【課題】伝播遅延時間を短縮する。
【解決手段】インバータＩＮＶ１，ＩＮＶ２と、ラッチ回路１と、反転駆動回路２，３と、セレクタ４を備える。Ｎ１＝ＶＳＳ２、Ｎ２＝ＶＳＳ２、Ｎ３＝ＶＳＳ２、Ｎ４＝ＶＤＤ２のとき、入力端子ＩＮがＶＤＤ１→ＶＳＳ１に変化したとき、トランジスタＭＰ５をオンして大きな電流をＶＤＤ２からノードＮ１に流し高速にノードＮ１をＶＳＳ１→ＶＤＤ２に変化させる。その後、トランジスタＭＰ５はオフし、ノードＮ１はインバータＩＮＶ４でＶＤＤ２に保持される。これで、Ｎ１＝ＶＤＤ２、Ｎ２＝ＶＤＤ２、Ｎ３＝ＶＤＤ２、Ｎ４＝ＶＳＳ２となる。次に入力端子ＩＮがＶＳＳ１→ＶＤＤ１に変化したとき、トランジスタＭＮ２がオンして大きな電流をノードＮ１からＶＳＳ２に流し高速にノードＮ１をＶＤＤ２→ＶＳＳ２に変化させる。 （もっと読む）

【課題】より確実に信号を伝送することが可能なバススイッチ回路を提供する。
【解決手段】バススイッチ回路は、第１、第２の入出力端子間に接続されたバススイッチ素子を備える。バススイッチ回路は、第１の入出力端子と第１の電源電圧が印加される第１の電圧線との間に接続され、第１の制御信号により制御される第１のスイッチ素子を備える。バススイッチ回路は、第２の入出力端子と第２の電源電圧が印加される第２の電圧線との間に接続され、第２の制御信号により制御される第２のスイッチ素子を備える。バススイッチ回路は、第１の信号と、第２の信号とに基づいて、遅延信号を出力する遅延信号生成回路を備える。バススイッチ回路は、第１の信号、第２の信号、および、遅延信号に基づいて、第１および第２の制御信号を出力する制御信号生成回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】信号転送ラインの充放電によって消費される電力を低減する。
【解決手段】フリップフロップ構成のアンプ回路ＡＭＰを含むレシーバ回路Ｒ０ｋと、データバスＤＢとレシーバ回路Ｒ０ｋの入力端Ｔ２との間に挿入され、データバスＤＢがＶＰＥＲＩ−ＮＶｔｈに達するとオフするトランジスタＭ７を備える。本発明によれば、トランジスタＭ７によって入力端Ｔ２の振幅が制限されることから、データバスＤＢがローレベルからハイレベルに変化する際の転送速度が向上する。しかも、アンプ回路ＡＭＰがフリップフロップ構成を有していることから、フリップフロップが反転した後は貫通電流が生じない。これにより、消費電力がより一層低減される。 （もっと読む）

【課題】電源が遮断されてもデータが保持される新規な論理回路を提供する。また、消費電力を低減できる新規な論理回路を提供する。
【解決手段】２つの出力ノードを比較する比較器と、電荷保持部と、出力ノード電位確定部とを電気的に接続することにより、論理回路を構成する。それにより、電源が遮断されてもデータが保持される論理回路を得ることができる。また、論理回路を構成するトランジスタの総個数を低減させることができる。更に、酸化物半導体を用いたトランジスタとシリコンを用いたトランジスタを積層させることで、論理回路の面積の削減が可能になる。 （もっと読む）

【課題】断熱的回路動作により消費電力を抑制することができる回路装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】回路装置は、第１の基準電圧を基準として電圧が周期的に変化する第１の電源電圧ＶＰ、及び第２の基準電圧を基準として電圧が周期的に変化する第２の電源電圧ＶＭが供給されて断熱的回路動作を行う断熱的回路１００と、第１の直流電源電圧ＶＤＤ及び第２の直流電源電圧ＶＳＳが供給されて動作する非断熱的回路１２０と、断熱的回路１００と非断熱的回路１２０との間に設けられるラッチ回路２１０とを含む。ラッチ回路２１０は、断熱的回路１００からの出力信号Ｄ２を、第１の電源電圧ＶＰが極大となり第２の電源電圧ＶＭが極小となるタイミングに対して設定された第１のラッチ期間においてラッチし、出力信号Ｄ２のラッチ信号Ｑ２を非断熱的回路１２０に対して出力する。 （もっと読む）

