【課題】信号トランスの励磁エネルギーを速やかに消費させ、入力信号のバックスイングおよび各チャンネルの読み込み時間を短縮して、高速化可能なアナログ入力装置を得る。
【解決手段】外部から入力されたアナログ信号を絶縁する信号トランス２３と、信号トランス２３の１次側に接続され、オンオフ制御されることでアナログ信号をパルス形状に変化させる第１スイッチ素子２１と、信号トランス２３の１次側に、信号トランス２３の巻線端子と並列に接続され、互いに直列に接続された抵抗素子３１および第２スイッチ素子３２からなるリセット回路２２と、第１スイッチ素子２１に対して、オンオフ制御のための第１制御パルス信号を出力するとともに、第１制御パルス信号を出力した後に、第２スイッチ素子３２に対して、信号トランス２３の巻線に励磁されたエネルギーを消費するための第２制御パルス信号を出力する第１、第２シーケンス手段４１、４２とを備える。 （もっと読む）

【課題】可変ゲート電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）及びこのＦＥＴを備える電気電子装置を提供する。
【解決手段】熱によるＦＥＴのソース及びドレイン間の電流減少の問題を効果的に解決し、またＦＥＴの温度を低めることができる可変ゲートＦＥＴ及びこのＦＥＴを備える電気電子装置を提供し、可変ゲートＦＥＴは、ＦＥＴと、ＦＥＴの表面または発熱部分に取り付けられ、回路的には、ＦＥＴのゲート端子に連結されておりゲート端子の電圧を変化させるゲート制御素子と、を備え、ＦＥＴの温度が所定温度以上に上昇しているときに、ゲート制御素子が、ゲート端子の電圧を変化させて、ＦＥＴのソース及びドレイン間のチャンネル電流を制御する。 （もっと読む）

【課題】容量性負荷の静電容量と回路抵抗値とから決定される回路時定数が変化することによって生じる容量性負荷の充電速度または放電速度の変化を防止し、所望の駆動波形を得ることが可能な容量性負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】容量性負荷駆動回路は、容量性負荷である複数の駆動素子と、複数のコンデンサーと、前記複数のコンデンサーに電力を供給する電源と、前記複数のコンデンサーと前記複数の駆動素子間の接続を切替える切替え手段と、前記切替え手段を制御する制御手段と、を有し、前記制御手段は、前記複数の駆動素子に対して印加される電荷容量の予測値に基づいて、前記切替え手段の接続状態を維持することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えつつ、トランジスタの閾値電圧のばらつきに起因する出力電圧のばらつきを抑えることの可能なインバータ回路、およびこのインバータ回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】６Ｔｒ３Ｃで構成されるインバータ回路において、入力端子ＩＮ２に、入力端子ＩＮ１に入力されるパルス信号の位相よりも進んだ位相のパルス信号が印加される。これにより、入力端子ＩＮ１の電圧がハイからローに変化する際に、トランジスタＴ５のゲート−ソース間電圧から、トランジスタＴ５の閾値電圧の影響が取り除かれるので、その後にトランジスタＴ５がオンしてトランジスタＴ５に電流が流れたときに、その電流値Ｉｄｓからも、トランジスタＴ５の閾値電圧の影響が取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】メモリの出力バッファの平均電流値を低減し、消費電流を抑制すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、メモリリードアドレスＤの連続性を判定し、判定結果Ｈを出力するアドレス連続性判定回路２３と、判定結果Ｈに基づいて、メモリリードアドレスＤに対応するリードデータを出力するメモリの出力バッファ２２の駆動能力を制御する駆動能力切り替え制御回路２４と、ＣＰＵの要求リードアドレスＡに対応するリードデータが当該ＣＰＵへ到達するまでの期間に、ＣＰＵ要求リードアドレスＡに連続する予想アドレスを生成するアドレス生成部１２と、予想アドレスに対応するリードデータを格納するプリロードバッファ１４を備える。 （もっと読む）

