【課題】煩雑な作業を要することなく洗浄液中の溶存窒素濃度をリアルタイムで精度良くモニタリングすることができ、加えてコストを低減することができる溶存窒素濃度のモニタリング方法を提供する。
【解決手段】超音波照射時の溶存酸素濃度Ｄ_Ｏ２を溶存酸素濃度計４３で測定し、測定された溶存酸素濃度Ｄ_Ｏ２から初期溶存酸素濃度Ｄ_０を差し引いて溶存酸素濃度の増加量ΔＤ_Ｏ２を算出する。次いで、所定のオーバーフロー量或いは超音波の所定出力に適合する近似式を記憶部４６から読み出し、記憶部４６から読み出された近似式を用いて、溶存酸素濃度の増加量ΔＤ_Ｏ２から混合超純水の溶存窒素濃度Ｄ_Ｎ２を算出する。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング装置のリンス用純水の使用量を削減し、処理能力を高める。
【解決手段】半導体基板２を化学薬液処理にてエッチングし水洗するウェットエッチング装置１において、前記半導体基板に化学薬液処理を行う薬液槽４と、前記半導体基板に付着した前記薬液を希釈・除去する粗水洗槽５と、該粗水洗槽処理後に、前記半導体基板に残留・付着した前記薬液を純水に置換させるＱＤＲ（クイックダンプリンス）槽６と、を備えたウェットエッチング装置とする。 （もっと読む）

【課題】汎用の洗浄装置を用いても十分な除去速度を達成することができるフォトレジストの除去方法を提供する。
【解決手段】バッチ処理式洗浄装置１０は、大気に開放され、過飽和オゾン水１４を貯留する浸漬槽１１と、過飽和オゾン水１４を浸漬槽１１の底部から供給する過飽和オゾン水供給配管１２と、過飽和オゾン水供給配管１２内を流れる過飽和オゾン水１４の流量を調節するニードルバルブ１３とを備える。枚葉処理式洗浄装置２０は、過飽和オゾン水１４を吐出してフォトレジストに吹き付けるためのノズル２１と、過飽和オゾン水１４をノズル２１に供給する過飽和オゾン水供給配管２２と、過飽和オゾン水供給配管２２内を流れる過飽和オゾン水１４の流量を調節するニードルバルブ２３と、フォトレジストが表面に形成されたシリコンウェーハ１５をノズル２１に対向させて載置する載置台２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】洗浄液としてのキレート過水液の濃度変化を抑制することが可能であり、その結果、使用するキレート過水液の材料費を低減することが可能な基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１Ａは、循環路と、濃度センサ２１と、制御部２６とを備える。循環路は、キレート過水液１００を用いてガラス基板２００の洗浄を行なう洗浄槽１０と、キレート過水液１００を一時的に貯留する貯留槽１６と、これら洗浄槽１０および貯留槽１６を接続する送り管１８および戻し管１５とを含んでいる。濃度センサ２１は、キレート過水液１００の濃度を検出するためのものであり、送り管１８に設けられている。制御部２６は、濃度センサ２１によって検出された濃度情報に基づいて所定量の純水を貯留槽１６に供給することでキレート過水液１００の濃度管理を行なう。 （もっと読む）

【課題】水蒸気中の不純物を低減することで基板上の微粒子等を確実に除去すること。
【解決手段】純水ＰＷを加熱沸騰させて水蒸気を発生させる石英ガラス製の水蒸気発生容器１１０と、水蒸気発生容器１１０に純水ＰＷを供給する純水供給部４００と、水蒸気発生容器１１０で発生した飽和水蒸気ＳＶを加熱して過熱水蒸気ＨＶを生成する石英ガラス製の過熱水蒸気生成容器１５０と、過熱水蒸気生成容器１５０で発生した過熱水蒸気ＨＶを基板Ｗの表面に噴射させる基板処理装置３００とを備えている。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ表面を処理するプロセスで使用した使用済み薬液において、前記プロセスに必要な薬液中の成分を簡易に調整し、リサイクル処理後の薬液でも未使用薬液と同等のプロセス性能を得ることが可能な薬液リサイクル方法および該方法に用いる装置を提供する。
【解決手段】本発明の薬液リサイクル方法は、シリコンウェーハ４０２表面を処理するプロセスで使用する薬液のリサイクル方法であって、前記プロセスで使用した後の使用済み薬液を限外ろ過フィルター１で限外ろ過して、ろ過後薬液を得る工程と、吸光光度計３により該ろ過後薬液の吸光度または透過率を測定して、前記ろ過後薬液に含まれる成分の濃度を求める工程と、求められた前記濃度の情報に基づき、前記ろ過後薬液の成分濃度を調整して調整後薬液を得る工程と、該調整後薬液を前記プロセスで使用する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハの処理表面の性状に応じたリンス処理に好適なリンス液の調製方法を提供する。
【解決手段】汚染防止物質を超純水に添加して調製されるリンス液における超純水に添加する汚染防止物質の量を、所定の条件におけるシリコンウェハ表面に存在する吸着活性点の量の分析値と、所定の条件におけるシリコンウェハ表面を洗浄した際の金属不純物の吸着量と、条件変更後のシリコンウェハ表面に存在する吸着活性点の量の分析値とからシリコンウェハへの金属不純物の予想吸着量を算出し、この予想吸着量に応じて決定する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の割れ・欠けだけでなく、ヒビの検出も可能であり、且つ、割れ・欠け・ヒビが発生した工程から次工程に入る前に欠陥を検出し、そのことによって欠陥のあるガラス基板を排除可能な欠陥検査機構を備えた搬送装置を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置の製造装置に使用されるガラス基板の搬送装置であって、
前記搬送装置は、駆動力を備えた複数の駆動ローラーと駆動力を備えていない複数の搬送ローラーを備えており、
少なくとも前記搬送ローラーは、荷重測定機構を備えていることを特徴とするガラス基板の搬送装置。 （もっと読む）