【課題】効果的に雑音レベルを低減した半導体集積回路を提供する。
【解決手段】差動入力トランジスタであるＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２は、雑音レベルを低減するために薄いゲート酸化膜を有している。これらのＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２を過電圧から保護する保護回路は、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ３，Ｍ４を含んで構成されている。Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ３はＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１を過電圧から保護する第１の保護トランジスタであり、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ１のドレイン側に直列に接続されている。Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ４は、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ２を過電圧から保護する第２の保護トランジスタであり、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ２のドレイン側に直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えることができる記憶回路の提供を目的の一つとする。
【解決手段】記憶回路に電源が供給されない間は、揮発性のメモリに相当する記憶部に記憶されていたデータを、不揮発性のメモリに相当する記憶部に設けられた容量素子によって保持する記憶回路である。不揮発性記憶部では、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタを用いることによって、容量素子に保持された信号は長期間にわたり保持することができる。こうして、記憶回路は電源の供給が停止している間も論理状態（データ信号）を保持することが可能である。また酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタのゲートに印加する電位を、電源電位を供給する配線と前記トランジスタのゲートとの間に設けられた昇圧回路によって高くすることで、１つの電源電位であっても誤動作なくデータ信号の保持を行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】ソースが共通接続されそれぞれのゲートが二つの入力端子に接続さた二つのトランジスタを有する差動対を備える差動入力回路において、より適正に入力オフセットをより小さくする。
【解決手段】トランジスタＴｉｎ１，トランジスタＴｉｎ２のドレインに高電圧印加回路６０を接続し、トランジスタＴｉｎ１のソースおよびトランジスタＴｉｎ２のソースと接地電圧印加点ＧＮＤとの間にトランジスタＴｓｅｎを設け、論理ローレベルの電圧の制御信号ＳＥＮをスイッチング回路７０に入力すると共に制御信号Ｔｃとしてクロック信号を入力して入力端子ＩＮ１に電圧Ｖ１を印加すると共に入力端子ＩＮ２に電圧Ｖ２を印加し、検出した出力端子ＯＵＴ，ＯＵＴＢの電圧に応じてトランジスタＴｉｎ１，Ｔｉｎ２のドレインに高電圧印加回路６０により電源電圧Ｖｄｄｈを印加する （もっと読む）

【課題】ウエハーテストにおいて、キャリブレーション動作の評価を、容易、かつ高精度に行うことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】キャリブレーション端子ＺＱを駆動するレプリカバッファ（１３１）と、レプリカバッファの出力インピーダンスを変化させる際に目標となるインピーダンスが設定され、キャリブレーション端子ＺＱに接続される可変インピーダンス回路（１７０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 本実施形態は、出力ドライバのドライブ能力のキャリブレーション精度を向上することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 第１、第２のプルアップドライバユニットPUDUa、PUDUbは、プルアップドライバを調整する。プルダウンドライバユニットPDDUbは、プルダウンドライバを調整する。キャリブレーション回路CBCは、プルアップドライバのキャリブレーション時、基準電圧Ｖ_ＲＥＦと、基準抵抗RZQに基づく第１のプルアップドライバの出力電圧を比較して第１、第２のプルアップドライバユニットのドライブ能力を決定し、プルダウンドライバのキャリブレーション時、基準電圧と、第２のプルアップドライバとプルダウンドライバの接続ノードの電圧を比較してプルダウンドライバのドライブ能力を決定する単一の比較器COMPを有している。 （もっと読む）

