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Fターム[5J055DX22]の内容

電子的スイッチ (55,123) | 出力部 (8,827) | 主スイッチを構成する素子 (3,300) | 電界効果トランジスタ、FET (2,442) | MOSFET、MISFET (1,263)

Fターム[5J055DX22]に分類される特許

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【課題】絶縁ゲート電界効果トランジスタ構造を有するトランジスタのスクリーニングを可能として、出力端子にサージ電圧が印加された場合のサージ電圧のエネルギー吸収能力を改善する。
【解決手段】集積回路ICは、トランジスタ2を含む出力バッファ回路100とプリドライバ300とを具備する出力回路10を内蔵する。出力バッファ回路100の出力OUTは、IC外部と接続可能である。プリドライバ300の出力はトランジスタ2の絶縁ゲート電界効果トランジスタ構造の制御ゲートに接続され、ソース領域と基板領域は第1接地線D_GNDに接続され、プリドライバ300は第2接地線L_GNDに接続される。第1と第2の接地線D_GND、L_GNDは第1と第2の接地端子PAD_G1、G2を介してIC外部と接続可能とされる。出力回路10は、第1と第2の接地線D_GND、L_GNDの間に接続された出力保護ダイオード11を更に具備する。 (もっと読む)


【課題】nMOSトランジスタM2のゲート−ソース間に加わる電圧を耐圧電圧未満に制限する際に消費電流の増加を抑制する。
【解決手段】pMOSトランジスタM1がオフし、かつnMOSトランジスタM2がオンしたとき、ツェナーダイオードZD2により、nMOSトランジスタM2のゲート端子とソース端子との間の電圧を一定電圧に制限する。nMOSトランジスタM2のゲート端子とソース端子との間に耐圧電圧よりも高い電圧が加わることを避けることが可能になる。このとき、定電流電源20bが電源からツェナーダイオードZD2を通してグランドに流れる電流を制限する。電源からトランジスタM3、M5b、M6bを通してnMOSトランジスタM2のゲート端子に流れる電流をnMOSトランジスタM6bが制限する。 (もっと読む)


【課題】高い電圧を有する入力信号に対して適切に動作するアナログスイッチを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】入力端子と出力端子との間にPチャネルトランジスタとNチャネルトランジスタとを並列に接続したアナログスイッチと,入力端子に印加される入力電圧に応じて,Pチャネルトランジスタの第1ゲート電圧及び第1バックゲート電圧と,Nチャネルトランジスタの第2ゲート電圧及び第2バックゲート電圧とのそれぞれの電位を可変生成する可変電圧回路と,アナログスイッチを導通または非導通に制御する制御信号を可変電圧回路に供給する制御回路とを有する。可変電圧回路は,導通に制御する制御信号に応答して,可変生成される第1ゲート電圧と第2ゲート電圧とをPチャネルトランジスタとNチャネルトランジスタのゲートにそれぞれ出力する。 (もっと読む)


【課題】トランスの補助巻線を用いることなく、制御回路の電源を確保して安価にできるドライブ回路を提供する。
【解決手段】ノーマリオン型のハイサイドスイッチQ1とノーマリオフ型のローサイドスイッチQ2との直列回路が直流電源に並列に接続され、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとをオンオフドライブするドライブ回路であって、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとを制御信号によりオンオフさせる制御回路10と、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとの接続点に一端が接続された整流手段D2と、整流手段の他端と直流電源の一端とに接続され且つ制御回路に電源を供給するコンデンサC2と、制御回路からの制御信号とコンデンサからの電圧とに基づいてハイサイドスイッチとローサイドスイッチとをオンオフドライブするドライブ部A1,AND1,Q3,Q4とを備える。 (もっと読む)


