【課題】ランプアップまたはランプダウンにおいてスイッチングスペクトラムの劣化を軽減すること。
【解決手段】初段と最終段のバイアス回路８１、８３が、初段と最終段の増幅回路４１、４３のアイドリング電流を決定する。電力検出回路５、６は、最終段出力信号Ｐｏｕｔの信号レベルに応答する電力検出信号Ｖ_ＤＥＴを生成する。誤差増幅器７に検出信号Ｖ_ＤＥＴと目標電力信号Ｖ_ＲＡＭＰが供給され、電力制御電圧Ｖ_ＡＰＣが制御信号増強回路９の入力に供給され、出力から増強制御信号Ｖ_ＥＮを生成する。制御信号増強回路９は、所定の非線型の入出力特性を有する。増強制御信号Ｖ_ＥＮが初段と最終段のバイアス回路８１、８３とに供給され、初段と最終段の増幅回路４１、４３のアイドリング電流は増強制御信号Ｖ_ＥＮによって制御され、ＲＦ電力増幅器の制御利得の低下が補償される。 （もっと読む）

【課題】ベクトル結合電力増幅のための方法およびシステムが、本明細書で開示される。
【解決手段】一実施形態では、複数の信号は個別に増幅され、次いで加算されて、所望の時変複素包絡線信号が形成される。１つまたは複数のこれらの信号の位相および／または周波数特性は、所望の時変複素包絡線信号の所望の位相、周波数、および／または振幅特性を提供するように制御される。別の実施形態では、時変複素包絡線信号は、複数の定包絡線成分信号に分解される。これらの成分信号は等しくあるいはほぼ等しく増幅され、次いで加算されて、元の時変包絡線信号の増幅されたバージョンが構成される。実施形態はまた、周波数アップコンバージョンをも行う。 （もっと読む）

【課題】 ＰＡ増幅部の非線形歪を小さくし、且つ、電力効率の高いＥＴ電力増幅装置を提供する。
【解決手段】 ＥＴ電力増幅装置は、増幅対象の入力信号を電源電圧によって増幅するＰＡ増幅部２０１と、入力信号の振幅を検出し、振幅−電源電圧特性に基づいた制御信号を出力する電源制御部２０２と、制御信号に応じた電源電圧をＰＡ増幅部に供給するＰＡ電源部２０３と、を備え、振幅−電源電圧特性は、振幅に対して電源電圧を線形とし且つ当該電源電圧に下限を設定した振幅−電源電圧特性である。 （もっと読む）

【課題】アンプが必要とする電源を提供するために用いられ、発生される電源は入力信号の大小に従い適切に変化し、これにより、大幅なエネルギーの損失を省くことができ、電池の作動時間を延長させることが可能なだけでなく、熱量の発生と排出を減少させることが可能な電源発生システムを提供する。
【解決手段】少なくとも一つの信号追跡ユニットは入力信号を受信し、これに基づき追跡信号を発生させ、前記追跡信号の波形は入力信号のピークを追跡する。少なくとも一つのＤＣ−ＤＣコンバータは前記追跡信号を受信し、これに基づき電源を発生させる。 （もっと読む）

