【課題】異なる監視時間の時間帯を複数設定することにより、供給異常を適切に検知することができる。
【解決手段】ＳＰＭ処理液が生成されてから新たなＳＰＭ処理液を生成するまでの間を二つの時間帯（第１の時間帯ＴＺ１、第２の時間帯ＴＺ２）に区切り、積算するための監視間隔がそれぞれ第１の監視間隔ＴＩ１と第２の監視間隔ＴＩ２との個別に設定されている。したがって、ＳＰＭ処理液が生成されてからの経過時間に応じて薬液の補充頻度が異なる場合であっても、供給異常を適切に検知することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理において被処理物品へのイオン照射量を示すイオン電流密度を、イオン電流計測器に頼ることなく、プローブ計測器を利用して、プラズマ密度や電子温度と併せて計測できるイオン電流密度計測方法及び装置を提供する。
【解決手段】静電プローブ法により真空チャンバ内プラズマ密度ｎ及び電子温度Ｔｅを求め、それにより得られた該プラズマ密度ｎ及びプラズマ電位Ｔｅに基づいて、被処理物品へのイオン照射量を示すイオン電流密度Ｊを、Ｊ＝ｎｑ〔√（ｋ・Ｔｅ／Ｍ）〕・ｅｘｐ（−１／２）（該式においてｑはイオン電荷量、ｋはボルツマン定数、Ｍはイオン質量）を用いて算出し、算出されるイオン電流密度が、被処理物品へ目的とする処理を施すためのイオン照射量を示すイオン電流密度へ向かうようにプラズマ密度を調整すべくプラズマ生成装置を制御するプラズマ処理方法及び装置。該方法を実施するためのプログラム及びそれを記録した記録媒体。 （もっと読む）

【課題】被処理基板への影響を低減しつつ良好な洗浄、乾燥処理を実行可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板処理装置２に設けられた洗浄槽２２１では、洗浄液供給部から洗浄液を供給しながら当該洗浄液に被処理基板Ｗを縦向きの状態で浸漬して洗浄が行われ、この洗浄槽２２１の上方領域と連通する乾燥室２１では、洗浄槽２２１から引き上げられた被処理基板Ｗの乾燥が行われる。そして、第１の乾燥ガス供給部及び第２の乾燥ガス供給部からは、洗浄後の被処理基板Ｗの上端が洗浄液の液面より上方に引き上げられた後、少なくとも被処理基板が晒される領域に、前記洗浄槽の上方領域から乾燥室内に至るまでの雰囲気に液体除去用の溶剤蒸気を含む第１の乾燥ガスと、前記溶剤蒸気を含まない第２の乾燥ガスとが交互に供給される。 （もっと読む）

【課題】基板に供給される処理液の温度を精度良く測定することができる基板処理装置および処理液温度測定方法を提供すること。
【解決手段】ノズル５から吐出された処理液は、ウエハＷの上面に供給される。放射温度計６によって、ウエハＷの上面を流れる処理液の温度が検出される。ノズル５から実際に処理液を吐出させ、その処理液の温度を放射温度計６により検出したときの放射検出値が、当該処理液の温度を熱電対温度計により測定したときの熱電対検出値に対応付けて、メモリに記憶されている。この放射検出値と、熱電対検出値とに基づいて、当該処理液に対応する放射検出値−熱電対検出値対応式が作成される。放射温度計６の検出値を、当該処理液に対応する放射検出値−熱電対検出値対応式で補正することにより、当該処理液の温度が算出される。 （もっと読む）

【課題】 処理液に溶解する二酸化炭素の量を、所望の濃度以上に維持し、かつ、二酸化炭素を無駄に消費しないようにした基板洗浄処理装置を提供する。
【解決手段】 比抵抗計８１が、所望の比抵抗値より高い値を検出するとコントローラ８２は開閉制御弁Ｖ５を開け二酸化炭素が供給される。すなわち、ポンプ２４が、吸込み管２５によって処理液タンク３１から吸い込んだ処理液は、処理液送出管２３、分岐管２７、開閉制御弁Ｖ４、戻し管２８、ミキシングユニット５０、撹拌ノズル６１を経て処理液タンクに戻る処理液循環路を循環する動作を行い、循環動作の途中のミキシングユニット５０にて二酸化炭素を混入する。 （もっと読む）

