【課題】共通のＰ型半導体基板上にＮチャンネルＤＭＯＳＦＥＴを含む複数の素子を形成した半導体装置において、ＮチャンネルＤＭＯＳＦＥＴのソース端子が負電圧にバイアスされると、寄生ＮＰＮトランジスタにより誤動作を発生する問題があった。
【解決手段】本発明による半導体装置４０は、Ｐ型半導体基板２１と、Ｐ型半導体基板２１上に形成された複数のｎ型ウェル２２〜２４と、複数のｎ型ウェル２２〜２４のすくなくとも１つのｎ型ウェル２２上に形成されたＮチャンネルＤＭＯＳＦＥＴ３１と、を備え、Ｐ型半導体基板２１の電位がＮチャンネルＤＭＯＳＦＥＴ３１が形成されたｎ型ウェル２２の電位以下になるように負電位−Ｅｇｅにバイアスされるように構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】直流電圧の低下を抑えつつ、各相のブートコンデンサの駆動電圧のバラツキを低減させるように充電することが可能なブートコンデンサの充電方法を提供する。
【解決手段】インバータにおいて、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の各ブートコンデンサを電源回路３０によって充電するブートコンデンサの充電方法であって、以下の３つのステップを備えている。第１ステップでは、トランジスタ４１及びトランジスタ４２が、前置充電期間において、トランジスタ４２をオフ状態に維持して、トランジスタ４１を介して電源回路３０によってブートコンデンサ３２等を充電する。前置充電期間とは、通常のスイッチングを行う通常動作期間よりも前の期間のことをいう。また、第２ステップでは、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の各相のブートコンデンサそれぞれに対して、第１ステップによって行う充電を１〜２０パルスずつ割り当てて行う。そして、第３ステップでは、第２ステップを繰り返す。 （もっと読む）

【課題】リアクトルの出力を短絡するスイッチ素子の導通・遮断タイミングを適正に設定して高調波の発生を抑制することのできる直流電源装置を提供する。
【解決手段】スイッチ素子の導通タイミングから制御周期の初期において前記リアクトルからの出力電流が零である第１のオフ期間を求めると共に、前記スイッチ素子を遮断した後に前記リアクトルから出力される電流が零となるタイミングから前記周期の終期において前記リアクトルからの出力電流が零である第２のオフ期間を求め（第１の手段）、第２のオフ期間に基づいて設定される目標オフ期間に前記第１のオフ期間が近付くように前記スイッチ素子の導通タイミングを修正して前記第１の手段を再起動して、前記第１のオフ期間と前記目標オフ期間とが一致するように前記スイッチ素子の導通タイミングを決定する（第２の手段）。 （もっと読む）

【課題】供給される電源電圧が変動する場合であっても、電力用の半導体スイッチング素子を安定に動作させることが可能な駆動制御回路を提供する。
【解決手段】半導体スイッチング素子（ＩＧＢＴ）２の駆動制御回路１は、分圧回路２０と、駆動部１０と、定電圧回路３０とを備える。分圧回路２０は、直流電源４０から供給された電源電圧ＶＳを分圧し、分圧された電源電圧ＶＳを取出すための分圧ノードＮＤを有する。分圧ノードＮＤは、ＩＧＢＴ２のエミッタＥと接続される。駆動部１０は、外部から入力された制御信号ＳＧに応じて、ゲート電極Ｇを、直流電源４０の正極側の電源ノードＮＰおよび分圧ノードＮＤのいずれかと電気的に接続することによってＩＧＢＴ２をオンまたはオフにする。定電圧回路３０は、正極側の電源ノードＮＰと分圧ノードＮＤとの間に接続され、これらのノードＮＰ，ＮＤ間の電圧を一定に保つ。 （もっと読む）

【課題】組み合わせノイズ試験と同等のノイズ試験を、電力変換装置における最終製品の電力変換器を用いずに行なうことができるとともに、様々なタイプの電力変換器に汎用的に適用できる電力変換装置の試験装置を提供することである。
【解決手段】提案する電力変換装置の試験装置は、最終製品の電力変換器に換えて用いられて、この電力変換器よりも出力容量が小さい試験用電力変換器と、制御回路の基準電位部と、前記試験用電力変換器の接地電位部との間にノイズ電圧を印加する高周波電圧印加装置と、を備える。また、前記試験用電力変換器は、商用交流電源を直流に変換する順変換回路部と、該順変換回路部の後段に設けられた系統インピーダンスを模擬する系統インピーダンス模擬部と、該系統インピーダンス模擬部の後段に設けられた複数の上下スイッチングアームと、を備える。 （もっと読む）