【課題】液体流量制御装置の制御可能総流量範囲を広くすること。
【解決手段】第１の流量制御ユニット２１Ａは、小流量の第１の制御可能流量範囲を有する第１の流量制御弁２３Ａを有しており、第２の流量制御ユニット２１Ｂは、大流量の第２の制御流量範囲を有する第２の流量制御弁２３Ｂを有しており、第１および第２の制御流量範囲には重複範囲がある。総流量の要求値の変化に応じて、第１および第２の流量制御ユニットの一方または両方に液体が流れる。第１および第２の流量制御ユニットを流れる液体の合計流量を増大させてゆく過程においては、第１および第２の流量制御ユニットの一方を流れる流量を固定しつつ他方を流れる流量を増大させる。 （もっと読む）

【課題】極微細構造体のダメージや破損を防止して、効率よく乾燥処理が行える乾燥処理装置および乾燥処理方法を提供する。
【解決手段】被乾燥物を配置し乾燥を行う処理槽１と、少なくともこの処理槽１に第１の流体と第２の流体を供給する流体源３１，３２を有し、前記第１の流体は第２の流体と親和性を有しかつ水より表面張力の小さい液体であり第２の流体は超臨界ないし亜臨界状態にすることが可能な流体であり、処理槽１内に第１の流体を導入して被乾燥物２を配置するかあるいは処理槽内に被乾燥物２を配置して第１の流体を導入し、前記第１の流体を排出して処理槽に超臨界ないし亜臨界状態の第２の流体を導入するか液体状態の第２の流体を導入して超臨界ないし亜臨界状態とし、前記第２の流体を液相を介することなく気化して乾燥処理を行う極微細構造体の乾燥処理装置および方法とした。 （もっと読む）

【課題】フッ酸と有機酸との混合液中のフッ酸濃度および有機酸濃度の双方をそれぞれ別々に測定する方法を提供し、フッ酸と有機酸との混合液を用いて複数枚の半導体ウェーハに対し洗浄処理を行った場合におけるウェーハ表面等への微粒子や金属不純物の残留を安定して抑制する。
【解決手段】フッ酸と有機酸とを含有する半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法であって、半導体ウェーハ洗浄液の赤外吸収スペクトルを測定し、赤外吸収スペクトルから半導体ウェーハ洗浄液中に含まれるフッ酸の濃度を求めるフッ酸濃度測定工程と、半導体ウェーハ洗浄液の紫外吸収スペクトルを測定し、紫外吸収スペクトルから半導体ウェーハ洗浄液中に含まれる有機酸の濃度を求める有機酸濃度測定工程とを含むことを特徴とする半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法である。また、その濃度測定方法を用いた半導体ウェーハの洗浄方法である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理にあたって、安価でコンパクトなプラズマ電位やイオン速度等のプラズマ状態の計測方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマと該分析器の間に印加した電圧と質量分析器において同一イオンが検出された条件との関係からイオン速度とプラズマ電位との関係を算出し、さらに該質量分析器をシングルプローブに見立てて、質量分析器とプラズマ間に連続的あるいは断続的に負から正の電圧を印加し、これらの関係からプラズマ電位を算出し、前記イオン速度とプラズマ電位との関係と算出したプラズマ電位との関係からプラズマ中のイオン速度を算出する。 （もっと読む）

【課題】回転中の事故を防ぐスピンナ洗浄装置及びスピンナ洗浄方法を提供すること。
【解決手段】スピンナテーブル１０Ａのウェーハ吸着面１２外側に設けられた吸着確認部１６で、フレームＦとウェーハＷとの間のテープＴを吸着し、検出部１８で吸着確認部１６の圧力の変化を検出する。テープＴが正しく吸着確認部１６に吸着され、吸着確認部１６の圧力が下がりフレームＦの位置に異常がないと判断された場合はスピンナ洗浄が開始される。吸着確認部１６でテープＴが吸着されず圧力が下がらない場合は、フレームＦの位置が異常であるとしてスピンナテーブルの回転が行われない。 （もっと読む）

