説明

国際特許分類[H03K3/02]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | パルス技術 (16,231) | 電気的パルスの発生回路;単安定回路,双安定回路,多安定回路 (1,702) | パルスの発生に用いられる回路形式または手段によって特徴づけられた発生器 (1,478)

国際特許分類[H03K3/02]の下位に属する分類

能動素子として二種類以上の素子または手段の使用によるもの,例.BIMOS,IGBTのような複合装置
内部または外部正帰還をもつ,差動増幅器または比較器を用いるもの (124)
内部または外部正帰還をもつ,論理回路を用いるもの (450)
能動素子として正帰還をもつ真空管だけを用いるもの
能動素子として内部または外部正帰還をもつバイポーラトランジスタを用いるもの (51)
能動素子として2個の電極,1個または2個の電位跳躍障壁をもち,負性抵抗特性を示す半導体装置を用いるもの (2)
能動素子としてホール蓄積またはエンハンスメント効果を示す半導体装置のを用いるもの (1)
能動素子として3以上の電極をもちかつアバランシェ効果を示す半導体装置を用いるもの
能動素子として3以上のPN接合,または4以上の電極,または同一伝導領域に接続された2以上の電極をもつバイポーラ半導体装置を用いるもの (2)
能動素子として内部または外部正帰還をもつ電界効果トランジスタを用いるもの (670)
能動素子としてバルク負性抵抗装置,例.ガン効果装置,を用いるもの
能動素子として他に分類されない半導体を用いるもの (2)
能動素子としてガス入り管を用いるもの,例.非安定トリガ回路
能動素子として超電導装置を用いるもの (3)
能動素子として電気化学的電池を用いるもの
能動素子として光−電子装置,すなわち電気的にまたは光学的に結合された発光および光電変換を用いるもの (3)
能動素子として電子ビーム偏向管を用いるもの
能動素子として非線形磁気装置または非線形誘電体装置を用いるもの (14)
外部信号により制御されるスイッチング素子によって負荷を通して放電させられ,かつ正帰還が組みこまれていないエネルギ蓄積素子の使用によるもの (33)
電流磁気効果装置の使用によるもの,例.ホール効果装置 (3)

国際特許分類[H03K3/02]に分類される特許

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【課題】 ワンスイッチでパルス幅が0.3m秒を達成する。
【解決手段】 コンデンサーの放電、または、充電が完了することで、電圧の変化が得られることを利用した技術を利用し、その充電、または、放電が完了する僅かな時間を検出すればいい。その為には、インバーターを利用して電圧を反転し、一旦、コンデンサーに充電させ、放電された電圧をダイオードで負の電圧の部分をカットして、信号を、まず半分にして、また、ダイオードと抵抗を並列に入れて、カットされて残った正の電圧の部分の幅を狭めてやれば、かなり短いワンパルスが得られた。 (もっと読む)


【課題】水晶発振器の出力振幅の調整機能を簡易な構成で実現する。
【解決手段】水晶発振器は、電源に接続される電源端子(VCC)と、接地電位に維持される接地端子(GND)と、電源端子と接地端子とに接続され、電源端子と接地端子との間に印加された電源電圧に基づく振幅レベルの発振信号(V0)を出力する水晶発振回路(6)と、イネーブル信号(VEN1、VEN2)が入力されるイネーブル端子(EN1、EN2)と、イネーブル端子と接地端子とに接続され、水晶発振回路から入力される発振信号を波形整形してイネーブル端子と接地端子との間のイネーブル信号の電圧に応じた振幅レベルの基準クロック信号(CLK1、CLK2)を出力するバッファ回路(2a、2b)と、バッファ回路から出力される基準クロック信号が出力される出力端子(OUT1、OUT2)と、を備える。 (もっと読む)


【課題】多様な信号形式のDUTからのデータを取り込み可能なデータラッチ回路を提供する。
【解決手段】データ入力端子INは、シリアル形式のデータ信号DINが入力される。n個(nは2以上の整数)のクロック入力端子CLK1〜CLKnは、それぞれにクロック信号CLK1〜CLKnが入力される。ある入力フリップフロップFFは、データ信号DINを対応するクロック信号CLKに応じたタイミングでラッチする。シリアルパラレル変換器SPは、シリアル形式のデータ信号DINを対応するクロック信号CLKを用いてパラレル形式の中間データ信号DINTiに変換する。データセレクタMUX1は、n個の中間データ信号DINT1〜nのうち選択信号SELに応じたひとつを選択する。 (もっと読む)


