【課題】使用される外部電源電圧のレベルに応じて効率的に内部電圧を生成することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】容量素子（１８０、１８４、１９１）のチャージポンプ動作により内部電圧（Ｖｐｐ）を生成する回路において、出力トランジスタ（１９２）に結合される内部電荷供給ノード（ＮＤ５３）および内部電荷供給ノードに電荷を容量素子（１９１）を介して供給するドライバ（１８５、１８６）の電源ノードのいずれかに制御信号に応答するチャージポンプ容量素子（１８７）を選択的に結合する。 （もっと読む）

【課題】電子制御システム内の装置が２線又は３線動作を可能にする。
【解決手段】電源（１５０）は、２線及び３線装置の両方において、閉回路に電力を供給することができる。２つの別々のゼロクロス検出器が、２線及び３線の両方の装置内でタイミング情報を収集できるような形で使用される。両方のゼロクロス検出器（１１０）が監視され、電子制御を自動的に構成するために使用される。過電圧回路は、オフ状態にあるＭＯＳＦＥＴを横断して過電圧状態を検知し、望ましくはアバランシェ領域に達することがないようにＭＯＳＦＥＴをオンに切換える。過電流回路は、ＭＯＳＦＥＴを通る電流が予め定められた電流閾値を上回った時点でそれを検知し、その後、そのＭＯＳＦＥＴの安全動作領域（ＳＯＡ）曲線を超えないようにＭＯＳＦＥＴをオフに切換える。 （もっと読む）

【課題】プリエンファシス機能を有する出力バッファ回路の、調整可能なプリエンファシス量を調整して、実使用状態の擬似的な伝送損失を実現して、ＬＳＩ単体または短い配線を接続した状態で、受信回路の性能テストを実施する出力バッファ回路を提供する。
【解決手段】伝送線路に論理信号を送信する出力バッファ回路であって、送信プリエンファシス出力回路３と、送信プリエンファシス量決定回路４を有する。送信プリエンファシス出力回路３は、送信プリエンファシス量決定回路４の出力信号によりプリエンファシス量を制御している。送信プリエンファシス量決定回路４は、擬似損失制御信号により、プリエンファシス量とプリエンファシスタップ数を調整し、送信信号のプリエンファシス量が、低い周波数の信号成分より高い周波数の信号成分ほど信号振幅が小さくなるように制御し、受信波形に信号劣化を与えて擬似的に伝送損失を実現する。 （もっと読む）

【課題】伝送路の減衰量を考慮して送信側の信号の振幅を調整することのできるインタフェース回路および信号出力調整方法を得ること。
【解決手段】インタフェース回路１００の送信側回路部分では、テスト時に一定振幅の繰り返し信号１１１をＣＭＬ回路で構成される出力バッファ回路１１７を経て伝送路１２３に送出する。受信側回路部分１０２では、これによる入力信号１３１の振幅を判定回路１３５が複数の基準電圧Ｖｒｅｆ₁〜Ｖｒｅｆ_nとコンパレータ１３２₁〜１３２_nで比較することにより求める。そして送信側回路部分１０１側の電圧制御回路１１９で、ＣＭＬ回路の定電流値を適切に制御することで振幅の設定を行って低消費電力化を実現する。 （もっと読む）

【課題】時間分解能を高めたタイマにより低消費電力で精度よく時間計測するタイマ装置を提供する。
【解決手段】入力信号を反転して出力する反転手段１０と、反転手段１０からの入力信号を所定時間遅延させて出力する遅延手段１１と、遅延手段１１に接続され所定の制御信号により出力を所定の状態に保持する保持手段１９とを備え、計測開始信号と計測停止信号が入力されたとき、その指示信号を前記保持手段１９の制御端子に所定の形態で入力する保持選択手段２２及びラッチ手段２１を有し、反転手段１０と遅延手段１１と保持手段１９とで１組の信号生成手段を構成すると共に、この信号生成手段を複数段設けリング状に接続してＨｉ／Ｌｏのクロック信号を生成するリングオシレータを構成し、最終段の信号生成手段の出力をカウントして時間計測を行う構成としたものである。 （もっと読む）