【課題】コンプリメンタリＳＥＰＰ回路において、出力抵抗を高くすることなくバイアス電流の安定したバイアス回路を提供する。
【解決手段】バイアス電流を検出する差動増幅器と、所定の電圧値と差動増幅器の出力電圧値との差分を増幅する演算増幅器と、演算増幅器の出力信号を絶縁伝達する絶縁伝達器と、絶縁伝達器の出力に応じたバイアス電圧を出力するバイアス電圧源とを備えたコンプリメンタリＳＥＰＰ回路のバイアス回路。差動増幅器、演算増幅器、絶縁伝達器の動作により、バイアス電圧源は、バイアス電流が増加すると出力するバイアス電圧を低下させる。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が瞬時低下しても所望の出力波形を出力し続けることが可能な電力増幅回路を提供する。
【解決手段】電力増幅回路は、第１および第２のオペアンプを備える。電力増幅回路は、第１ないし第４の帰還抵抗を備える。電力増幅回路は、非反転入力端子が第１のオペアンプの出力端子に接続され、反転入力端子が第２のオペアンプの出力端子に接続され、非反転出力端子が第１の信号出力端子に接続され、反転出力端子が第２の信号出力端子に接続され、差動利得を一定に保つ全差動オペアンプを備える。電力増幅回路は、第２の帰還抵抗の他端と接地との間に接続されたスイッチ回路を備える。電力増幅回路は、第１の信号入力端子と基準電圧が印加される基準端子との間に接続された第１の入力抵抗を備える。電力増幅回路は、第２の信号入力端子と基準端子との間に接続された第２の入力抵抗を備える。電力増幅回路は、電源電圧を監視し、電源電圧の値に応じてスイッチ回路を制御する中点電位制御回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＢＴＬ方式のパワーアンプにおいて、警報音発生の応答性を高めつつ、警報音停止時のポップ音の発生を抑えられる車両用警報装置の提供。
【解決手段】警報装置２４は第１出力信号を出力する第１オペアンプ７０と第２出力信号を出力する第２オペアンプ７２とを有する。信号発生回路９０は静電容量部９４と静電容量部９４の充電時と放電時とで抵抗値が変化する抵抗部９２とを有しミュート作動信号及びミュート解除信号の入力により電圧信号をトランジスタＴｒａに入力する。トランジスタＴｒａはミュート解除時の電圧信号の入力で電圧信号の電圧変化時間に合わせて基準電圧を徐々に上昇させ、ミュート作動時の電圧信号の入力で電圧信号の電圧変化時間に合わせて基準電圧を徐々に下降させる。抵抗部９２の抵抗値はミュート解除信号への切替り時の電圧信号の変化時間がミュート作動信号への切替り時の電圧信号の変化時間よりも長くなるように設定される。 （もっと読む）

【課題】低電圧までの広い電圧範囲で動作可能で、バイアス電流の温度係数を設定可能なバイアス回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】電流生成回路と、電圧生成回路と、を備えたことを特徴とするバイアス回路が提供される。前記電流生成回路は、接合部の面積の異なる２つのＰＮ接合の順方向電圧の電圧差に基づいて第１の電流を生成し、前記２つのＰＮ接合のうちの接合部の面積の小さいＰＮ接合の順方向電圧に基づいて前記第１の電流の温度係数と異なる極性の温度係数を有する第２の電流を生成する。前記電圧生成回路は、前記第１の電流と前記第２の電流とを合成した電流から基準電圧を生成する。 （もっと読む）

【課題】 入力される高周波信号のレベルが小さい時はＮＦ特性を十分に向上すると共に、高周波信号のレベルが大きい時は歪特性を十分に向上する。
【解決手段】 ＴＲ１のコレクタに接続されているコイルＬ２（負荷手段）とＶｃｃとの間に接続された抵抗Ｒ９と、該抵抗Ｒ９に並列接続された制御電圧Ｖｇｃに応じてオン／オフするＴＲ３と抵抗Ｒ８との直列回路とからなるバイアスコントロール部１１を備えている。入力信号のレベルが小さい時は、制御電圧ＶｇｃによりＴＲ２，ＴＲ３がオフすることにより、ＴＲ１のバイアスが浅くなってＮＦ特性が向上され、入力信号のレベルが大きい時は、制御電圧ＶｇｃによりＴＲ２，ＴＲ３がオンすることにより、ＴＲ１のバイアスが深くなって歪特性が向上される。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積を増加させることなく、各トランジスタの負荷インピーダンスを均一にすることができる高周波電力増幅器を得る。
【解決手段】半導体チップ２上に、トランジスタ３ａ，３ｂと、トランジスタ３ａ，３ｂに隣接したコレクタパッド４ａ，４ｂとが設けられている。トランジスタ３ａ，３ｂとコレクタパッド４ａ，４ｂはそれぞれコレクタ配線６ａ，６ｂにより接続されている。半導体チップ２外に外部パッド８が設けられている。この外部パッド８に出力端子９が接続されている。コレクタパッド４ａ，４ｂと外部パッド８はそれぞれワイヤ１０ａ，１０ｂにより接続されている。コレクタパッド４ａは、コレクタパッド４ｂよりも外部パッド８から遠い位置に配置されている。コレクタパッド４ａから出力端子９までの電気長は、コレクタパッド４ｂから出力端子９までの電気長と同じである。 （もっと読む）