【課題】電力用素子の故障を簡単な構成で検出可能な故障検出装置を提供する。
【解決手段】故障検出装置１Ｄは、カソードがＩＧＢＴＱ１のコレクタに接続される整流素子Ｄ７と、一端が整流素子Ｄ７のアノードに接続され、他端にエミッタに対して正の電圧が印加される抵抗素子Ｒ４と、ＩＧＢＴＱ１の劣化を判定するための劣化判定部２Ｄとを備える。劣化判定部２Ｄは、主電流の大きさが予め定める基準電流に一致するときに検出された、整流素子Ｄ７のアノードとＩＧＢＴＱ１のエミッタとの間の監視電圧が、基準電圧Ｖ５を超えるか否かを判定する。基準電流は、主電流の大きさが第１の領域と第２の領域との境界である大きさに設定される。第１の領域はコレクタ・エミッタ間の電圧が負の温度依存性を有する領域であり、第２の領域はコレクタ・エミッタ間の電圧が正の温度依存性を有する領域である。 （もっと読む）

【課題】
動作時間の短縮と回路の小型化を図った半導体素子の駆動装置を提供することを課題とする。
【解決手段】
ハイサイド駆動回路は、最終段ハイサイド素子の制御端子に駆動制御信号を供給するためにプッシュプル接続される第１ハイサイド素子及び第１ロウサイド素子を有し、ロウサイド駆動回路は、最終段ロウサイド素子の制御端子に駆動制御信号を供給するためにプッシュプル接続される第２ハイサイド素子及び第２ロウサイド素子を有し、第１ハイサイド素子は、入力信号と第１ロウサイド駆動回路の出力に基づいて駆動され、第１ロウサイド素子は、入力信号とロウサイド駆動回路の出力に基づいて駆動され、第２ハイサイド素子は、入力信号とハイサイド駆動回路の出力に基づいて駆動され、第２ロウサイド素子は、入力信号と第２ハイサイド駆動回路の出力に基づいて駆動される。 （もっと読む）

【課題】キャリア周波数の値を離散的に時間変化させる場合、キャリア周波数の高調波のスペクトルに形成される凸凹を低減し、ノイズのピークレベルを十分に低減した電力変換装置を提供する。
【解決手段】 ＰＷＭインバータ２により入力電力を三相交流に変換する電力変換装置において、ＰＷＭインバータ２を制御する制御装置５は、ＰＷＭ制御の搬送波の周波数を、離散的かつ周期的に時間変化させるキャリア周波数変化部１０と、キャリアをＰＷＭ比較部８ａ，８ｂ，８ｃへ出力するキャリア出力部１１とを備える。キャリア周波数変化部１０は、所望の周波数帯域内において、キャリアの各次数の高調波の周波数スペクトルが連続するように、キャリア周波数の可変範囲を決定する。 （もっと読む）

【課題】レベルシフト回路の電圧変動等に起因するコモンモードノイズ発生時でもクランプすることなく、信号を伝達できるレベルシフト回路、スイッチング素子駆動回路及びインバータ装置を提供する。
【解決手段】セットパルス及びリセットパルスを発生するパルス発生回路と、セットパルスを電流に変換する第１スイッチング素子及びリセットパルスを電流に変換する第２スイッチング素子と、浮動電位側にあり、第１スイッチング素子で電流に変換された信号を電圧に変換するセット用負荷及び第２スイッチング素子で電流に変換された信号を電圧に変換するリセット用負荷と、セット用負荷の信号レベルおよびリセット用負荷の信号レベルから、制御パルス信号を再生するパルス再生回路を備えるレベルシフト回路において、セット用負荷及びリセット用負荷として非線形の負荷特性を有する回路を用いる。 （もっと読む）