【課題】過電圧保護回路を提供することを課題とする。
【解決手段】過電圧保護回路であって、電圧源とポータブル電子デバイスの間に提供された入力電圧が該ポータブル電子デバイスの許容定格耐電圧を超えないように設計する過電圧保護(overvoltage protection)を提供する。該回路は入力ユニットを通じて該電圧源から発生した入力電圧を受け、該入力電圧が分圧モジュールを通じて分圧電圧を生成することで、電圧安定モジュールが第1のスイッチングユニットを短絡状態、或いは、開路状態に入ることができる第1の制御信号を生成させ、また間接的に第2のスイッチングユニットを該第1のスイッチングユニットと逆の短絡状態、或いは、開路状態に入るよう制御し、該入力電圧が該定格電圧を上回った時、該第2のスイッチングユニットを通じて該入力電圧を該ポータブル電子デバイスに供給停止することで、温度の影響を受けることなく過電圧保護を実現できる。 (もっと読む)


【課題】グランド端子からグランド電位の供給を受けることなく、スイッチ素子をオン状態に維持することを可能とするスイッチ素子駆動回路を提供する。
【解決手段】本発明によるスイッチ素子駆動回路(100)は、電源と負荷との間に接続されたスイッチ素子を駆動するためのスイッチ素子駆動回路であって、前記電源と前記負荷との間に設けられた電圧降下素子(10)と、前記電圧降下素子の端子間に発生する電圧を動作電源として該電圧を昇圧し、該昇圧により得られた電圧から前記スイッチ素子を制御するための制御信号を生成する信号生成部(20)とを備える。 (もっと読む)


【課題】PVT変動に応じて動作駆動力を変更することが可能な、プリエンファシス動作をサポートするデータ出力回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】インピーダンスコードPCODE<0:2>,NCODE<0:2>の変動に応じて値が調節されるプリエンファシスコードEM_PCODE<0:1>,EM_NCODE<0:1>を生成するコード生成部360と、出力データP_DATA,N_DATAを受信してデータ出力パッドDQに駆動し、インピーダンスコードに応じて駆動力が調節されるメイン駆動部311〜313,321〜323と、出力データを受信してデータ出力パッドに駆動し、プリエンファシスコードに応じて駆動力が調節される補助駆動部314〜315,324〜325とを備える。 (もっと読む)


【課題】受信動作への切換時に発生するノイズを抑制する。
【解決手段】受信回路10は、圧電センサ2の受信信号SP及びSNを増幅するアンプ15と、圧電センサ2の一端とアンプ15の一端との間に並列接続されて受信動作への切換時に位相をずらしてオンされる複数のトランジスタ11a及び11b(ないしは12a及び12b)と、を有する。 (もっと読む)


【課題】電子機器装置において、減電圧状態になった場合及び過電圧状態になった場合に、より確実に回路を保護する。
【解決手段】電子機器装置1は、第1の規定電圧値以下の電圧が電子機器装置1に供給される減電圧状態になった場合に、マイコン8をリセットさせ、第2の規定電圧値以上の電圧が電子機器装置1に供給される過電圧状態になった場合に、ヒューズ10を溶断させる減電圧/過電圧検出回路11を備える。減電圧/過電圧検出回路11は、平滑用のコンデンサ4により平滑化された電圧(1次側電圧出力ラインL1から出力された電圧)を監視し、平滑用のコンデンサ4により平滑化された電圧に基いて、減電圧状態、及び過電圧状態を検出する。そして、減電圧/過電圧検出回路11は、過電圧状態を検出した場合には、マイコン8をリセットさせ、過電圧状態を検出した場合には、ヒューズ10を溶断させる。 (もっと読む)


【課題】レベルシフト基準電位が下がった場合にスイッチング素子を安全且つ確実に停止できるレベルシフト回路。
【解決手段】レベルシフト電源に接続された抵抗R1にドレインが接続されソースがグランドに接続されたMOSFETMN3、R1と同じ抵抗値を有しレベルシフト電源に接続された抵抗R2にドレインが接続されソースがグランドに接続されたMOSFETMN4、入力信号に基づきMN3,MN4のオン/オフを制御するパルス生成回路10、MN3がオンである場合にセット信号を生成しMN4がオンである場合にリセット信号を生成する制御部MN1,MN2,R5,R6、制御部で生成されたセット信号とリセット信号とに基づき入力信号をレベルシフトした出力信号を出力しスイッチング素子Q1を動作させるフリップフロップFF1、レベルシフト基準電位が負電位に下がったことを検出してスイッチング素子を停止させるスイッチング動作停止部INV3,FF2,AD1を備える。 (もっと読む)


