【課題】本発明の目的は、負荷などに流れる電流やスイッチング素子の電圧を計測するための回路を保護しながら、消費電力を低減できる電圧制限回路を提供することにある。
【解決手段】電圧制限回路１０は、第１抵抗Ｒ１と、第１抵抗Ｒ１に直列接続されたユニポーラ素子Ｓ０と、ユニポーラ素子Ｓ０にカソードが直列接続され、アノードがユニポーラ素子Ｓ０のゲートに接続されたツェナーダイオードＺＤと、ユニポーラ素子Ｓ０に並列に接続された第２抵抗Ｒ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】応答性、温度に対するロバスト性、ならびに、半導体スイッチ素子の最小ＯＮ時間および最小ＯＦＦ時間に対するフレキシブル性に優れた半導体スイッチ素子用ドライバ回路および半導体スイッチ素子の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体スイッチ素子用ドライバ回路１０１は、フリップフロップ素子９を含む論理回路からなり、外部からのＯＮ指令Ｌ１およびＯＦＦ指令Ｌ２に従いＩＧＢＴ１０の動作信号を生成するフリップフロップ回路６と、動作信号が半導体スイッチ素子９に関する最小ＯＮ時間および最小ＯＦＦ時間の要求を満たすようにフリップフロップ素子９のセット／リセットを操作するマイコン１と、を備える。フリップフロップ回路６により、外部からのＯＮ／ＯＦＦ指令に対して高応答で動作させ、マイコン１でフリップフリップ素子９のセット・リセットを制御することで、その出力信号をマスクし、最小ＯＮ／ＯＦＦ時間を満足する。 （もっと読む）

【課題】トランスの小形化を図ること。
【解決手段】トランス（７）は、一次巻線がコンデンサ（５）を介してパルス電圧源（１）に接続され、二次巻線の一端が逆阻止用ダイオード（９）を介して電圧駆動型半導体スイッチング素子（１３）の第１のオン・オフ制御端子に接続されるとともに、二次巻線の他端が電圧駆動型半導体スイッチング素子（１３）の第２のオン・オフ制御端子に接続されている。トランス（７）の二次巻線に一定値以上の負電圧が発生した際に、短絡手段（１５，１７）によって電圧駆動型半導体スイッチング素子（１３）の寄生キャパシタンス（１３ａ）が放電される。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動型半導体素子の特性にばらつきによりターンオフ時に大きなコレクタ電圧差が生じる場合であっても過大な電流を抑制し、直列接続された電圧駆動型半導体素子の電圧分担をほぼ均一にすることである。
【解決手段】ゲート駆動回路１２は、直列接続された複数個の電圧駆動型半導体素子１１各々の電圧駆動型半導体素子のゲートにゲート抵抗１３を介してゲート信号を供給する。電圧均一化回路２２は、各々の電圧駆動型半導体素子のコレクタと各々のゲート駆動回路１２との接続線をリアクトル１６で互いに磁気結合させ、リアクトル１６にコンデンサ１７及び抵抗１８を直列接続して構成され、電圧均一化回路の一方は電圧駆動型半導体素子１１のコレクタに接続され、他方はゲート抵抗１３に接続される。 （もっと読む）

【課題】看過される異常を低減することができるカレントセンサの異常検出システムを提供すること。
【解決手段】異常検出システム１は、消費電力が変動する第１の電力負荷６１及び消費電力が可変の第２の電力負荷６２に電力を伝搬する電力ケーブル３０Ｍと、電力ケーブル３０Ｍに設けられたカレントトランス１１を有するカレントセンサ１０と、所定の期間にカレントセンサ１０で検出された値と相関関係を有する第１の比較対象値及び第２の比較対象値の差が第１の所定の値未満のときに両比較対象値差が第１の所定の値より大きい第２の所定の値変動すべき電流を第２の電力負荷６２に供給してカレントセンサ１０の異常の有無を検出する制御装置５０を備える。制御装置５０は、第１の比較対象値と第２の比較対象値との差という相対的な値で異常の有無を検出することとなり、検出値がゼロ付近にならない異常がカレントセンサに発生しても異常を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動型半導体素子の特性のばらつきによりターンオフ時にコレクタ電圧差が生じる場合であっても、電圧分担をほぼ均一にすることである。
【解決手段】直列接続された３個以上の電圧駆動型半導体素子のコレクタとゲート駆動回路との接続線を互いにコモンモードリアクトルで磁気結合させ、リアクトルの磁気結合巻線にコンデンサ及び抵抗を直列接続して一方が各々の電圧駆動型半導体素子のコレクタに接続され他方が各々のゲート抵抗に接続される電圧均一化回路２２を設け、少なくともいずれか一つの電圧均一化回路２２のリアクトルを自己以外の二つ以上の他の電圧均一化回路２２のリアクトル１６と磁気結合させたときは、自己の電圧均一化回路２２は、磁気結合した各々のリアクトル１６の磁気結合巻線にコンデンサ１７をそれぞれ直列接続して並列接続し、その並列接続された磁気結合巻線に一つにまとめた抵抗１８を直列接続する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、端子のオープンが発生してからそのオープンを検出するまでの異常判定時間と、端子が正常状態に復帰をしてからその復帰を検出するまでの正常復帰時間に違いを設けることができる、端子開放検出装置の提供を目的とする。
【解決手段】端子２０の開放を検出する端子開放検出装置であって、端子２０の外部インピーダンスの増加に応じて電流の供給量が低下する電流源３０Ａから、ベース電流が供給されるトランジスタＱ１と、トランジスタＱ１のベース電荷の放電を制限するダイオードＤ１と、トランジスタＱ１のオンオフに連動する出力信号を出力するトランジスタＱ２とを備えることを特徴とする、端子開放検出装置。 （もっと読む）

