サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法
【課題】本発明は、伝送信号強度の損失を抑制しつつ、反りの発生抑制および低剛性化を図ることができるサスペンション用基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、ライト側配線構造およびリード側配線構造を有し、上記ライト側配線構造は、ライト側凹部を有する第一絶縁層と、上記ライト側凹部に形成されたライト側第一配線層と、上記ライト側第一配線層を覆う第二絶縁層と、上記第二絶縁層上であり、かつ、上記ライト側第一配線層に厚さ方向において重複するライト側第二配線層とを有し、上記リード側配線構造は、リード側凹部を有する上記第一絶縁層と、上記リード側凹部に形成されたリード側第一配線層と、上記リード側第一配線層を覆う上記第二絶縁層と、上記第二絶縁層上であり、かつ、上記リード側第一配線層に厚さ方向において重複するリード側第二配線層とを有することを特徴とするサスペンション用基板を提供することにより、上記課題を解決する。
【解決手段】本発明は、ライト側配線構造およびリード側配線構造を有し、上記ライト側配線構造は、ライト側凹部を有する第一絶縁層と、上記ライト側凹部に形成されたライト側第一配線層と、上記ライト側第一配線層を覆う第二絶縁層と、上記第二絶縁層上であり、かつ、上記ライト側第一配線層に厚さ方向において重複するライト側第二配線層とを有し、上記リード側配線構造は、リード側凹部を有する上記第一絶縁層と、上記リード側凹部に形成されたリード側第一配線層と、上記リード側第一配線層を覆う上記第二絶縁層と、上記第二絶縁層上であり、かつ、上記リード側第一配線層に厚さ方向において重複するリード側第二配線層とを有することを特徴とするサスペンション用基板を提供することにより、上記課題を解決する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に用いられるサスペンション用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。そのため、ＨＤＤに用いられるサスペンション用基板（フレキシャー）にも高機能化が求められている。
【０００３】
サスペンション用基板は、通常、一対の配線からなるライト側配線と、同じく一対の配線からなるリード側配線を有する。このような一対の配線は、従来、絶縁層の同一表面上に形成されていた。これに対して、一対の配線における一方の配線層と他方の配線層とを、絶縁層を介して積層したサスペンション用基板が知られている（特許文献１、特許文献２）。また、低インピーダンスの差動配線を得るためには、配線の幅を広くすることが好ましく、図１６に示すように、金属基板１０１、第一絶縁層１０２、第一配線層１０３、第二絶縁層１０４、第二配線層１０５およびカバー層１０６をこの順に積層する積層構造が好ましいことが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−０２２５７０号公報
【特許文献２】特開平１０−００３６３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の積層構造は配線の低インピーダンス化に効果的であるが、最近では、さらに伝送信号強度の損失が少ないサスペンション用基板が求められている。本発明者等は、これまでの研究で、伝送信号強度の損失を少なくするためには、第一配線層１０３の頂部から第二配線層１０５の底部までに位置する第二絶縁層１０４の厚さ（配線間厚さ）を大きくすることが有効であるとの知見を得ている。しかしながら、第二絶縁層１０４の配線間厚さを大きくすると、反りが発生しやすくなるという問題、サスペンション用基板の剛性が高くなるという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、伝送信号強度の損失を抑制しつつ、反りの発生抑制および低剛性化を図ることができるサスペンション用基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明においては、ライト側配線構造およびリード側配線構造を有し、上記ライト側配線構造は、ライト側凹部を有する第一絶縁層と、上記ライト側凹部に形成されたライト側第一配線層と、上記ライト側第一配線層を覆う第二絶縁層と、上記第二絶縁層上であり、かつ、上記ライト側第一配線層に厚さ方向において重複するライト側第二配線層とを有し、上記リード側配線構造は、リード側凹部を有する上記第一絶縁層と、上記リード側凹部に形成されたリード側第一配線層と、上記リード側第一配線層を覆う上記第二絶縁層と、上記第二絶縁層上であり、かつ、上記リード側第一配線層に厚さ方向において重複するリード側第二配線層とを有することを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【０００８】
本発明によれば、第一絶縁層にライト側凹部およびリード側凹部を設けることで、第二絶縁層の配線間厚さを所定の大きさに保ちつつ、第二絶縁層の厚さを小さくすることができる。すなわち、第二絶縁層の配線間厚さを所定の大きさに保つことで、Ｓパラメータ（散乱パラメータ）の低下が抑制され、伝送信号強度の損失が抑制できる。一方、第二絶縁層の厚さを小さくすることで、反りの発生抑制および低剛性化を図ることができる。このように、本発明によれば、第一絶縁層にライト側凹部およびリード側凹部を設けることで、伝送信号強度の損失抑制と、反りの発生抑制および低剛性化とを両立させることができる。また、本発明によれば、配線幅を広く設計することができるので、低インピーダンス化を図ることができる。
【０００９】
上記発明においては、上記ライト側第一配線層および上記リード側第一配線層の頂部の少なくとも一方の位置が、上記第一絶縁層の頂部の位置と同一であることが好ましい。第二絶縁層の厚さを小さくすることができるからである。
【００１０】
上記発明においては、上記ライト側第一配線層および上記リード側第一配線層の頂部の少なくとも一方の位置が、上記第一絶縁層の頂部の位置よりも低いことが好ましい。第二絶縁層の厚さをさらに小さくすることができるからである。
【００１１】
上記発明においては、上記ライト側第一配線層および上記リード側第一配線層の少なくとも一方が、スパッタリング法により形成されたスパッタリング層であることが好ましい。緻密な第一配線層を得ることができるからである。
【００１２】
上記発明においては、上記ライト側第一配線層および上記リード側第一配線層の少なくとも一方が、スパッタリング法により形成されたスパッタリング層と、上記スパッタリング層の表面上に、めっき法により形成されためっき層とを有することが好ましい。めっき層をさらに設けることで、第一配線層の厚さの調整が容易になるからである。
【００１３】
上記発明においては、上記ライト側第一配線層および上記ライト側第二配線層の幅が、上記リード側第一配線層および上記リード側第二配線層の幅よりも大きいことが好ましい。ライト側配線およびリード側配線において、所望の差動インピーダンスを得ることができるからである。
【００１４】
また、本発明においては、上述したサスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンションを提供する。
【００１５】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、電気特性および機械特性に優れたサスペンションとすることができる。
【００１６】
また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダとを有することを特徴とするヘッド付サスペンションを提供する。
【００１７】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、電気特性および機械特性に優れたヘッド付サスペンションとすることができる。
【００１８】
また、本発明においては、上述したヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブを提供する。
【００１９】
本発明によれば、上述したヘッド付サスペンションを用いることで、高機能なハードディスクドライブとすることができる。
【００２０】
また、本発明においては、第一絶縁層に、ライト側凹部およびリード側凹部を形成する凹部形成工程と、上記ライト側凹部および上記リード側凹部に、それぞれ、ライト側第一配線層およびリード側第一配線層を形成する第一配線層形成工程と、上記ライト側第一配線層および上記リード側第一配線層を覆う第二絶縁層を形成する第二絶縁層形成工程と、上記第二絶縁層上であり、かつ、上記ライト側第一配線層に厚さ方向において重複するライト側第二配線層、および、上記第二絶縁層上であり、かつ、上記リード側第一配線層に厚さ方向において重複するリード側第二配線層を形成する第二配線層形成工程とを有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。
【００２１】
本発明によれば、第一絶縁層にライト側凹部およびリード側凹部を形成し、これらの凹部に第一配線層を形成することで、第二絶縁層の配線間厚さを所定の大きさに保ちつつ、第二絶縁層の厚さを小さくしたサスペンション用基板を得ることができる。
【００２２】
上記発明において、上記凹部形成工程は、上記第一絶縁層の表面上に、上記ライト側凹部および上記リード側凹部を形成する部分が露出するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、上記レジストパターンから露出する上記第一絶縁層をエッチングし、上記ライト側凹部および上記リード側凹部を形成するエッチング工程とを有し、上記第一配線層形成工程は、上記レジストパターンを剥離する前に、スパッタリング法により上記ライト側第一配線層および上記リード側第一配線層を形成するスパッタリング工程と、上記スパッタリング工程後に、上記レジストパターンを剥離する剥離工程とを有することが好ましい。第一配線層のパターニングが容易だからである。
【００２３】
上記発明において、上記凹部形成工程は、上記第一絶縁層の表面上に、上記ライト側凹部および上記リード側凹部を形成する部分が露出する第一レジストパターンを形成する第一レジストパターン形成工程と、上記第一レジストパターンから露出する上記第一絶縁層をエッチングし、上記ライト側凹部および上記リード側凹部を形成するエッチング工程と、上記エッチング工程後に、上記第一レジストパターンを剥離する第一レジストパターン剥離工程とを有し、上記第一配線層形成工程は、上記ライト側凹部および上記リード側凹部を形成した上記第一絶縁層の表面上に、スパッタリング法により第一配線層形成用膜を形成するスパッタリング工程と、上記第一配線層形成用膜の表面上に、上記ライト側第一配線層および上記リード側第一配線層を形成する部分を被覆する第二レジストパターンを形成する第二レジストパターン形成工程と、上記第二レジストパターンから露出する上記第一配線層形成用膜を除去し、上記ライト側第一配線層および上記リード側第一配線層を形成する除去工程と、上記除去工程の後に、上記第二レジストパターンを剥離する第二レジストパターン剥離工程とを有することが好ましい。所定の第二レジストパターンを形成することにより、第一配線層がエッチングされることを防止でき、劣化の少ない第一配線層を得ることができるからである。
【００２４】
上記発明において、上記凹部形成工程は、上記第一絶縁層の表面上に、上記ライト側凹部および上記リード側凹部を形成する部分が露出する第一レジストパターンを形成する第一レジストパターン形成工程と、上記第一レジストパターンから露出する上記第一絶縁層をエッチングし、上記ライト側凹部および上記リード側凹部を形成するエッチング工程と、上記エッチング工程後に、上記第一レジストパターンを剥離する第一レジストパターン剥離工程とを有し、上記第一配線層形成工程は、上記ライト側凹部および上記リード側凹部を形成した上記第一絶縁層の表面上に、スパッタリング法により第一配線層形成用膜を形成するスパッタリング工程と、上記第一配線層形成用膜の表面上に、上記ライト側第一配線層および上記リード側第一配線層を形成する部分が露出する第二レジストパターンを形成する第二レジストパターン形成工程と、上記第二レジストパターンから露出する上記第一配線層形成用膜の表面上に、めっき法により上記ライト側第一配線層および上記リード側第一配線層を構成するめっき層を形成するめっき工程と、上記めっき工程後に、上記第二レジストパターンを剥離する第二レジストパターン剥離工程と、上記めっき層が形成されていない部分の上記第一配線層形成用膜を除去する除去工程とを有することが好ましい。スパッタリング層にさらにめっき層を形成することで、第一配線層の厚さの調整が容易になるからである。
【発明の効果】
【００２５】
本発明においては、伝送信号強度の損失を抑制しつつ、反りの発生抑制および低剛性化を図ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明のサスペンション用基板の一例を示す概略平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明のサスペンション用基板と、従来のサスペンション用基板とを比較する概略断面図である。
【図４】本発明のサスペンション用基板と、従来のサスペンション用基板とを比較する概略断面図である。
【図５】本発明における第一絶縁層を説明する概略断面図である。
【図６】本発明におけるライト側第一配線層を説明する概略断面図である。
【図７】ライト側第一配線層３ａの頂部の位置と、第一絶縁層２ａの頂部の位置との位置関係を説明する概略断面図である。
【図８】ライト側配線構造およびリード側配線構造の位置関係を説明する概略断面図である。
【図９】本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１０】本発明のヘッド付サスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１１】本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。
【図１２】本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を説明する概略断面図である。
【図１３】本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を説明する概略断面図である。
【図１４】本発明における第一配線層の形成方法を例示する概略断面図である。
【図１５】本発明における第一配線層の形成方法を例示する概略断面図である。
【図１６】従来のサスペンション用基板を説明する概略断面図である。
【図１７】シミュレーションに用いたサスペンション用基板を説明する概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。
【００２８】
Ａ．サスペンション用基板
まず、本発明のサスペンション用基板について説明する。本発明のサスペンション用基板は、ライト側配線構造およびリード側配線構造を有し、上記ライト側配線構造は、ライト側凹部を有する第一絶縁層と、上記ライト側凹部に形成されたライト側第一配線層と、上記ライト側第一配線層を覆う第二絶縁層と、上記第二絶縁層上であり、かつ、上記ライト側第一配線層に厚さ方向において重複するライト側第二配線層とを有し、上記リード側配線構造は、リード側凹部を有する上記第一絶縁層と、上記リード側凹部に形成されたリード側第一配線層と、上記リード側第一配線層を覆う上記第二絶縁層と、上記第二絶縁層上であり、かつ、上記リード側第一配線層に厚さ方向において重複するリード側第二配線層とを有することを特徴とするものである。
