【課題】 金属筐体内に実装した際に、導波管モードで伝搬する不要電波を吸収し、周波数特性の安定した動作を行う高周波用パッケージを提供する。
【解決手段】 高周波用デバイスを搭載し、外部への接続回路が形成されたベース部と、ベース部をカバーするキャップ部とを備えた高周波用パッケージにおいて、キャップ部に、高周波用パッケージを金属筐体内に実装した際、金属筐体内に発生する導波管モードの不要電波を吸収する電波吸収体を備えている。電波吸収体は、誘電損失の大きい誘電体、または誘電損失、磁気損失の大きい鉄、カーボン、フェライトを混合した誘電体、あるいは抵抗皮膜で形成される。 （もっと読む）

【課題】 帯電防止性、密着性、パターン形成性等のいずれかに優れ、かつ、たとえば加熱、洗浄等の処理を行っても、ＥＳＤ等の静電気障害から電子素子等を保護することのできる電子装置および電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 電子装置上に、活性エネルギー線によりパターン化可能な材料を含む帯電防止前駆体層を形成し、帯電防止前駆体層上に帯電防止材料層を形成し、帯電防止材料層から帯電防止前駆体層に帯電防止材料を浸透せしめて、帯電防止前駆体層を帯電防止層となし、帯電防止材料層を溶解可能な液体で電子装置から帯電防止材料層を除去し、活性エネルギー線を照射して帯電防止層をパターン化し、現像処理により、パターン化された帯電防止層を形成する。 （もっと読む）

【課題】個々の半導体装置が具備する情報を樹脂封止，外部端子形成面にウェハ状態で一括して捺印することで、再配線の設計自由度を向上させると共に、捺印工程に必要とされる時間を大幅に短縮し、製品のリードタイムを向上させることができ、またシリコンの薄型化に伴う、レーザ光の透過によるデバイス領域の破壊を防止する。
【解決手段】半導体素子が形成されたシリコン基板１１，封止樹脂である第２絶縁層２１，外部金属端子２２などから構成された半導体装置１０において、前記第２絶縁層２１上に、当該半導体装置１０を識別するための各種情報、例えばロット番号，実装時の半導体装置の配置方向性の基準となるマークなどの情報部分を捺印２７として形成する。 （もっと読む）

【課題】金属板の反りが抑制された半導体装置用パッケージ、半導体素子にかかる応力が低減され、放熱性が優れ、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置用パッケージは、一方の主面に半導体素子が固定される載置部１０６を含む金属板１０１と、金属板の一方の主面に固定され、載置部に対応する位置に厚み方向に貫通する開口部１０９を有する樹脂含有成形体１０２と、樹脂含有成形体の金属板側の面の反対面に設けられた配線パターン１０３と、配線パターンに電気接続されたリード端子１０４と、開口部を覆うように樹脂含有成形体に接合された樹脂含有蓋１０５とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】コア回路と、入力回路と、出力回路とを備えた半導体パッケージにおいて、コア回路のノイズが入力回路及び出力回路に伝播するのを防ぐとともに、クロック信号等の繰り返し周期の信号が入力回路からコア回路へ、もしくはコア回路から出力回路へ伝送される時に発生するノイズを同時に低減すること。
【解決手段】本発明は、コア回路のノイズを他の回路ブロック特に出力回路に伝わらないようにコア回路ブロックとコア回路以外の電源は分離して、かつグラウンドは完全には半導体内部で分離しないで、もう１つの放射ノイズの発生原因となる繰り返し周期信号を伝送する信号配線の近傍にグラウンドパターンを配置する。このグラウンドパターンの位置と幅を規定することで、前記二つの要因で発生するノイズの和が最小となるようにする。 （もっと読む）