【課題】還流ダイオードの導通時の損失並びに過渡動作時の損失は抑えつつ、逆回復動作時に生じる電流・電圧の振動現象を抑制することが容易に可能で、かつ、高密度化が容易な電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】ユニポーラ動作と同等の動作をする還流ダイオードと、還流ダイオードに並列接続されたキャパシタ２１０及び抵抗２２０を有する半導体回路２００とを備え、半導体回路２００は、抵抗２２０の少なくとも一部として機能する半導体基体１１と、半導体基体１１をキャパシタ２１０の一方の電極とし、半導体基体１１の一主面上の所定エリアに、所定エリアの面積よりも大きい表面積を有して設けられた誘電体領域１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】各電極の極性反転時に発生する過電圧を抑制することで、アーク放電の誘発を防止することができるスパッタリング装置用の交流電源を提供する。
【解決手段】直流電力供給源１からの正負の直流出力ライン２ａ、２ｂ間に、複数のスイッチングトランジスタＳＷ１乃至ＳＷ４から構成されるブリッジ回路３を設ける。直流電力供給源１からブリッジ回路３への正負の直流出力ライン２ａ、２ｂの少なくとも一方に、直流出力を定電流特性とするインダクタＤＣＬを設け、ブリッジ回路３の入力３ａ、３ｂに対して並列にスナバ回路７を設ける。 （もっと読む）

【課題】還流ダイオードの逆回復動作時に生じる振動現象の収束時間を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 ユニポーラ動作をする還流ダイオード１００と、還流ダイオード１００に並列接続され、キャパシタ部２１０及び半導体層からなる抵抗部２２０を含む半導体スナバ２００とを備える。抵抗部２２０が、キャパシタ部２１０に接続された第１抵抗領域９０、第１抵抗領域９０に並列に配置された周辺抵抗領域９１、第１抵抗領域９０及び周辺抵抗領域９１の間に第１抵抗領域９０の抵抗値以上の抵抗値を有する抵抗分離領域９２を有する。 （もっと読む）

【課題】ＲＣスナバ回路の抵抗Ｒの値を任意に設計可能な半導体スナバ回路を用いた半導体装置、電力変換装置、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ユニポーラ動作をする還流ダイオード１００と、還流ダイオード１００に並列接続され、キャパシタ２１０及び抵抗２２０をモノリシックに集積化した半導体スナバ回路２００とを備える半導体装置において、抵抗２２０が、半導体スナバ回路２００の基材となる半導体基体の一部に形成され、半導体基体の比抵抗よりも高い比抵抗を有する高抵抗層を含む。 （もっと読む）

【課題】磁界変化に伴うノイズの影響を除去し伝送信号の伝送精度を向上させる。
【解決手段】セット用絶縁トランスＴＬ１１の１次巻線Ｍ１１の両端間にＰチャネル電界効果型トランジスタＴｒ１１を接続し、入力信号Ｓ１００の立ち上がりに同期したエッジ信号Ｓ１０２の立ち上がりエッジで１次巻線Ｍ１１に励磁電流を供給し、励磁用のエッジ信号Ｓ１０２の立ち下がりエッジで１次巻線Ｍ１１に蓄積された励磁電流をトランジスタＴｒ１１により強制的に消滅させ、２次巻線Ｍ１２側から、エッジ信号Ｓ１０２の立ち上がりエッジで負の振幅パルス、立ち下がりエッジで正の振幅パルスが生じるセット用電圧信号Ｓ１０４を得る。この負の振幅パルス及び正の振幅パルスのパルス時間間隔が許容時間範囲内でないときには、ノイズによる振幅パルスであると判断し、許容時間範囲内であるときにのみノイズによる振幅パルスではなく正規の振幅パルスであると判断する。 （もっと読む）

