【課題】半導体装置を小型化する。
【解決手段】パワーＭＯＳＦＥＴが形成された半導体チップＣＰＨの上方に、他のパワーＭＯＳＦＥＴが形成された半導体チップＣＰＬを配置し、封止樹脂部ＭＲで封止する。ここで、半導体チップＣＰＨのゲートパッド電極ＰＤＧＨ上に半導体チップＣＰＬが重ならないように配置する。また、半導体チップＣＰＨおよび半導体チップＣＰＬのサイズ、それぞれのソースパッド電極およびゲートパッド電極の形状および配置は同一であり、半導体チップＣＰＨおよび半導体チップＣＰＬの互いの中心をずらして配置する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングツールとトロイダルコイルとの干渉のおそれを低減しつつ、モジュール全体を小型化する手段を提供する。
【解決手段】トロイダルコイル2と導体パターン1b1とを電気的に接続し、中間導体パターン1b6上に縦型ＭＯＳＦＥＴ3aを搭載したパワーモジュールにおいて、ボンディングワイヤ5cの１ｓｔボンド部5c1を外部導出端子11上に配置し、ボンディングワイヤ5cの２ｎｄボンド部5c2を、導体パターン1b1のうち、１ｓｔボンド部5c1よりも右側であって、トロイダルコイル2よりも左側の部分上に配置し、部分切断部を介してボンディングワイヤ5cと繋がっているボンディングワイヤが１ｓｔボンド部5c1から遠ざかる側に引張られて２ｎｄボンド部5c2から完全に切断される時に必要なボンディングツール用の逃げスペース5c3を２ｎｄボンド部5c2とトロイダルコイル2との間に配置した。 （もっと読む）

【課題】フロー半田付け工程において焦電効果により圧電素子から発生する放電から安価かつ簡単な方法で半導体部品を保護する。
【解決手段】電子装置は、例えば、半田噴流を用いて半田付けされるプリント配線基板と、プリント配線基板に設けられた半導体部品と、プリント配線基板に設けられた圧電素子とを備える。さらに、電子装置は基準電位パターンとランドとを備える。基準電位パターンは、半導体部品及び圧電素子の少なくとも一方に基準電位を付与する。ランドは、半導体部品と圧電素子との間に設けられ、かつ、基準電位パターンと接続され、プリント配線基板のソルダーレジスト層から配線部を露出させることで形成される。これにより、半田噴流を用いる半田付け工程において焦電効果によって圧電素子に発生する放電電流を、圧電素子と、ランドと、基準電位パターンと、半田噴流とによって形成される放電経路に通電させる。 （もっと読む）

【課題】フロー半田付け工程において焦電効果により圧電素子から発生する放電から安価かつ簡単な方法で半導体部品を保護する。
【解決手段】電子装置は、例えば、半田噴流を用いて半田付けされるプリント配線基板と、プリント配線基板に設けられた半導体部品と、プリント配線基板に設けられた圧電素子とを備える。とりわけ、電子装置は、半導体部品と圧電素子とを結ぶライン上に挿入され、半田付け工程において圧電素子から発生する放電現象から半導体部品を保護する１つ以上のインダクタを備えている。 （もっと読む）

【課題】発熱による性能劣化を抑制し、かつ小型の半導体モジュールの形態としたＤＣ−ＤＣコンバータを得る。
【解決手段】このＤＣ−ＤＣコンバータ１０においては、金属で構成されたリードフレーム１１〜１６上に絶縁性材料で構成された基板２０が搭載される。リードフレーム１１〜１６上には、基板２０の他に、その周囲に、インダクタ３１、ダイオード３２、シャント抵抗３３、ＭＯＳＦＥＴ３４、３５が搭載される。インダクタ３１、ダイオード３２，ＭＯＳＦＥＴ３４、３５が発生する熱は、リードフレーム１１、１２、１４、１５によって効率的に放熱される。制御用ＩＣ２１、２２は熱伝導率の低い材料で構成された基板２０を介してリードフレーム１４に搭載される。 （もっと読む）