【課題】簡易な回路により、消費電流を少なくした上で的確に入力電圧の立ち上がりを検知するためのパワーオン検知回路を提供する。
【解決手段】パワーオン検知回路ＰＤ１は、入力電圧から電流に変換する電圧変換回路ＣＮＶ１、パワーオンの検知信号を維持するラッチ回路ＬＣＨ１を含んで構成される。電圧変換回路ＣＮＶ１の出力電流は、接続ノードＮＤ１１を介して、電流源Ｉ１と容量Ｃ１とに供給される。この電流源Ｉ１は絶対温度に比例する電流を流す。電圧変換回路ＣＮＶ１の出力電流が、電流源Ｉ１の電流よりも大きくなった場合、容量Ｃ１をチャージし、接続ノードＮＤ１１をプルアップする。そして、接続ノードＮＤ１１の電圧に応じてラッチ回路ＬＣＨ１がオンしてパワーオン検知信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】小さなコンデンサ容量で精度良く長時間設定のできるタイマー回路を実現する。
【解決手段】本発明のタイマー回路は、周期的にオン/オフを繰り返すスイッチ制御信号Ｖｏｓｃに基づいて断続的に一定値の電流Ｉｒｅｆ２を生成し出力する定電流源１１と、一端が定電流源１１の出力に接続され、他端がＶｓｓに接続され、定電流源１１からの出力電流Ｉｒｅｆ２の電荷を蓄積するコンデンサＣ２と、コンデンサＣ２の両端の電圧Ｖｃ２を入力回路しきい値と比較するインバータＩＮＶ１を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は差動ドライバ回路に関し，ＬＶＤＳのインターフェースとして使用した時にスリープモードにおいてもコモンモード電圧を維持することを目的とする。
【解決手段】 一方の端子を高電位電源に接続された定電流源に，他方の端子を低電位電源に接続され，２つの電界効果トランジスタを直列に接続して一組とした第１と第２のスイッチング回路からなる差動回路を備え，２つのスイッチング回路の２つのトランジスタの一方を交互に駆動する信号を基に，一対の伝送路に流れる信号電流の方向を切替えて信号伝送をし，定電流源は運用モード時の電流値と，スリープモード時の低い電流値とに切替えられ，低電位電源と他方の端子の間に抵抗を接続するか，短絡するかの切替えが可能な回路を設け，スリープモード時に，切替回路のスイッチをオフにしてスリープモード時のコモンモード電圧を通常時のレベルと同等に維持するよう構成する。 （もっと読む）

【課題】インバータの出力信号の振幅レベルを柔軟に設定することは困難であった。
【解決手段】第１スイッチＭ１は入力信号を受ける。第２スイッチＭ２は、第１スイッチＭ１と並列に、入力信号を受ける。出力電位検知インバータ３０は第１スイッチＭ１と第２スイッチＭ２との接続点から得られる出力信号の電位を検知する。入力スイッチＭ３は、出力電位検知インバータ３０を受けて、第２スイッチＭ２に入力信号を入力するか否かを制御する。出力電位検知インバータ３０は、出力信号の電位が所定の閾値電圧を超えると、入力スイッチＭ３をオフするよう制御する。 （もっと読む）

【課題】周囲明るさを正確に感知し、これを利用して周囲の明るさによって自動に画面の明るさを調節することができる周辺光感知回路及びこれを有する平板表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】トランジスタと、トランジスタのしきい値電圧を補償する第１容量性素子と、第１容量性素子に電気的に接続された第２容量性素子と、周辺光が入射されば、第１容量性素子及び第２容量性素子のカップリング電圧を変化させる受光素子と、第１電源の電圧を出力負荷に供給して充電させる第１スイッチと、トランジスタと出力負荷との間に電気的に連結され、第１容量性素子及び第２容量性素子のカップリング電圧に対応してトランジスタを介して出力負荷の電圧が放電されるようにする第２スイッチからなる。 （もっと読む）

【課題】伝導体上に差動信号を送信するための送信機と、データを伝達するために差動信号のコモンモード電圧を選択的に変調するためのカレントモード回路とを有する集積回路を提供する。
【解決手段】一実施形態において、システムは、伝導体上に第１及び第２の差動信号を送信するための第１の集積回路と第２の集積回路とを有する。第２の集積回路は前記伝導体からの第１及び第２の差動信号を受信するための受信機を含み、これについての典型的な受信信号を供給し、データを伝達するための第１又は第２の差動信号のいずれかのコモンモード電圧を選択的に変調するためのカレントモード回路をさらに有する。ここにおいて、第１の集積回路はコモンモード検知回路を含み、コモンモード電圧における変化を検知する。 （もっと読む）