【００２９】
図１は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す概略平面図である。なお、便宜上、カバー層の記載は省略している。図１に示されるサスペンション用基板２０は、一方の先端部分に形成されたジンバル部１１と、他方の先端部分に形成され、外部回路基板（例えばメインフレキ基板）に接続するための外部回路基板接続部１２と、ジンバル部１１および外部回路基板接続部１２を接続する配線部１３（ライト側配線１３ｘおよびリード側配線１３ｙ）とを有する。
【００３０】
図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。図２に示されるサスペンション用基板２０は、ライト側配線構造Ｘおよびリード側配線構造Ｙを有する。さらに、ライト側配線構造Ｘは、ライト側凹部２１ｙを有する第一絶縁層２ａと、ライト側凹部２１ｙに形成されたライト側第一配線層３ａと、ライト側第一配線層３ａを覆う第二絶縁層２ｂと、第二絶縁層２ｂ上であり、かつ、ライト側第一配線層３ａに厚さ方向において重複するライト側第二配線層３ｂとを有する。なお、図２におけるライト側第一配線層３ａは、スパッタリング法により形成されたスパッタリング層３１ａである。また、図２におけるライト側第二配線層３ｂは、スパッタリング層３１ｂと、めっき法により形成されためっき層３２ｂとを有するものである。
【００３１】
一方、リード側配線構造１３ｙは、リード側凹部２１ｙを有する第一絶縁層２ａと、リード側凹部２１ｙに形成されたリード側第一配線層４ａと、リード側第一配線層４ａを覆う第二絶縁層２ｂと、第二絶縁層２ｂ上であり、かつ、リード側第一配線層４ａに厚さ方向において重複するリード側第二配線層４ｂとを有する。なお、図２におけるリード側第一配線層４ａは、スパッタリング法により形成されたスパッタリング層４１ａである。また、図２におけるリード側第二配線層４ｂは、スパッタリング層４１ｂと、めっき法により形成されためっき層４２ｂとを有するものである。
【００３２】
また、図２に示されるサスペンション用基板２０は、ライト側凹部２１ｘおよびリード側凹部２１ｙが形成されている表面とは反対側の第一絶縁層２ａの表面に、金属基板１を有する。また、本発明においては、ライト側第一配線層３ａおよびリード側第一配線層４ａを「第一配線層」と総称する場合があり、ライト側第二配線層３ｂおよびリード側第二配線層４ｂを「第二配線層」と総称する場合がある。
【００３３】
本発明によれば、第一絶縁層にライト側凹部およびリード側凹部を設けることで、第二絶縁層の配線間厚さを所定の大きさに保ちつつ、第二絶縁層の厚さを小さくすることができる。すなわち、第二絶縁層の配線間厚さを所定の大きさに保つことで、Ｓパラメータ（散乱パラメータ）の低下が抑制され、伝送信号強度の損失が抑制できる。一方、第二絶縁層の厚さを小さくすることで、反りの発生抑制および低剛性化を図ることができる。このように、本発明によれば、第一絶縁層にライト側凹部およびリード側凹部を設けることで、伝送信号強度の損失抑制と、反りの発生抑制および低剛性化とを両立させることができる。また、本発明によれば、配線幅を広く設計することができるので、低インピーダンス化を図ることができる。
【００３４】
さらに、本発明の効果について、図３および図４を用いて詳細に説明する。本発明のサスペンション用基板においては、図３（ａ）、図４（ａ）に示すように、第一絶縁層２ａがライト側凹部２１ｘおよびリード側凹部２１ｙを有し、これらの凹部に、ライト側第一配線層３ａおよびリード側第一配線層４ａが形成されている。また、ライト側第二配線層３ｂおよびリード側第二配線層４ｂは、共にカバー層５で覆われている。一方、図３（ｂ）、図４（ｂ）に示すように、従来のサスペンション用基板においては、第一絶縁層２ａがライト側凹部およびリード側凹部を有しない。
【００３５】
図３（ａ）と図３（ｂ）と比較すると、サスペンション用基板全体の厚さが同一であるため、反りの発生抑制および低剛性化の観点（機械特性の観点）では差異はないものの、図３（ｂ）は、図３（ａ）に比べて第二絶縁層２ｂの配線間厚さＴ１が小さくなるため、伝送信号強度の損失の観点（電気特性の観点）では大幅に劣ってしまう。一方、図４（ａ）と図４（ｂ）と比較すると、第二絶縁層２ｂの配線間厚さが同一であるため、電気特性の観点では差異はないものの、図４（ｂ）は、図４（ａ）に比べてサスペンション用基板全体の厚さＴ２が大きくなり、機械特性の観点では劣ってしまう。これに対して、本発明においては、図３（ａ）、図４（ａ）に示すように、第二絶縁層の配線間厚さを所定の大きさに保ちつつ、第二絶縁層の厚さを小さくすることができるという利点を有する。
以下、本発明のサスペンション用基板について、さらに詳細に説明する。
【００３６】
１．ライト側配線構造
まず、本発明におけるライト側配線構造について説明する。上記の図２に示すように、本発明におけるライト側配線構造Ｘは、ライト側凹部２１ｘを有する第一絶縁層２ａ、ライト側第一配線層３ａ、第二絶縁層２ｂ、ライト側第二配線層３ｂをこの順に積層した構造を有する。
【００３７】
（１）第一絶縁層
本発明における第一絶縁層２ａについて説明する（図２参照）。第一絶縁層２ａは、ライト側凹部２１ｘを有する層である。ライト側凹部２１ｘは、例えば、第一絶縁層２ａをエッチングすることにより形成することができる。また、ライト側凹部２１ｘを設けることにより、第二絶縁層２ｂの配線間厚さを所定の大きさに保ちつつ、第二絶縁層２ｂの厚さを小さくすることができる。これにより、伝送信号強度の損失を抑制しつつ、反りの発生抑制および低剛性化を図ることができる。
【００３８】
第一絶縁層２ａの材料としては、所望の絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばポリイミド（ＰＩ）等を挙げることができる。また、第一絶縁層２ａの材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。
【００３９】
また、図５に示すように、第一絶縁層２ａの厚さをＴとし、ライト側凹部２１ｘの深さをＤとする。ここで、第一絶縁層２ａの厚さＴに対するライト側凹部２１ｘの深さＤの割合（Ｄ／Ｔ）は、例えば５％以上であり、１０％以上であることが好ましく、２０％以上であることがより好ましい。Ｄ／Ｔの値が小さすぎると、第二絶縁層２ｂの厚さを小さくする効果が現れず、反りの発生抑制および低剛性化を充分に図ることができないからである。一方、Ｄ／Ｔは、例えば６０％以下であり、５０％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましい。Ｄ／Ｔの値が大きすぎると、第一絶縁層２ａにピンホールが生じやすくなり、ライト側第１配線層３aが露出し劣化しやすくなるためである。
【００４０】
ライト側凹部２１ｘの深さＤは、例えば０．５μｍ以上であり、１μｍ〜６μｍの範囲内であることが好ましく、２μｍ〜５μｍの範囲内であることがより好ましい。また、ピンホールの発生を防止するという観点からは、第一絶縁層２ａの厚さＴと、ライト側凹部２１ｘの深さＤとの差（Ｔ−Ｄ）が、４μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上であることがより好ましい。一方、第一絶縁層２ａの厚さＴは、特に限定されるものではないが、例えば４μｍ〜２５μｍの範囲内、中でも５μｍ〜２０μｍの範囲内、特に９μｍ〜１６μｍの範囲内であることが好ましい。第一絶縁層２ａの厚さが大きすぎると、反りが発生しやすくなり、第一絶縁層２ａの厚さが小さすぎると、充分な深さを有するライト側凹部２１ｘを形成しにくくなるからである。なお、ライト側凹部２１ｘの幅は、目的とするライト側第一配線層３ａの幅に応じて、適宜選択することが好ましい。
【００４１】
（２）ライト側第一配線層
次に、本発明におけるライト側第一配線層３ａについて説明する（図２参照）。ライト側第一配線層３ａは、通常、ライト側凹部２１ｘの底面に形成される層である。ライト側第一配線層３ａの材料としては、所望の導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば銅（Ｃｕ）等を挙げることができる。
【００４２】
また、本発明においては、図６（ａ）に示すように、ライト側第一配線層３ａが、スパッタリング法により形成されたスパッタリング層３１ａであることが好ましい。緻密なライト側第一配線層を得ることができるからである。また、通常、スパッタリング層３１ａは薄膜状であることから、第二絶縁層２ｂの厚さを小さくしやすいという利点がある。また、本発明においては、図６（ｂ）に示すように、ライト側第一配線層３ａが、スパッタリング法により形成されたスパッタリング層３１ａと、スパッタリング層３１ａの表面上に、めっき法により形成されためっき層３２ａとを有するものであっても良い。めっき層３２ａをさらに設けることで、ライト側第一配線層３ａの厚さの調整が容易になるからである。
【００４３】
本発明におけるライト側第一配線層３ａの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば０．５μｍ以上であることが好ましく、１μｍ〜６μｍの範囲内であることが好ましい。また、ライト側第一配線層３ａの幅としては、例えば１０μｍ〜３００μｍの範囲内であることが好ましい。ライト側第一配線層３ａの幅が小さすぎると、充分な低インピーダンス化を図ることができない可能性があり、ライト側第一配線層３ａの幅が大きすぎると、サスペンション用基板の充分な高密度化を図ることができない可能性があるからである。
【００４４】
また、本発明において、ライト側第一配線層３ａの頂部の位置と、第一絶縁層２ａの頂部の位置との位置関係は特に限定されるものではない。両層の頂部の位置関係としては、例えば図７（ａ）に示すように、ライト側第一配線層３ａの頂部の位置が、第一絶縁層２ａの頂部の位置と同一である場合を挙げることができる。
【００４５】
さらに、本発明においては、図７（ｂ）に示すように、ライト側第一配線層３ａの頂部の位置が、第一絶縁層２ａの頂部の位置よりも低いことが好ましい。図７（ａ）の場合に比べて、第二絶縁層２ｂの厚さをさらに小さくすることができるからである。これにより、反りの発生抑制および低剛性化を充分に図ることができる。また、この場合、第一絶縁層２ａの頂部の位置と、ライト側第一配線層３ａの頂部の位置との差（Ｈ１）は、特に限定されるものではないが、例えば０．１μｍ以上であり、０．５μｍ〜５μｍの範囲内であることが好ましい。
【００４６】
なお、本発明においては、図７（ｃ）に示すように、ライト側第一配線層３ａの頂部の位置が、第一絶縁層２ａの頂部の位置よりも高くても良い。ライト側凹部２１ｘを有しない場合と比較して、第二絶縁層２ｂの厚さを小さくすることができるからである。また、この場合、ライト側第一配線層３ａの頂部の位置と、第一絶縁層２ａの頂部の位置との差（Ｈ２）は、特に限定されるものではないが、例えば３μｍ以下であり、０．１μｍ〜２μｍの範囲内であることが好ましい。
【００４７】
（３）第二絶縁層
次に、本発明における第二絶縁層２ｂについて説明する（図２参照）。第二絶縁層２ｂは、ライト側第一配線層３ａを覆う層である。第二絶縁層２ｂの材料および厚さについては、上述した第一絶縁層２ａと同様である。また、ライト側第一配線層３ａの頂部からライト側第二配線層３ｂの底部までに位置する第二絶縁層２ｂの配線間厚さ（例えば図３における配線間厚さＴ１）は、例えば４μｍ以上であり、５μｍ〜２５μｍの範囲内であることが好ましく、９μｍ〜１６μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００４８】
（４）ライト側第二配線層
次に、本発明におけるライト側第二配線層３ｂについて説明する（図２参照）。ライト側第二配線層３ｂは、通常、第二絶縁層２ｂの表面上に形成される層である。また、ライト側第二配線層３ｂおよびライト側第一配線層３ａは、厚さ方向において、少なくとも一部で重複しており、完全に重複していることが好ましい。インピーダンスの制御が容易だからである。また、ライト側第二配線層３ｂの材料、厚さおよび幅については、上述したライト側第一配線層３ａと同様である。また、ライト側第二配線層３ｂは、上述したスパッタリング層であっても良く、スパッタリング層と、上記スパッタリング層の表面上に形成されためっき層とを有するものであっても良い。また、ライト側第二配線層３ｂは、その表面にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）による配線めっき層を有していても良い。
【００４９】
（５）カバー層
次に、本発明におけるカバー層５について説明する（図３参照）。カバー層５は、通常、ライト側第二配線層３ｂを覆う層である。カバー層５を設けることにより、ライト側第二配線層３ｂの劣化を防止することができる。カバー層５の材料としては、例えばポリイミド（ＰＩ）等を挙げることができる。また、カバー層５の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。なお、カバー層５の材料は、上述した第一絶縁層２ａおよび第二絶縁層２ｂと同じであっても良く、異なっていても良い。カバー層５の厚さは、例えば３μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましい。また、カバー層５は、反りの発生や剛性の増加を抑制するために、より少ない領域で形成されていることが好ましい。
【００５０】
（６）金属基板
次に、本発明における金属基板１について説明する（図２参照）。金属基板１は、ライト側凹部２１ｘおよびリード側凹部２１ｙが形成されている表面とは反対側の第一絶縁層２ａの表面に、形成されるものである。金属基板１の材料としては、所望の導電性およびばね性を有することが好ましく、例えばステンレススティール等を挙げることができる。金属基板１の厚さは、例えば１０μｍ〜３０μｍの範囲内、中でも１５μｍ〜２５μｍの範囲内であることが好ましい。また、本発明においては、図２に示すように、金属基板１が、ライト側第一配線層３ａと厚さ方向において重複しないように形成されていることが好ましい。金属基板１が、ライト側第一配線層３ａの電気特性に悪影響を与えることを抑制できるからである。ライト側第一配線層３ａの端部と、金属基板１の端部とは、厚さ方向と直交する断面方向において、例えば１０μｍ以上離れていることが好ましい。
【００５１】
２．リード側配線構造
次に、本発明におけるリード側配線構造について説明する。本発明におけるリード側配線構造は、上記の図２に示すように、リード側凹部２１ｙを有する第一絶縁層２ａ、リード側第一配線層４ａ、第二絶縁層２ｂ、リード側第二配線層４ｂをこの順に積層した構造を有する。なお、各層の好ましい材料や範囲等については、上記「１．ライト側配線構造」に記載した内容と同様である。また、リード側配線構造を構成する各層の具体的な構成は、ライト側配線構造を構成する各層の構成と、互いに同じであっても良く、異なっていても良い。
【００５２】
また、本発明においては、ライト側第一配線層およびライト側第二配線層の幅が、リード側第一配線層およびリード側第二配線層の幅よりも大きいことが好ましい。ライト側配線およびリード側配線において、所望の差動インピーダンスを得ることができるからである。所望の差動インピーダンスは、磁気ヘッド、プレアンプ等とのインピーダンスマッチングの観点から決定される。
【００５３】
