2濃度調整ユニット77を具備し、制御装置7は、上部ノズル体51及び斜方ノズル体71から噴射する処理液の温度及び濃度の少なくとも一方を調整することで半導体ウェーハW上の処理液の液膜の膜厚を調整する。 (もっと読む)


【課題】溶存ガス濃度が低濃度(低飽和度)であるガス溶解水を安定して供給することが可能なガス溶解水供給装置及びガス溶解水の製造方法を提供する。
【解決手段】ガス供給配管31から気相室13内に酸素ガスを供給すると共に、真空ポンプ35を作動し、気相室13内を真空排気する。また、原水配管21から液相室12内に原水を供給する。気相室13内の酸素の一部は、気体透過膜11を透過して液相室12内の原水に溶存し、ガス溶解水が製造される。気相室13内の酸素の残部は、凝縮水と共に真空ポンプ35で吸引されて排気配管33から排出される。ガス溶解水の溶存酸素濃度が溶存ガス濃度計23で測定され、この測定濃度が目標値となるように、ガス流量制御弁32の開度が調節される。 (もっと読む)


【課題】リンス処理時間の低減、及び、リンス液の使用量を低減させることが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【解決手段】第1の処理液で処理してから第2の処理液で処理する基板処理装置100は、第1、第2の処理液を半導体ウェーハに向けて供給する上部ノズル体51及び斜方ノズル体71と、半導体ウェーハW上面の膜厚を検出可能な膜厚検出手段81,82と、各処理液及び処理の特性等の情報を記憶したデータベース90と、膜厚検出手段により検出された膜厚とデータベース90に記憶された情報とに基いて、半導体ウェーハW上の液膜が第1の処理液から第2の処理液へと置換されたか否かを判定する制御装置7と、を備える構成とする。 (もっと読む)


【課題】有機溶剤を含んだ二酸化炭素を超臨界状態の洗浄剤として、この洗浄剤を洗浄チャンバー内に配された被洗浄物に接触させることにより、前記被洗浄物の洗浄を行う洗浄方法及び洗浄装置において、洗浄時間の短縮化を図ること。
【解決手段】界面活性剤と有機溶剤と超臨界状態の二酸化炭素を混合し、混合流体を被洗浄物に接触させて洗浄する洗浄方法において、前記混合を管内混合手段で行い、該管内混合手段の直後に被洗浄物を配置するとともに、前記混合流体においての重量割合は、二酸化炭素に占める有機溶剤の重量割合を20%以下とし、かつ界面活性剤の重量比率を有機溶剤と略同重量としたことを特徴とする洗浄方法及び洗浄装置を提供する。 (もっと読む)


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