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Fターム[5F157CF42]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 構成要素細部 (6,182) | センサ、検知手段 (471)

Fターム[5F157CF42]に分類される特許

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【課題】洗浄液供給システムで生成する過硫酸濃度を迅速に測定して洗浄側に供給する溶液の過硫酸濃度の制御を可能にする。
【解決手段】硫酸溶液の電解反応により、過硫酸イオンを生成する電解反応装置と、電解反応装置で生成した過硫酸イオンを含む硫酸溶液を洗浄液の一部又は全部として被洗浄材を洗浄する洗浄側に供給可能にし、洗浄側から返流される洗浄液として使用した硫酸溶液を受け、硫酸溶液の一部又は全部を電解反応装置に供給する循環ラインと、硫酸溶液を貯留して電解反応装置との間で硫酸溶液を循環し、10〜90℃に調整された硫酸溶液が返流側の循環ラインから導入されるとともに、貯留槽内の硫酸溶液が送出側の循環ラインに送られて100〜170℃に加熱されて洗浄側に供給される貯留槽と、貯留槽内の硫酸溶液中の過硫酸濃度を測定する過硫酸濃度測定装置を備える。 (もっと読む)


【課題】表面及び裏面にチタン含有膜が形成された基板の裏面からチタン含有膜を除去するときに、基板の裏面に残留するチタン元素を従来より短い時間で除去することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の裏面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を支持する支持部により、表面及び裏面にチタン含有膜が形成されている基板を支持し、支持部に支持されている基板を、支持部とともに回転させ、回転する基板の裏面にアンモニア過水を含む第1の処理液を供給し、供給した第1の処理液により基板の裏面を処理する第1の工程S11を有する。 (もっと読む)


【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理装置および基板処理方法において、高いスループットを得られ、しかも優れた処理性能でパーティクル等を除去する。
【解決手段】凍結後の液膜LF(凝固膜FF)の到達温度を低くすることによってパーティクルの除去効率を高めることができる。しかも、基板表面Wf全体に凝固膜FFが形成される前後で冷却ガスの流量を変更しているので、処理に要する時間を短縮しながら優れた処理性能でパーティクル等を除去することができる。特に、液膜LFを凍結させる段階での冷却ガスの流量については基板表面Wf上の液膜LFを吹き飛ばさない程度に抑えることが必要であるが、凝固膜FFが全面形成された後の段階ではこのような制約がなく、冷却ガスの流量を多くすることが可能であり、これにより冷却能力を高めることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、例えばソーラーウェハなどの盤状基板(3)を分離、偏向及び搬送することに関する。
【解決手段】液体内に基板スタック(5)の形状で、送り方向に相前後して順次配置された複数の盤状基板(3)を分離、偏向及び搬送する装置(1)であって、少なくとも2つの搬送ベルト(11、11’’)を含む垂直方向のベルトコンベア(9)を備え、ベルトコンベア(9)の搬送域(10)がスタック(5)の一方端の前方側(12)に前方側(12)と平行に配置されており、ベルトコンベア(9)は真空装置(16)を有し、スタック(5)のうち最前方の基板(3)が真空装置(16)によって少なくとも第1の搬送ベルト(11)に対して吸引可能であり、垂直方向のベルトコンベア(9)のうち少なくとも2つの搬送ベルト(11、11’’)が隣接する領域で相互に同一平面上に配置されている。 (もっと読む)


【課題】放射光の透過により内部の液体が加熱される液体貯留槽または導管の温度を監視することができる液体加熱ユニット、これを備える液処理装置、および液体処理方法を提供する。
【解決手段】放射光を放射するランプヒータと、前記ランプヒータを内部空間に挿通可能な円筒形状を有し、前記放射光を透過する材料で形成される円筒部材と、前記円筒部材の外周部に沿って配置され、前記放射光によって内部を流れる液体を加熱する液体通流部と、前記液体通流部を外側から覆い、前記放射光を反射する反射板と、前記反射板の外部に取り付けられる第1の温度センサとを備える液体加熱ユニットが開示される。 (もっと読む)


【課題】二酸化炭素を回収、再生、再利用し、かつ、半導体基板上に生じるパーティクルを低減する。
【解決手段】超臨界乾燥方法は、表面が超臨界置換溶媒で濡れた半導体基板をチャンバ内に導入する工程と、チャンバ内に第1の二酸化炭素に基づく第1の超臨界流体を供給する工程と、前記第1の超臨界流体の供給後に、前記チャンバ内に、第2の二酸化炭素に基づく第2の超臨界流体を供給する工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、前記第2の超臨界流体を気化させて、前記チャンバから排出する工程と、を備える。第1の二酸化炭素は、チャンバから排出される二酸化炭素を回収し再生したものである。第2の二酸化炭素は、超臨界置換溶媒を含まないか又は第1の二酸化炭素よりも超臨界置換溶媒の含有濃度が低いものである。 (もっと読む)