【課題】還流ダイオードの導通時の損失並びに過渡動作時の損失は抑えつつ、逆回復動作時に生じる電流・電圧の振動現象を抑制することが容易に可能な電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】ユニポーラ動作をする還流ダイオードと、キャパシタと抵抗との直列接続からなり、還流ダイオードに並列接続された半導体回路とを備え、半導体回路２００は、抵抗２２０の少なくとも一部として機能する半導体基体１１と、半導体基体の上面に接して設けられた容量低下防止領域１００１と、容量低下防止領域１００１上に設けられ、キャパシタ２１０の少なくとも一部として機能するキャパシタ誘電体膜１２とを備え、容量低下防止領域１００１が、還流ダイオードに逆バイアス電圧が印加された際に半導体基体１１中への空乏層の伸張を緩和する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、負荷などに流れる電流やスイッチング素子の電圧を計測するための回路を保護しながら、消費電力を低減できる電圧制限回路を提供することにある。
【解決手段】電圧制限回路１０は、第１抵抗Ｒ１と、第１抵抗Ｒ１に直列接続されたユニポーラ素子Ｓ０と、ユニポーラ素子Ｓ０にカソードが直列接続されたツェナーダイオードＺＤと、ユニポーラ素子Ｓ０に並列に接続された第２抵抗Ｒ２と、ユニポーラ素子Ｓ０のゲートＧにオンまたはオフの信号を入力するゲート制御回路１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の３レベルインバータ回路を１つのユニットに収納する場合の装置の小形化及び低コスト化に有効な３レベルインバータ回路を提供する。
【解決手段】３レベルインバータ回路３０の各素子パッケージは、取付板１５の平面上に第１の結合ダイオード５、第１のＩＧＢＴ１〜第４のＩＧＢＴ４、第２の結合ダイオード６の順に直線上に配置される。第１及び第２の結合ダイオード５及び６が第１〜第４のＩＧＢＴ１〜４の外側に配置されているので、第１及び第２の結合ダイオード５及び６の絶縁バリア１６及び１７との干渉を避ける必要がある積層接続板９の上部導体板１０を１つの接続導体板で構成することができ、スナバ回路を必要とせずターンオフサージ電圧を抑制することができる３レベルインバータ回路を簡素な形状で構成できる。３相分を１ユニットに収容する場合は、３本のＡＣ引出配線を通すように第２のＩＧＢＴ２と第３のＩＧＢＴ３間の間隙を広げる。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ素子に印加される電圧を簡易な構成で精度良く測定することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０１は、第１導通電極と、第２導通電極とを有する半導体スイッチ素子１０と、半導体スイッチ素子１０の第１導通電極および第２導通電極間の電圧を測定するための電圧測定回路３１とを備え、電圧測定回路３１は、半導体スイッチ素子１０と並列に接続され、半導体スイッチ素子１０の導通方向に印加される電圧を所定値に制限する定電圧素子３と、定電圧素子３と並列に接続された制御用スイッチ７と、半導体スイッチ素子１０がオフされているときに制御用スイッチ７をオンし、半導体スイッチ素子１０がオンされているときに制御用スイッチ７をオフするスイッチ制御部１５とを含む。 （もっと読む）

【課題】電力用半導体モジュールの過電流検出器において、外部の磁気的な外乱による影響を少なくした構造、簡単で低コストの検出器を提供する。
【解決手段】トロイド状に巻線されて形成されたトロイダルコイル２が設けられた電流検出器１を有する電力用半導体モジュール１１において、トロイダルコイル２の上部あるいは下部のいずれか一方の部位にトロイダルコイル２の平面投影形状を覆うような大きさを有する導電材５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ゲート端子の入力容量の充放電に伴うスイッチングの遅れを防止して電力用半導体スイッチング素子を高速にスイッチングする。
【解決手段】ＩＧＢＴ１がオフしているときに第１の充放電コンデンサＣ１を充電し、ＩＧＢＴ１がオフからオンにスイッチングするときに、正端子Ｐを介した電源電圧と第１の充放電コンデンサＣ１の充電電圧とを直列に合成した順方向の高電圧によりＩＧＢＴ１のゲート端子１ｇの入力容量Ｃｉを瞬時に初期充電して迅速にオンする。また、ＩＧＢＴ１がオフしているときに第２の充放電コンデンサＣ２を充電し、ＩＧＢＴ１がオンからオフにスイッチングするときに、負端子Ｎを介した電源電圧と第２の充放電コンデンサＣ２の充電電圧とを直列に合成した逆方向の高電圧により入力容量Ｃｉを瞬時に初期放電して迅速にオフする。 （もっと読む）