【課題】従来の較正方法と比べてあまり時間がかからない較正を適用するより正確な位置測定システムを提供する。
【解決手段】位置測定システムは、第１部分ＥＧおよび第２部分ＥＳと、計算ユニットと、を備える。第１部分および第２部分は、第２部分に対する第１部分の位置を表す位置信号を提供することによって第２部材に対する第１部材の位置を決定する。計算ユニットは、位置信号を受信するための入力端子を含む。計算ユニットは、使用中、位置信号に変換を適用して第２部材に対する第１部材の位置を表す信号を得るように、および、変換に調整を適用して第１部分または第２部分あるいは両方のドリフトを少なくとも部分的に補償するように、構成される。調整は、第１部分または第２部分あるいは両方のそれぞれの所定のドリフト特性に基づく。所定のドリフト特性は、第１部分および／または第２部分の１つ以上の基本形状を有する。 （もっと読む）

【課題】レジストに対するマスクの位置合わせを簡略化することができる半導体装置形成方法を提供する。
【解決手段】半導体装置形成方法は、半導体装置を形成する基板１０上に、下層レジスト１２、金属層１４、上層レジスト１６がこの順序で配された加工対象を準備する段階と、上層レジスト１６にパターンを形成する段階と、上層レジスト１６のパターンを用いて、下層レジスト１２が耐腐食性を有するエッチング液で金属層１４を腐食することにより、金属層１４にパターンを形成する段階と、金属層１４のパターンに光を照射して、金属層１４のパターンのエッジから近接場光を発生させることにより、金属層１４のパターンよりも微細なパターンを下層レジスト１２に形成する段階と、下層レジスト１２のパターンを基板１０上に転写する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】フィルムの熱膨張及び熱収縮並びに蛇行等により、露光対象のフィルムが幅方向に変形又は偏倚した場合においても、マスクを取り替えることなく、フィルムに対し高精度で所定位置に露光できるようにする。
【解決手段】露光対象のフィルム１に対し、光源５Ａ，５Ｂから出射された露光光は、夫々、アパーチャ３Ａ及びマスク２Ａ，２Ｂを透過して、照射される。マスク２には、フィルム移動方向に対して傾斜する複数本のスリット２ｂが設けられ、その幅及び間隔は、フィルム移動方向に沿って線形的に変化するように設けられている。アパーチャ３には、フィルム移動方向に直交する方向に延びる開口３ｂが設けられており、制御装置は、カメラ７により検出される基板アライメントマーク１ａ及びマスクアライメントマーク２ｅの位置に基づいて、マスク２をアパーチャ３に対して相対的にフィルム移動方向に移動させる。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザモジュールの光軸方向の調整機構と光軸に直交する方向の調整機構を分離し、調整済の半導体レーザモジュールをアレイ状に配列し調整を容易にする。
【解決手段】半導体レーザ１１と、筒部の内径は半導体レーザ１１の位置調整のためにＬＤ外径より大きく形成されているＬＤ固定ホルダ１２と、調整スペース部の内径は半導体レーザの位置調整のためにＬＤ台座外径より大きく形成され、ＬＤ調整ピンを差し込む複数の貫通孔が設けられているＬＤ固定キャップ１３と、レーザ光を平行光にする非球面レンズ２１と、非球面レンズ２１を中心線を合わせて挟むためのテーパー部および円筒スリーブ部を有する非球面レンズ固定スリーブ２２と、ＬＤ固定ホルダ１２の開口部に差し込まれるための円筒管部を有し、円筒管部の内側には非球面レンズ固定スリーブ２２を保持するための嵌め合い部を有する非球面レンズホルダ２３とからなる半導体レーザモジュール。 （もっと読む）