【課題】複数の負荷にそれぞれ対応して複数のスイッチング電源回路を設け、さらに各スイッチング電源回路単位でノイズ対策を講じていたため、回路構成が大きくなり、また機器への組込みに際し、広い設置面積を必要としていた。
【解決手段】複数のスイッチング電源回路１４におけるノイズ対策構成として、共通のフィルタ回路１５と平滑回路１６を設け、このフィルタ回路１５、平滑回路１６と並列に複数のスイッチング電源回路１４を接続することにより、ノイズ対策を容易にし、またその構成の簡素化が可能となり、機器への組込みスペースを小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング電源装置の小型化、軽量化、および製造コストの低減を実現すること。
【解決手段】スイッチング電源装置１は、いわゆる直列共振コンバータであり、トランスＴと、トランスＴの１次巻線Ｔ１と直列接続されたキャパシタＣ１、Ｃ２と、トランスＴの第１の２次巻線Ｔ２と一体に形成されたインダクタＬ１と、トランスＴの第２の２次巻線Ｔ３と一体に形成されたインダクタＬ２と、を備える。インダクタＬ１、Ｌ２のそれぞれは、流れる電流に対して線形インダクタンス特性を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体モジュールの間の温度の偏りを低減した電力変換装置を提供すること。
【解決手段】互いに並列接続された複数の半導体モジュール２を有する電力変換装置。各半導体モジュール２の電極端子に接続される接続導体である中間バスバー３ｃは、その分岐点３１から互いに並列接続される各半導体モジュール２の電極端子２１との接続点までの間の枝分れ導体部３２のインピーダンスが互いに異なるよう構成されている。互いに並列接続された複数の半導体モジュール２のうち放熱時の熱抵抗が大きい半導体モジュール２に接続される枝分れ導体部３２ほど、インピーダンスが高くなるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体モジュールの冷却効率を向上させると共に、複数の半導体モジュールから外部へ放射される電磁ノイズを効果的に遮蔽することができる電力変換装置を提供すること。
【解決手段】複数の半導体モジュール３は、半導体モジュール配列群３０として整列した状態で一対の冷却器４Ａ、４Ｂの間に挟持してある。半導体モジュール配列群３０に対する一方の側部１０１には、昇圧回路に用いるリアクトル６３が配設してある。リアクトル６３は、金属材料からなるリアクトルケース６３１内に収容してある。電力変換装置１は、一対の冷却器４Ａ、４Ｂによって、複数の半導体モジュール３の冷却を行うと共に、複数の半導体モジュール３から挟持方向Ｅへ放射される電磁ノイズを遮蔽し、かつリアクトルケース６３１によって、複数の半導体モジュール３から一方の側部１０１へ放射される電磁ノイズを遮蔽するよう構成してある。 （もっと読む）

【課題】積層された複数の回路基板を有する装置全体の高さを抑制する。
【解決手段】第１貫通孔３３を取り巻くように導体パターンによって一次コイル２２が形成され、かつ一次コイル２２を含む一次回路３が実装された第１回路基板１１と、第２貫通孔４５を取り巻くように導体パターンによって二次コイル２３が形成され、かつ二次コイル２３を含む二次回路４が実装された２枚の第２回路基板１２と、１つのコア部材２１とを備え、各第２回路基板１２が、互いの第２貫通孔４５の位置および二次回路４の位置を積層方向において揃えた状態で積層されると共に、第１回路基板１１が、第１貫通孔３３の位置を第２貫通孔４５の位置に積層方向において揃えた状態で各第２回路基板１２に積層され、コア部材２１は、第１貫通孔３３および各第２貫通孔４５に挿通されて、一次コイル２２および二次コイル２３と共にプレーナトランスを構成する。 （もっと読む）