ここで、ライト側配線の差動インピーダンスは、例えば１０Ω〜６０Ωの範囲内にあることが好ましく、１０Ω〜２５Ωの範囲内にあることがより好ましい。また、このような差動インピーダンスを得るという観点から、ライト側第一配線層およびライト側第二配線層の幅は、それぞれ、２０μｍ〜３００μｍの範囲内であることが好ましく、３５μｍ〜２７５μｍの範囲内であることがより好ましく、６５μｍ〜２５０μｍの範囲内であることが特に好ましい。また、ライト側第一配線層およびライト側第二配線層の幅は、同じであることが好ましい。
【００５４】
一方、リード側配線の差動インピーダンスは、例えば４０Ω〜１００Ωの範囲内にあることが好ましく、５０Ω〜９０Ωの範囲内にあることがより好ましい。また、このような差動インピーダンスを得るという観点からは、リード側第一配線層およびリード側第二配線層の幅は、それぞれ、１０μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましく、１２．５μｍ〜４５μｍの範囲内であることがより好ましく、１５μｍ〜４０μｍの範囲内であることが特に好ましい。また、リード側第一配線層およびリード側第二配線層の幅は、同じであることが好ましい。
【００５５】
３．サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、上述したライト側配線構造およびリード側配線構造を有するものであれば特に限定されるものではない。中でも、本発明においては、ライト側配線構造およびリード側配線構造が、ジンバル部に近い領域で形成されていることが好ましい。磁気ヘッドスライダが搭載される位置の近傍では、反りの発生抑制および低剛性化の効果が顕著に現れるからである。ここで、図１に示すように、サスペンション用基板２０の長手方向の長さをＬとした場合、ライト側配線構造およびリード側配線構造は、ジンバル部１１側の先端から０．５Ｌまでの領域において形成されていることが好ましく、ジンバル部１１側の先端から０．３Ｌまでの領域において形成されていることが好ましい。
【００５６】
また、本発明のサスペンション用基板は、ライト側配線構造およびリード側配線構造がクロストークの影響がない間隔を設けて形成された配線領域を有することが好ましい。具体的には、図８に示すように、ライト側配線構造Ｘにおけるライト側第一配線層３ａおよびライト側第二配線層３ｂの端部と、リード側配線構造Ｙにおけるリード側第一配線層４ａおよびリード側第二配線層４ｂの端部との距離（厚さ方向に直交する断面方向における距離）をＬ１とすると、本発明のサスペンション用基板は、Ｌ１が２００μｍ以上である配線領域を有することが好ましく、７５０μｍ以上である配線領域を有することがより好ましい。なお、ライト側第一配線層３ａおよびライト側第二配線層３ｂの幅が異なる場合、並びに、リード側第一配線層４ａおよびリード側第二配線層４ｂの幅が異なる場合、Ｌ１には、最も短い距離を採用するものとする。また、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例については、後述する「Ｅ．サスペンション用基板の製造方法」で説明する。
【００５７】
Ｂ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板を含むことを特徴とするものである。
【００５８】
図９は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図９に示されるサスペンション７０は、上述したサスペンション用基板２０と、ジンバル部１１が形成されている表面とは反対側のサスペンション用基板２０の表面に備え付けられたロードビーム５０とを有するものである。
【００５９】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、電気特性および機械特性に優れたサスペンションとすることができる。
【００６０】
本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板を有し、通常は、さらにロードビームを有する。サスペンション用基板については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、ロードビームは、一般的なサスペンションに用いられるロードビームと同様のものを用いることができる。
【００６１】
Ｃ．ヘッド付サスペンション
次に、本発明のヘッド付サスペンションについて説明する。本発明のヘッド付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダとを有するものである。
【００６２】
図１０は、本発明のヘッド付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図１０に示されるヘッド付サスペンション７０は、上述したサスペンション６０と、サスペンション６０のジンバル部１１に実装された磁気ヘッドスライダ６１とを有するものである。
【００６３】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、電気特性および機械特性に優れたヘッド付サスペンションとすることができる。
【００６４】
本発明のヘッド付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび磁気ヘッドスライダを有するものである。サスペンションについては、上記「Ｂ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、磁気ヘッドスライダは、一般的なヘッド付サスペンションに用いられる磁気ヘッドスライダと同様のものを用いることができる。
【００６５】
Ｄ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述したヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするものである。
【００６６】
図１１は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図１１に示されるハードディスクドライブ８０は、上述したヘッド付サスペンション７０と、ヘッド付サスペンション７０がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク７１と、ディスク７１を回転させるスピンドルモータ７２と、ヘッド付サスペンション７０に接続されたアーム７３およびボイスコイルモータ７４と、上記の部材を密閉するケース７５とを有するものである。
【００６７】
本発明によれば、上述したヘッド付サスペンションを用いることで、高機能なハードディスクドライブとすることができる。
【００６８】
本発明のハードディスクドライブは、少なくともヘッド付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。ヘッド付サスペンションについては、上記「Ｃ．ヘッド付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
【００６９】
Ｅ．サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、第一絶縁層に、ライト側凹部およびリード側凹部を形成する凹部形成工程と、上記ライト側凹部および上記リード側凹部に、それぞれ、ライト側第一配線層およびリード側第一配線層を形成する第一配線層形成工程と、上記ライト側第一配線層および上記リード側第一配線層を覆う第二絶縁層を形成する第二絶縁層形成工程と、上記第二絶縁層上であり、かつ、上記ライト側第一配線層に厚さ方向において重複するライト側第二配線層、および、上記第二絶縁層上であり、かつ、上記リード側第一配線層に厚さ方向において重複するリード側第二配線層を形成する第二配線層形成工程とを有することを特徴とするものである。
【００７０】
図１２および図１３は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を説明する概略断面図である。このサスペンション用基板の製造方法においては、まず、ステンレススティールからなる金属基板１Ａを用意する（図１２（ａ））。次に、金属基板１Ａの表面上に、ポリイミドを塗布することによって第一絶縁層２Ａを形成する（図１２（ｂ））。次に、第一絶縁層２Ａの表面上に、所定のレジストパターン５１を形成する（図１２（ｃ））。次に、レジストパターン５１から露出する第一絶縁層２Ａをドライエッチングし、ライト側凹部２１ｘおよびリード側凹部２１ｙを形成する（図１２（ｄ））。
【００７１】
その後、レジストパターン５１を剥離する前に、レジストパターン５１側からＣｒスパッタリングを行い、拡散防止層（図示せず）を形成する。さらに、その拡散防止層の表面上に、Ｃｕスパッタリングによりライト側第一配線層３ａ（スパッタリング層３１ａ）およびリード側第一配線層４ａ（スパッタリング層４１ａ）を形成し（図１２（ｅ））、レジストパターン５１を剥離する（図１２（ｆ））。次に、ポリイミドを塗布することにより、ライト側第一配線層３ａおよびリード側第一配線層４ａを覆う第二絶縁層２ｂを形成する（図１２（ｇ））。
【００７２】
その後、第二絶縁層２ｂの表面上に、Ｃｒスパッタリングにより拡散防止層（図示せず）を形成する。さらに、その拡散防止層の表面上に、Ｃｕスパッタリングにより第二配線層を形成するための第二配線層形成用膜６を形成する（図１２（ｈ））。次に、第二配線層形成用膜６の表面上に、所定のレジストパターン５２を形成する（図１２（ｉ））。次に、レジストパターン５２から露出する第二配線層形成用膜６の表面上に、電解Ｃｕめっきを行うことにより、めっき層３２ｂ、４２ｂを形成し（図１２（ｊ））、レジストパターン５２を剥離する（図１２（ｋ））。
【００７３】
その後、不要な第二配線層形成用膜６および拡散防止層（図示せず）をウェットエッチングより除去することで、スパッタリング層３１ｂおよびめっき層３２ｂを有するライト側第二配線層３ｂと、スパッタリング層４１ｂおよびめっき層４２ｂを有するリード側第二配線層４ｂとを形成する（図１３（ａ））。次に、ポリイミドを塗布することにより、ライト側第二配線層３ｂおよびリード側第二配線層４ｂを覆うカバー層５を形成する（図１３（ｂ））。次に、第一絶縁層２Ａを加工するためのレジストパターン５３を形成し（図１３（ｃ））、レジストパターン５３から露出する第一絶縁層２Ａを除去し、第一絶縁層２ａを形成し（図１３（ｄ））、レジストパターン５３を剥離する（図１３（ｅ））。次に、金属基板１Ａを加工するためのレジストパターン５４を形成し（図１３（ｆ））、レジストパターン５４から露出する金属基板１Ａを除去し、金属基板１を形成し（図１３（ｇ））、最後にレジストパターン５４を剥離する（図１３（ｈ））。これにより、サスペンション用基板を得ることができる。
【００７４】
このように、本発明によれば、第一絶縁層にライト側凹部およびリード側凹部を形成し、これらの凹部に第一配線層を形成することで、第二絶縁層の配線間厚さを所定の大きさに保ちつつ、第二絶縁層の厚さを小さくしたサスペンション用基板を得ることができる。なお、本発明により得られるサスペンション用基板については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様である。
以下、本発明のサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
【００７５】
１．凹部形成工程
本発明における凹部形成工程は、第一絶縁層に、ライト側凹部およびリード側凹部を形成する工程である。ライト側凹部およびリード側凹部の形成方法としては、例えば、レジストパターンから露出する第一絶縁層をエッチングする方法を挙げることができる。第一絶縁層をエッチングする方法は、ドライエッチングであっても良く、ウェットエッチングであっても良い。また、所望のレジストパターンは、例えば、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を用いることで形成することができる。
【００７６】
２．第一配線層形成工程
次に、本発明における第一配線層形成工程について説明する。本工程は、ライト側凹部およびリード側凹部に、それぞれ、ライト側第一配線層およびリード側第一配線層を形成する工程である。以下、第一配線層の形成方法について、第一実施態様〜第三実施態様に分けて例示する。
【００７７】
（１）第一実施態様
第一配線層の形成方法の第一実施態様は、凹部形成工程が、第一絶縁層の表面上に、ライト側凹部およびリード側凹部を形成する部分が露出するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、レジストパターンから露出する第一絶縁層をエッチングし、ライト側凹部およびリード側凹部を形成するエッチング工程とを有し、第一配線層形成工程が、レジストパターンを剥離する前に、スパッタリング法によりライト側第一配線層およびリード側第一配線層を形成するスパッタリング工程と、スパッタリング工程後に、レジストパターンを剥離する剥離工程とを有するものである。
【００７８】
第一実施態様の具体例としては、上記の図１２（ａ）〜（ｆ）で説明した方法を挙げることができる。第一実施態様によれば、図１２（ｅ）、（ｆ）に示すように、ライト側凹部２１ｘおよびリード側凹部２１ｙを形成するために使用したレジストパターン５１を残留させた状態で、Ｃｕスパッタリングを行う。その後、レジストパターン５１を剥離することで、ライト側第一配線層４ａおよびリード側第一配線層４ｂを形成することができる。このように、第一実施態様によれば、第一配線層のパターニングが容易であるという利点を有する。
【００７９】
（２）第二実施態様
第一配線層の形成方法の第二実施態様は、凹部形成工程が、第一絶縁層の表面上に、ライト側凹部およびリード側凹部を形成する部分が露出する第一レジストパターンを形成する第一レジストパターン形成工程と、第一レジストパターンから露出する第一絶縁層をエッチングし、ライト側凹部およびリード側凹部を形成するエッチング工程と、エッチング工程後に、第一レジストパターンを剥離する第一レジストパターン剥離工程とを有し、第一配線層形成工程が、ライト側凹部およびリード側凹部を形成した第一絶縁層の表面上に、スパッタリング法により第一配線層形成用膜を形成するスパッタリング工程と、第一配線層形成用膜の表面上に、ライト側第一配線層およびリード側第一配線層を形成する部分を被覆する第二レジストパターンを形成する第二レジストパターン形成工程と、第二レジストパターンから露出する第一配線層形成用膜を除去し、ライト側第一配線層およびリード側第一配線層を形成する除去工程と、除去工程の後に、第二レジストパターンを剥離する第二レジストパターン剥離工程とを有するものである。
【００８０】
図１４は、第一配線層の形成方法の第二実施態様の一例を示す概略断面図である。図１４に示される第一配線層の形成方法においては、上記の図１２（ａ）〜（ｃ）と同様に、第一絶縁層２Ａの表面上に、所定のレジストパターン（第一レジストパターン）を形成する。次に、第一レジストパターン５１から露出する露出する第一絶縁層２Ａをウェットエッチングし、ライト側凹部２１ｘおよびリード側凹部２１ｙを形成し（図１４（ａ））、レジストパターン５１を剥離する（図１４（ｂ））。
【００８１】