【課題】基板を清浄な状態で露光装置に搬入することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにより裏面洗浄された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２により保持されて冷却ユニットＣＰに搬送される。冷却ユニットＣＰにより温度調整された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１により保持されて露光装置に搬送される。露光装置により露光処理された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１３により保持されて露光装置から基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送される。 （もっと読む）

【課題】電子材料の洗浄における例えばレジストの剥離処理等に要する時間を短縮し、さらにレジスト剥離後のウエット洗浄によりレジスト残渣を短時間に確実に除去し得る低コストで省資源化の可能な洗浄方法を提供する。
【解決手段】キャリアガス制御弁１４を開成し、これとともに加圧ガス制御弁１９を開成して所定の圧力で加圧ガスを供給することにより加圧板１６を押圧して、気体貯槽１５内のキャリアガスＧを所定の圧力として、キャリアガス供給配管７に供給する。これとともに洗浄液Ｗ１を二流体ノズル８へ供給する。このようにして二流体ノズル８で混合された洗浄液Ｗ１とキャリアガスＧとから生成される液滴Ｗ２の噴流を、シリコンウエハ５に接触させて、該シリコンウエハ５の表面を洗浄する。洗浄液Ｗ１としては、硫酸を電気分解して得られる過硫酸を含有する硫酸溶液が好ましい。 （もっと読む）

【課題】供給ノズルに処理液を供給するための供給流路に設けられた差圧式流量計の流量の計測値が真の値からずれたことを容易に検知することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理液を供給する供給流路に設けられた差圧式流量計を介して接続された供給ノズルにより基板に処理液を供給し、供給された処理液により基板を処理する基板処理方法において、基板に処理液を供給していないときに、供給流路内の圧力を差圧式流量計内の圧力計測部により計測する計測工程Ｓ１５と、計測工程Ｓ１５を行って計測した圧力値と、所定の圧力値とを比較することによって、圧力計側部が正常に動作しているかを判定する判定工程Ｓ１６と、判定工程Ｓ１６において圧力計側部が正常に動作していると判定したときに、基板に処理液を供給する供給工程Ｓ１１とを有する。 （もっと読む）