【課題】 洗浄液に溶解している気体の濃度を制御することで、被洗浄物へ洗浄効果を高めると同時に、気泡による被洗浄物へのダメージを最小限に抑えることができる超音波洗浄装置を提供すること。
【解決手段】 超音波洗浄装置１は、洗浄液７００に対して超音波振動を照射する振動子２００と、超音波振動を照射された洗浄液７００を用いて被洗浄物８００を超音波洗浄処理する洗浄処理部１００と、振動子２００を超音波振動させるために、電気信号を振動子２００に付与する発振器３００と、洗浄液７００に気体４１０を溶解する気体溶解部４００と、洗浄液７００において超音波振動から音圧Ｐを測定する音圧測定部５６０と、洗浄液７００を脱気する脱気部５８０と、音圧測定部５６０によって測定された音圧Ｐを基に、脱気部５８０を制御して洗浄液７００に対する気体４１０の脱気量を制御する制御部６００とを有している。 （もっと読む）

【課題】 基板に付着したパーティクルなどの異物汚染を効率的に除去することができ、半導体装置などの製品歩留りを向上させることができる基板のウェット洗浄方法を提供する。
【解決手段】 例えば洗浄薬液に超音波を与えてウエハを洗浄する場合、洗浄前のウエハ上に付着したパーティクル数の基板内分布と超音波洗浄槽内の音圧分布に基づいて、洗浄効率が最大となるような洗浄液中のウエハ配置方向を求め、求めたウエハ配置方向を洗浄すべきウエハに設定し、その配置方向を洗浄液中で維持しながら洗浄処理を行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理が停止した場合であっても、確実なエンドポイントの検出をする。
【解決手段】発光検出部３１は、プラズマ処理の発光強度を検出する。波形記憶部３３は、検出された発光強度の時間変化である発光波形を記憶する。判定部３５は、発光波形が、ある値に設定された発光閾値以下の場合、且つ、前記時間変化が、ある値に設定された設定時間を越えた場合、エンドポイントであると判定する。出力部３６は、プラズマ処理がエンドポイントに至ったことをエッチング装置１０の高周波電源１２に出力する。モニタ３０は、設定時間に至る前にプラズマ処理が停止し、その後再処理をした場合、波形記憶部３３に記憶されている発光波形とこの再処理の発光波形とを波形結合部３４で結合する。判定部３５は、結合された波形により、エンドポイントを判定する。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、被処理物の処理面における発火を検出することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、被処理物の処理面に有機溶媒を供給し、前記供給された有機溶媒を蒸散させる基板処理装置であって、前記処理面に有機溶媒を供給する有機溶媒供給部と、前記処理面における発火を検出する検出部と、を備えたこと、を特徴とする基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】処理液の濃度を安定して制御できるとともに、基板処理装置の処理効率の低下を防止できる基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】濃度測定手段３７により測定された濃度が、正常濃度範囲内でなければ濃度異常とし、全量液交換を実施する。正常濃度範囲内の場合は、目標濃度範囲内であれば測定された濃度の処理液で基板を処理し、第１濃度範囲であれば処理液を所定の量だけ補充して濃度補正を行う。また、第２濃度範囲内であれば、処理液を所定の量だけ排液した後、所定の量だけ液補充を行う。複数の濃度補正範囲を有することにより、濃度を安定して制御することができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理装置および基板処理方法において、処理不良の基板が発生するのを未然に防止するとともに、無駄な凝固体の形成・解凍除去を抑制して稼動効率を高める。
【解決手段】基板の表面に形成される液膜の膜厚が所定範囲内となっている場合のみ、その基板に対して凍結処理（ステップＳ５）、凍結膜の解凍除去（ステップＳ６）および基板乾燥（ステップＳ７）を実行している。したがって、液膜の膜厚が所定範囲を超えて十分なパーティクル除去率が期待できない場合には、レシピの途中であるが、基板に対する凍結処理（ステップＳ５）、凍結膜の解凍除去（ステップＳ６）および基板乾燥（ステップＳ７）を行うことなく、基板処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】ノズルの動作を簡単に教示することができる基板処理装置およびティーチング方法を提供する。
【解決手段】記録開始指令が制御部４に入力されると、ＣＰＵ２３は、記録開始指令が入力されてからの経過時間をタイマー２５によって計測させる。さらに、ＣＰＵ２３は、ノズルの位置を検出するエンコーダ２２の出力と経過時間とをメモリー２４に記憶させる。そして、記録終了指令が制御部４に入力されると、ＣＰＵ２３は、エンコーダ２２の出力と経過時間の記憶を終了させる。記録開始指令の発生から記録終了指令の発生までのエンコーダ２２の出力は、経過時間と関連付けられて１つの動作データとしてメモリー２４に記憶される。 （もっと読む）