【課題】安定動作時および過渡動作時のいずれにおいても、高い電力効率を実現するとともに、熱による動作異常を防止する薄型の電源装置を提供する。
【解決手段】電源装置Ａは、入力電圧を所定の電圧に変換するトランス部２０と、トランス部２０を含み電源回路を構成する電子部品１０が表面に実装されたプリント基板１とを備える。プリント基板１は複数層の積層基板からなり、各層に銅箔からなる渦巻状の巻線パターン３（３ａ、３ｂ）が形成され、フェライトからなるＥＩ型のコア２によって磁路が形成される。ここで、１次巻線を構成する巻線パターン３ａはプリント基板１の最外層に配置され、また、２次側巻線を構成する巻線パターン３ｂは１次側巻線を構成する巻線パターン３ａの厚みよりも肉厚に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 複数のコンバータの補助巻き線を削減して補助巻き線からの出力を整流する際の電力消費を低減し、ゼロクロス回路の電力消費を低減する電源装置を提供する。
【解決手段】 入力電源にスイッチング方式による複数のコンバータを接続して複数の電力を供給する電源装置で、１つのコンバータが有するスイッチングトランスの補助巻き線の出力を整流して得た直流電力を、該１つのコンバータのスイッチングを制御するスイッチング制御手段に供給する第１の制御電力供給手段と、前記直流電力を他のコンバータのスイッチングを制御するスイッチング制御手段に供給する第２の制御電力供給手段とがあって、前記他のコンバータを停止する場合、第２の制御電力供給手段及びゼロクロス信号電力供給手段からの電力供給を停止することによって、電源装置の電力消費を低減する。 （もっと読む）

【課題】各半導体モジュールの制御端子に接続した制御回路の誤動作を防止し、電源又は回転電機に対するパワー端子の接続組付性を向上させることができる電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換装置１は、複数の半導体モジュール３を回路基板２に配列して、回転電機を制御する電力変換回路を形成してなる。各半導体モジュール３は、その一方側に、電源又は回転電機に接続されるパワー端子３３を配設すると共に、その他方側に、制御回路に接続される制御端子３４を配設してなる。複数の半導体モジュール３は、回路基板２の一方の表面側における平面方向Ｆの一方側Ｆ１と他方側Ｆ２とに並列に並ぶ状態で配列してある。複数の半導体モジュール３は、回路基板２において、パワー端子３３を回路基板２の平面方向Ｆにおける外側に向けると共に制御端子３４を回路基板２の平面方向Ｆにおける内側に向けた状態で配列してある。 （もっと読む）

【課題】実装領域を確保しつつ、回路基板と筐体との密着性を向上する。
【解決手段】基板保持構造１００では、実装部品９が実装されたコイル基板１１０が放熱板１３０に載置されている。バネ支持具１６０によって実装部品９が押圧されることで、放熱板１３０に対しコイル基板１１０がその厚さ方向に押圧されている。コイル基板１１０の貫通孔４３にトランスコア１４０が挿通されることで、トランスコア１４０のみによってコイル基板１１０のずれが規制されている。よって、コイル基板１１０は、主面方向に沿うずれが許容されつつ放熱板１３０に固定されることになる。さらに、トランスコア１４０が回路構成部品であることから、トランスコア１４０と実装部品９との間に絶縁距離を確保する必要性が少ないため、コイル基板１１０を保持するに際して実装領域が縮小されるのも抑制されることになる。 （もっと読む）

【課題】放熱性を高めることができ且つ実装領域を充分に確保できるコイル基板構造及びスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】コイル基板構造１００は、１次側トランスコイル部４１を有する第１コイル基板１１０と、この第１コイル基板１１０に重ねられ２次側トランスコイル部４２を有する第２コイル基板１２０と、トランスコイル部４１，４２を磁気的に接続するためのトランスコア１３０と、を備えている。ここで、コイル基板１１０，１２０は、トランスコイル部４１，４２が基板厚さ方向に重なるようにして互いにずれて重ねられている。よって、コイル基板１１０，１２０の放熱面面積を増大させることができる。また、トランスコイル部４１，４２においては、基板厚さ方向から見たとき、伝送方向Ａの幅が該伝送方向Ａの交差方向Ｂの幅よりも狭くなっている。よって、コイル基板１１０，１２０の積層領域を伝送方向Ａに縮小することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、電子部品のリードと板金間の電気的絶縁を確実に確保でき、小型、高信頼性のスイッチング電源装置、電源システム、電子装置を提供することにある。
【解決手段】前記課題は、電子部品の質量および製造時の外部応力によりプリント基板にたわみが発生した場合に、前記電子部品のリードにより絶縁シートの傷と貫通穴の発生を防止する全面スペーサを有する実装構造を備えたことを特徴とするスイッチング電源装置を提供することによって達成される。 （もっと読む）