【課題】 レジストの水による物性変化(膨潤性等)を利用して、レジスト膜を容易且つ確実に剥離する。これにより、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、すなわちレジストの除去にエネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現させる。
【解決手段】 水蒸気噴射ノズル3をラインスリットノズルが直径方向となるように配置してミスト含有水蒸気をレジスト膜の表面に噴射し、当該レジスト膜を剥離・除去する。 (もっと読む)


【課題】薬液処理時に処理槽内の薬液の温度を均一にして、複数の基板を均一に薬液処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置1は、互いに対向する一対の側壁10a、10bを有し、薬液を貯留して複数の基板を薬液処理する処理槽10と、複数の基板を起立させて保持する保持部21と、保持部21に連結され、処理槽10内に搬入された際に、保持部21に保持された基板と処理槽10の一方の側壁10aとの間に介在される背部22とを有し、保持部21に保持された基板を薬液に浸漬させる基板保持機構20とを備えている。処理槽10に、貯留された薬液を加熱する加熱器80が設けられている。この加熱器80は、一方の側壁10aに設けられた第1加熱器81と、他方の側壁10bに設けられた第2加熱器82と、を有しており、第1加熱器81の出力と第2加熱器82の出力は個別に制御される。 (もっと読む)


【課題】エッチング処理の精度を維持しつつ、フィルタの目詰まりを抑制する半導体製造装置および処理方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置100は、半導体ウエハをエッチング処理するための所定処理液を収容するエッチング処理槽2と、エッチング処理にて前記所定処理液中に生じるパーティクルを捕捉する第1および第2フィルタ5a,5bと、前記パーティクルを溶解する液体として、前記所定処理液と同じ液体の予備液を収容する予備槽7と、処理槽2内の処理液を第1フィルタ5aに通して循環させるとともに予備槽7内の液体を第2フィルタ5bに通して循環させ、その後、処理槽2内の処理液を廃棄した後、該処理槽に予備槽7内の液体を供給し、かつ、該予備槽に新たな予備液を供給して、処理槽2内の液体を第2フィルタ5bに通して循環させるとともに予備槽7内の液体を第1フィルタ5aに通して循環させる制御部90と、を含む。 (もっと読む)


【課題】水分濃度が低い有機溶媒を処理部又は被処理体に供給して処理を行うことにより、被処理体や処理部の腐食を抑えること。
【解決手段】イソプロピルアルコール(IPA)の供給源30からIPAを貯留タンク3に供給し、貯留タンク3内のIPAを、水分除去フィルタ4及び濃度測定部5を備えた循環路32を介して循環供給する。IPAは、循環路32内を循環させることにより、水分除去フィルタ4により徐々に水分が除去される。そして、濃度測定部5により測定された水分濃度が0.01重量%以下であるときには、中間タンク6にIPAを送液する。中間タンク6からは、処理チャンバ11に水分濃度が0.01重量%以下のIPAが供給され、処理チャンバ11では、当該IPAを高温、高圧状態として、ウエハWの処理が行われる。 (もっと読む)


【課題】流路を切替えるための駆動機構の個数を削減することができる流路切替え装置を提供すること。また被処理体を処理する処理流体の専用排出路を切替えるための駆動機構の個数を削減することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハWに対して複数種別の処理流体を互いに異なるタイミングで供給して処理を行う液処理ユニット3から当該液処理ユニット3の雰囲気を排気路35、流路切替え部5を介して、複数の専用排出路(接続用流路)61〜63に排気する。前記流路切替え部5は、外筒51とその内部に設けられた回転筒53を備え、前記回転筒53の3つの開口部53a〜53cは、当該回転筒53を回転する間に、互いに対応する外筒51の3つの接続口51a〜51cと回転筒51の開口部51a〜51cとの組の一つが重なり合って連通しかつ他の組については連通しない状態が各組の間で順番に起こるように配置されている。 (もっと読む)


【課題】基板の表面にパーティクルが形成されることを防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置1は、処理液を貯留して、複数の基板Wを処理する処理槽11と、処理槽11に対して昇降自在に設けられ、基板Wを保持して処理液に浸漬させる基板保持部12とを有する処理部10と、処理部10の上方に設けられ、処理槽11に気体を供給する気体供給部40と、基板の空き状態を検出する検出部70とを備えている。処理槽11を収容する収容ケース30の下部に、気体供給部40から供給された気体を排気する排気部31が設けられている。制御部60は、検出部70により検出された基板Wの空き状態に基づいて、気体供給部40から排気部31に流れる気体の流量調整するように、気体供給部40および排気部31を制御する。 (もっと読む)


【課題】槽内に入れる液体の量を減らしてコストの削減を図り、且つ熱交換効率のよい恒温槽を提供する。
【解決手段】液体が収納されるタンク31を備え、タンク31内の液体を所定温度に維持する恒温槽30において、タンク31の下部には、循環羽根48が収納された収納部36が設けられ、タンク31の底面には、タンク31内部と収納部36を液体が流通可能となるように連通させる連通孔42が形成され、タンク31と一体に形成され、収納部36に流入した液体をタンク31の外側からタンク31上部へ流通させるための流通管38が複数設けられ、流通管38の外壁に温度を一定に維持するためのサーモモジュール52が設けられ、循環羽根48の駆動によって、タンク31内の液体が収納部36に流入し、収納部36から流通管38を通ってタンク31の上部に流入するように液体が循環する。 (もっと読む)