【課題】従来とは異なる手法によって、絶縁ゲートトランジスタの主電極間電圧に基づいてトランジスタのゲート抵抗の抵抗値を調整する技術を提供する。
【解決手段】絶縁ゲートトランジスタ２０のゲート電極側をアノード電極とする第１ダイオードＤ１と、絶縁ゲートトランジスタ２０のゲート電極側をカソード電極とする第２ダイオードＤ２とが、並列接続されて、絶縁ゲートトランジスタ２０のゲート駆動信号ラインに挿入配置され、第１ダイオードＤ１のアノード電極と、第２ダイオードＤ２のカソード電極との間に、デプレッション型ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１０が挿入配置され、デプレッション型ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１０のゲート電極が、抵抗Ｒ２を介して、絶縁ゲートトランジスタ２０の出力電極に接続されてなる絶縁ゲートトランジスタ２０の駆動回路Ｋ１とする。 （もっと読む）

【課題】光センサ回路のレイアウト面積を増大させることなく、光センサ回路の消費電流を一定に保ち、熱平衡状態を維持することのできる光センサ回路および光センサアレイを提供する。
【解決手段】光センサ回路は受光した光量に応じた値の光電流を生成する光電変換手段，増幅回路，増幅回路の入出力端子間に接続されて前記光電流を積分するコンデンサおよびコンデンサの両端に接続されたリセットトランジスタを有し、リセットトランジスタを待機モードでオンさせる。また、この光センサ回路を複数有する光センサアレイについても適用できる。 （もっと読む）

【課題】出力バッファの出力インピーダンスとスルーレートを同時に自動調整すること。
【解決手段】本発明に係る半導体集積回路は、出力データが出力される出力端子に接続された複数の出力トランジスタ（ＭＰ１〜ＭＰ３，ＭＮ１〜ＭＮ３）と、インピーダンス制御回路（１００）と、スルーレート制御回路（１０，２０）とを備える。インピーダンス制御回路（１００）は、複数の出力トランジスタのうち出力データの出力時にＯＮされる出力トランジスタを指定する指定信号（ＰＡ〜ＰＣ，ＮＡ〜ＮＣ）を生成する。スルーレート制御回路（１０、２０）は、それらＯＮされる出力トランジスタのそれぞれを駆動する駆動信号（Ｐ１〜Ｐ３，Ｎ１〜Ｎ３）を指定信号に基づいて生成し、且つ、それら駆動信号（Ｐ１〜Ｐ３，Ｎ１〜Ｎ３）のそれぞれの遅延時間を指定信号（ＰＡ〜ＰＣ，ＮＡ〜ＮＣ）に応じて可変に設定する。 （もっと読む）

