【課題】ＰＶＴ変動に応じて動作駆動力を変更することが可能な、プリエンファシス動作をサポートするデータ出力回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】インピーダンスコードＰＣＯＤＥ＜０：２＞，ＮＣＯＤＥ＜０：２＞の変動に応じて値が調節されるプリエンファシスコードＥＭ＿ＰＣＯＤＥ＜０：１＞，ＥＭ＿ＮＣＯＤＥ＜０：１＞を生成するコード生成部３６０と、出力データＰ＿ＤＡＴＡ，Ｎ＿ＤＡＴＡを受信してデータ出力パッドＤＱに駆動し、インピーダンスコードに応じて駆動力が調節されるメイン駆動部３１１〜３１３，３２１〜３２３と、出力データを受信してデータ出力パッドに駆動し、プリエンファシスコードに応じて駆動力が調節される補助駆動部３１４〜３１５，３２４〜３２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】過電圧保護回路を提供することを課題とする。
【解決手段】過電圧保護回路であって、電圧源とポータブル電子デバイスの間に提供された入力電圧が該ポータブル電子デバイスの許容定格耐電圧を超えないように設計する過電圧保護（ｏｖｅｒｖｏｌｔａｇｅ ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ）を提供する。該回路は入力ユニットを通じて該電圧源から発生した入力電圧を受け、該入力電圧が分圧モジュールを通じて分圧電圧を生成することで、電圧安定モジュールが第１のスイッチングユニットを短絡状態、或いは、開路状態に入ることができる第１の制御信号を生成させ、また間接的に第２のスイッチングユニットを該第１のスイッチングユニットと逆の短絡状態、或いは、開路状態に入るよう制御し、該入力電圧が該定格電圧を上回った時、該第２のスイッチングユニットを通じて該入力電圧を該ポータブル電子デバイスに供給停止することで、温度の影響を受けることなく過電圧保護を実現できる。 （もっと読む）

【課題】電力変換回路において、ノーマリオン型トランジスタを利用したスイッチング素子への貫通電流を抑制する。
【解決手段】本発明による電力変換回路は、相互に直列接続されハーフブリッジ回路を構成するハイサイドトランジスタ１１及びローサイドトランジスタ１２と、ハイサイドトランジスタ１１及びローサイドトランジスタ１２のゲートを相補に駆動する２つの駆動回路２１、２２とを具備する。ハイサイドトランジスタ１１はノーマリオフ型トランジスタであり、ローサイドトランジスタ１２は、ノーマリオン型トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】受信動作への切換時に発生するノイズを抑制する。
【解決手段】受信回路１０は、圧電センサ２の受信信号ＳＰ及びＳＮを増幅するアンプ１５と、圧電センサ２の一端とアンプ１５の一端との間に並列接続されて受信動作への切換時に位相をずらしてオンされる複数のトランジスタ１１ａ及び１１ｂ（ないしは１２ａ及び１２ｂ）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電力制御回路、それを含む半導体装置及び該電力制御回路の動作方法を提供する。
【解決手段】本発明の電力制御回路は、電源電圧とロジック回路との間に連結されてロジック回路への電源供給をスイッチングする回路であって、外部から並列的にモード転換信号を受信する複数の第１パワーゲーティングセルと、第１パワーゲーティングセルのうちの何れか１つと連結される少なくとも１つの第２パワーゲーティングセルと、第２パワーゲーティングセルと直列連結される複数の第３パワーゲーティングセルと、直列連結された複数の第３パワーゲーティングセルのうち、先端の第３パワーゲーティングセルと並列連結される複数の第４パワーゲーティングセルとを含み、モード転換信号は、第１パワーゲーティングセルのうちの何れか１つ、第２及び第３パワーゲーティングセルを経て第４パワーゲーティングセルに伝達され、第１ないし第４パワーゲーティングセルのそれぞれは、各自のセルに入力されるモード転換信号に応答して電源供給をスイッチングする。 （もっと読む）