【課題】効率良く且つ確実に超臨界二酸化炭素を用いた超臨界乾燥を行うことが可能な超臨界乾燥方法および超臨界乾燥装置を提供すること。
【解決手段】隣接する複数のパターンを一面に有する基板を洗浄液で洗浄する第１工程と、前記基板上の前記洗浄液を置換液で置換する第２工程と、前記置換液が気化しない条件の不活性ガスにより、前記複数のパターン間に前記置換液が残存するように前記基板上の前記置換液の一部を液体状態で除去する第３工程と、前記基板を超臨界流体中に保持して前記複数のパターン間の前記置換液を超臨界流体で置換する第４工程と、前記基板に付着した超臨界流体を気化する第５工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】容器内部に付着した金属の錯体化の効率を向上させることができる洗浄方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】容器内部にガスを供給し、容器内部に付着した金属を供給したガスと化合させ、金属及びガスが化合した金属化合物を気化させて該容器を洗浄する洗浄方法において、容器内部に酸化ガス又はハロゲン化ガスを供給して、容器内部に付着した金属に酸化処理又はハロゲン化処理を施す第一工程と、容器内部に錯体化ガスを供給して、酸化処理又はハロゲン化処理を施した金属に錯体化処理を施す第二工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の部材に付着したＳｉ及びＣを含む膜を容易に除去でき、且つ部材にダメージを与えるおそれが少ない膜の除去方法、及びその除去方法において使用する膜除去用装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ及びＣを含む膜が形成された半導体基板２０をチャンバ１１内に配置する。また、チャンバ１１内に酸素ガスを導入するとともに、真空排気ポンプ１７によりチャンバ１１内の圧力を例えば１０Torr（約１．３３×１０³Ｐａ）に維持する。そして、真空紫外光ランプ１３により発生した真空紫外光を半導体基板２０に照射する。これにより、ＳｉとＣとの結合が切断され、Ｓｉと酸素とが結合して、Ｓｉ及びＣを含む膜がＳｉＯ膜に変質する。その後、フッ酸等によりＳｉＯ膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】安価で素早く高度な洗浄性能を発揮することができる超音波洗浄装置を提供すること。
【解決手段】超音波洗浄装置１は、洗浄液７００を用いて被洗浄物８００を超音波洗浄処理する洗浄処理部１００と、洗浄液７００に対して超音波振動を照射する振動子２００と、振動子２００を圧電効果によって超音波振動させるために、所望の周波数で、且つ所望の振幅の電気信号を振動子２００に付与する発振器３００と、洗浄液７００に所望の濃度を有する気体４１０を溶解する気体溶解部４００と、振動子２００より発振される超音波振動（圧力変動）から音圧Ｐを測定する音圧測定部５６０と、音圧測定部５６０によって測定された音圧Ｐを基に、気体溶解部４００によって洗浄液７００に溶解する気体４１０の濃度を制御する制御部６００とを有している。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄時に、洗浄対象の特定の部位に洗浄処理流体ノズルを当てることで基板へのダメージや回路パターン倒れを防ぎ、高品位な基板洗浄処理を実現できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板の特定の部位の異物に対し、異物の種類や大きさに応じた洗浄処理を施す。このとき、洗浄処理流体ノズルと基板の回転を同期させることで遠心力を発生させ、基板表面から離脱させられた異物を速やかに排除し、基板表面の洗浄を効率的に行う。 （もっと読む）

【課題】乾燥気体を効率的に使用できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】供給配管３３と排出配管３９との間で連通接続され、かつ排出配管３９に流れたドライエアを供給配管３３側へ戻す循環配管４５を設ける。基板Ｗの乾燥処理前に、第１の露点計及び第２の露点計４１が、所定の条件を満たせば、開閉弁４３を開から閉の状態、開閉弁４７を閉から開の状態にするとともに、ドライエアの循環配管４５への循環を開始し、ファン４９により循環配管４５内に十分なドライエアが送り込まれると、開閉弁を開から閉の状態、開閉弁５１を閉から開の状態にするとともに、ファンを停止させて、ドライエアの循環配管４５への循環を完了する。 （もっと読む）

【課題】希釈された溶液を用いて、貴金属を含む被処理膜等を迅速に且つ効果的にエッチングでき、且つ、設備の稼働率を向上できるようにする。
【解決手段】薬液を調合する薬液調合槽２４と、調合された薬液を貯蔵する薬液貯蔵槽２８と、貯蔵された薬液を用いて半導体基板を処理する処理チャンバ２１とを有する半導体装置の製造装置を用いた半導体装置の製造方法は、薬液調合槽２４において、酸化剤と錯化剤とを混合して第１の薬液を調合し、薬液調合槽２４において、第１の薬液を活性化する。続いて、薬液貯蔵槽２８において、活性化された第１の薬液と純水とを混合し、第１の薬液の濃度及び温度を調整することにより、第１の薬液を希釈した第２の薬液を調整する。続いて、処理チャンバ２１に投入された半導体基板に第２の薬液を供給する。 （もっと読む）