【課題】負荷の増加に伴い、駆動用ドライバをICの外付け素子として用いる場合でも、専用ICを新たに作成するまたは駆動用ドライバに対するプリドライバおよび端子を別途設けることなく、ICと出力端子を共用することで設計およびチップ製作にかかるコストを低減する。
【解決手段】入力信号2,3を切替選択信号22によって切り替え、出力信号13〜16を出力する信号切替ブロック12と、出力信号13〜16をそれぞれチャンネルの異なるスイッチング素子に入力する複数のD級アンプと、を備え、信号切替ブロック12は、複数のD級アンプを、負荷を駆動するための駆動用ドライバ、または外付けされた駆動用ドライバ回路に対するプリドライバとするかを前記切替選択信号により切り替える。 (もっと読む)


【課題】電力制御回路、それを含む半導体装置及び該電力制御回路の動作方法を提供する。
【解決手段】本発明の電力制御回路は、電源電圧とロジック回路との間に連結されてロジック回路への電源供給をスイッチングする回路であって、外部から並列的にモード転換信号を受信する複数の第1パワーゲーティングセルと、第1パワーゲーティングセルのうちの何れか1つと連結される少なくとも1つの第2パワーゲーティングセルと、第2パワーゲーティングセルと直列連結される複数の第3パワーゲーティングセルと、直列連結された複数の第3パワーゲーティングセルのうち、先端の第3パワーゲーティングセルと並列連結される複数の第4パワーゲーティングセルとを含み、モード転換信号は、第1パワーゲーティングセルのうちの何れか1つ、第2及び第3パワーゲーティングセルを経て第4パワーゲーティングセルに伝達され、第1ないし第4パワーゲーティングセルのそれぞれは、各自のセルに入力されるモード転換信号に応答して電源供給をスイッチングする。 (もっと読む)


【課題】高周波特性を改善した半導体スイッチ及び無線機器を提供する。
【解決手段】電源回路と、駆動回路と、スイッチ部と、第1の電位制御回路と、を備えた半導体スイッチが供給される。前記電源回路は、負の第1の電位を生成する第1の電位生成回路と、電源電位を降圧した正の第2の電位を生成する第2の電位生成回路と、を有する。前記駆動回路は、前記第1の電位と第3の電位とが供給され、端子切替信号に基づいて前記第1の電位及び前記第3の電位の少なくとも一方を出力する。前記スイッチ部は、前記駆動回路の出力に応じて複数の高周波端子のいずれか1つに共通端子を接続する。前記第1の電位制御回路は、第1のトランジスタを有する分割回路と、第2のトランジスタを有する増幅回路と、を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体スイッチを小さい負担で駆動できるとともに、半導体スイッチに十分なゲート電流を流すことができ、しかも、ゲート配線のインピーダンスによる障害を回避できる半導体モジュール。
【解決手段】ゲートに印加される電圧に応じてオンオフする半導体スイッチQ1と、半導体スイッチのソース電位に対して正極性を有する正極コンデンサ110と、半導体スイッチのソース電位に対して負極性を有する負極コンデンサ111と、正極コンデンサを充電する機能を有し、半導体スイッチをターンオンさせる場合は正極コンデンサからの電流を半導体スイッチのゲートに流すターンオン制御部112と、負極コンデンサを充電する機能を有し、半導体スイッチをターンオフさせる場合は負極コンデンサからの電流を半導体スイッチのゲートに流すターンオフ制御部113を備える。 (もっと読む)


【課題】駆動に適した推奨値からずれた電気的特性を持つ負荷を駆動した場合でも誤検出を極力防止する。
【解決手段】しきい値生成回路11は、抵抗13、14にしきい値生成電流ITH、ITLを流してしきい値電圧VTH、VTLを生成し、コンパレータ12はシャント抵抗7の検出電圧Vaと比較して過電流検出信号Scを得る。しきい値補正回路17は、平均負荷電流、負荷電流の交流変化分、電源電圧VBが大きいほどしきい値電圧VTH、VTLを増やし、負荷4の温度が低いほどしきい値電圧VTH、VTLを増やす。 (もっと読む)