【課題】制御電源電圧が低下した場合においても、半導体デバイスの熱破壊を防止することが可能なパワーモジュールを提供する。
【解決手段】パワーモジュール１００は、半導体デバイス１０のＩＧＢＴ１１を駆動する駆動回路２０と、ＩＧＢＴ１１のコレクタ電流がトリップレベルに達したときにＩＧＢＴ１１の保護動作を行う保護回路３０と、駆動回路２０に供給される制御電源電圧Ｖ_Dを検出する制御電源電圧検出回路４０とを備える。保護回路３０は、制御電源電圧Ｖ_Dが所定値よりも低くなると、センス抵抗を抵抗Ｒ₁から抵抗Ｒ₁，Ｒ₂の直列回路に切り替えることで、トリップレベルを下げる。 （もっと読む）

【課題】所定のスイッチング動作を実行しつつ、破壊耐性を向上することが可能なハイサイドスイッチ回路を提供する。
【解決手段】電源電圧をスイッチングして出力するハイサイドスイッチ回路１００は、電源電圧Ｖｃｃが印加される電源端子１に一端が接続された第１の出力ＭＯＳトランジスタＭ１、第１の出力ＭＯＳトランジスタの他端に一端が接続され電圧出力端子２に他端が接続された第２の出力ＭＯＳトランジスタＭ２、第１の出力ＭＯＳトランジスタに流れる電流の検出信号を出力する電流検出回路６、第１の出力ＭＯＳトランジスタが線形領域で動作するように第１の出力ＭＯＳトランジスタのゲートに第１の制御電圧を印加する第１のゲートドライバ４、第２の出力ＭＯＳトランジスタが線形領域で動作するように第２の出力ＭＯＳトランジスタのゲートに第２の制御電圧を印加する第２のゲートドライバ５を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、出力駆動回路及びトランジスタ出力回路を提供する。
【解決手段】第１のスイッチ１１３のオン動作によって駆動され、出力トランジスタのゲートに高電圧電源を供給する第１のトランジスタ１１１を含む第１の駆動回路部１１０と、第１のスイッチ１１３と相補的に動作する第２のスイッチ１３３のオン動作によって生成されたワンショットパルスによって駆動され、出力トランジスタのゲート−ソースのキャパシタンスを放電させる第２のトランジスタ１３１を含む第２の駆動回路部１３０と、第１の駆動回路部１１０と並列されるように高電圧電源端と出力トランジスタのゲートとの間に配置され、第２のスイッチ１３３のオン動作によって放電した出力トランジスタのゲート電位を保持させる出力駆動電圧クランピング部１５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型電界効果トランジスタとＮ型電界効果トランジスタとが同時にオン状態になる期間内で発生する短絡電流に起因する消費電力の増大を抑制するともに、パワー素子を高速スイッチングさせることが可能なゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】このゲート駆動回路１１は、ＰｃｈＦＥＴ１２と、ＮｃｈＦＥＴ１３と、駆動信号が入力される入力側とＰｃｈＦＥＴ１２のゲート（Ｇ）およびＮｃｈＦＥＴ１３との間に設けられ、電源電位ＶＣＣに接続されているツェナーダイオード１４およびツェナーダイオード１５とを備え、ツェナーダイオード１４および１５は、ＰｃｈＦＥＴ１２およびＮｃｈＦＥＴ１３のゲート（Ｇ）に印加される電圧を、ＰｃｈＦＥＴ１２およびＮｃｈＦＥＴ１３のゲート（Ｇ）の閾値電圧側にシフトさせるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】動作を不安定にすることなく、各トランジスタの特性劣化を抑制することが可能
な半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】非選択期間において、トランジスタが一定時間毎にオンすることで、シフト
レジスタ回路の出力端子に電源電位を供給する。そしてシフトレジスタ回路の出力端子は
、該トランジスタを介して電源電位が供給される。該トランジスタは非選択期間において
常時オンしていないので、該トランジスタのしきい値電位のシフトは、抑制される。また
、シフトレジスタ回路の出力端子は、該トランジスタを介して一定期間毎に電源電位が供
給される。そのため、シフトレジスタ回路は、ノイズが出力端子に発生することを抑制で
きる。 （もっと読む）