【課題】基板の中心と回転中心とを一致させ基板を処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板に処理流体を供給して基板処理を行う基板処理部と、前記被処理基板の側面に接触させ、前記被処理基板の位置を定める位置決め機構部と、前記位置決め機構部を駆動する位置決め駆動部と、前記位置決め機構部の位置を検出する検出部と、前記被処理基板の基準となる基準基板に対する前記位置決め機構部の位置を基準位置情報として記憶する記憶部と、前記基準位置情報と前記検出部において検出された前記位置決め機構部の位置情報との差を算出し、前記差より前記被処理基板の実測情報を算出する演算部と、を有することを特徴とする基板処理装置を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】円筒状内部等へのプラズマ処理にあたって、簡素にかつ詳細にプラズマ状態を計測する方法とそれに用いる電流計測器を提供する。
【解決手段】基材1の内表面から外表面に通ずるように荷電粒子を取り込むための孔4と、該孔からプラズマ中の荷電粒子が入射するプローブ5と、該孔より取り込んだプラズマ2中の荷電粒子が入射する前記プローブ5に電圧を印加する直流電源6を設け、該プローブ5に電圧を印加したときに該プローブ5に流れる電流を電流計7で計測し、前記プローブ5に印加する電圧と前記プローブに流れる電流との関係から、荷電粒子による電流量および荷電粒子のプローブへの入射角θを計測することを特徴とするプラズマ状態計測方法。 (もっと読む)


【課題】スループットを低下させることなく、ろ過効果を高めることが可能な薬液供給システムを提供する。
【解決手段】開示される薬液供給システムは、薬液を貯留する第1の容器および第2の容器と、第1の容器と第2の容器とを繋ぐ第1の配管に設けられ、第1の容器に貯留される薬液を第2の容器へ流す第1のポンプと、第1の配管に設けられ、第1の容器から第2の容器へ向かって第1の配管内を流れる薬液をろ過する第1のフィルタと、第1の容器と第2の容器とを繋ぐ第2の配管と、第2の配管に設けられ、第2の容器に貯留される薬液を第1の容器へ流す第2のポンプとを備える。 (もっと読む)


【課題】シリコンウエハの金属汚染をより抑制し得る最適な湿式酸化処理を実現するためのオゾン水供給システム、及び当該システムから供給されるオゾン水を用いて湿式酸化処理を行い得るシリコンウエハの湿式酸化処理システムを提供する。
【解決手段】オゾン水供給システムは、オゾン水供給装置1と、オゾン水供給装置1から湿式酸化槽10に供給されるオゾン水のオゾン濃度を測定するオゾン濃度測定装置2,3とを備える。これにより、オゾン濃度測定装置2,3における測定値に基づいて、オゾン水供給装置1から湿式酸化槽10に供給されるオゾン水のオゾン濃度を2ppm以下に精確に調整することができる。 (もっと読む)


【課題】異種金属が露出した基板表面の洗浄において卑金属の溶解を防止する。。
【解決手段】基板保持台26に保持された基板24表面の周縁部の上方にノズル21を配置し、カーボン電極23Aを通じて電圧発生装置29により電圧を印加された薬液213をノズル21から基板24表面の周縁部に供給する。次に、薬液213をノズル21から供給しながら、基板24表面の中央部の上方にノズル21を移動させた後、薬液213をノズル21から基板24表面の中央部に供給する。 (もっと読む)


【課題】洗浄中での洗浄液と洗浄対象物との接触面積を制御する洗浄システム及び洗浄方法を提供することを課題とする。
【解決手段】洗浄システムは、ワーク1に洗浄液Lを供給可能な供給ノズル30と、ワーク1に供給された洗浄液Lに接触して振動させるホーン60と、ホーン60を振動させる発振器50と、ワーク1とホーン60とのクリアランスを変更可能にホーン60を移動させる昇降機80と、発振器50のインピーダンスを検出する検出分離部70と、インピーダンスに基づいて昇降機80を制御することによりクリアランスを制御する制御部10と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】ティーチング作業を軽減することができるとともに、より正確なティーチングを実現することができる基板処理装置のためのティーチング方法を提供すること。
【解決手段】透明シート30がノズル3に取り付けられる。このとき、透明シートの基準線上にノズル3が位置する。スピンベース6の上面には、模様シート50が貼着される。スピンベース6が鉛直軸線まわりに回転される。スピンベース6の上面16に、回転中心BCを中心とする同心円パターン52が表れる。回転中のスピンベース6の上面16の上方を、ノズル3および透明シート30が軌道に沿って移動する。透明シート30の縞パターンが同心円パターン52に重なると、線対称のモアレパターンが表れる。カメラによって撮像された画像に含まれるモアレパターンの対称軸が基準線に一致した時、ステッピングモータの回転量が取得される。 (もっと読む)


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