【課題】
内部電源電圧を遮断するパワーダウンモードへの移行を誤動作無く確実に実行するパワーダウンモードの移行シーケンスを備えた電子回路を提供する。
【解決手段】
電源電圧から降圧してシステム電圧を発生するシステム電圧発生回路１０と、システム電圧を供給されて動作する第１の内部回路３０と、電源電圧を供給されて動作する入出力回路２４と、第１の内部回路３０からの信号を入力し、電源電圧の電圧レベルに変換するレベルシフタ２３と、システム電圧発生回路１０を制御する制御回路４０とを備え、制御回路４０は起動信号Ｐ４を入力し、この起動信号に所定の遅延時間を与えた短絡制御信号Ｐ５を出力する遅延回路１００を有し、起動信号はレベルシフタ２３を非活性又は活性として制御し、短絡制御信号はシステム電圧発生回路１０を停止状態又は動作状態として制御する構成とした。 （もっと読む）

【課題】商用交流電源から電子機器への電力供給をオン又はオフするために使用者が操作するスイッチ部品として、各国の安全規格を満たさないスイッチ部品であっても自在に利用可能な電子スイッチ装置を提供すること。
【解決手段】本発明によれば、発振手段が、操作スイッチにより二次側コイルの両端が開放されると発振し、該二次側コイルの両端が短絡されると、一次側コイルのインダクタ値の減少に起因し発振が停止するので、二次側コイルの両端の状態が発振手段からの出力の出力態様に反映される。よって、かかる出力態様に基づくことにより、電力供給路の導通又は遮断を操作スイッチの操作状態に応じて行うことができる。ここで、操作スイッチが接続される二次側コイルは、一次側コイルに対して絶縁されているので、各国の安全規格を満たさないスイッチ部品を操作スイッチとして使用したとしても、操作スイッチを操作する使用者の安全を確保できる。 （もっと読む）

【課題】ＧＮＤレベルの入力信号を入力する入力回路を備える場合であっても接地端子がオープン状態にあるときにスイッチング用トランジスタ素子をオフ状態に保持すること。
【解決手段】電源供給装置１は、電源２と負荷３との間に接続されたスイッチング用トランジスタ素子Ｆと、スイッチング用トランジスタ素子Ｆをオン／オフすることによって電源２から負荷３への電力供給を制御する駆動回路４と、電源２からの電力を利用して駆動される周辺回路６と、スイッチング用トランジスタ素子Ｆのゲート端子とソース端子との間に接続された電流駆動型の補償トランジスタユニット５と、接地電圧を供給する接地ユニット８とを備える。補償トランジスタユニット５は、周辺回路６と接地ユニット８を介して電源２から所定値以上の電流が供給された場合、スイッチング用トランジスタ素子Ｆのゲート端子とソース端子との間をショートする。 （もっと読む）

【課題】 切替時間の短縮と消費電流の低減を図ることができる半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】 外部からの経路切替信号の状態が変化した直後から予め設定された時間だけ、レベルシフト短絡スイッチ回路でレベルシフトしない高電圧でスイッチ回路を駆動し、一定時間経過後はレベルシフト短絡スイッチ回路を開放させることによりレベルシフト回路を経由させ、電圧降下させた電圧でスイッチ回路を駆動させる。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が低下したときに信号保持回路での信号保持を確実に解除する。
【解決手段】出力端子ｔｏを複数の入力端子のうちの1つｔｂに接続し、残りの外部入力端子ｔａに外部信号が入力される論理和回路１４と、該論理和回路14の出力端子に接続された単一パルスを生成するパルス生成回路１５とを備え、前記論理和回路１４の前記外部入力端子ｔｂにハイレベルのパルス信号が入力されたときに、当該論理和回路１４の出力をハイレベルに保持する信号保持回路１３であって、前記論理和回路１４の前記出力端子ｔｏと前記入力端子ｔｂとの間に、電源電圧低下時に当該論理和回路１４によるハイレベル保持状態を解除する電圧を高めるダイオードＤを介挿した。 （もっと読む）

【課題】 小型・低雑音のスイッチングレギュレータを提供する。
【解決手段】 導通、遮断の２状態が交互に切り替わる複数のトランジスタで構成されたスイッチングレギュレータの出力段と、その出力段トランジスタを各々個別に駆動するための駆動回路から構成され、当該駆動回路は、各々出力段トランジスタにおける遮断から導通状態への遷移時間が、導通から遮断状態への遷移時間に比べて長くなるように立ち上がり、立ち下がり時の駆動能力をアンバランスに設定され、各々の遷移時間は、出力信号の電位があらかじめ設定された電位に達したことを判定して変化させることを特徴とするスイッチングレギュレータとして構成される。 （もっと読む）