その後、ライト側凹部２１ｘおよびリード側凹部２１ｙを形成した第一絶縁層２Ａの表面上に、Ｃｒスパッタリングにより、拡散防止層（図示せず）を形成する。さらに、その拡散防止層の表面上に、Ｃｕスパッタリングにより第一配線層を形成するための第一配線層形成用膜７を形成する（図１４（ｃ））。次に、第一配線層形成用膜７の表面上に、所定の第二レジストパターン５２を形成する（図１４（ｄ））。なお、第二レジストパターン５２は、ライト側第一配線層およびリード側第一配線層を形成する部分を被覆するものである。次に、レジストパターン５２から露出する第一配線層形成用膜７および拡散防止層（図示せず）をウェットエッチングにより除去し（図１４（ｅ））、最後にレジストパターン５２を剥離する（図１４（ｆ））。これにより、スパッタリング層３１ａからなるライト側第一配線層３ａと、スパッタリング層４１ａからなるリード側第一配線層４ａとが形成される。
【００８２】
第二実施態様によれば、所定の第二レジストパターンを形成することにより、第一配線層がエッチングされることを防止でき、劣化の少ない第一配線層を得ることができるという利点を有する。
【００８３】
（３）第三実施態様
第一配線層の形成方法の第三実施態様は、凹部形成工程が、第一絶縁層の表面上に、ライト側凹部およびリード側凹部を形成する部分が露出する第一レジストパターンを形成する第一レジストパターン形成工程と、第一レジストパターンから露出する第一絶縁層をエッチングし、ライト側凹部およびリード側凹部を形成するエッチング工程と、エッチング工程後に、第一レジストパターンを剥離する第一レジストパターン剥離工程とを有し、第一配線層形成工程が、ライト側凹部およびリード側凹部を形成した第一絶縁層の表面上に、スパッタリング法により第一配線層形成用膜を形成するスパッタリング工程と、第一配線層形成用膜の表面上に、ライト側第一配線層およびリード側第一配線層を形成する部分が露出する第二レジストパターンを形成する第二レジストパターン形成工程と、第二レジストパターンから露出する第一配線層形成用膜の表面上に、めっき法によりライト側第一配線層およびリード側第一配線層を構成するめっき層を形成するめっき工程と、めっき工程後に、第二レジストパターンを剥離する第二レジストパターン剥離工程と、めっき層が形成されていない部分の第一配線層形成用膜を除去する除去工程とを有するものである。
【００８４】
図１５は、第一配線層の形成方法の第三実施態様の一例を示す概略断面図である。図１５に示される第一配線層の形成方法においては、上記の図１２（ａ）〜（ｃ）と同様に、第一絶縁層２Ａの表面上に、所定のレジストパターン（第一レジストパターン）を形成する。次に、第一レジストパターン５１から露出する露出する第一絶縁層２Ａをウェットエッチングし、ライト側凹部２１ｘおよびリード側凹部２１ｙを形成し（図１５（ａ））、レジストパターン５１を剥離する（図１５（ｂ））。
【００８５】
その後、ライト側凹部２１ｘおよびリード側凹部２１ｙを形成した第一絶縁層２Ａの表面上に、Ｃｒスパッタリングにより拡散防止層（図示せず）を形成する。さらに、その拡散防止層の表面上に、Ｃｕスパッタリングにより第一配線層を形成するための第一配線層形成用膜７を形成する（図１５（ｃ））。次に、第一配線層形成用膜７の表面上に、所定の第二レジストパターン５２を形成する（図１５（ｄ））。なお、第二レジストパターン５２は、ライト側第一配線層およびリード側第一配線層を形成する部分が露出するものである。次に、レジストパターン５２から露出する第一配線層形成用膜７の表面上に、電解Ｃｕめっきを行うことにより、めっき層３２ａ、４２ａを形成し（図１５（ｅ））、第二レジストパターン５２を剥離する（図１５（ｆ））。最後に、不要な第一配線層形成用膜７および拡散防止層（図示せず）をウェットエッチングより除去する（図１５（ｇ））。なお、この場合、めっき層３２ａ、４２ａの厚さは、上記のウェットエッチングにより除去されない程度の厚さであることが好ましい。これにより、スパッタリング層３１ａおよびめっき層３２ａを有するライト側第一配線層３ａと、スパッタリング層４１ａおよびめっき層４２ａを有するリード側第一配線層４ａとが形成される。
【００８６】
第三実施態様によれば、スパッタリング層にさらにめっき層を形成することで、第一配線層３ａの厚さの調整が容易になるという利点を有する。
【００８７】
３．その他の工程
本発明における第二絶縁層形成工程および第二配線層形成工程については、一般的なサスペンション用基板の製造方法における工程と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、本発明においては、上記ライト側第二配線層および上記リード側第二配線層を被覆するカバー層を形成するカバー層形成工程を有していても良い。
【００８８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００８９】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００９０】
［実施例１］
まず、図１２（ａ）に示す金属基板１Ａ（ＳＵＳ３０４、厚さ２０μｍ）を用意した。次に、金属基板１Ａの表面上に、ポリイミドを塗布し、第一絶縁層２Ａ（厚さ１０μｍ）を形成した（図１２（ｂ））。次に、第一絶縁層２Ａの表面上に、ＤＦＲを配置し、露光・現像することで、レジストパターン５１を形成した（図１２（ｃ））。次に、レジストパターン５１から露出する第一絶縁層２Ａを反応性ガスを用いたプラズマによりドライエッチングし、ライト側凹部２１ｘ（深さ１μｍ）およびリード側凹部２１ｙ（深さ１μｍ）を形成した（図１２（ｄ））。次に、レジストパターン５１を剥離する前に、レジストパターン５１側からＣｒスパッタリングを行い、拡散防止層（図示せず、厚さ０．０６μｍ）を形成し、その拡散防止層の表面上に、Ｃｕスパッタリングによりライト側第一配線層３ａ（厚さ１μｍ）およびリード側第一配線層４ａ（厚さ１μｍ）を形成した（図１２（ｅ））。次に、剥離液を用いてレジストパターン５１を剥離した（図１２（ｆ））。次に、ポリイミドを塗布することにより、ライト側第一配線層３ａおよびリード側第一配線層４ａを覆う第二絶縁層２ｂ（厚さ１５μｍ）を形成した（図１２（ｇ））。
【００９１】
その後、第二絶縁層２ｂの表面上に、Ｃｒスパッタリングにより拡散防止層（図示せず、厚さ０．０６μｍ）を形成した。さらに、その拡散防止層の表面上に、Ｃｕスパッタリングにより第二配線層を形成するための第二配線層形成用膜６（厚さ０．３μｍ）を形成した（図１２（ｈ））。次に、第二配線層形成用膜６の表面上に、ＤＦＲを配置し、露光・現像することで、所定のレジストパターン５２を形成した（図１２（ｉ））。次に、レジストパターン５２から露出する第二配線層形成用膜６の表面上に、電解Ｃｕめっきを行うことにより、めっき層３２ｂ、４２ｂ（厚さはそれぞれ５μｍ）を形成した（図１２（ｊ））。その後、剥離液によりレジストパターン５２を剥離した（図１２（ｋ））。
【００９２】
その後、不要な第二配線層形成用膜６および拡散防止層（図示せず）をウェットエッチングにより除去することで、スパッタリング層３１ｂおよびめっき層３２ｂを有するライト側第二配線層３ｂと、スパッタリング層４１ｂおよびめっき層４２ｂを有するリード側第二配線層４ｂとを形成した（図１３（ａ））。次に、ポリイミドを塗布することにより、ライト側第二配線層３ｂおよびリード側第二配線層４ｂを覆うカバー層５を形成した（図１３（ｂ））。なお、ライト側第二配線層３ｂおよびリード側第二配線層４ｂの頂部から、カバー層５の頂部までの厚さは５μｍであった。その後は、図１３（ｃ）〜（ｈ）に示す方法と同様にして、サスペンション用基板を得た。
【００９３】
［実施例２］
凹部を有する第一絶縁層を備えたサスペンション用基板について、配線幅および配線間厚さが、差動インピーダンスおよびＳパラメータに与える影響をシミュレーションにより評価した。シミュレーションでは、図１７に示すサスペンション用基板をモデルとした。ここで、第一配線層１０３および第二配線層１０５の幅は同一であり、Ｗ１で表す。また、第二配線層１０５の配線間厚さは、Ｔ１で表す。
【００９４】
まず、配線幅および配線間厚さが、差動インピーダンスに与える影響を評価した。シミュレーション条件および結果を以下に示す。
＜シミュレーション条件＞
・金属基板１０１ ：ステンレス、厚さ２０μｍ
・第一絶縁層１０２：ポリイミド（Ｅｒ＝３）、厚さ１０μｍ
・凹部１０７ ：深さ１μｍ
・第一配線層１０３：純銅、厚さ１μｍ
・第二絶縁層１０４：ポリイミド（Ｅｒ＝３．３）
・第二配線層１０５：純銅、厚さ５μｍ
・カバー層１０６ ：ポリイミド（Ｅｒ＝３．３）
・第二配線層１０５の頂部からカバー層１０６の頂部までの高さ：５μｍ
・周波数：２ＧＨｚ
【００９５】
【表１】
【００９６】
表１に示されるように、配線幅Ｗ１が増加すると、差動インピーダンスが低下することが確認された。また、配線間厚さＴ１が増加すると、差動インピーダンスが増加することが確認された。
【００９７】
次に、配線幅および配線間厚さが、Ｓパラメータに与える影響を評価した。なお、シミュレーション条件は、上記と同じである。
【００９８】
【表２】
【００９９】
表２に示されるように、配線幅Ｗ１によらず、Ｓパラメータはほぼ同一の値であった。一方、配線間厚さＴ１が低下すると、Ｓパラメータの値が悪化することが分かった。すなわち、配線間厚さＴ１が小さくなりすぎると、伝送信号強度の損失が大きくなることが確認された。
【０１００】
以上の結果から、第一配線層および第二配線層が第二絶縁層を介して積層配置された配線の電気特性は、第一配線層および第二配線層の幅と、第二絶縁層の配線間厚さとによって制御されることが確認された。特に、本発明においては、第一絶縁層にライト側凹部およびリード側凹部を設けることで、第二絶縁層の配線間厚さＴ１を所定の大きさに保ちつつ、第二絶縁層の厚さを小さくすることができる。これにより、伝送信号強度の損失を抑制しつつ、反りの発生抑制および低剛性化を図ることができる。
【符号の説明】
【０１０１】
１…金属基板、１Ａ…（加工前の）金属基板、２ａ…第一絶縁層、２ｂ…第二絶縁層、２Ａ…（加工前の）第一絶縁層、３ａ…ライト側第一配線層、３ｂ…ライト側第二配線層、４ａ…リード側第一配線層、４ｂ…リード側第二配線層、５…カバー層、６…第二配線層形成用膜、７…第一配線層形成用膜、１１…ジンバル部、１２…外部回路基板接続部、１３…配線部、１３ｘ…ライト側配線、１３ｙ…リード側配線、２０…サスペンション用基板、２１ｘ…ライト側凹部、２１ｙ…リード側凹部、３１ａ、３１ｂ…スパッタリング層、３２ａ、３２ｂ…めっき層、４１ａ、４１ｂ…スパッタリング層、４２ａ、４２ｂ…めっき層、５０…ロードビーム、６０…サスペンション、６１…磁気ヘッドスライダ、７０…ヘッド付サスペンション、７１…ディスク、７２…スピンドルモータ、７３…アーム、７４…ボイスコイルモータ、７５…ケース、８０…ハードディスクドライブ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に用いられるサスペンション用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。そのため、ＨＤＤに用いられるサスペンション用基板（フレキシャー）にも高機能化が求められている。
【０００３】
サスペンション用基板は、通常、一対の配線からなるライト側配線と、同じく一対の配線からなるリード側配線を有する。このような一対の配線は、従来、絶縁層の同一表面上に形成されていた。これに対して、一対の配線における一方の配線層と他方の配線層とを、絶縁層を介して積層したサスペンション用基板が知られている（特許文献１、特許文献２）。また、低インピーダンスの差動配線を得るためには、配線の幅を広くすることが好ましく、図１６に示すように、金属基板１０１、第一絶縁層１０２、第一配線層１０３、第二絶縁層１０４、第二配線層１０５およびカバー層１０６をこの順に積層する積層構造が好ましいことが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−０２２５７０号公報
【特許文献２】特開平１０−００３６３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の積層構造は配線の低インピーダンス化に効果的であるが、最近では、さらに伝送信号強度の損失が少ないサスペンション用基板が求められている。本発明者等は、これまでの研究で、伝送信号強度の損失を少なくするためには、第一配線層１０３の頂部から第二配線層１０５の底部までに位置する第二絶縁層１０４の厚さ（配線間厚さ）を大きくすることが有効であるとの知見を得ている。しかしながら、第二絶縁層１０４の配線間厚さを大きくすると、反りが発生しやすくなるという問題、サスペンション用基板の剛性が高くなるという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、伝送信号強度の損失を抑制しつつ、反りの発生抑制および低剛性化を図ることができるサスペンション用基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明においては、ライト側配線構造およびリード側配線構造を有し、上記ライト側配線構造は、ライト側凹部を有する第一絶縁層と、上記ライト側凹部に形成されたライト側第一配線層と、上記ライト側第一配線層を覆う第二絶縁層と、上記第二絶縁層上であり、かつ、上記ライト側第一配線層に厚さ方向において重複するライト側第二配線層とを有し、上記リード側配線構造は、リード側凹部を有する上記第一絶縁層と、上記リード側凹部に形成されたリード側第一配線層と、上記リード側第一配線層を覆う上記第二絶縁層と、上記第二絶縁層上であり、かつ、上記リード側第一配線層に厚さ方向において重複するリード側第二配線層とを有することを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【０００８】
本発明によれば、第一絶縁層にライト側凹部およびリード側凹部を設けることで、第二絶縁層の配線間厚さを所定の大きさに保ちつつ、第二絶縁層の厚さを小さくすることができる。すなわち、第二絶縁層の配線間厚さを所定の大きさに保つことで、Ｓパラメータ（散乱パラメータ）の低下が抑制され、伝送信号強度の損失が抑制できる。一方、第二絶縁層の厚さを小さくすることで、反りの発生抑制および低剛性化を図ることができる。このように、本発明によれば、第一絶縁層にライト側凹部およびリード側凹部を設けることで、伝送信号強度の損失抑制と、反りの発生抑制および低剛性化とを両立させることができる。また、本発明によれば、配線幅を広く設計することができるので、低インピーダンス化を図ることができる。
【０００９】
上記発明においては、上記ライト側第一配線層および上記リード側第一配線層の頂部の少なくとも一方の位置が、上記第一絶縁層の頂部の位置と同一であることが好ましい。第二絶縁層の厚さを小さくすることができるからである。
【００１０】
上記発明においては、上記ライト側第一配線層および上記リード側第一配線層の頂部の少なくとも一方の位置が、上記第一絶縁層の頂部の位置よりも低いことが好ましい。第二絶縁層の厚さをさらに小さくすることができるからである。
【００１１】
上記発明においては、上記ライト側第一配線層および上記リード側第一配線層の少なくとも一方が、スパッタリング法により形成されたスパッタリング層であることが好ましい。緻密な第一配線層を得ることができるからである。
【００１２】
上記発明においては、上記ライト側第一配線層および上記リード側第一配線層の少なくとも一方が、スパッタリング法により形成されたスパッタリング層と、上記スパッタリング層の表面上に、めっき法により形成されためっき層とを有することが好ましい。めっき層をさらに設けることで、第一配線層の厚さの調整が容易になるからである。
【００１３】
上記発明においては、上記ライト側第一配線層および上記ライト側第二配線層の幅が、上記リード側第一配線層および上記リード側第二配線層の幅よりも大きいことが好ましい。ライト側配線およびリード側配線において、所望の差動インピーダンスを得ることができるからである。