【課題】ＲＩＰパラメータを設定する都度、当該ＲＩＰパラメータに基づくＲＩＰ展開によって生成された図形の描画に供される画像データを、描画処理の実行前に、容易に確認できる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】画像処理装置２は、設計データＤ０が表す所定の処理領域ＲＴを設定する処理領域設定部２５と、指定パラメータＰａ１用いて、処理領域ＲＴの表示倍率に応じた解像度で、処理領域に対応する設計データＤ０をＲＩＰ展開する表示用ＲＩＰ展開部２６とを備える。表示用ＲＩＰ展開部２６におけるＲＩＰ展開は、直接描画のための描画用ＲＩＰ展開よりもデータ処理量を抑制した表示用ＲＩＰ展開であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数回のリソグラフィ工程を実施することなく、多段の凸形状からなる微細３次元構造パターンを形成することが可能なパターン形成方法及びパターン形成体を提供する。
【解決手段】基板９００の面上に第１と第２のエッチングマスク層１００，２００と、パターニング処理した第３層目のエッチングマスク３０１を積層し、この第１層目から第３層目のエッチングマスク層１００，２００、３０１において、隣接する上層のエッチングマスクをエッチング用マスクとして下層のエッチングマスクをエッチングし上層のエッチングマスクに形成されたパターンを下層のエッチングマスクに転写する。そして、第３層目のエッチングマスク３０１のパターンをトリミングした後、該トリミング後のエッチングマスクとエッチング後の第１及び第２層目のエッチングマスクを用いて基板を順にエッチングし、第１及び第２層目のエッチングマスクのパターンを基板９００に転写する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化を実現しつつ基板の処理効率の低下を抑制可能な光照射装置、基板処理装置および光照射装置の制御方法を提供する。
【解決手段】エッジ露光部においては、エッジ露光処理として基板の周縁部の露光処理が行われる。エッジ露光部は、基板の周縁部を露光する露光用光の露光用光源を備える。露光用光源には、ランプ駆動部から電力が供給される。ランプ駆動部は制御部により制御される。制御部は、基板にエッジ露光処理を行うエッジ露光処理期間に通常モードを設定する。通常モードにおいては、露光用光源に第１の電力ＰＷ１が供給される。制御部は、エッジ露光処理期間を除く非処理期間に省電力モードを設定する。省電力モードにおいては、露光用光源に第１の電力ＰＷ１よりも小さい第２の電力ＰＷ２が供給される。 （もっと読む）

【課題】描画処理の実行前に、互いに異なる２つのＲＩＰパラメータ各々に基づくＲＩＰ展開によって生成された、図形の描画に供される２つの画像データの差分を見落とすことなく速やかに確認できる技術を提供する。
【解決手段】画像処理装置２は、設計データＤ０が表す所定の処理領域を設定する処理領域設定部２５と、指定パラメータＰａ１と基準パラメータＰａ２とのそれぞれを用いて、処理領域の表示倍率に応じた解像度で、処理領域に対応する設計データＤ０をＲＩＰ展開する表示用ＲＩＰ展開部２６とを備える。指定パラメータＰａ１に基づくＲＩＰ展開によって得られた指定画像Ｄ２１と、基準パラメータＰａ２に基づくＲＩＰ展開によって得られた基準画像Ｄ２２との差分Ｓが抽出され、その差分Ｓを視覚的に強調した態様で処理領域表示画面８１に指定画像Ｄ２１と基準画像Ｄ２２とが表示される。 （もっと読む）

【課題】基板表面に対して光ビームを照射して描画する描画装置およびその焦点調整方法において、収束光学系の経時変化に対応することができ、しかも描画時の基板表面に収束光学系の焦点位置を適正に調整することのできる技術を提供する。
【解決手段】観察光学系８０のダミー基板８０１と観察用カメラ８０３とを一体的に昇降可能とする。ダミー基板８０１の上面８０１ａをステージ１０上の基板Ｗの表面Ｓと略同一の高さに設定し、観察用カメラ８０３により観察されるダミー基板上面８０１ａでの描画光学像が最も小さくなるように、光学ヘッド４０ａのフォーカシングレンズ４３１の位置を調整する。このときの光学ヘッド４３１とダミー基板上面８０１ａとの距離を基準距離として、オートフォーカス部４４１，４４２によるオートフォーカス動作を実行する。 （もっと読む）

【課題】一連の露光工程を含む半導体装置の製造において、縦横比が可変な露光装置と縦横比が固定の露光装置を使い分けることにより、半導体装置の製造費用を低減させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、縦横比が可変な第１の露光装置により、被処理基板上において合わせ層を被合わせ層に対して位置合わせして露光する第１の工程と、縦横比が固定された第２の露光装置により、前記合わせ層に次の合わせ層を位置合わせして露光する第２の工程と、を含み、前記第１の工程では、前記合わせ層を被合わせ層に、第１の縦横比で位置合わせした後、前記合わせ層を基準層に対して位置合わせすることにより、前記第１の縦横比を第２の縦横比に調整する工程を含む。 （もっと読む）