【課題】 鮮明にマーキングを行うことができ、クラックが発生するのを防止することもできる。
【解決手段】 紫外線レーザ光１によってマーキング３０を施すようにしている。紫外線レーザ光１としては、例えば波長が１００〜４００ｎｍの範囲からなり、各種の硬質材料の全てに対して明確にマーキングを施せ、熱衝撃によるクラックを生じさせることのない必要があることから、１５７ｎｍ以上３５５ｎｍ以下の範囲であることが好ましく、更には熱衝撃に特に弱い硬質材料も存在することから、３００ｎｍ以下が望ましい。レーザ発振源としては、Ｌｉ_２Ｂ_４Ｏ_７、ＣｓＬｉＢ_６Ｏ_１０、β−ＢａＢ_２Ｏ_４、Ｓｒ_２Ｂｅ_２ＢＯ_７などの結晶を利用した固体からなる。 （もっと読む）

【課題】保護すべき電子組立部品を有し、扁平な携帯用製品に組み込まれる電子装置の無線高周波の放出を不正な者が検出することを防ぐ。
【解決手段】保護すべき少なくとも一つの組立電子部品（１）の上面（１１）と下面（１２）の少なくとも一つ（１１）と、前記組立電子部品（１）から放出する電磁（ＥＭ）および／または高周波（ＲＦ）電界に対抗する少なくとも一つの遮蔽層（２０、１２０）とを有し、前記遮蔽層（２０，１２０）が５００を超える大きさの高い非透磁率μ_rを有する軟磁性材料からなる少なくとも一つの第１の層（２１、１２１）を有し、前記遮蔽層（１２０）が機械的研磨や化学的腐食に良好な耐性を示す機械的硬質層である追加の外層（１２４）をさらに有し、前記遮蔽層（２０，１２０）が、前記上面（１１）および下面（１２）の少なくとも一つ（１１）の、外部装置と接続する前記電気接続端子を設けるための予め設定された領域（１ａ、２３，１２３）を除いたほぼ全表面上に設けられている。 （もっと読む）

本発明により初めて、例えばカプセルから基板への移行部のようなカプセル封止の弱部または電子的な素子全体を保護フィルムで被覆したために、カプセル封止のこれまで公知の技術を遙かに凌駕する高い密度を有するカプセル封止が開示される。
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単一基板水素・マイクロ波吸収体（２０）が金属集積マイクロ波アセンブリ（１０、１０' ）内のスプリアスマイクロ波信号を減衰させ、集積マイクロ波アセンブリ（１０、１０' ）内に実装される、水素に反応しやすい部品の水素による汚染を低減する。単一基板水素・マイクロ波吸収体（２０）は、チタン基板（３０）を含み、その中にチャネル（３２）が互いから所定の距離だけ離隔して配置される。マイクロ波吸収材料（３４）の層がチャネル（３２）間にあるチタン基板（３０）の部分（３５）の上に形成され、水素吸着材料（３６）の層がチタン基板（３０）のチャネル（３２）内に形成される。
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電磁干渉（ＥＭＩ）シールド及び／又は電磁放射シールドは、導電層（４２，６４）をモールド封入材（３５，６２）上に形成することによって形成される。ワイヤを使用して導電層（４２，６４）を、半導体パッケージ（２，５０）のリードフレーム（１０，５２）に電気的に接続することができる。電気的接続は、リードフレーム（１０）の二つのデバイス部（２，４，６，８）をワイヤボンディングし、次いで上層のモールド封入材（３５）に溝（４０）を形成することによりワイヤボンド（３２）をカットして、２本のワイヤ（３３）を形成することによって行うことができる。次いで２本のワイヤ（３３）のそれぞれに導電層（４２）を電気的に接続する。別の実施形態では、半導体ダイ（５７）の上面にループ状ワイヤボンド（６１）が形成される。モールド封入後、モールド封入材（６２）を数箇所除去してループ状ワイヤボンド（６１）の数箇所を露出させる。次いで、導電層（６４）がループ状ワイヤボンド（６１）に電気的に接続されるように、モールド封入材（６２）及びループ状ワイヤボンド（６１）の露出部分上に導電層（６４）を形成する。
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