【００１４】
また、本発明においては、上述したサスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンションを提供する。
【００１５】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、電気特性および機械特性に優れたサスペンションとすることができる。
【００１６】
また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダとを有することを特徴とするヘッド付サスペンションを提供する。
【００１７】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、電気特性および機械特性に優れたヘッド付サスペンションとすることができる。
【００１８】
また、本発明においては、上述したヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブを提供する。
【００１９】
本発明によれば、上述したヘッド付サスペンションを用いることで、高機能なハードディスクドライブとすることができる。
【００２０】
また、本発明においては、第一絶縁層に、ライト側凹部およびリード側凹部を形成する凹部形成工程と、上記ライト側凹部および上記リード側凹部に、それぞれ、ライト側第一配線層およびリード側第一配線層を形成する第一配線層形成工程と、上記ライト側第一配線層および上記リード側第一配線層を覆う第二絶縁層を形成する第二絶縁層形成工程と、上記第二絶縁層上であり、かつ、上記ライト側第一配線層に厚さ方向において重複するライト側第二配線層、および、上記第二絶縁層上であり、かつ、上記リード側第一配線層に厚さ方向において重複するリード側第二配線層を形成する第二配線層形成工程とを有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。
【００２１】
本発明によれば、第一絶縁層にライト側凹部およびリード側凹部を形成し、これらの凹部に第一配線層を形成することで、第二絶縁層の配線間厚さを所定の大きさに保ちつつ、第二絶縁層の厚さを小さくしたサスペンション用基板を得ることができる。
【００２２】
上記発明において、上記凹部形成工程は、上記第一絶縁層の表面上に、上記ライト側凹部および上記リード側凹部を形成する部分が露出するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、上記レジストパターンから露出する上記第一絶縁層をエッチングし、上記ライト側凹部および上記リード側凹部を形成するエッチング工程とを有し、上記第一配線層形成工程は、上記レジストパターンを剥離する前に、スパッタリング法により上記ライト側第一配線層および上記リード側第一配線層を形成するスパッタリング工程と、上記スパッタリング工程後に、上記レジストパターンを剥離する剥離工程とを有することが好ましい。第一配線層のパターニングが容易だからである。
【００２３】
上記発明において、上記凹部形成工程は、上記第一絶縁層の表面上に、上記ライト側凹部および上記リード側凹部を形成する部分が露出する第一レジストパターンを形成する第一レジストパターン形成工程と、上記第一レジストパターンから露出する上記第一絶縁層をエッチングし、上記ライト側凹部および上記リード側凹部を形成するエッチング工程と、上記エッチング工程後に、上記第一レジストパターンを剥離する第一レジストパターン剥離工程とを有し、上記第一配線層形成工程は、上記ライト側凹部および上記リード側凹部を形成した上記第一絶縁層の表面上に、スパッタリング法により第一配線層形成用膜を形成するスパッタリング工程と、上記第一配線層形成用膜の表面上に、上記ライト側第一配線層および上記リード側第一配線層を形成する部分を被覆する第二レジストパターンを形成する第二レジストパターン形成工程と、上記第二レジストパターンから露出する上記第一配線層形成用膜を除去し、上記ライト側第一配線層および上記リード側第一配線層を形成する除去工程と、上記除去工程の後に、上記第二レジストパターンを剥離する第二レジストパターン剥離工程とを有することが好ましい。所定の第二レジストパターンを形成することにより、第一配線層がエッチングされることを防止でき、劣化の少ない第一配線層を得ることができるからである。
【００２４】
上記発明において、上記凹部形成工程は、上記第一絶縁層の表面上に、上記ライト側凹部および上記リード側凹部を形成する部分が露出する第一レジストパターンを形成する第一レジストパターン形成工程と、上記第一レジストパターンから露出する上記第一絶縁層をエッチングし、上記ライト側凹部および上記リード側凹部を形成するエッチング工程と、上記エッチング工程後に、上記第一レジストパターンを剥離する第一レジストパターン剥離工程とを有し、上記第一配線層形成工程は、上記ライト側凹部および上記リード側凹部を形成した上記第一絶縁層の表面上に、スパッタリング法により第一配線層形成用膜を形成するスパッタリング工程と、上記第一配線層形成用膜の表面上に、上記ライト側第一配線層および上記リード側第一配線層を形成する部分が露出する第二レジストパターンを形成する第二レジストパターン形成工程と、上記第二レジストパターンから露出する上記第一配線層形成用膜の表面上に、めっき法により上記ライト側第一配線層および上記リード側第一配線層を構成するめっき層を形成するめっき工程と、上記めっき工程後に、上記第二レジストパターンを剥離する第二レジストパターン剥離工程と、上記めっき層が形成されていない部分の上記第一配線層形成用膜を除去する除去工程とを有することが好ましい。スパッタリング層にさらにめっき層を形成することで、第一配線層の厚さの調整が容易になるからである。
【発明の効果】
【００２５】
本発明においては、伝送信号強度の損失を抑制しつつ、反りの発生抑制および低剛性化を図ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明のサスペンション用基板の一例を示す概略平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明のサスペンション用基板と、従来のサスペンション用基板とを比較する概略断面図である。
【図４】本発明のサスペンション用基板と、従来のサスペンション用基板とを比較する概略断面図である。
【図５】本発明における第一絶縁層を説明する概略断面図である。
【図６】本発明におけるライト側第一配線層を説明する概略断面図である。
【図７】ライト側第一配線層３ａの頂部の位置と、第一絶縁層２ａの頂部の位置との位置関係を説明する概略断面図である。
【図８】ライト側配線構造およびリード側配線構造の位置関係を説明する概略断面図である。
【図９】本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１０】本発明のヘッド付サスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１１】本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。
【図１２】本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を説明する概略断面図である。
【図１３】本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を説明する概略断面図である。
【図１４】本発明における第一配線層の形成方法を例示する概略断面図である。
【図１５】本発明における第一配線層の形成方法を例示する概略断面図である。
【図１６】従来のサスペンション用基板を説明する概略断面図である。
【図１７】シミュレーションに用いたサスペンション用基板を説明する概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。
【００２８】
Ａ．サスペンション用基板
まず、本発明のサスペンション用基板について説明する。本発明のサスペンション用基板は、ライト側配線構造およびリード側配線構造を有し、上記ライト側配線構造は、ライト側凹部を有する第一絶縁層と、上記ライト側凹部に形成されたライト側第一配線層と、上記ライト側第一配線層を覆う第二絶縁層と、上記第二絶縁層上であり、かつ、上記ライト側第一配線層に厚さ方向において重複するライト側第二配線層とを有し、上記リード側配線構造は、リード側凹部を有する上記第一絶縁層と、上記リード側凹部に形成されたリード側第一配線層と、上記リード側第一配線層を覆う上記第二絶縁層と、上記第二絶縁層上であり、かつ、上記リード側第一配線層に厚さ方向において重複するリード側第二配線層とを有することを特徴とするものである。
【００２９】
図１は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す概略平面図である。なお、便宜上、カバー層の記載は省略している。図１に示されるサスペンション用基板２０は、一方の先端部分に形成されたジンバル部１１と、他方の先端部分に形成され、外部回路基板（例えばメインフレキ基板）に接続するための外部回路基板接続部１２と、ジンバル部１１および外部回路基板接続部１２を接続する配線部１３（ライト側配線１３ｘおよびリード側配線１３ｙ）とを有する。
【００３０】
図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。図２に示されるサスペンション用基板２０は、ライト側配線構造Ｘおよびリード側配線構造Ｙを有する。さらに、ライト側配線構造Ｘは、ライト側凹部２１ｙを有する第一絶縁層２ａと、ライト側凹部２１ｙに形成されたライト側第一配線層３ａと、ライト側第一配線層３ａを覆う第二絶縁層２ｂと、第二絶縁層２ｂ上であり、かつ、ライト側第一配線層３ａに厚さ方向において重複するライト側第二配線層３ｂとを有する。なお、図２におけるライト側第一配線層３ａは、スパッタリング法により形成されたスパッタリング層３１ａである。また、図２におけるライト側第二配線層３ｂは、スパッタリング層３１ｂと、めっき法により形成されためっき層３２ｂとを有するものである。
【００３１】
一方、リード側配線構造１３ｙは、リード側凹部２１ｙを有する第一絶縁層２ａと、リード側凹部２１ｙに形成されたリード側第一配線層４ａと、リード側第一配線層４ａを覆う第二絶縁層２ｂと、第二絶縁層２ｂ上であり、かつ、リード側第一配線層４ａに厚さ方向において重複するリード側第二配線層４ｂとを有する。なお、図２におけるリード側第一配線層４ａは、スパッタリング法により形成されたスパッタリング層４１ａである。また、図２におけるリード側第二配線層４ｂは、スパッタリング層４１ｂと、めっき法により形成されためっき層４２ｂとを有するものである。
【００３２】
また、図２に示されるサスペンション用基板２０は、ライト側凹部２１ｘおよびリード側凹部２１ｙが形成されている表面とは反対側の第一絶縁層２ａの表面に、金属基板１を有する。また、本発明においては、ライト側第一配線層３ａおよびリード側第一配線層４ａを「第一配線層」と総称する場合があり、ライト側第二配線層３ｂおよびリード側第二配線層４ｂを「第二配線層」と総称する場合がある。
【００３３】
本発明によれば、第一絶縁層にライト側凹部およびリード側凹部を設けることで、第二絶縁層の配線間厚さを所定の大きさに保ちつつ、第二絶縁層の厚さを小さくすることができる。すなわち、第二絶縁層の配線間厚さを所定の大きさに保つことで、Ｓパラメータ（散乱パラメータ）の低下が抑制され、伝送信号強度の損失が抑制できる。一方、第二絶縁層の厚さを小さくすることで、反りの発生抑制および低剛性化を図ることができる。このように、本発明によれば、第一絶縁層にライト側凹部およびリード側凹部を設けることで、伝送信号強度の損失抑制と、反りの発生抑制および低剛性化とを両立させることができる。また、本発明によれば、配線幅を広く設計することができるので、低インピーダンス化を図ることができる。
【００３４】
さらに、本発明の効果について、図３および図４を用いて詳細に説明する。本発明のサスペンション用基板においては、図３（ａ）、図４（ａ）に示すように、第一絶縁層２ａがライト側凹部２１ｘおよびリード側凹部２１ｙを有し、これらの凹部に、ライト側第一配線層３ａおよびリード側第一配線層４ａが形成されている。また、ライト側第二配線層３ｂおよびリード側第二配線層４ｂは、共にカバー層５で覆われている。一方、図３（ｂ）、図４（ｂ）に示すように、従来のサスペンション用基板においては、第一絶縁層２ａがライト側凹部およびリード側凹部を有しない。
【００３５】
図３（ａ）と図３（ｂ）と比較すると、サスペンション用基板全体の厚さが同一であるため、反りの発生抑制および低剛性化の観点（機械特性の観点）では差異はないものの、図３（ｂ）は、図３（ａ）に比べて第二絶縁層２ｂの配線間厚さＴ１が小さくなるため、伝送信号強度の損失の観点（電気特性の観点）では大幅に劣ってしまう。一方、図４（ａ）と図４（ｂ）と比較すると、第二絶縁層２ｂの配線間厚さが同一であるため、電気特性の観点では差異はないものの、図４（ｂ）は、図４（ａ）に比べてサスペンション用基板全体の厚さＴ２が大きくなり、機械特性の観点では劣ってしまう。これに対して、本発明においては、図３（ａ）、図４（ａ）に示すように、第二絶縁層の配線間厚さを所定の大きさに保ちつつ、第二絶縁層の厚さを小さくすることができるという利点を有する。
以下、本発明のサスペンション用基板について、さらに詳細に説明する。
【００３６】
１．ライト側配線構造
まず、本発明におけるライト側配線構造について説明する。上記の図２に示すように、本発明におけるライト側配線構造Ｘは、ライト側凹部２１ｘを有する第一絶縁層２ａ、ライト側第一配線層３ａ、第二絶縁層２ｂ、ライト側第二配線層３ｂをこの順に積層した構造を有する。
【００３７】
（１）第一絶縁層
本発明における第一絶縁層２ａについて説明する（図２参照）。第一絶縁層２ａは、ライト側凹部２１ｘを有する層である。ライト側凹部２１ｘは、例えば、第一絶縁層２ａをエッチングすることにより形成することができる。また、ライト側凹部２１ｘを設けることにより、第二絶縁層２ｂの配線間厚さを所定の大きさに保ちつつ、第二絶縁層２ｂの厚さを小さくすることができる。これにより、伝送信号強度の損失を抑制しつつ、反りの発生抑制および低剛性化を図ることができる。
【００３８】
第一絶縁層２ａの材料としては、所望の絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばポリイミド（ＰＩ）等を挙げることができる。また、第一絶縁層２ａの材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。
【００３９】
また、図５に示すように、第一絶縁層２ａの厚さをＴとし、ライト側凹部２１ｘの深さをＤとする。ここで、第一絶縁層２ａの厚さＴに対するライト側凹部２１ｘの深さＤの割合（Ｄ／Ｔ）は、例えば５％以上であり、１０％以上であることが好ましく、２０％以上であることがより好ましい。Ｄ／Ｔの値が小さすぎると、第二絶縁層２ｂの厚さを小さくする効果が現れず、反りの発生抑制および低剛性化を充分に図ることができないからである。一方、Ｄ／Ｔは、例えば６０％以下であり、５０％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましい。Ｄ／Ｔの値が大きすぎると、第一絶縁層２ａにピンホールが生じやすくなり、ライト側第１配線層３aが露出し劣化しやすくなるためである。
【００４０】