【課題】更なる消費電力低減および速度向上が可能なレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】レベルシフト回路２Ａは、第１ＰＭＯＳトランジスタ３１、第２ＰＭＯＳトランジスタ３２、第１ＮＭＯＳトランジスタ４１および第２ＮＭＯＳトランジスタ４２を備える他、第３ＮＭＯＳトランジスタ４３および第４ＮＭＯＳトランジスタ４４をも備える。第１ＰＭＯＳトランジスタ３１および第２ＰＭＯＳトランジスタ３２それぞれのソース端子は、第１基準電位Vddlより高い第２基準電位Vddhに接続される。第３ＮＭＯＳトランジスタ４３および第４ＮＭＯＳトランジスタ４４それぞれのドレイン端子も第２基準電位Vddhに接続される。 （もっと読む）

【課題】 動作試験用の外部抵抗素子を用意することなくＺＱキャリブレーション回路の動作試験を行える半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、外部端子と、外部端子に接続され、当該外部端子に接続される外部抵抗素子を利用してキャリブレーションを行うキャリブレーション回路と、内部抵抗素子と、内部抵抗素子と外部端子との間に設けられたスイッチと、を備える。外部端子に外部抵抗素子が接続されていない状態で、スイッチを導通状態にして内部抵抗素子をＺＱ端子に電気的に接続する。これにより、外部抵抗素子に代えて内部抵抗素子を利用してキャリブレーションを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で波形歪みのエネルギーを消費させ、リンギングを確実に抑制できるリンギング抑制回路を提供する。
【解決手段】一対の信号線３Ｐ，３Ｎ間に、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ４及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５の直列回路を接続し、制御回路１１は、差動信号のレベルがハイからローに変化したことを検出すると、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ４及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５を同時に一定期間オンさせる。これにより、差動信号のレベルが遷移する期間に信号線３Ｐ，３Ｎ間のインピーダンスを大きく低下させ、差動信号波形の歪みエネルギーをＦＥＴ４及び５のオン抵抗により吸収させてリンギングの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】動作モード切り換え時におけるノイズを抑制する。
【解決手段】差動入力バッファ１は、動作モードを通常状態又は省電力状態のいずれかに切り換える電源回路ＭＮ１，ＭＮ２と、ソースフォロア回路を構成する半導体素子ＭＰ１，ＭＰ３及びＭＰ２，ＭＰ４のそれぞれの寄生容量の合計である第１の寄生容量に対応する第２の寄生容量を有する半導体素子ＭＰ７，ＭＰ８により構成されるダミー回路とを有し、動作モードの切り換え時に第１の寄生容量に起因して発生する電流の流通方向と、動作モードの切り換え時に第２の寄生容量に起因して発生する電流の流通方向とが共通の配線において相反する構成を有する。 （もっと読む）

【課題】出力する駆動信号の遅延を小さくし且つ小型化した安価な駆動回路、駆動信号出力回路及びインクジェットヘッドを実現することである。
【解決手段】駆動回路３０は、負荷を駆動するプッシュ側のＭＯＳＦＥＴ３２及びプル側のＭＯＳＦＥＴ３３と、アノード、カソードがＭＯＳＦＥＴ３２のゲート、ソースに接続されたツェナーダイオード３８と、アノード、カソードがＭＯＳＦＥＴ３３のソース、ゲートに接続されたツェナーダイオード３９と、昇圧回路３１の出力端とＭＯＳＦＥＴ３２のゲートとに接続された抵抗３６と、昇圧回路３１の出力端とＭＯＳＦＥＴ３３のゲートとに接続された抵抗３７と、抵抗３６、抵抗３７に並列に接続されたスピードアップコンデンサ４２，４３と、を備える。ＭＯＳＦＥＴ３２，３３のソースが高圧側、グランドに接続され、ＭＯＳＦＥＴ３２，３３のドレインが互いに接続される。 （もっと読む）