【課題】２線式交流スイッチの低消費電力化を実現する。
【解決手段】
交流電源と負荷とを結ぶ電路に挿入される２線式交流スイッチであって、スイッチ端子Ｓ１、Ｓ２と、スイッチ端子間のオンオフを制御するためのゲート端子Ｇ１、Ｇ２と、基板端子Ｓｕｂとを有し、スイッチ端子間に双方向に電流を流すことができ、スイッチ端子Ｓ１が交流電源１に接続され、スイッチ端子Ｓ２が負荷２に接続される半導体スイッチからなるメインスイッチ３と、メインスイッチの基板端子Ｓｕｂを接地するかフローティングにするかを切り替えるサブスイッチ９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 安定性と即応性を備えたＰＬＬを提供すること。
【解決手段】 本発明の実施形態によるＰＬＬは、位相検出器と、前記位相検出器の検出結果に基づいて電流を発生するチャージポンプと、前記チャージポンプに接続され、第１の抵抗変化素子を有するループフィルタと、前記ループフィルタから入力される信号に応じて出力周波数を制御するＶＣＯと、前記ＶＣＯの出力信号を分周して、前記位相検出器に入力するフィードバック信号を生成する周波数分周器と、前記ループフィルタを制御するシーケンサとを有するＰＬＬであって、前記シーケンサは、前記ＰＬＬの電源がＯＦＦされることを示す信号が入力された時または前記ＰＬＬの電源がＯＮされることを示す信号が入力された時に前記第１の抵抗変化素子の抵抗値が第１の抵抗値となるよう制御し、前記ＰＬＬが安定化後には、前記第１の抵抗値よりも高い第２の抵抗値となるよう制御する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の個数を減らし、スイッチング素子を送受信時共有して、ＲＦアンテナスイッチのサイズを減らすと共に、小型化及びワンチップ化にさらに応じるＲＦアンテナスイッチ回路、高周波アンテナ部品及び移動通信機器を提供する。
【解決手段】アンテナ１と、少なくとも一つの送信段２及び少なくとも一つの受信段３を備える複数の入出力段と、少なくとも一つの送信段２とアンテナ１側の共通ノード４、５との間の送信経路上に配置され、制御信号によって信号を伝達する少なくとも一つの送信スイッチブロック１０と、受信段３と共通ノード４、５との間の受信経路上に配置され、制御信号によって伝達する少なくとも一つの受信スイッチブロック３０、３０ａ、３０ｂと、スイッチング素子を共有して各々の送信及び受信動作と同期してオン動作する共用送受信スイッチブロック５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】高いＥＳＤ保護耐圧を確保しつつ、ＥＳＤ保護素子の静電容量を極力小さくし、しかも、集積化の際における占有サイズを小さくする。
【解決手段】ＥＳＤ保護回路１０３は、共通端子４１とグランドとの間に設けられており、共通端子４１側から順に、ＥＳＤ保護スイッチ素子としての複数の直列接続された電界効果トランジスタ３１−１〜３１−４と、逆接続された一組のＥＳＤ保護素子としてのダイオード３２−１，３２−２が直列接続されると共に、電界効果トランジスタ３１−１〜３１−４は、ゲートが相互に接続されてグランドに接続されており、ＥＳＤ保護素子のダイオード３２−１，３２−２による静電容量を低減し、高いＥＳＤ保護耐圧の確保が可能となっている。 （もっと読む）

【課題】従来の電流駆動型半導体スイッチ８の駆動回路は、駆動回路における電力損失を抑制するためにスイッチやスイッチを制御するための手段が必要となり部品点数が増える。
【解決手段】電源１と電流駆動型半導体スイッチ８のベース又はゲート端子の間に接続される負の温度特性を有する第１の可変抵抗１０と、前記電流駆動型半導体スイッチ８のコレクタ又はドレイン電流による動作損失により過熱される熱伝導部１１を備え、前記第１の可変抵抗１０を前記熱伝導部１１により熱が供給されるように配置する。
本発明により、簡単な構成で部品点数を増やすことなく駆動回路における電力損失を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ノイズを低減することができるインターフェース回路を提供することを課題とする。
【解決手段】インターフェース回路は、電源電圧端子が第１の電源電圧ノードに接続され、入力信号を増幅する第１のバッファ（１１１）と、第２の電源電圧ノード及び前記第１のバッファの電源電圧端子間に接続されるスイッチ（１２４）と、前記第１のバッファの入力信号がローレベルからハイレベルに立ち上がると、遅延時間経過後に前記スイッチをオフからオンに切り換える第１の制御回路（１２７）とを有する。 （もっと読む）