【課題】パワースイッチング素子Ｓｗ及びフリーホイールダイオードＦＤに流れる電流と相関を有する微少電流を出力するセンス端子ＳＴから出力される微少電流に基づき、パワースイッチング素子Ｓｗ及びフリーホイールダイオードＦＤの双方に流れる電流を適切に検出することが困難なこと。
【解決手段】センス端子ＳＴ及びエミッタＥ間には、抵抗体５２と、ダイオード５４及び抵抗体５６の直列接続体とが互いに並列接続されている。パワースイッチング素子Ｓｗに電流が流れる場合にはダイオード５４に順方向電流が流れることから、センス端子ＳＴ及びエミッタ間の電気経路の抵抗値は抵抗体５２，５６の並列接続に応じたものとなる。これに対し、フリーホイールダイオードＦＤに電流が流れる場合には、上記電気経路の抵抗値は、抵抗体５２の抵抗値となる。 （もっと読む）

【課題】本発明はハイサイドスイッチング素子へゲート駆動信号を伝送する高圧側駆動回路から誤出力がされることを弊害なく抑制できる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電源電位とＧＮＤ電位の間に直列に接続された、高圧側のスイッチング素子であってゲート、エミッタ、コレクタを有するハイサイドスイッチング素子および低圧側のスイッチング素子であるローサイドスイッチング素子と、該ゲートへゲート駆動信号を伝送する高圧側駆動回路と、該高圧側駆動回路に設けられた該高圧側駆動回路の基準電位を与えるＶｓ端子と、一端が該ハイサイドスイッチング素子のエミッタと接続され他端が該Ｖｓ端子と接続される抵抗と、アノードが該抵抗の一端と接続されカソードが該抵抗の他端と接続されるダイオードとを備える。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング素子の過電圧を低減すると共にスイッチング素子の発熱も抑制できる電力変換装置等を提供する。
【解決手段】 電源及び多相電動機と接続され、当該電源から供給される電力を変換して多相電動機に供給する。この時、多相電動機の各相に接続された複数のスイッチング素子のうち、第１スイッチング素子の相電流が正から負となる転流期間（時刻ｔ３：Ｗ相，時刻ｔ４：Ｕ相）と、複数のスイッチング素子のうち、第２スイッチング素子の相電流が負から正となる転流期間（時刻ｔ３：Ｖ相、時刻ｔ４：Ｗ相）とを少なくとも一部で重複させる。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動型半導体素子の過電圧保護回路として、電圧クランプ素子をコレクタ・ゲート間に接続する回路があるが、クランプ動作時、電圧クランプ素子には素子電圧と同じ電圧が印加され，かつ電流も流れる。そのため発生損失が大きく，高い頻度で動作する場合には許容できる特殊品を適用する必要があり，信頼性も低下する。
【解決手段】電圧駆動型半導体素子のコレクタ端子とゲート端子間に、可飽和リアクトルと、コンデンサと、抵抗の直列回路を接続する。 （もっと読む）

【課題】パワースイッチング素子Ｓｗ及びその入出力端子に逆並列に接続されたフリーホイールダイオードＦＤを備える電力変換回路を駆動対象とするものにあって、パワースイッチング素子Ｓｗが低温において信頼性が低下しやすいこと。
【解決手段】フリーホイールダイオードＦＤに電流が流れる場合、コンパレータ８２から論理「Ｈ」の信号が出力される。この信号は、パワースイッチング素子Ｓｗを強制的にオフ状態とする指令信号となる。ただし、感温ダイオード９０の温度が低い場合、ヒステリシスコンパレータ９４の出力信号が論理「Ｌ」となるため、ＡＮＤ回路９８を介して駆動ＩＣ６０に出力される最終的な信号は、論理「Ｌ」となり、パワースイッチング素子Ｓｗの強制的なオフ操作はなされない。 （もっと読む）