【課題】ドライバの故障による出力異常を救済することが可能な故障検出救済回路を含んだ半導体装置を提供すること。
【解決手段】故障検知部１は、ドライバ１０の出力の期待電位の逆電位となるようにドライバ１０の出力にプルアップ抵抗１５またはプルダウン抵抗１８を接続し、ドライバ１０の入力電位と出力電位とを比較することによりドライバ１０の故障を検出する。故障救済部２は、故障検知部１によってドライバ１０の故障が検出された場合に、期待電位と同電位となるようにドライバ１０の出力にプルアップ抵抗２６またはプルダウン抵抗２９を接続してドライバ１０の故障を救済する。したがって、ドライバ１０の故障による出力異常を救済することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】チップ面積を小さくする。
【解決手段】一端がグランド端子１４に接続される定電流源１３と、ソースが共通に定電流源１３の他端に接続され、ゲートが入力端子Ａ、Ｂにそれぞれ接続される第１および第２の差動対（Ｑ１１、Ｑ１２およびＱ１３、Ｑ１４に相当）と、第１の差動対のそれぞれのドレインにそれぞれのソースを接続するｎＭＯＳトランジスタＱ１５、Ｑ１６と、ｎＭＯＳトランジスタＱ１５、Ｑ１６のそれぞれのドレインを出力端子Ｃ、Ｄとし、出力端子Ｃ、Ｄと電源端子１１との間に接続される負荷部（図１のＱ１７、Ｑ１８に相当）と、を備え、第１の差動対のそれぞれのドレインを第２の差動対の逆相となるそれぞれのドレインに接続し、ｎＭＯＳトランジスタＱ１５、Ｑ１６のそれぞれのゲートは、ｎＭＯＳトランジスタＱ１５、Ｑ１６のドレインにそれぞれ接続する。 （もっと読む）

【課題】スタンバイ時のリーク電流と回路面積の増大を抑制する。
【解決手段】第１電源に接続する第１の回路１１の入力対に出力が夫々接続された第２及び第３の回路１２、１３と、前記第１の回路の入力、又は、前記第１の回路の内部ノードに接続された第４の回路１４と、を含み、前記第２の回路及び前記第３の回路は、第２電源と第３電源間に接続され、スタンバイ時にパワーゲーティングされる回路を有し、前記第２の回路は、前記第２及び第３電源電位を振幅範囲とする信号を入力し、前記第２の回路の出力は前記第３の回路の入力に接続され、前記第１の回路の出力信号の振幅範囲は、前記第１電源電位と、前記第２又は第３電源電位とされ、前記第４の回路は、パワーゲーティング時に前記第１の回路の前記入力対、又は前記内部ノードの論理値を保持し、スタンバイ時にも前記第１の回路の出力信号の論理を前記入力信号に関連した論理に維持する。 （もっと読む）

【課題】Lレベル出力も高電位側電源から決定されるようにできるレベル変換回路を提供する。
【解決手段】高電位電源VDDから論理レベル設定抵抗R_Lを経由して出力ノードBに至る第1経路と、高電位電源VDDから論理レベル設定抵抗R_Lを経由しないで出力ノードBに至る第2経路と、を設ける。切換えスイッチ部120,110は、Lレベル出力の場合には第1経路を導通させ、Hレベル出力の場合には第2経路を導通させる。さらに、Lレベル出力の場合には、カレントミラー回路130を有する定電流源がONになり、出力ノードBから一定電流を引き抜く。前記出力ノードBは、終端抵抗R_Lを介して終端電圧V_Tに接続されている。Lレベル出力の電位V_OUTは、終端電圧V_Tの値ではなく、論理レベル設定抵抗R_Lの値によって調整される。 （もっと読む）

【課題】 耐圧の低いMOSFETを保護するためにゲート接地として動作する、MOSFETのゲート電圧を生成するための外部電源を不要にする。
【解決手段】 第１電源電圧から一定の大きさの第１電流を生成する定電流生成部と、第１薄膜NMOSFETと第２薄膜NMOSFETから構成され、第１電流に比例した大きさの第２電流を出力する第１カレントミラー回路部と、第２薄膜NMOSFETを保護するためにゲート接地として用いる第３薄膜NMOSFET及び第１厚膜PMOSFETと、第１電源への電流の逆流を防ぐための第１ダイオードと、第３薄膜NMOSFETのゲート−ソース間電圧がマイナスになることを防ぐための第２ダイオードとからなる保護回路部と、第２電流に比例した大きさの第３電流を出力する第２カレントミラー回路部と、第３電流により第１定電圧を生成する第１ツェナーダイオード部とを備える。 （もっと読む）