【課題】 回路規模の増加を抑えつつ、高い精度の電流電圧変換を行い、低ノイズの電圧信号を出力する電流電圧変換回路等を提供する。
【解決手段】 電流電圧変換回路１０であって、電圧信号１０１Ｐ、１０１Ｎを出力するオペアンプ２０と、入力された電流信号１００Ｐ、１００ＮのＤＣオフセット電流に応じた電荷を充放電する第１のキャパシタ４０Ｐ、４０Ｎと、オペアンプのオフセット電圧に応じた電荷を充放電する第２のキャパシタ４１Ｐ、４１Ｎと、第１の期間においてオン状態となり第２の期間においてオフ状態となる第１のスイッチ３０Ｐ、３０Ｎおよび第３のスイッチ３２Ｐ、３２Ｎと、第１の期間においてオフ状態となり第２の期間においてオン状態となる第２のスイッチ３１Ｐ、３１Ｎとを含む。 （もっと読む）

【課題】非対称な信号の非対称性を補正する。
【解決手段】第１抵抗は、増幅器の入力ノード及び出力ノードの間に接続され、入力ノードは非対称信号を受信する。第２抵抗は、増幅器の入力ノードに接続される。第２抵抗は、線形レジスタを含む。第３抵抗は、第２抵抗に接続される。出力ノードにおける非対称信号を補正するべく、増幅器によって提供される非対称補正量を調整するように第３抵抗を変化させる。非対称補正量は、第１抵抗及び第２抵抗と第３抵抗との組み合わせの関数である。 （もっと読む）

【課題】温度と無関係に同一の動作および性能特性を示す増幅器を設計することが望まれる。
【解決手段】改良された直線性および低減されたパワー消費を備えた高周波数応答性を与える可変利得増幅器が提供される。改良された直線性および安定した動作のために複数の信号経路および補償回路網を備えた、１段トポロジから構築される増幅器が開示される。この増幅器において、改良された性能は、単一のトランジスタコンポーネントを、局所的な負帰還を組み込むエンハンスされた活性デバイスと置き換えることにより、取得される。本発明の１実施形態は、従来技術に対して、トランスコンダクタンスおよび入力インピーダンスを向上させるエンハンスメント回路である。さらなる発展は、改良された直線性を提供するエンハンスされた活性なカスコード回路である。 （もっと読む）

【課題】消費電流を増加させずにスルーレートを向上する差動増幅回路、表示用駆動回路を提供する。
【解決手段】差動増幅回路は、差動信号を入力する入力段と、入力段の出力に基づいて容量性負荷を駆動する出力段とを具備する。入力段は、差動信号を入力する差動信号入力部（ＭＮ１／ＭＮ２、ＭＮ１１／ＭＮ１２／ＭＰ２１／ＭＰ２２）と、差動入力部にバイアス電流を供給する電流源（ＭＮ３、ＭＮ１０／ＭＰ２０）と、電流源（ＭＮ３、ＭＮ１０／ＭＰ２０）に並列に挿入される可変容量（Ｃｓ）を含むスルーレート調整部（４１４、４１５）とを備える。 （もっと読む）

【課題】単一の演算増幅器を使用して積分器と加算器の両方を実現するスイッチトキャパシタ回路を提供する。
【解決手段】１つの入力信号は、（１）１つまたは複数の積分ブランチと、（２）１つまたは複数の第１の加算ブランチとを介して演算増幅器の入力に送られる。第２の入力信号は、１つまたは複数の第２の加算ブランチを介して演算増幅器の入力に送られる。ブランチの各々は、キャパシタと、異なるクロック位相によって制御されるいくつかのスイッチとを含む。スイッチトキャパシタ回路はシングルエンドまたは差動とすることができる。 （もっと読む）