【課題】電流信号の伝送線上の負荷に流れる電流の値の変化を低減させることのできる定電流回路およびフィールド機器を提供する。
【解決手段】電流（電流信号）Ｉ_Sが流れる伝送線Ｌ１上の負荷Ｆに対して直列に接続され、該負荷Ｆに流れる負荷電流Ｉ₁の値を検出する電流検出部２１と、負荷Ｆおよび電流検出部２１の上流で伝送線Ｌ１から分流して負荷Ｆおよび電流検出部２１の下流で伝送線Ｌ１に合流するバイパス電流Ｉ₂の値を、負荷電流Ｉ₁の値に基づいて制御する電流制御部２５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】位相余裕を減らすことなく電源立ち上げ時における出力電圧の立ち上がりを速くする。
【解決手段】電源電圧が立ち上がると、入力電圧ＶinpがＶinmよりも高くなるので、トランジスタ９がオン、トランジスタ１０がオフとなり、差動対１１に供給される動作電流は全てトランジスタ９に流れる。電流検出回路６２に電流が流れないので、トランジスタ７３がオフし、第２の定電流回路６９が出力する増分動作電流Ｉ２は、ダイオード７２を通して差動対１１に流れ込む。トランジスタ９に流れる電流は定常動作電流Ｉ１＋増分動作電流Ｉ２となり、位相補償コンデンサ８の充電電流が増えて出力電圧Ｖｏの立ち上がりが速くなる。 （もっと読む）

【課題】素子ばらつきや周波数特性に対して鈍感であり低損失な電力増幅器を得る。
【解決手段】入力端子ＩＮから入力した入力信号を増幅素子Ｔｒ１が増幅する。増幅素子Ｔｒ１の出力信号を増幅素子Ｔｒ２が増幅する。増幅素子Ｔｒ２の出力信号は出力端子ＯＵＴから出力される。増幅素子Ｔｒ２の出力と出力端子ＯＵＴとの間に整合回路Ｍ３ａ，Ｍ３ｂが接続されている。増幅素子Ｔｒ１の出力と増幅素子Ｔｒ２の入力との間にスイッチＳＷ１が接続されている。増幅素子Ｔｒ１の出力にスイッチＳＷ２の一端が接続されている。整合回路Ｍ３ａ，Ｍ３ｂは、増幅素子Ｔｒ２の出力と接地点との間に直列に接続されたインダクタＬ５及びキャパシタＣ１を有する。インダクタＬ５とキャパシタＣ１を接続する接続点Ｘに、スイッチＳＷ２の他端が接続されている。 （もっと読む）

【課題】デバイスの温度変動および／またはプロセス変動に起因するＭＯＳデバイスのバイアス条件の変動を正確に補償できる技術を提供する。
【解決手段】ＩＣデバイスがゲート端子、ソース端子およびドレイン端子を有するＭＯＳデバイスを備え、ゲート端子はＩＣデバイスの入力部に動作可能に結合され、ドレイン端子はＩＣデバイスの出力部に動作可能に結合され、ソース端子は負電圧供給源に結合している。ＩＣデバイスは、さらに、ＭＯＳデバイスのゲート端子に動作可能に結合されているバイアス発生器を備え、このバイアス発生器は、ＭＯＳデバイスにほぼ一定の静止動作点でバイアスをかけるバイアス電圧および／またはバイアス電流を発生する。バイアス発生器は、バイアス電圧および／またはバイアス電流がＭＯＳデバイスの接合温度の関数として変化するように構成されている。このようにして、バイアス発生器が、ＭＯＳデバイスの１つまたは複数の動作条件を正確にたどり、それによってデバイスの性能を向上させる。 （もっと読む）

【課題】同相入力電流成分に対する耐性を大きくする。
【解決手段】差動トランスインピーダンス増幅器は、入力信号合成回路１２で得られた、入力端子ＩＴ，ＩＣのそれぞれの信号を合成した同相入力電圧と、出力信号合成回路１５で得られた、出力端子ＯＴ，ＯＣのそれぞれの信号を合成した参照電圧との差電圧に応じた制御信号を制御用増幅器１３で生成し、可変電流源ＩＳ１，ＩＳ２で、この制御信号に応じた量の電流を入力電流信号から引き抜く。入力信号合成回路１２は、抵抗Ｒ３１〜Ｒ３３と、容量Ｃ３１とから構成される。出力信号合成回路１５は、抵抗Ｒ４１〜Ｒ４３と、容量Ｃ４１とから構成される。 （もっと読む）