【課題】第１ループ回路と第２ループ回路に形成される磁界変動に起因したノイズを効果的に低減すること。
【解決手段】インダクタンス素子を共有する第１ループ回路と第２ループ回路とを備え、前記第１ループ回路に設けられる第１スイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦ動作に伴い前記第１ループ回路と前記第２ループ回路に交互に電流が流れる電圧変換装置であって、前記第１ループ回路のスイッチング素子のＯＮ動作時に形成される前記第１ループ回路を貫く磁界の向きと、前記第１ループ回路の第１スイッチング素子のＯＮ動作後のＯＦＦ動作時に形成される前記第２ループ回路を貫く磁界の向きが同方向であり、前記第１及び第２ループ回路の重複部分の面積は、重複しない部分の面積以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータの小型化及び電圧変換効率を向上させる。
【解決手段】ハイサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴとローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴとが直列に接続された回路を有する非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、ハイサイドスイッチ用のパワートランジスタとローサイドスイッチ用のパワートランジスタと、これらを駆動するドライバ回路とを夫々異なる半導体チップ５ａ、５ｂ、５ｃで構成し、前記３つの半導体チップ５ａ、５ｂ、５ｃを一つのパッケージ６ａに収納し、かつ、前記ハイサイドスイッチ用のパワートランジスタを含む半導体チップ５ａと前記ドライバ回路を含む半導体チップ５ｃとを近接して配置する。 （もっと読む）

【課題】第１ループ回路と第２ループ回路に形成される磁界変動に起因したノイズを効果的に低減すること。
【解決手段】インダクタンス素子を共有する第１ループ回路と第２ループ回路とを備え、第１ループ回路に設けられる第１スイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦ動作に伴い第１ループ回路と第２ループ回路に交互に電流が流れる電圧変換装置であって、第１ループ回路のスイッチング素子のＯＮ動作時に形成される第１ループ回路を貫く磁界の向きと、第１ループ回路の第１スイッチング素子のＯＮ動作後のＯＦＦ動作時に形成される第２ループ回路を貫く磁界の向きが同方向であり、第１ループ回路と第２ループ回路を構成する素子の全てが基板の同一表面上に配置され、第２ループ回路は、第２直流電源に接続され、第１ループ回路は、第１直流電源に接続される。 （もっと読む）

【目的】降圧型と昇圧型の超小型ＤＣ−ＤＣコンバータやフィルタ機能を併せ持つパワ−ライン用スイッチに用いることができる複合半導体装置を提供する。
【解決手段】この発明によれば、インダクタ１０とｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１およびｎチャネルＭＯＳＦＥＴ５とで構成される複合半導体装置１００において、インダクタ１０を磁性絶縁基板１２に形成し、磁性絶縁基板１２上に設けられた半導体チップ１１にｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１およびｎチャネルＭＯＳＦＥＴ５を形成し、ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１のソース２と入力端子であるＳＷ１端子を接続し、インダクタ１０の一端をドレイン３とｎチャネルＭＯＳＦＥＴ５のドレイン６の接続点９に接続し、他端を出力端子であるＬ端子に接続する。ＳＷ１端子をＤＣ−ＤＣコンバータの入力コンデンサＣｉｎに接続し、Ｌ端子を出力コンデンサＣｏｕｔに接続することで降圧型のＤＣ−ＤＣコンバータを形成でき、ＳＷ１端子とＬ端子を入れ替えることで昇圧型のＤＣ−ＤＣコンバータを形成できる。 （もっと読む）