本発明は、切り換え可能な疑中性ビームシステムを用いてリアルタイムで基板を処理して、フォトレジスト層のエッチング耐性を改善する装置及び方法を供してよい。それに加えて、前記の改善されたフォトレジスト層は、エッチング処理において、ゲート及び/又はスペーサの限界寸法(CD)のより正確な制御、ゲート及び/又はスペーサのCD均一性の正確な制御、並びに、ライン端部粗さ(LER)及びライン幅粗さ(LWR)の除去に用いられてよい。
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【課題】従来は塗布の前処理として洗浄を行う製造ラインにおいて洗浄工程から塗布工程の間に設備間の移動が必要であった。そのため洗浄後の清浄部に空気中に浮遊しているゴミをかみこみ、濡れ性不足、接着強度不足、信頼性の低下を招く恐れがあった。
【解決手段】本発明は、被照射部にスポット照射を行い清浄化する洗浄ヘッド２１と、前記洗浄ヘッドと被照射体の相対位置関係において前記洗浄ヘッド２１の進行方向の後ろ側に配された前記塗布ヘッド２２を具備する洗浄塗布装置である。係る発明を用いることで、洗浄工程後、清浄部に汚染物質が再付着する前に塗布工程を行うことができる。また、洗浄工程と塗布工程の間に搬送工程を含まず、一つの装置で洗浄塗布工程が行えるため、工程及び設備の簡易化が可能である。 （もっと読む）

【課題】２種類の薬液の混合液を用いて被処理基板から汚染物質を除去する処理にあたり、前記混合液による汚染物質の除去能の低下を抑制することが可能な基板処理装置などを提供する。
【解決手段】
処理槽２１には、被処理基板Ｗを浸漬し処理するための第１の薬液と、加熱されることにより、当該第１の薬液より蒸気圧が高く、被処理基板に対して不活性な物質を生成する第２の薬液と、の混合液が貯溜され、加熱部４１２は、処理槽２１内の混合液を加熱し、第１、第２の薬液供給部４３０、４２０は、混合液に第１、第２の薬液を補充供給する。制御部５は、混合液を第１の温度に加熱して被処理基板Ｗの処理を実行し、処理を行っていない期間中は、当該混合液の温度を第１の温度より高い第２の温度に加熱すると共に、加熱によって蒸発した混合液を補充するために、第１の薬液を補充供給するための制御信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】材料ガスの濃度をある設定濃度で一定に保っている際において、材料ガスの分圧が非常に低くなり、バルブの可動範囲内では材料ガスの分圧に対応した全圧を達成することができず、材料ガスの濃度を設定濃度で一定に保てなくなるような状況が生じることを防ぐことができる材料ガス濃度制御システムを提供する。
【解決手段】材料気化システム１００に用いられるものであって、前記導出管１２上に設けられる第１バルブ２３と、前記混合ガスにおける前記材料ガスの濃度を測定する濃度測定部ＣＳと、前記濃度測定部ＣＳで測定された前記材料ガスの測定濃度が、予め定められた設定濃度となるように前記第１バルブ２３の開度を制御する濃度制御部ＣＣと、前記タンク内の温度を設定温度となるように温調する温調器４１と、前記温調器の設定温度を設定する温度設定部４２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】検査対象基板上の異物を確実に除去することができる基板検査装置の提供。
【解決手段】基板検査装置１は、マスク１１６、複数の粘着性粒子が離脱可能に設けられた剥離シート２０、および粘着部材２２が装着されるマスクホルダ１１７と、マスクホルダ１１７に対してマニピュレータ（例えばナノピンセット１０）と検出部４１とが設けられた検出ヘッド１１３を相対移動させる移動手段である鉛直方向駆動機構１２３および水平方向駆動機構１２４と、制御装置２００を備えている。制御装置２００は、剥離シート２０に設けられた複数の微小吸着粒子のいずれか一つをマニピュレータで保持して離脱させ、微小吸着粒子を保持したマニピュレータを異物の位置へ移動し、異物を粘着性粒子に付着させてマスク１１６から除去し、異物が付着した微小吸着粒子を粘着部材２２に付着させて移送する。 （もっと読む）