【課題】安定して動作することが可能なパルス信号出力回路及びそれを含むシフトレジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタを複数用いて、パルス信号出力回路を構成する。また、パルス信号出力回路の動作に応じて、酸化物半導体を用いたトランジスタのしきい値電圧を変動させる。また、該パルス信号出力回路を含むシフトレジスタを構成する。これにより、安定して動作することが可能なパルス信号出力回路及びそれを含むシフトレジスタを提供することができる。 (もっと読む)


【課題】電流制御装置をマイクロコントローラと電流制御用ICを用いて構成するとともに、多チャンネル化した際にも小型で低コストな電流制御装置を提供することにある。
【解決手段】電流制御装置は、電流制御用半導体素子1と、電流制御用半導体素子1に、負荷を駆動するためのPWMパルスを出力し、電流制御用半導体素子から、ハイサイド電流検出回路6とローサイド電流検出回路7の出力を入力するマイクロコントローラ12とを有する。電流制御用半導体素子1の出力合成回路8は、PWMパルスに同期して、1つの信号線上にハイサイド電流検出回路6の出力と、ローサイド電流検出回路7の出力を切り替えて、マイクロコントローラ12に出力する。 (もっと読む)


【課題】ペルチェ素子を加熱および冷却を切替えて使用する。
【解決手段】一端が負荷と接続され、他端が負荷を駆動する駆動用電源と接続され、少なくとも、入力端子に入力される第1の制御信号に応じてオン状態およびオフ状態を切り替える第1のスイッチング素子と、一端が負荷および第1のスイッチング素子の一端と接続され、他端が基準電位と接続され、第2の制御信号に応じてオン状態およびオフ状態を切り替える第2のスイッチング素子と、第2のスイッチング素子がオフ状態である場合に、第1のスイッチング素子の入力端子に電圧を供給する電圧供給部と、第1の制御信号および第2の制御信号のそれぞれを、第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子のそれぞれに供給し、第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子とを交互にオン・オフ動作させる制御部とを備える。 (もっと読む)


【課題】負荷電流検出手段により検出された負荷電流を用いてリーク故障を確実に検出する。
【解決手段】駆動回路33a、33bの出力端子Ta2、Tb2から電源線6に至る還流経路内にシャント抵抗9a、9bを接続し、電源線5と給電分岐点Nsとの間に共通のシャント抵抗24を接続する。駆動制御回路32は、MOSFET7a、7bをPWM駆動し、負荷電流検出回路12a、12bから負荷電流Ia、Ibを入力し、総電流検出回路23から総電流Isを入力する。検出負荷電流Ia、Ibに対しそれぞれ対応するPWM駆動信号のオフ駆動期間をマスク処理し、マスク処理した検出負荷電流Iam、Ibmを加算した加算電流Icmと検出総電流Isとを比較する。両者が等しい場合には正常状態と判定し、異なる場合にはショート故障またはリーク故障が生じたと判定する。 (もっと読む)


【課題】所定のスイッチング動作を実行しつつ、破壊耐性を向上することが可能なハイサイドスイッチ回路を提供する。
【解決手段】電源電圧をスイッチングして出力するハイサイドスイッチ回路100は、電源電圧Vccが印加される電源端子1に一端が接続された第1の出力MOSトランジスタM1、第1の出力MOSトランジスタの他端に一端が接続され電圧出力端子2に他端が接続された第2の出力MOSトランジスタM2、第1の出力MOSトランジスタに流れる電流の検出信号を出力する電流検出回路6、第1の出力MOSトランジスタが線形領域で動作するように第1の出力MOSトランジスタのゲートに第1の制御電圧を印加する第1のゲートドライバ4、第2の出力MOSトランジスタが線形領域で動作するように第2の出力MOSトランジスタのゲートに第2の制御電圧を印加する第2のゲートドライバ5を備える。 (もっと読む)


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