【課題】無駄な電流や信号の歪みを発生させることなく、抵抗素子層の周辺の半導体基板や、抵抗素子層の上部を通過する電源線、信号線等の電位によって抵抗値が変化するのを抑えることのできる抵抗素子及び反転バッファ回路を提供する。
【解決手段】抵抗素子１０は、半導体基板１４上に、第１の電極１１及び第２の電極１２を有する抵抗素子層１３が形成されている。第１の電極１１の電位によってバイアスされた第１の導電層１５と、第２の電極１２の電位によってバイアスされた第２の導電層１６とで、抵抗素子層１３の下部が均等に覆われている。このように、両端をバイアスされた抵抗素子層１３の下部又は上部の少なくとも一方を覆う第１の導電層１５及び第２の導電層１６によって、抵抗素子層１３の周辺の半導体基板１４等との電圧差による抵抗値の変化を相殺することで、抵抗値の変化を抑える。 （もっと読む）

【課題】広いダイナミックレンジを確保しつつレンジ切換処理による遅延をなくして、レベル変化が激しい場合にも対応可能にする。
【解決手段】フォトダイオード１１、演算増幅器１２ａおよび第１の抵抗１２ｂとで構成され、フォトダイオード１１の出力電流と第１の抵抗１２ｂの抵抗値との積に絶対値が等しい電圧を出力する反転アンプ１２と、第１の抵抗１２ｂより小さい抵抗値を有し、電源の正側とフォトダイオード１１との間に挿入された第２の抵抗２１と、第２の抵抗２１の両端の電圧を出力する差動増幅器２２と、フォトダイオード１１と演算増幅器１２ａの反転入力端子の接続点とアース間に接続され、反転アンプ１２が飽和していないときには非導通状態、飽和しているときには導通状態となってフォトダイオード１１の出力電流をバイパスさせるダイオード２３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＤＣオフセットキャンセル回路の回路規模と消費電力とを低減する。
【解決手段】差動増幅器５の非反転出力端子と反転出力端子にＤＣオフセットキャンセル回路５１の差動入力端子が接続され、キャンセル回路５１の出力信号は差動増幅器５の出力ＤＣオフセット電圧を低減する。回路５１はオンチップローパスフィルタ５１と直流制御増幅器５１２を有し、フィルタ５１１は第１定電流源ＣＳ１、差動対の第１と第２のトランジスタ素子Ｍp1、Ｍp2、オンチップ容量Ｃ１を含む。第１定電流源ＣＳ１は素子Ｍp1、Ｍp2の共通電極に接続され、回路５１の差動入力端子Ｖinp、Ｖiinは素子Ｍp1、Ｍp2の制御入力電極に接続される。オンチップ容量Ｃ１の一端と他端に素子Ｍp1、Ｍp2の出力電極とが接続され、直流制御増幅器５１２は容量Ｃ１の両端の電圧に直流的に応答する。 （もっと読む）

【課題】高い周波数までの二次歪成分を除去し、出力電流信号の線形性を向上させることができ、二次歪耐性（IIP２）を向上させることができる広帯域増幅器を実現する。
【解決手段】第１及び第２のＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２による差動対が発生する二次歪成分電流と逆極性の電流信号を差動対の負荷電流源となる第３及び第４のＭＯＳトランジスタＱ３，Ｑ４によって発生し、逆極性の二次歪電流を相互に打ち消し合うように作用させて線形性を向上させ、更に、第１及び第２のＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２の入力へのバイアスを設定する第１のバイアス回路を第１及び第２のＭＯＳトランジスタのドレイン電流が流れるように、且つ、該ドレイン電流をゲート電圧で二回微分した成分の絶対値が極小となるようなバイアス値を得るようにし、且つ、第３及び第４のＭＯＳトランジスタＱ３，Ｑ４のサイズを二次歪み成分が主成分である電流を生成するように設定する。 （もっと読む）

【課題】抵抗を使用せずナノアンペアレベルの電流で動作可能なＢＧＲ回路及びサブＢＧＲ回路を提供する。
【解決手段】電流源回路１０は所定の電流を発生し、電圧発生回路２０は、ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１を含み、電流源回路１０からの電流に基づいて、半導体素子のバンドギャップ電圧に基づいた負の温度特性を有するＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１のベースエミッタ間電圧Ｖ_ＢＥを出力し、温度特性制御回路３０は、電流源回路１０からの電流に基づいてベースエミッタ間電圧Ｖ_ＢＥの負の温度特性を実質的に相殺する正の温度特性を有する電圧Ｖ_ＧＧを発生し、ベースエミッタ間電圧Ｖ_ＢＥに電圧Ｖ_ＧＧを加算して出力電圧Ｖ_ＲＥＦ１を出力する。 （もっと読む）