ライト側凹部２１ｘの深さＤは、例えば０．５μｍ以上であり、１μｍ〜６μｍの範囲内であることが好ましく、２μｍ〜５μｍの範囲内であることがより好ましい。また、ピンホールの発生を防止するという観点からは、第一絶縁層２ａの厚さＴと、ライト側凹部２１ｘの深さＤとの差（Ｔ−Ｄ）が、４μｍ以上であることが好ましく、５μｍ以上であることがより好ましい。一方、第一絶縁層２ａの厚さＴは、特に限定されるものではないが、例えば４μｍ〜２５μｍの範囲内、中でも５μｍ〜２０μｍの範囲内、特に９μｍ〜１６μｍの範囲内であることが好ましい。第一絶縁層２ａの厚さが大きすぎると、反りが発生しやすくなり、第一絶縁層２ａの厚さが小さすぎると、充分な深さを有するライト側凹部２１ｘを形成しにくくなるからである。なお、ライト側凹部２１ｘの幅は、目的とするライト側第一配線層３ａの幅に応じて、適宜選択することが好ましい。
【００４１】
（２）ライト側第一配線層
次に、本発明におけるライト側第一配線層３ａについて説明する（図２参照）。ライト側第一配線層３ａは、通常、ライト側凹部２１ｘの底面に形成される層である。ライト側第一配線層３ａの材料としては、所望の導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば銅（Ｃｕ）等を挙げることができる。
【００４２】
また、本発明においては、図６（ａ）に示すように、ライト側第一配線層３ａが、スパッタリング法により形成されたスパッタリング層３１ａであることが好ましい。緻密なライト側第一配線層を得ることができるからである。また、通常、スパッタリング層３１ａは薄膜状であることから、第二絶縁層２ｂの厚さを小さくしやすいという利点がある。また、本発明においては、図６（ｂ）に示すように、ライト側第一配線層３ａが、スパッタリング法により形成されたスパッタリング層３１ａと、スパッタリング層３１ａの表面上に、めっき法により形成されためっき層３２ａとを有するものであっても良い。めっき層３２ａをさらに設けることで、ライト側第一配線層３ａの厚さの調整が容易になるからである。
【００４３】
本発明におけるライト側第一配線層３ａの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば０．５μｍ以上であることが好ましく、１μｍ〜６μｍの範囲内であることが好ましい。また、ライト側第一配線層３ａの幅としては、例えば１０μｍ〜３００μｍの範囲内であることが好ましい。ライト側第一配線層３ａの幅が小さすぎると、充分な低インピーダンス化を図ることができない可能性があり、ライト側第一配線層３ａの幅が大きすぎると、サスペンション用基板の充分な高密度化を図ることができない可能性があるからである。
【００４４】
また、本発明において、ライト側第一配線層３ａの頂部の位置と、第一絶縁層２ａの頂部の位置との位置関係は特に限定されるものではない。両層の頂部の位置関係としては、例えば図７（ａ）に示すように、ライト側第一配線層３ａの頂部の位置が、第一絶縁層２ａの頂部の位置と同一である場合を挙げることができる。
【００４５】
さらに、本発明においては、図７（ｂ）に示すように、ライト側第一配線層３ａの頂部の位置が、第一絶縁層２ａの頂部の位置よりも低いことが好ましい。図７（ａ）の場合に比べて、第二絶縁層２ｂの厚さをさらに小さくすることができるからである。これにより、反りの発生抑制および低剛性化を充分に図ることができる。また、この場合、第一絶縁層２ａの頂部の位置と、ライト側第一配線層３ａの頂部の位置との差（Ｈ１）は、特に限定されるものではないが、例えば０．１μｍ以上であり、０．５μｍ〜５μｍの範囲内であることが好ましい。
【００４６】
なお、本発明においては、図７（ｃ）に示すように、ライト側第一配線層３ａの頂部の位置が、第一絶縁層２ａの頂部の位置よりも高くても良い。ライト側凹部２１ｘを有しない場合と比較して、第二絶縁層２ｂの厚さを小さくすることができるからである。また、この場合、ライト側第一配線層３ａの頂部の位置と、第一絶縁層２ａの頂部の位置との差（Ｈ２）は、特に限定されるものではないが、例えば３μｍ以下であり、０．１μｍ〜２μｍの範囲内であることが好ましい。
【００４７】
（３）第二絶縁層
次に、本発明における第二絶縁層２ｂについて説明する（図２参照）。第二絶縁層２ｂは、ライト側第一配線層３ａを覆う層である。第二絶縁層２ｂの材料および厚さについては、上述した第一絶縁層２ａと同様である。また、ライト側第一配線層３ａの頂部からライト側第二配線層３ｂの底部までに位置する第二絶縁層２ｂの配線間厚さ（例えば図３における配線間厚さＴ１）は、例えば４μｍ以上であり、５μｍ〜２５μｍの範囲内であることが好ましく、９μｍ〜１６μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００４８】
（４）ライト側第二配線層
次に、本発明におけるライト側第二配線層３ｂについて説明する（図２参照）。ライト側第二配線層３ｂは、通常、第二絶縁層２ｂの表面上に形成される層である。また、ライト側第二配線層３ｂおよびライト側第一配線層３ａは、厚さ方向において、少なくとも一部で重複しており、完全に重複していることが好ましい。インピーダンスの制御が容易だからである。また、ライト側第二配線層３ｂの材料、厚さおよび幅については、上述したライト側第一配線層３ａと同様である。また、ライト側第二配線層３ｂは、上述したスパッタリング層であっても良く、スパッタリング層と、上記スパッタリング層の表面上に形成されためっき層とを有するものであっても良い。また、ライト側第二配線層３ｂは、その表面にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）による配線めっき層を有していても良い。
【００４９】
（５）カバー層
次に、本発明におけるカバー層５について説明する（図３参照）。カバー層５は、通常、ライト側第二配線層３ｂを覆う層である。カバー層５を設けることにより、ライト側第二配線層３ｂの劣化を防止することができる。カバー層５の材料としては、例えばポリイミド（ＰＩ）等を挙げることができる。また、カバー層５の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。なお、カバー層５の材料は、上述した第一絶縁層２ａおよび第二絶縁層２ｂと同じであっても良く、異なっていても良い。カバー層５の厚さは、例えば３μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましい。また、カバー層５は、反りの発生や剛性の増加を抑制するために、より少ない領域で形成されていることが好ましい。
【００５０】
（６）金属基板
次に、本発明における金属基板１について説明する（図２参照）。金属基板１は、ライト側凹部２１ｘおよびリード側凹部２１ｙが形成されている表面とは反対側の第一絶縁層２ａの表面に、形成されるものである。金属基板１の材料としては、所望の導電性およびばね性を有することが好ましく、例えばステンレススティール等を挙げることができる。金属基板１の厚さは、例えば１０μｍ〜３０μｍの範囲内、中でも１５μｍ〜２５μｍの範囲内であることが好ましい。また、本発明においては、図２に示すように、金属基板１が、ライト側第一配線層３ａと厚さ方向において重複しないように形成されていることが好ましい。金属基板１が、ライト側第一配線層３ａの電気特性に悪影響を与えることを抑制できるからである。ライト側第一配線層３ａの端部と、金属基板１の端部とは、厚さ方向と直交する断面方向において、例えば１０μｍ以上離れていることが好ましい。
【００５１】
２．リード側配線構造
次に、本発明におけるリード側配線構造について説明する。本発明におけるリード側配線構造は、上記の図２に示すように、リード側凹部２１ｙを有する第一絶縁層２ａ、リード側第一配線層４ａ、第二絶縁層２ｂ、リード側第二配線層４ｂをこの順に積層した構造を有する。なお、各層の好ましい材料や範囲等については、上記「１．ライト側配線構造」に記載した内容と同様である。また、リード側配線構造を構成する各層の具体的な構成は、ライト側配線構造を構成する各層の構成と、互いに同じであっても良く、異なっていても良い。
【００５２】
また、本発明においては、ライト側第一配線層およびライト側第二配線層の幅が、リード側第一配線層およびリード側第二配線層の幅よりも大きいことが好ましい。ライト側配線およびリード側配線において、所望の差動インピーダンスを得ることができるからである。所望の差動インピーダンスは、磁気ヘッド、プレアンプ等とのインピーダンスマッチングの観点から決定される。
【００５３】
ここで、ライト側配線の差動インピーダンスは、例えば１０Ω〜６０Ωの範囲内にあることが好ましく、１０Ω〜２５Ωの範囲内にあることがより好ましい。また、このような差動インピーダンスを得るという観点から、ライト側第一配線層およびライト側第二配線層の幅は、それぞれ、２０μｍ〜３００μｍの範囲内であることが好ましく、３５μｍ〜２７５μｍの範囲内であることがより好ましく、６５μｍ〜２５０μｍの範囲内であることが特に好ましい。また、ライト側第一配線層およびライト側第二配線層の幅は、同じであることが好ましい。
【００５４】
一方、リード側配線の差動インピーダンスは、例えば４０Ω〜１００Ωの範囲内にあることが好ましく、５０Ω〜９０Ωの範囲内にあることがより好ましい。また、このような差動インピーダンスを得るという観点からは、リード側第一配線層およびリード側第二配線層の幅は、それぞれ、１０μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましく、１２．５μｍ〜４５μｍの範囲内であることがより好ましく、１５μｍ〜４０μｍの範囲内であることが特に好ましい。また、リード側第一配線層およびリード側第二配線層の幅は、同じであることが好ましい。
【００５５】
３．サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、上述したライト側配線構造およびリード側配線構造を有するものであれば特に限定されるものではない。中でも、本発明においては、ライト側配線構造およびリード側配線構造が、ジンバル部に近い領域で形成されていることが好ましい。磁気ヘッドスライダが搭載される位置の近傍では、反りの発生抑制および低剛性化の効果が顕著に現れるからである。ここで、図１に示すように、サスペンション用基板２０の長手方向の長さをＬとした場合、ライト側配線構造およびリード側配線構造は、ジンバル部１１側の先端から０．５Ｌまでの領域において形成されていることが好ましく、ジンバル部１１側の先端から０．３Ｌまでの領域において形成されていることが好ましい。
【００５６】
また、本発明のサスペンション用基板は、ライト側配線構造およびリード側配線構造がクロストークの影響がない間隔を設けて形成された配線領域を有することが好ましい。具体的には、図８に示すように、ライト側配線構造Ｘにおけるライト側第一配線層３ａおよびライト側第二配線層３ｂの端部と、リード側配線構造Ｙにおけるリード側第一配線層４ａおよびリード側第二配線層４ｂの端部との距離（厚さ方向に直交する断面方向における距離）をＬ１とすると、本発明のサスペンション用基板は、Ｌ１が２００μｍ以上である配線領域を有することが好ましく、７５０μｍ以上である配線領域を有することがより好ましい。なお、ライト側第一配線層３ａおよびライト側第二配線層３ｂの幅が異なる場合、並びに、リード側第一配線層４ａおよびリード側第二配線層４ｂの幅が異なる場合、Ｌ１には、最も短い距離を採用するものとする。また、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例については、後述する「Ｅ．サスペンション用基板の製造方法」で説明する。
【００５７】
Ｂ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板を含むことを特徴とするものである。
【００５８】
図９は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図９に示されるサスペンション７０は、上述したサスペンション用基板２０と、ジンバル部１１が形成されている表面とは反対側のサスペンション用基板２０の表面に備え付けられたロードビーム５０とを有するものである。
【００５９】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、電気特性および機械特性に優れたサスペンションとすることができる。
【００６０】
本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板を有し、通常は、さらにロードビームを有する。サスペンション用基板については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、ロードビームは、一般的なサスペンションに用いられるロードビームと同様のものを用いることができる。
【００６１】
Ｃ．ヘッド付サスペンション
次に、本発明のヘッド付サスペンションについて説明する。本発明のヘッド付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダとを有するものである。
【００６２】
図１０は、本発明のヘッド付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図１０に示されるヘッド付サスペンション７０は、上述したサスペンション６０と、サスペンション６０のジンバル部１１に実装された磁気ヘッドスライダ６１とを有するものである。
【００６３】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、電気特性および機械特性に優れたヘッド付サスペンションとすることができる。
【００６４】
本発明のヘッド付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび磁気ヘッドスライダを有するものである。サスペンションについては、上記「Ｂ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、磁気ヘッドスライダは、一般的なヘッド付サスペンションに用いられる磁気ヘッドスライダと同様のものを用いることができる。
【００６５】
Ｄ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述したヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするものである。
【００６６】
図１１は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図１１に示されるハードディスクドライブ８０は、上述したヘッド付サスペンション７０と、ヘッド付サスペンション７０がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク７１と、ディスク７１を回転させるスピンドルモータ７２と、ヘッド付サスペンション７０に接続されたアーム７３およびボイスコイルモータ７４と、上記の部材を密閉するケース７５とを有するものである。
【００６７】
本発明によれば、上述したヘッド付サスペンションを用いることで、高機能なハードディスクドライブとすることができる。
【００６８】
本発明のハードディスクドライブは、少なくともヘッド付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。ヘッド付サスペンションについては、上記「Ｃ．ヘッド付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
【００６９】