【課題】タイマにおいて、簡易な構成を実現しつつ、実時間の計測精度をより向上させることにある。
【解決手段】次回の停止時間T11は、記憶部36に記憶される周波数(前回の周波数)と、周波数演算部31により演算された周波数(今回の周波数)との差分及び前回の停止時間に基づき算出される。従って、前回の周波数と、今回の周波数との差分が大きい場合、例えば、温度変化が大きい場合には、次回の停止時間が短く設定される。このため、周波数の差分が大きい場合には周波数の補正の頻度が上がる。 (もっと読む)


【課題】設計期間の短縮化を図ること。
【解決手段】設計支援装置は、クロックツリー合成処理(ステップ23)にて生成したクロックツリーに含まれるクロックパスについて、電圧・温度の遅延感度をそれぞれ算出し、2つのクロックパスの遅延感度の差を0に近づけるように、クロックパスの遅延感度を調整する。 (もっと読む)


【課題】複数の無線通信チャンネルについて、PLL回路全体の動作特性に基づいて電圧制御発振器の精密なキャリブレーションを行う。
【解決手段】半導体集積回路は、高周波信号を生成する電圧制御発振器を含むPLL回路と、電圧制御発振器のトランジスタに選択的に負荷される複数のキャパシタと、複数の無線通信チャンネルについて電圧制御発振器の発振周波数を補正するためのキャパシタに関する情報を格納する格納部と、キャリブレーションモードにおいて、複数の無線通信チャンネルについてPLL回路のループ特性を測定することにより補正用キャパシタに関する情報を格納部に格納し、通常動作モードにおいて、選択された無線通信チャンネルに従って、格納部に格納されている情報を読み出すことにより補正用キャパシタを決定するキャリブレーション回路とを具備する。 (もっと読む)


【課題】 出力波形の割れや抜けを無くし、回路の誤動作が防止される低電圧動作のレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】 レベルシフト回路は、電源端子VDDにソースを接続した第1のPMOSトランジスタP1と、接地端子GNDにソースを接続したNMOSトランジスタN1と、PMOSP1のドレインとNMOSN1のドレインとの接続点に接続された出力端子OUTと、NMOSN1のゲートに接続された入力端子INと、電源端子VDDにソースを接続し、PMOSP1のゲートにドレイン及びゲートを接続し、このドレインを第2の抵抗R2を介して接地端子GNDに接続した第2のPMOSトランジスタP2とを有し、PMOSP1及びP2は、カレントミラー回路を構成している。レベルシフト回路の出力波形の割れや抜けが無くなって誤動作を防止することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】太陽電池や燃料電池は単一セルでは出力電圧が0.2Vから0.6Vと非常に低くその電圧を昇圧してエネルギーを2次電池に蓄積する場合、昇圧回路が0.2V程度からの極低電圧領域から昇圧動作を開始する必要がある。
【解決手段】FETのサブスレシュオールド領域を利用して極低電圧から発振を開始するとともに周囲温度の変化に対しても安定な周波数を発生する補正機構を組み込むことにより確実に起動しかつ正確にDCDC変換装置を実現する。 (もっと読む)


ダブルエッジトリガ回路は、クロック信号及びイネーブル信号に応答してゲーテッドクロック信号を出力するクロックゲータと、ゲーテッドクロック信号に応答してデータ信号を送り出す第1のダブルエッジトリガフリップフロップと、クロック信号に応答してデータ信号を捕捉する第2のダブルエッジトリガフリップフロップとを含み、クロックゲータは、イネーブル信号が第1の論理状態のときに第1の論理値にてゲーテッドクロック信号を停止し、イネーブル信号が第2の論理状態のときに次のクロックエッジにてゲーテッドクロック信号を第1の論理値からスイッチングする。 (もっと読む)


【課題】電源電圧の変動しやすい容量の小さい電源である環境下でも、安定したパルス信号を生成できるようにする。
【解決手段】タイミング制御回路1−1,1−2と論理回路2−1とを設ける。タイミング制御回路1−1,1−2は、放電制御端子S11,S21と充電制御端子S12,S22,と信号出力端子T1,T2を有し、内部に時定数素子を備えている。先ず、充電制御端子S12,S22へ充電の開始を指示し、端子T1,T2から出力される電圧VT1,VT2を「H」レベルとする。次に、放電制御端子S11へ放電の開始を指示し、遅延時間τ1経過後に電圧VT1を「L」レベルとし、タイミング制御回路1−2での放電を開始させ、遅延時間τ2経過後に電圧VT2を「L」レベルとする。このタイミング制御回路1−1,1−2からの電圧VT1,VT2を論理回路2−1へ与え、論理回路2−1よりタイミング制御回路1−2での遅延時間τ2をパルス幅とするパルス信号PS1を得る。 (もっと読む)


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