【課題】 回路のダイナミックレンジを圧迫しないと共に、チップサイズの増大を抑制することができるバッファリング回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】 入力端子及び出力端子を有するバッファリング回路でドレインが第１電圧ラインに接続され、ソースが前記出力端子に接続され、ゲートが前記入力端子に接続された第１プルアップドライバと、ソースが前記出力端子に接続され、ゲートが前記入力端子に接続された第２プルアップドライバと、前記第２プルアップドライバのドレインに定電流を供給する定電流回路と、前記出力端子と第２電圧ラインとの間に配置されたプルダウンドライバとを備え、前記プルダウンドライバは、前記定電流回路の定電流から前記第２プルアップドライバに流れる電流を減じた差電流に基づいた電流を流すように構成されている。 （もっと読む）

【課題】同一の電源に接続された複数の過電流保護装置どうしで、リトライ動作を実行するタイミングに時間差を持たせることが可能な過電流保護装置、及び過電流保護システムを提供する。
【解決手段】ＩＣ回路５１-1のＦＥＴ（Ｑ１）をオンとした際に、バッテリ電圧ＶＢＡが閾値電圧以下となった場合には、各ＩＣ回路のＦＥＴ（Ｑ１）を全てオフとし、更に、ＦＥＴ（Ｑ１）のオンからバッテリ電圧ＶＢＡが閾値電圧以下となるまでの時間を計時する。この時間が４００μsec未満であれば、カウント値Ｎをインクリメントする。その後、ランダムに設定された待機時間Ｔｐが経過した後、再度ＦＥＴ（Ｑ１）をオンとする動作を繰り返し、カウント値Ｎが７に達した時点で、ＩＣ回路５１-1のＦＥＴ（Ｑ１）をオフ状態に保持する。従って、デッドショートの発生している負荷駆動用の回路のみを確実に停止させ、それ以外の負荷駆動用の回路の駆動を継続させることができる。 （もっと読む）

【課題】同一電源系統に接続された複数の主バッファの動作台数の変化により生じる半導体装置の出力のばらつきを抑制すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、入力されるデータに応じて複数の信号線を駆動する、複数の主バッファを備える主バッファ回路２と、主バッファと同数のダミーバッファを備えるダミーバッファ回路５と、主バッファ回路２及びダミーバッファ回路５に接続された電源と、主バッファ回路２が接続された主バッファ配線と、ダミーバッファ回路５に接続され、主バッファ配線と略同一の負荷を有するダミーバッファ配線と、主バッファ回路の複数の主バッファのスイッチング状況を検知するスイッチング検出回路３と、スイッチング検知結果に基づいて、ダミーバッファのスイッチング数を制御するダミーバッファスイッチング回路４とを備える。 （もっと読む）