Ｅ．サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、第一絶縁層に、ライト側凹部およびリード側凹部を形成する凹部形成工程と、上記ライト側凹部および上記リード側凹部に、それぞれ、ライト側第一配線層およびリード側第一配線層を形成する第一配線層形成工程と、上記ライト側第一配線層および上記リード側第一配線層を覆う第二絶縁層を形成する第二絶縁層形成工程と、上記第二絶縁層上であり、かつ、上記ライト側第一配線層に厚さ方向において重複するライト側第二配線層、および、上記第二絶縁層上であり、かつ、上記リード側第一配線層に厚さ方向において重複するリード側第二配線層を形成する第二配線層形成工程とを有することを特徴とするものである。
【００７０】
図１２および図１３は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を説明する概略断面図である。このサスペンション用基板の製造方法においては、まず、ステンレススティールからなる金属基板１Ａを用意する（図１２（ａ））。次に、金属基板１Ａの表面上に、ポリイミドを塗布することによって第一絶縁層２Ａを形成する（図１２（ｂ））。次に、第一絶縁層２Ａの表面上に、所定のレジストパターン５１を形成する（図１２（ｃ））。次に、レジストパターン５１から露出する第一絶縁層２Ａをドライエッチングし、ライト側凹部２１ｘおよびリード側凹部２１ｙを形成する（図１２（ｄ））。
【００７１】
その後、レジストパターン５１を剥離する前に、レジストパターン５１側からＣｒスパッタリングを行い、拡散防止層（図示せず）を形成する。さらに、その拡散防止層の表面上に、Ｃｕスパッタリングによりライト側第一配線層３ａ（スパッタリング層３１ａ）およびリード側第一配線層４ａ（スパッタリング層４１ａ）を形成し（図１２（ｅ））、レジストパターン５１を剥離する（図１２（ｆ））。次に、ポリイミドを塗布することにより、ライト側第一配線層３ａおよびリード側第一配線層４ａを覆う第二絶縁層２ｂを形成する（図１２（ｇ））。
【００７２】
その後、第二絶縁層２ｂの表面上に、Ｃｒスパッタリングにより拡散防止層（図示せず）を形成する。さらに、その拡散防止層の表面上に、Ｃｕスパッタリングにより第二配線層を形成するための第二配線層形成用膜６を形成する（図１２（ｈ））。次に、第二配線層形成用膜６の表面上に、所定のレジストパターン５２を形成する（図１２（ｉ））。次に、レジストパターン５２から露出する第二配線層形成用膜６の表面上に、電解Ｃｕめっきを行うことにより、めっき層３２ｂ、４２ｂを形成し（図１２（ｊ））、レジストパターン５２を剥離する（図１２（ｋ））。
【００７３】
その後、不要な第二配線層形成用膜６および拡散防止層（図示せず）をウェットエッチングより除去することで、スパッタリング層３１ｂおよびめっき層３２ｂを有するライト側第二配線層３ｂと、スパッタリング層４１ｂおよびめっき層４２ｂを有するリード側第二配線層４ｂとを形成する（図１３（ａ））。次に、ポリイミドを塗布することにより、ライト側第二配線層３ｂおよびリード側第二配線層４ｂを覆うカバー層５を形成する（図１３（ｂ））。次に、第一絶縁層２Ａを加工するためのレジストパターン５３を形成し（図１３（ｃ））、レジストパターン５３から露出する第一絶縁層２Ａを除去し、第一絶縁層２ａを形成し（図１３（ｄ））、レジストパターン５３を剥離する（図１３（ｅ））。次に、金属基板１Ａを加工するためのレジストパターン５４を形成し（図１３（ｆ））、レジストパターン５４から露出する金属基板１Ａを除去し、金属基板１を形成し（図１３（ｇ））、最後にレジストパターン５４を剥離する（図１３（ｈ））。これにより、サスペンション用基板を得ることができる。
【００７４】
このように、本発明によれば、第一絶縁層にライト側凹部およびリード側凹部を形成し、これらの凹部に第一配線層を形成することで、第二絶縁層の配線間厚さを所定の大きさに保ちつつ、第二絶縁層の厚さを小さくしたサスペンション用基板を得ることができる。なお、本発明により得られるサスペンション用基板については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様である。
以下、本発明のサスペンション用基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
【００７５】
１．凹部形成工程
本発明における凹部形成工程は、第一絶縁層に、ライト側凹部およびリード側凹部を形成する工程である。ライト側凹部およびリード側凹部の形成方法としては、例えば、レジストパターンから露出する第一絶縁層をエッチングする方法を挙げることができる。第一絶縁層をエッチングする方法は、ドライエッチングであっても良く、ウェットエッチングであっても良い。また、所望のレジストパターンは、例えば、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を用いることで形成することができる。
【００７６】
２．第一配線層形成工程
次に、本発明における第一配線層形成工程について説明する。本工程は、ライト側凹部およびリード側凹部に、それぞれ、ライト側第一配線層およびリード側第一配線層を形成する工程である。以下、第一配線層の形成方法について、第一実施態様〜第三実施態様に分けて例示する。
【００７７】
（１）第一実施態様
第一配線層の形成方法の第一実施態様は、凹部形成工程が、第一絶縁層の表面上に、ライト側凹部およびリード側凹部を形成する部分が露出するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、レジストパターンから露出する第一絶縁層をエッチングし、ライト側凹部およびリード側凹部を形成するエッチング工程とを有し、第一配線層形成工程が、レジストパターンを剥離する前に、スパッタリング法によりライト側第一配線層およびリード側第一配線層を形成するスパッタリング工程と、スパッタリング工程後に、レジストパターンを剥離する剥離工程とを有するものである。
【００７８】
第一実施態様の具体例としては、上記の図１２（ａ）〜（ｆ）で説明した方法を挙げることができる。第一実施態様によれば、図１２（ｅ）、（ｆ）に示すように、ライト側凹部２１ｘおよびリード側凹部２１ｙを形成するために使用したレジストパターン５１を残留させた状態で、Ｃｕスパッタリングを行う。その後、レジストパターン５１を剥離することで、ライト側第一配線層４ａおよびリード側第一配線層４ｂを形成することができる。このように、第一実施態様によれば、第一配線層のパターニングが容易であるという利点を有する。
【００７９】
（２）第二実施態様
第一配線層の形成方法の第二実施態様は、凹部形成工程が、第一絶縁層の表面上に、ライト側凹部およびリード側凹部を形成する部分が露出する第一レジストパターンを形成する第一レジストパターン形成工程と、第一レジストパターンから露出する第一絶縁層をエッチングし、ライト側凹部およびリード側凹部を形成するエッチング工程と、エッチング工程後に、第一レジストパターンを剥離する第一レジストパターン剥離工程とを有し、第一配線層形成工程が、ライト側凹部およびリード側凹部を形成した第一絶縁層の表面上に、スパッタリング法により第一配線層形成用膜を形成するスパッタリング工程と、第一配線層形成用膜の表面上に、ライト側第一配線層およびリード側第一配線層を形成する部分を被覆する第二レジストパターンを形成する第二レジストパターン形成工程と、第二レジストパターンから露出する第一配線層形成用膜を除去し、ライト側第一配線層およびリード側第一配線層を形成する除去工程と、除去工程の後に、第二レジストパターンを剥離する第二レジストパターン剥離工程とを有するものである。
【００８０】
図１４は、第一配線層の形成方法の第二実施態様の一例を示す概略断面図である。図１４に示される第一配線層の形成方法においては、上記の図１２（ａ）〜（ｃ）と同様に、第一絶縁層２Ａの表面上に、所定のレジストパターン（第一レジストパターン）を形成する。次に、第一レジストパターン５１から露出する露出する第一絶縁層２Ａをウェットエッチングし、ライト側凹部２１ｘおよびリード側凹部２１ｙを形成し（図１４（ａ））、レジストパターン５１を剥離する（図１４（ｂ））。
【００８１】
その後、ライト側凹部２１ｘおよびリード側凹部２１ｙを形成した第一絶縁層２Ａの表面上に、Ｃｒスパッタリングにより、拡散防止層（図示せず）を形成する。さらに、その拡散防止層の表面上に、Ｃｕスパッタリングにより第一配線層を形成するための第一配線層形成用膜７を形成する（図１４（ｃ））。次に、第一配線層形成用膜７の表面上に、所定の第二レジストパターン５２を形成する（図１４（ｄ））。なお、第二レジストパターン５２は、ライト側第一配線層およびリード側第一配線層を形成する部分を被覆するものである。次に、レジストパターン５２から露出する第一配線層形成用膜７および拡散防止層（図示せず）をウェットエッチングにより除去し（図１４（ｅ））、最後にレジストパターン５２を剥離する（図１４（ｆ））。これにより、スパッタリング層３１ａからなるライト側第一配線層３ａと、スパッタリング層４１ａからなるリード側第一配線層４ａとが形成される。
【００８２】
第二実施態様によれば、所定の第二レジストパターンを形成することにより、第一配線層がエッチングされることを防止でき、劣化の少ない第一配線層を得ることができるという利点を有する。
【００８３】
（３）第三実施態様
第一配線層の形成方法の第三実施態様は、凹部形成工程が、第一絶縁層の表面上に、ライト側凹部およびリード側凹部を形成する部分が露出する第一レジストパターンを形成する第一レジストパターン形成工程と、第一レジストパターンから露出する第一絶縁層をエッチングし、ライト側凹部およびリード側凹部を形成するエッチング工程と、エッチング工程後に、第一レジストパターンを剥離する第一レジストパターン剥離工程とを有し、第一配線層形成工程が、ライト側凹部およびリード側凹部を形成した第一絶縁層の表面上に、スパッタリング法により第一配線層形成用膜を形成するスパッタリング工程と、第一配線層形成用膜の表面上に、ライト側第一配線層およびリード側第一配線層を形成する部分が露出する第二レジストパターンを形成する第二レジストパターン形成工程と、第二レジストパターンから露出する第一配線層形成用膜の表面上に、めっき法によりライト側第一配線層およびリード側第一配線層を構成するめっき層を形成するめっき工程と、めっき工程後に、第二レジストパターンを剥離する第二レジストパターン剥離工程と、めっき層が形成されていない部分の第一配線層形成用膜を除去する除去工程とを有するものである。
【００８４】
図１５は、第一配線層の形成方法の第三実施態様の一例を示す概略断面図である。図１５に示される第一配線層の形成方法においては、上記の図１２（ａ）〜（ｃ）と同様に、第一絶縁層２Ａの表面上に、所定のレジストパターン（第一レジストパターン）を形成する。次に、第一レジストパターン５１から露出する露出する第一絶縁層２Ａをウェットエッチングし、ライト側凹部２１ｘおよびリード側凹部２１ｙを形成し（図１５（ａ））、レジストパターン５１を剥離する（図１５（ｂ））。
【００８５】
その後、ライト側凹部２１ｘおよびリード側凹部２１ｙを形成した第一絶縁層２Ａの表面上に、Ｃｒスパッタリングにより拡散防止層（図示せず）を形成する。さらに、その拡散防止層の表面上に、Ｃｕスパッタリングにより第一配線層を形成するための第一配線層形成用膜７を形成する（図１５（ｃ））。次に、第一配線層形成用膜７の表面上に、所定の第二レジストパターン５２を形成する（図１５（ｄ））。なお、第二レジストパターン５２は、ライト側第一配線層およびリード側第一配線層を形成する部分が露出するものである。次に、レジストパターン５２から露出する第一配線層形成用膜７の表面上に、電解Ｃｕめっきを行うことにより、めっき層３２ａ、４２ａを形成し（図１５（ｅ））、第二レジストパターン５２を剥離する（図１５（ｆ））。最後に、不要な第一配線層形成用膜７および拡散防止層（図示せず）をウェットエッチングより除去する（図１５（ｇ））。なお、この場合、めっき層３２ａ、４２ａの厚さは、上記のウェットエッチングにより除去されない程度の厚さであることが好ましい。これにより、スパッタリング層３１ａおよびめっき層３２ａを有するライト側第一配線層３ａと、スパッタリング層４１ａおよびめっき層４２ａを有するリード側第一配線層４ａとが形成される。
【００８６】
第三実施態様によれば、スパッタリング層にさらにめっき層を形成することで、第一配線層３ａの厚さの調整が容易になるという利点を有する。
【００８７】
３．その他の工程
本発明における第二絶縁層形成工程および第二配線層形成工程については、一般的なサスペンション用基板の製造方法における工程と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、本発明においては、上記ライト側第二配線層および上記リード側第二配線層を被覆するカバー層を形成するカバー層形成工程を有していても良い。
【００８８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００８９】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００９０】
［実施例１］
まず、図１２（ａ）に示す金属基板１Ａ（ＳＵＳ３０４、厚さ２０μｍ）を用意した。次に、金属基板１Ａの表面上に、ポリイミドを塗布し、第一絶縁層２Ａ（厚さ１０μｍ）を形成した（図１２（ｂ））。次に、第一絶縁層２Ａの表面上に、ＤＦＲを配置し、露光・現像することで、レジストパターン５１を形成した（図１２（ｃ））。次に、レジストパターン５１から露出する第一絶縁層２Ａを反応性ガスを用いたプラズマによりドライエッチングし、ライト側凹部２１ｘ（深さ１μｍ）およびリード側凹部２１ｙ（深さ１μｍ）を形成した（図１２（ｄ））。次に、レジストパターン５１を剥離する前に、レジストパターン５１側からＣｒスパッタリングを行い、拡散防止層（図示せず、厚さ０．０６μｍ）を形成し、その拡散防止層の表面上に、Ｃｕスパッタリングによりライト側第一配線層３ａ（厚さ１μｍ）およびリード側第一配線層４ａ（厚さ１μｍ）を形成した（図１２（ｅ））。次に、剥離液を用いてレジストパターン５１を剥離した（図１２（ｆ））。次に、ポリイミドを塗布することにより、ライト側第一配線層３ａおよびリード側第一配線層４ａを覆う第二絶縁層２ｂ（厚さ１５μｍ）を形成した（図１２（ｇ））。
【００９１】
その後、第二絶縁層２ｂの表面上に、Ｃｒスパッタリングにより拡散防止層（図示せず、厚さ０．０６μｍ）を形成した。さらに、その拡散防止層の表面上に、Ｃｕスパッタリングにより第二配線層を形成するための第二配線層形成用膜６（厚さ０．３μｍ）を形成した（図１２（ｈ））。次に、第二配線層形成用膜６の表面上に、ＤＦＲを配置し、露光・現像することで、所定のレジストパターン５２を形成した（図１２（ｉ））。次に、レジストパターン５２から露出する第二配線層形成用膜６の表面上に、電解Ｃｕめっきを行うことにより、めっき層３２ｂ、４２ｂ（厚さはそれぞれ５μｍ）を形成した（図１２（ｊ））。その後、剥離液によりレジストパターン５２を剥離した（図１２（ｋ））。
【００９２】
その後、不要な第二配線層形成用膜６および拡散防止層（図示せず）をウェットエッチングにより除去することで、スパッタリング層３１ｂおよびめっき層３２ｂを有するライト側第二配線層３ｂと、スパッタリング層４１ｂおよびめっき層４２ｂを有するリード側第二配線層４ｂとを形成した（図１３（ａ））。次に、ポリイミドを塗布することにより、ライト側第二配線層３ｂおよびリード側第二配線層４ｂを覆うカバー層５を形成した（図１３（ｂ））。なお、ライト側第二配線層３ｂおよびリード側第二配線層４ｂの頂部から、カバー層５の頂部までの厚さは５μｍであった。その後は、図１３（ｃ）〜（ｈ）に示す方法と同様にして、サスペンション用基板を得た。