【課題】受信装置の終端抵抗器の抵抗値がばらついている場合であっても安定した通信を行うことができる送信装置を提供する。
【解決手段】送信装置１０Ａは、第１トランジスタ１１、第２トランジスタ１２、電流源１３、送信回路１４、差演算部１５および電流調整部１６を備える。トランジスタ１１，１２は差動対を構成している。差演算部１５は、トランジスタ１１，１２のうちの一方がオン状態で他方がオフ状態であるときの第１出力端１０ａおよび第２出力端１０ｂそれぞれからの出力電圧値を入力して、これら２つの出力電圧値の差（対象電圧）を求める。電流調整部１６は、この対象電圧を入力するとともに、参照電圧入力端１０ｄに入力された参照電圧を入力して、参照電圧に基づいて対象電圧を評価し、その評価結果に基づいて、対象電圧が目標値または目標範囲内となるように電流源１３の出力電流値を調整する。 （もっと読む）

【課題】第２の入力信号に重畳されたノイズを増幅せずに第１の入力信号の信号レベルを変換することができる信号レベル変換回路並びにこれを用いた物理量検出装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】信号レベル変換回路１は、第１の差動増幅回路１０と第２の差動増幅回路２０とを含む。第１の差動増幅回路１０は、第１の入力信号と第２の入力信号の電位差をＧ１倍して出力する。第２の差動増幅回路２０は、第１の差動増幅回路１０の出力信号と第２の入力信号との電位差をＧ２倍して出力する。この２つのゲインＧ１とＧ２は、Ｇ１×Ｇ２＜０かつ０＜−（Ｇ１＋１）×Ｇ２＜２の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】０ＶからＶＤＤの範囲でダイナミックに変化する差動入力電圧の全ての入力電圧範囲において出力電流を変化させることができる電圧電流変換回路を提供する。
【解決手段】電圧電流変換回路は、第１および第２の負荷抵抗と第１の電流源との間に接続された第１および第２のＭＯＳトランジスタと、第１および第２の負荷抵抗と第２の電流源との間に接続された第３および第４のＭＯＳトランジスタとを備える。第１および第４のＭＯＳトランジスタのゲートには差動入力電圧の一方および他方が入力され、第２および第３のＭＯＳトランジスタのゲートにはバイアス電圧が入力される。バイアス電圧は、差動入力電圧のいずれかが電源電圧のときを除いて第２および第３のＭＯＳトランジスタの両方がオンする電圧に設定されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を用いた音響用増幅装置において、その特性を三極管アンプの特性に近似させると共に、負荷に供給される出力信号の歪み成分を低減することを目的とする。
【解決手段】入力端子Ｔ１は、差動増幅回路１２の正相端子に接続されている。差動増幅回路１２の逆相端子はトランジスタ１０のエミッタ電極に接続され、出力端子はトランジスタ１０のベース電極に接続されている。トランジスタ１０のコレクタ電極と入力端子Ｔ１との間には、入力側抵抗器Ｒ２が接続され、入力端子Ｔ１と接地導体との間には副入力側抵抗器Ｒ３が接続されている。トランジスタ１０のエミッタ電極と接地導体との間には出力側抵抗器Ｒ１が接続されている。そして、トランジスタ１０のコレクタ電極には、負荷端子ＴＬが接続されている。 （もっと読む）