【課題】差動電圧回路内の回路構成を複雑化せず、かつ、回路面積を拡大することなく、負荷に流れる過電流を確実に検出する電流検出回路を提供する。
【解決手段】本発明の一実施の形態に係る電流検出回路は、電流検出対象となる回路の電流検出ノードに接続され、前記回路に流れるマイナス電流をプラス電圧として出力する入力回路と、前記入力回路から出力されるプラス電圧と基準電圧とを比較し、その比較結果を電流検出信号として出力する差動電圧回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のサイズを増大させることなく、逆電圧によるスイッチング素子の破損を防止する。
【解決手段】デュアルゲート型のスイッチング素子（11）では、スイッチング素子（11）の基板上には、ドレイン領域（17）に端子（27,27a,27b）が設けられる。双方向スイッチには、２つのソース領域（13,14）側から上記端子（27,27a,27b）側への電流をそれぞれ許容する２つのダイオード（41,42,43,44）が設けられる。 （もっと読む）

【課題】浮遊インダクタンスを最小限に抑制するとともに、半導体スイッチ素子からスナバモジュールへの熱伝導を抑制したスナバモジュールを提供する。
【解決手段】電力変換回路に用いられる半導体スイッチ素子に、取付ネジによって接続されるスナバモジュールにおいて、前記スナバモジュールの端子２は、スナバ回路を収納するための筐体１から突設した突設部４と、前記突設部４の端部から折曲形成され、前記半導体スイッチ素子の主端子に接続される接続部６と、を備える。また、前記突設部４に形成された取付ネジ頭部を挿通するネジ頭部挿通孔７と、前記接続部６に形成された取付ネジ軸部を挿通するネジ軸部挿通孔３とを連通させる。 （もっと読む）

【課題】スイッチングアームの中点と接地ラインとの浮遊容量が高周波漏れ電流の主要経路にならない場合でも他の浮遊容量によるコモンモード成分を効果的に低減した電力変換装置を提供する。
【解決手段】交流電源に接続され、スイッチング素子を１アームとして２アームを直列に接続したスイッチングアームの少なくとも２列の各中点に上記交流電源のラインを割り当てて接続し、しかも上記中点にインピーダンス素子が接続されないラインを有する電力変換装置において、スイッチングアームを冷却するための冷却部材の電位を、そのスイッチングアームの中点がインピーダンス素子を介さずに接続される電源電位の安定電位となる少なくとも１相の電位とする。 （もっと読む）

【課題】モータケーブル長さや負荷条件に依存することがないスイッチング電源、およびこのスイッチング電源をモータドライバとして用いたモータシステムを提供する。
【解決手段】スイッチング電源４０の入力側／出力側に配置したコモンモードチョークコイル４１、１５に第３の巻き線Ｌ３を設け、この第３の巻き線Ｌ３に抵抗４２とダイオードスイッチ４３を接続して、コモンモード電流が一定値以上になったときのみ抵抗４２に電流を流す。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置において、外部からプローブピンを当てずに済み、また、誤組み付けの検出の余分な構成を設ける必要なく、誤った回路基板が組み付けられたことを検出可能な構成を提供することである。
【解決手段】ＭＧを駆動するＭＧ駆動回路内の複数個所のうち、温度を検出すべき所定個所の温度を検出する温度検出回路の誤組み付けを検出する誤組付検出装置であって、複数の温度送信手段８１のうち、検出温度伝達手段８３が対応して設けられるべき温度送信手段８１のみが温度送信を行うように、複数の温度送信手段８１に対して温度送信指示信号を出力する温度送信指示手段８５と、温度送信指示手段８５によって温度送信指示信号を出力したときに、検出温度伝達手段８３によって温度送信が伝達されなかった場合、その温度検出回路８ａが異常の旨を出力する手段８５と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ローサイドのスイッチ素子を駆動しない時間が長い場合があっても、コンデンサ容量を小さくできるインバータ装置を提供すること。
【解決手段】 ローサイドのスイッチ動作により充電され、ハイサイドのスイッチ駆動回路３１〜３３の駆動電源を供給するブートストラップコンデンサ４１〜４３と、ブートストラップコンデンサ４１〜４３の電圧を検出する電圧検出器OP1〜OP3と、スイッチ駆動回路３１〜３６を制御する制御部２と、制御部２に設けられ、ブートストラップコンデンサ４１〜４３の検出電圧に基づいて、PWM周波数を低い周波数に変更する基準値比較部２１及びPWM周波数制御部２２を備えた。 （もっと読む）

【課題】 ローサイドのスイッチ素子を駆動しない時間が長い場合があっても、コンデンサ容量を小さくできるインバータ装置を提供すること。
【解決手段】 ハイサイドのスイッチ駆動回路３１〜３３の駆動電源を供給するブートストラップコンデンサ４１〜４３と、スイッチ駆動回路３１〜３３を制御する制御部２と、制御部２に設けられ、インバータ装置１の出力信号の周波数を算出する出力周波数算出部２１と、制御部２に設けられ、インバータ装置１の出力信号の周波数に基づいて、PWM周波数を低い周波数に変更するPWM周波数テーブル部２２及び駆動パルス演算部２３を備えた。 （もっと読む）