【課題】入力信号のフレームを標本化する場合に、入力信号の性質に応じた不等間隔で標本化を行う技術を提供する。
【解決手段】適応標本化装置１Ａは、フレーム記憶手段１０と、フレームに対して、標本点数を減らした複数の異なる標本化間隔で標本化して縮小信号とし、この縮小信号群を出力する階層化信号縮小手段２０と、この各縮小信号を入力信号と同じ標本化間隔に戻して、フレームとの誤差をブロックごとに定量化し誤差信号として出力する階層化誤差演算手段３０と、フレームの各ブロックに対して適用する標本化間隔の割り当て方である標本化パターンを複数記憶する標本化パターンデータベース５０と、各誤差信号と、標本化パターンとに基づき、誤差を最適化する標本化パターンを探索する最適化手段７０と、この最適化手段が求めた標本化パターンに基づき、入力信号のフレームを標本化し、出力信号として出力する標本選択配置手段８０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
内部電源回路からの内部電源電圧が安定状態となり、レベルシフタの入力が適正となった後に、レベルシフタを活性化させるパワーダウンモードの復帰シーケンスを備えた電子回路を提供する。
【解決手段】
電源電圧からシステム電圧を発生するシステム電圧発生回路１０と、システム電圧を供給されて動作する内部回路３０と、入出力回路２４と、内部回路からの信号を入力し、電源電圧の電圧レベルに変換し入出力回路へ出力するレベルシフタ２３と、レベルシフタを制御する制御回路４０とを備え、システム電圧発生回路１０が停止状態から動作状態へ移行するとき、制御回路は内部回路が動作状態であることを判定する第１の判定手段４１と、システム電圧が所定値に達したか、または所定値に収束したかを判定する第２の判定手段４２とを備え、双方の判定手段の結果に基づいてレベルシフタを活性化する構成とした。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えつつ、高輝度で安定した駆動を得るとともに駆動制御回路全体の寿命を向上させる。
【解決手段】負荷２０に接続される駆動制御部１０を備え、駆動制御部１０は、負荷２０の定格電流値ＩＦと、パルス駆動したときの絶対最大定格電流値Ｉｍａｘから予め設定されたピーク電流値Ｉｐに基づいてパルス幅変調することで、負荷２０のオン期間を規定した第１のオン／オフ周期による第１駆動パルスＰ１を生成し、第１のオン／オフ周期のオン期間の中でさらにスイッチングさせることで、パルスの最大振幅がＩｐとなるように、第２のオン／オフ周期による第２駆動パルスＰ２を生成する定電流パルス駆動部１４とを備え、第２駆動パルスＰ２によって駆動された電流を前記負荷２０に印加することによって、負荷２０を連続的に駆動させるとともに、充放電制御部１５のキャパシタンスＣ１を信頼性寿命の高いセラミックコンデンサーを使用した。 （もっと読む）

【課題】消費電力低下および速度向上が可能なレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】レベルシフト回路２は、第１入力端子１１、第２入力端子１２、第１出力端子２１、第２出力端子２２、第１ＰＭＯＳトランジスタ３１、第２ＰＭＯＳトランジスタ３２、第１ＮＭＯＳトランジスタ４１、第２ＮＭＯＳトランジスタ４２、第１ブートストラップ回路５１および第２ブートストラップ回路５２を備える。第１ブートストラップ回路５１は、第１充電用スイッチ５１１，第１転送用スイッチ５１２，第１容量部５１３および第１インバータ回路５１４を含む。第２ブートストラップ回路５２は、第２充電用スイッチ５２１，第２転送用スイッチ５２２，第２容量部５２３および第２インバータ回路５２４を含む。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減できるＰＬＤ回路、集積回路装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】ＰＬＤ回路は、各トランジスター列が直列接続されたプログラマブルな複数のトランジスターを有する第１〜第ｍ（ｍは２以上の整数）のトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍを含む。第１〜第ｍのトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍの一端に第１の非直流電源ＶＳ１が供給される。第１〜第ｍのトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍの各トランジスター列は、複数の入力信号ＸＰ（Ｘ１Ｐ〜ＸｉＰ）、ＸＮ（Ｘ１Ｎ〜ＸｉＮ）によってオン・オフされる。第１の非直流電源ＶＳ１の電圧により規定される第１のホールド期間に、第１〜第ｍのトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍの他端のノードである第１〜第ｍのノードＮＡ１〜ＮＡｍの電圧レベルを各々出力する。 （もっと読む）

【課題】出力遅延を短縮できる出力バッファ回路を提供する。
【解決手段】信号ＰｅｎがＬレベルからＨレベルに切り替わり信号ＮｅｎがＨレベルからＬレベルに切り替わった直後において、定電流源Ｉｓ１が追従しきれずまた切り替わっていない場合には、ノードＰは未だＨレベルのままであるので、ノードＯＵＴはＬレベルのままである。この状態で、切り替え前にＨレベルのノードＮに接続されていたノードＡは、切り替えによりＨレベルのノードＰへ接続される。これと同時に、インバータｉｎｖ３の出力部がＨレベルからＬレベルに切り替わっているので、キャパシタＣ２を介して、ノードＡもＨレベルからＬレベルに切り替えられる。このとき、ノードＰの電位はノードＡと等しくなるまで引き下げられ、Ｌレベルへ遷移する。 （もっと読む）