【課題】２つ以上の送信周波数を使用する金属検出システムを提供する。
【解決手段】少なくとも２つの送信周波数グループから選択される送信周波数を有する送信信号を生成する送信装置３と接続される送信コイル４と、受信装置５に含まれる少なくとも１つの増幅装置１４，１５の信号入力へ出力信号を提供し、出力信号が、システムが平衡状態にあるように相互に相殺する第１及び第２の受信コイル６，７とを備えた、平衡コイルシステムを含む金属検出システム１を作動させる。制御装置１６が、少なくとも１つの増幅装置１４，１５の信号入力と接続される少なくとも１つの制御可能インピーダンス装置１２，１３の制御入力に提供される制御信号を送信装置３の送信周波数に従って生成し、送信周波数が増減されるとき、インピーダンス値が増減されるような方法で制御信号が、制御可能インピーダンス装置１２，１３のインピーダンス値を制御する。 （もっと読む）

【課題】線形性能が優れたＧｍアンプ、このＧｍアンプを用いて高速動作が可能で、入力電圧範囲が広く、かつ線形性能の優れたＧｍ−Ｃフィルタを提供する。
【解決手段】入力信号が端子１７、１８から供給され、ソース端子が電源端子に接続されるＭＯＳトランジスタ１１、１２、同相制御信号がゲート端子から供給されるＭＯＳトランジスタ１３、１４、出力信号を出力する出力端子対の平均電圧を一定にするためＭＯＳトランジスタ１３、１４のゲート端子に同相制御信号を出力する同相制御アンプ１５、入力信号を入力して、ＭＯＳトランジスタ１１、１２に入力される入力信号の大小に応じて基板電圧を制御する基板制御信号をＭＯＳトランジスタ１１、１２の基板端子に供給する基板電圧制御回路２１、２２によってＧｍアンプを構成する。 （もっと読む）

【課題】出力電圧におけるひずみを低減すること。
【解決手段】制御回路２７は、第１の差動対２１と高電位電源ＶＤとの間に接続されたトランジスタＴＰ１１に流れるバイアス電流ｉａ１と等しい電流ｉａ３を高電位電源ＶＤとノードＮ１３との間に生成する。また、制御回路２７は、バイアス電圧ＶＧ１に応じた電流ｉｂ２をノードＮ１３とグランドＧＮＤとの間に生成する。ノードＮ１３は、トランジスタＴＰ１３に接続され、電流源として動作するトランジスタＴＰ１２は、トランジスタＴＰ１３に流れる電流ｉａ５と等しいバイアス電流ｉａ２を第２の差動対２２に供給する。そして、制御回路２７は、入力電圧ＶＰがゲートに供給されるトランジスタＴＮ３３により、ノードＮ１３とグランドＧＮＤとの間に流れる電流を制限する。 （もっと読む）

【課題】 センサ回路の帯域を広げると共に、増幅器からの出力ノイズが低減される回路を提供する。
【解決手段】 回路は、浮遊容量値を持ったセンサを有している。センサからの出力は、増幅器の入力に接続されており、他方、負の容量回路は、電気的に、センサ出力に並列に接続されている。負の容量回路はセンサの浮遊容量の効果を低減し、増幅器出力において、帯域を増大し、そして、ノイズを低減する。 （もっと読む）

【課題】高電圧領域においても高精度に電流設定が可能な電流設定回路を提供する。
【解決手段】 基準電圧Ｖｉｓｅｔに基づいて出力アンプ１から負荷回路１００に出力した出力電流Ｉｏｕｔを差動アンプ２を用いて出力アンプ１に帰還させることにより出力電流Ｉｏｕｔを制御する電流設定回路において、
負荷回路１００の電圧Ｖｄｕｔに応じて差動アンプ２のコモンモード誤差Ｅｃを補正する補正部１０を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】保護対象のスイッチング素子のラッチアップを阻止することができる保護装置、相補型保護装置、信号出力装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】ＰＭＯＳトランジスタ１０６に対して過電流が流れていない状態でＰＭＯＳトランジスタ１０６を非導通状態にする場合、ＰＭＯＳトランジスタ２０Ａ及びＰＭＯＳトランジスタ２２の各々を導通状態とするように制御し、ＰＭＯＳトランジスタ１０６に対して過電流が流れている状態でＰＭＯＳトランジスタ１０６を非道通状態にする場合、ＰＭＯＳトランジスタ２０Ａを導通状態にすると共にＰＭＯＳトランジスタ２２を非導通状態にするように制御する。 （もっと読む）