【課題】体格及びコストの増大が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】直流電源とグランドとの間に直列接続された２つの単位回路と、単位回路を制御する制御部と、を備え、２つの単位回路の中点に誘導性負荷が接続された半導体装置であって、２つの単位回路それぞれは、第１スイッチ素子と、第１スイッチ素子と逆並列接続された還流ダイオードと、還流ダイオードと第１スイッチ素子それぞれと並列接続されたバイパス部と、を有し、バイパス部は、直列接続された第２スイッチ素子及び抵抗を有し、制御部は、２つの単位回路の第１スイッチ素子をＯＦＦ状態にするデッド期間を挟んで、２つの第１スイッチ素子を交互にＯＮ状態とし、デッド期間において、一方の第１スイッチ素子がＯＦＦ状態からＯＮ状態に移行するまで、一方の第１スイッチ素子と並列接続された第２スイッチ素子をＯＮ状態にする。 （もっと読む）

【課題】電流変動が大きな箇所の半導体スイッチにおいて耐電流と損失を最適化する。
【解決手段】電気的特性及び種類が互いに異なるＦＥＴ１１とＩＧＢＴ１２を並列接続することで半導体スイッチ１ａを形成する。端子５及び６間を接続するとき、ＦＥＴ１１及びＩＧＢＴ１２は同時にオンされる。端子５及び６間の電流が小電流であるときには、ＦＥＴ１１の内部抵抗がＩＧＢＴ１２よりも小さいため、ＦＥＴ１１側に優先的に電流が流れて低損失が実現される。端子５及び６間の電流が増大するにつれて、ＦＥＴ１１では発熱が内部抵抗増大を招くがＩＧＢＴ１２では内部抵抗が殆ど変化しないため、或る電流値以上では、ＩＧＢＴ１２側に優先的に電流が流れる。結果、大電流がＦＥＴ１１側に流れることによるＦＥＴ１１の劣化又は破損が回避される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及び半導体リレー装置において、製造コストを抑えつつ、ＣＲ積の値を小さくする。
【解決手段】双方向スイッチ１を構成する２つのＭＯＳＦＥＴのうち、一方のＭＯＳＦＥＴ２に、化合物半導体で構成されたユニポーラ型化合物半導体装置を用い、他方のＭＯＳＦＥＴ３に、シリコンで構成されたＳｉ−ＭＯＳＦＥＴを用いる。ここで、ユニポーラ型化合物半導体装置の中には、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴよりもＣＲ積の値が小さいものが多く存在する。従って、一方のＭＯＳＦＥＴ２にユニポーラ型化合物半導体装置を用いたことにより、両方のＭＯＳＦＥＴ２、３にＳｉ−ＭＯＳＦＥＴを用いた場合に比べて、装置全体のＣＲ積の値を小さくできる蓋然性が高まる。また、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴよりも製造コストの高いユニポーラ型化合物半導体装置を２つ用いた場合に比べて、製造コストを抑えられる。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時のスイッチング特性が変動せず、電力損失を発生せずにスイッチング素子を安定してターンオンさせることができるゲートドライブ回路。
【解決手段】ドレインとソースとゲートとを有し且つワイドバンドギャップ半導体かなるスイッチグ素子Ｑ１のゲートに制御回路からの制御信号を印加することによりスイッチング素子をオンオフ駆動させるゲートドライブ回路であって、制御回路とスイッチング素子のゲートとの間に接続され、第1のコンデンサＣ１と第1の抵抗Ｒ１とからなる並列回路と、スイッチング素子のゲートとソースとの間に接続され、制御信号のオフ信号に対して遅延させてゲートとソースとの間を短絡する短絡手段Ｓ４とを備える。 （もっと読む）