【課題】 蓄積手段に蓄積された電圧が無駄に放電されることを防止する。
【解決手段】 コンパレータＣＯＭＰ１の出力がハイレベルのときに、コンデンサＣ３は、コンデンサＣ１の電圧によって充電される。次に、コンパレータＣＯＭＰ１の出力がローレベルのときに、コンデンサＣ３の電圧が定電流Ｉの生成に使用される。同様に、コンパレータＣＯＭＰ２の出力がハイレベルのときに、コンデンサＣ４は、コンデンサＣ２の電圧によって充電される。コンパレータＣＯＭＰ２の出力がローレベルのときに、コンデンサＣ４の電圧が定電流Ｉの生成に使用される。従って、コンデンサＣ１、Ｃ２の電圧が無駄に放電されることが無く、定電流Ｉの生成に再度利用することができる。 （もっと読む）

【課題】レールツーレールＤＭＯＳ増幅器の出力ステージにバイアスをかけるための方法及び装置を提供する。
【解決手段】本願発明は、増幅器であって、入力信号を受け取るための入力ステージと、前記入力ステージに連結されると共に、前記入力信号に応答して出力ドライバステージに対して駆動信号を提供する高利得ステージと、前記出力ドライバステージに連結された出力端子とを具備することを特徴とする。前記出力ドライバステージは、前記高利得ステージから第１の駆動信号“ｐｄｒｉｖｅ”を受け取る第１の端子、第１の電圧降下を通じてＶＤＤに連結された第２の端子、及び、前記増幅器の前記出力端子に連結された第３の端子を有する高電位側ドライバ回路を備える。 （もっと読む）

【課題】利得可変回路の出力振幅の温度依存性を低減する。
【解決手段】自動利得調整回路は、利得可変回路３の出力信号のピーク電圧を検出するピーク検出回路１０と、利得可変回路３の出力信号の平均値電圧を検出すると共に、平均値電圧に利得可変回路３の所望の出力振幅の１／２の電圧を加える平均値検出・出力振幅設定回路１１と、ピーク検出回路１０の出力電圧と平均値検出・出力振幅設定回路１１の出力電圧との差分を増幅して、増幅結果を利得制御信号として利得可変回路３の利得を制御する高利得アンプ１２とを備える。ピーク検出回路１０の入力端子から出力端子までの経路に挿入されるトランジスタのベース−エミッタ接合の数と、平均値検出・出力振幅設定回路１１の入力端子から出力端子までの経路に挿入されるトランジスタのベース−エミッタ接合の数とは同一である。 （もっと読む）

【課題】端子仕様１、２を機械式スイッチを用いて切替える切替回路を備え、端子仕様切替時における設定エラーを検知して作業者に報知する。
【解決手段】幹線信号用の第１の入力端子３１及び分岐信号用の第２の入力端子３２と、第１の出力端子３３及び第２の出力端子３４との間に第１〜第４のスライドスイッチ３５ａ〜３５ｄを設け、出力端子３３、３４の信号出力状態を端子仕様１又は２に切替えられる構成とする。スライドスイッチ３５ａ、３５ｄの信号出力端間に電流方向によって点灯又は消灯する発光ダイオード６７、６８を設け、スライドスイッチ３５ｃの信号入力側に発光ダイオード５３を設ける。スライドスイッチ３５ａの信号入力側から直流電源Ｅ１を供給し、スイッチ設定が正しい場合は発光ダイオード６７、６８の一方を駆動して端子仕様を表示し、スイッチ操作を誤った場合は発光ダイオード５３を駆動してエラー表示する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、保護回路及びそれを含む絶縁抵抗測定装置に関する。
【解決手段】本発明の保護回路は、印加される電流が予め定められた第１の基準電流となるように電流制御を行う第１の定電流制御部と、第１の定電流制御部と並列に連結され、第１の定電流制御部に印加される電圧が予め定められた第１の基準電圧以上であると、第１の定電流制御部に印加される電流がバイパスされるように制御して電流制御を行う第２の定電流制御部と、を含み、高電圧が印加されても、定電流制御を行って絶縁抵抗を用意に測定することができる。 （もっと読む）