【課題】接地電位と電源ラインとの電位差を規定値に保ち、誤動作を防止することができるバッファ回路及びその制御方法を提供する。
【解決手段】出力スイッチング素子Ｍ１、Ｍ２と、出力スイッチング素子Ｍ１、Ｍ２を導通状態に制御する第１スイッチング回路Ｍ４、Ｍ５及び出力スイッチング素子を非導通状態に制御する第２スイッチング回路Ｍ３、Ｍ６を有し、第１スイッチング回路Ｍ４、Ｍ５と第２スイッチング回路Ｍ３、Ｍ６との接続点が出力スイッチング素子Ｍ１、Ｍ２に接続され、入力信号及び出力制御信号に応じ、出力スイッチング素子Ｍ１、Ｍ２を導通状態あるいは非導通状態に制御する出力スイッチング素子制御部２０Ａ、２０Ｂと、第２スイッチング回路Ｍ３、Ｍ６に直列接続され、出力制御信号が入力信号の通過を禁止する出力禁止状態のときに出力スイッチング素子Ｍ１、Ｍ２の駆動能力を制限する駆動能力変更部３０Ａ、３０Ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】逆起電圧を吸収するに際しても発熱が生じるのを防止するようにした誘導性負荷の駆動装置を提供する。
【解決手段】外部供給電源１２と誘導性負荷１４の間に介挿される第１のスイッチング素子２８、誘導性負荷１４とアース２４の間に介挿される第２のスイッチング素子３０、第１のスイッチング素子２８と誘導性負荷１４との間で分岐してアース２４に接続される電路４０を有すると共に、第１のスイッチング素子２８がオフ、第２のスイッチング素子３０がオンされるとき、誘導性負荷１４の逆起電圧によって生じる逆起電流をアース２４に還流させる還流回路１８、さらに誘導性負荷１４と第２のスイッチング素子３０との間で分岐して外部供給電源１２に接続される電路４４を有すると共に、第１、第２のスイッチング素子２８，３０がオフされるとき、逆起電流を外部供給電源１２に還元する逆起電流還元回路２０を備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ素子の有する非線形性によって引き起こされる信号歪を極めて小さく抑える。
【解決手段】入力端子ＩＮａと、入力端子ＩＮａに一端を接続する直列接続された抵抗素子Ｒ１ａ、Ｒ２ａと、抵抗素子間の接続点に一端を接続する半導体スイッチ素子ＳＷ１ａと、抵抗素子Ｒ１ａ、Ｒ２ａの他端に一端を接続する半導体スイッチ素子ＳＷ２ａ、ＳＷ３ａと、から構成される回路群を複数備える。それぞれの回路群中の半導体スイッチ素子ＳＷ１ａ、ＳＷ１ｂ、・・ＳＷ１ｎの他端を共通に反転入力端子と接続し、それぞれの回路群中の半導体スイッチ素子ＳＷ２ａ、ＳＷ２ｂ、・・ＳＷ２ｎの他端を共通に出力端子と接続する演算増幅器ＯＰと、それぞれの回路群中の半導体スイッチ素子ＳＷ３ａ、ＳＷ３ｂ、・・ＳＷ３ｎの他端を共通に接続する出力端子ＯＵＴと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 従来のドライバ回路では、ＣＭＬ回路の出力振幅や中点電圧等の出力電圧を制御することが困難であった。さらに、従来のドライバ回路では、ＣＭＬ回路における出力電圧のハイレベルが電源電圧からドロップしていた。
【解決手段】 ドライバ回路は、差動入力信号の振幅を変換して差動出力信号を出力する振幅変換部と、前記差動出力信号の振幅を設定する振幅設定部と、前記差動出力信号の振幅の中心値を設定するコモン電圧設定部とを有する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング周波数を低下させたりゲート抵抗の高抵抗化、またはゲート・エミッタ間容量を高容量化したりせずに、ダイオードチップの温度上昇を低減できるようにする。
【解決手段】従来のゲート駆動回路に、フィルタ２３、コンパレータ２４、論理回路２６、スイッチ素子２７および抵抗２８等を付加し、フィルタ２３に絶縁器１５の出力信号であるゲート駆動信号（ＰＷＭ制御信号）を入力し、その出力をコンパレータ２４において設定値２５と比較する。オンデューティが低いとコンパレータ２４，論理回路２６の出力はＬレベルで、ターンオン用ゲート抵抗は１１のみとなって動作が遅くなり、結果としてオンデューティが低いときの逆回復損失が減少する。 （もっと読む）

【課題】低消費電流で高精度の電源検出回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】第１電源電圧で動作するスタートアップ回路、自己バイアス型定電流源、基準電圧生成部及び電圧比較回路を有する。上記自己バイアス型定電流源は、第１トランジスタと第２トランジスタのしきい値電圧の差電圧に対応した定電流を第１抵抗素子で形成して第２トランジスタ及び電流ミラー回路を介して上記第１トランジスタにも流す。上記基準電圧生成部は、上記定電流を用いて基準電圧を形成して上記電圧比較回路に供給する。電圧比較回路は、上記基準電圧と第２電源電圧を比較して電源検出信号を形成する。上記スタートアップ回路は、上記第１電源電圧が上記基準電圧以下の所定電圧に到達するまでの間だけ上記基準電圧が上記第１電源電圧に対応した電圧となるような起動電圧を形成する。 （もっと読む）