【００９３】
［実施例２］
凹部を有する第一絶縁層を備えたサスペンション用基板について、配線幅および配線間厚さが、差動インピーダンスおよびＳパラメータに与える影響をシミュレーションにより評価した。シミュレーションでは、図１７に示すサスペンション用基板をモデルとした。ここで、第一配線層１０３および第二配線層１０５の幅は同一であり、Ｗ１で表す。また、第二配線層１０５の配線間厚さは、Ｔ１で表す。
【００９４】
まず、配線幅および配線間厚さが、差動インピーダンスに与える影響を評価した。シミュレーション条件および結果を以下に示す。
＜シミュレーション条件＞
・金属基板１０１ ：ステンレス、厚さ２０μｍ
・第一絶縁層１０２：ポリイミド（Ｅｒ＝３）、厚さ１０μｍ
・凹部１０７ ：深さ１μｍ
・第一配線層１０３：純銅、厚さ１μｍ
・第二絶縁層１０４：ポリイミド（Ｅｒ＝３．３）
・第二配線層１０５：純銅、厚さ５μｍ
・カバー層１０６ ：ポリイミド（Ｅｒ＝３．３）
・第二配線層１０５の頂部からカバー層１０６の頂部までの高さ：５μｍ
・周波数：２ＧＨｚ
【００９５】
【表１】
【００９６】
表１に示されるように、配線幅Ｗ１が増加すると、差動インピーダンスが低下することが確認された。また、配線間厚さＴ１が増加すると、差動インピーダンスが増加することが確認された。
【００９７】
次に、配線幅および配線間厚さが、Ｓパラメータに与える影響を評価した。なお、シミュレーション条件は、上記と同じである。
【００９８】
【表２】
【００９９】
表２に示されるように、配線幅Ｗ１によらず、Ｓパラメータはほぼ同一の値であった。一方、配線間厚さＴ１が低下すると、Ｓパラメータの値が悪化することが分かった。すなわち、配線間厚さＴ１が小さくなりすぎると、伝送信号強度の損失が大きくなることが確認された。
【０１００】
以上の結果から、第一配線層および第二配線層が第二絶縁層を介して積層配置された配線の電気特性は、第一配線層および第二配線層の幅と、第二絶縁層の配線間厚さとによって制御されることが確認された。特に、本発明においては、第一絶縁層にライト側凹部およびリード側凹部を設けることで、第二絶縁層の配線間厚さＴ１を所定の大きさに保ちつつ、第二絶縁層の厚さを小さくすることができる。これにより、伝送信号強度の損失を抑制しつつ、反りの発生抑制および低剛性化を図ることができる。
【符号の説明】
【０１０１】
１…金属基板、１Ａ…（加工前の）金属基板、２ａ…第一絶縁層、２ｂ…第二絶縁層、２Ａ…（加工前の）第一絶縁層、３ａ…ライト側第一配線層、３ｂ…ライト側第二配線層、４ａ…リード側第一配線層、４ｂ…リード側第二配線層、５…カバー層、６…第二配線層形成用膜、７…第一配線層形成用膜、１１…ジンバル部、１２…外部回路基板接続部、１３…配線部、１３ｘ…ライト側配線、１３ｙ…リード側配線、２０…サスペンション用基板、２１ｘ…ライト側凹部、２１ｙ…リード側凹部、３１ａ、３１ｂ…スパッタリング層、３２ａ、３２ｂ…めっき層、４１ａ、４１ｂ…スパッタリング層、４２ａ、４２ｂ…めっき層、５０…ロードビーム、６０…サスペンション、６１…磁気ヘッドスライダ、７０…ヘッド付サスペンション、７１…ディスク、７２…スピンドルモータ、７３…アーム、７４…ボイスコイルモータ、７５…ケース、８０…ハードディスクドライブ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ライト側配線構造およびリード側配線構造を有し、
前記ライト側配線構造は、ライト側凹部を有する第一絶縁層と、前記ライト側凹部に形成されたライト側第一配線層と、前記ライト側第一配線層を覆う第二絶縁層と、前記第二絶縁層上であり、かつ、前記ライト側第一配線層に厚さ方向において重複するライト側第二配線層とを有し、
前記リード側配線構造は、リード側凹部を有する前記第一絶縁層と、前記リード側凹部に形成されたリード側第一配線層と、前記リード側第一配線層を覆う前記第二絶縁層と、前記第二絶縁層上であり、かつ、前記リード側第一配線層に厚さ方向において重複するリード側第二配線層とを有することを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
前記ライト側第一配線層および前記リード側第一配線層の頂部の少なくとも一方の位置が、前記第一絶縁層の頂部の位置と同一であることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項３】
前記ライト側第一配線層および前記リード側第一配線層の頂部の少なくとも一方の位置が、前記第一絶縁層の頂部の位置よりも低いことを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
前記ライト側第一配線層および前記リード側第一配線層の少なくとも一方が、スパッタリング法により形成されたスパッタリング層であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項５】
前記ライト側第一配線層および前記リード側第一配線層の少なくとも一方が、スパッタリング法により形成されたスパッタリング層と、前記スパッタリング層の表面上に、めっき法により形成されためっき層とを有することを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項６】
前記ライト側第一配線層および前記ライト側第二配線層の幅が、前記リード側第一配線層および前記リード側第二配線層の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンション。
【請求項８】
請求項７に記載のサスペンションと、前記サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダとを有することを特徴とするヘッド付サスペンション。
【請求項９】
請求項８に記載のヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項１０】
第一絶縁層に、ライト側凹部およびリード側凹部を形成する凹部形成工程と、
前記ライト側凹部および前記リード側凹部に、それぞれ、ライト側第一配線層およびリード側第一配線層を形成する第一配線層形成工程と、
前記ライト側第一配線層および前記リード側第一配線層を覆う第二絶縁層を形成する第二絶縁層形成工程と、
前記第二絶縁層上であり、かつ、前記ライト側第一配線層に厚さ方向において重複するライト側第二配線層、および、前記第二絶縁層上であり、かつ、前記リード側第一配線層に厚さ方向において重複するリード側第二配線層を形成する第二配線層形成工程と、
を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記凹部形成工程は、
前記第一絶縁層の表面上に、前記ライト側凹部および前記リード側凹部を形成する部分が露出するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンから露出する前記第一絶縁層をエッチングし、前記ライト側凹部および前記リード側凹部を形成するエッチング工程とを有し、
前記第一配線層形成工程は、
前記レジストパターンを剥離する前に、スパッタリング法により前記ライト側第一配線層および前記リード側第一配線層を形成するスパッタリング工程と、
前記スパッタリング工程後に、前記レジストパターンを剥離する剥離工程とを有することを特徴とする請求項１０に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１２】
前記凹部形成工程は、
前記第一絶縁層の表面上に、前記ライト側凹部および前記リード側凹部を形成する部分が露出する第一レジストパターンを形成する第一レジストパターン形成工程と、
前記第一レジストパターンから露出する前記第一絶縁層をエッチングし、前記ライト側凹部および前記リード側凹部を形成するエッチング工程と、
前記エッチング工程後に、前記第一レジストパターンを剥離する第一レジストパターン剥離工程とを有し、
前記第一配線層形成工程は、
前記ライト側凹部および前記リード側凹部を形成した前記第一絶縁層の表面上に、スパッタリング法により第一配線層形成用膜を形成するスパッタリング工程と、
前記第一配線層形成用膜の表面上に、前記ライト側第一配線層および前記リード側第一配線層を形成する部分を被覆する第二レジストパターンを形成する第二レジストパターン形成工程と、
前記第二レジストパターンから露出する前記第一配線層形成用膜を除去し、前記ライト側第一配線層および前記リード側第一配線層を形成する除去工程と、
前記除去工程の後に、前記第二レジストパターンを剥離する第二レジストパターン剥離工程とを有することを特徴とする請求項１０に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１３】
前記凹部形成工程は、
前記第一絶縁層の表面上に、前記ライト側凹部および前記リード側凹部を形成する部分が露出する第一レジストパターンを形成する第一レジストパターン形成工程と、
前記第一レジストパターンから露出する前記第一絶縁層をエッチングし、前記ライト側凹部および前記リード側凹部を形成するエッチング工程と、
前記エッチング工程後に、前記第一レジストパターンを剥離する第一レジストパターン剥離工程とを有し、
前記第一配線層形成工程は、
前記ライト側凹部および前記リード側凹部を形成した前記第一絶縁層の表面上に、スパッタリング法により第一配線層形成用膜を形成するスパッタリング工程と、
前記第一配線層形成用膜の表面上に、前記ライト側第一配線層および前記リード側第一配線層を形成する部分が露出する第二レジストパターンを形成する第二レジストパターン形成工程と、
前記第二レジストパターンから露出する前記第一配線層形成用膜の表面上に、めっき法により前記ライト側第一配線層および前記リード側第一配線層を構成するめっき層を形成するめっき工程と、
前記めっき工程後に、前記第二レジストパターンを剥離する第二レジストパターン剥離工程と、
前記めっき層が形成されていない部分の前記第一配線層形成用膜を除去する除去工程とを有することを特徴とする請求項１０に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１】
ライト側配線構造およびリード側配線構造を有し、
前記ライト側配線構造は、ライト側凹部を有する第一絶縁層と、前記ライト側凹部に形成されたライト側第一配線層と、前記ライト側第一配線層を覆う第二絶縁層と、前記第二絶縁層上であり、かつ、前記ライト側第一配線層に厚さ方向において重複するライト側第二配線層とを有し、
前記リード側配線構造は、リード側凹部を有する前記第一絶縁層と、前記リード側凹部に形成されたリード側第一配線層と、前記リード側第一配線層を覆う前記第二絶縁層と、前記第二絶縁層上であり、かつ、前記リード側第一配線層に厚さ方向において重複するリード側第二配線層とを有することを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
前記ライト側第一配線層および前記リード側第一配線層の頂部の少なくとも一方の位置が、前記第一絶縁層の頂部の位置と同一であることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項３】
前記ライト側第一配線層および前記リード側第一配線層の頂部の少なくとも一方の位置が、前記第一絶縁層の頂部の位置よりも低いことを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
前記ライト側第一配線層および前記リード側第一配線層の少なくとも一方が、スパッタリング法により形成されたスパッタリング層であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項５】
前記ライト側第一配線層および前記リード側第一配線層の少なくとも一方が、スパッタリング法により形成されたスパッタリング層と、前記スパッタリング層の表面上に、めっき法により形成されためっき層とを有することを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項６】
前記ライト側第一配線層および前記ライト側第二配線層の幅が、前記リード側第一配線層および前記リード側第二配線層の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンション。
【請求項８】
請求項７に記載のサスペンションと、前記サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダとを有することを特徴とするヘッド付サスペンション。
【請求項９】
請求項８に記載のヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項１０】
第一絶縁層に、ライト側凹部およびリード側凹部を形成する凹部形成工程と、
前記ライト側凹部および前記リード側凹部に、それぞれ、ライト側第一配線層およびリード側第一配線層を形成する第一配線層形成工程と、
前記ライト側第一配線層および前記リード側第一配線層を覆う第二絶縁層を形成する第二絶縁層形成工程と、
前記第二絶縁層上であり、かつ、前記ライト側第一配線層に厚さ方向において重複するライト側第二配線層、および、前記第二絶縁層上であり、かつ、前記リード側第一配線層に厚さ方向において重複するリード側第二配線層を形成する第二配線層形成工程と、
を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記凹部形成工程は、
前記第一絶縁層の表面上に、前記ライト側凹部および前記リード側凹部を形成する部分が露出するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンから露出する前記第一絶縁層をエッチングし、前記ライト側凹部および前記リード側凹部を形成するエッチング工程とを有し、
前記第一配線層形成工程は、
前記レジストパターンを剥離する前に、スパッタリング法により前記ライト側第一配線層および前記リード側第一配線層を形成するスパッタリング工程と、
前記スパッタリング工程後に、前記レジストパターンを剥離する剥離工程とを有することを特徴とする請求項１０に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１２】
前記凹部形成工程は、
前記第一絶縁層の表面上に、前記ライト側凹部および前記リード側凹部を形成する部分が露出する第一レジストパターンを形成する第一レジストパターン形成工程と、
前記第一レジストパターンから露出する前記第一絶縁層をエッチングし、前記ライト側凹部および前記リード側凹部を形成するエッチング工程と、
前記エッチング工程後に、前記第一レジストパターンを剥離する第一レジストパターン剥離工程とを有し、
前記第一配線層形成工程は、
前記ライト側凹部および前記リード側凹部を形成した前記第一絶縁層の表面上に、スパッタリング法により第一配線層形成用膜を形成するスパッタリング工程と、
前記第一配線層形成用膜の表面上に、前記ライト側第一配線層および前記リード側第一配線層を形成する部分を被覆する第二レジストパターンを形成する第二レジストパターン形成工程と、
前記第二レジストパターンから露出する前記第一配線層形成用膜を除去し、前記ライト側第一配線層および前記リード側第一配線層を形成する除去工程と、
前記除去工程の後に、前記第二レジストパターンを剥離する第二レジストパターン剥離工程とを有することを特徴とする請求項１０に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１３】
前記凹部形成工程は、
前記第一絶縁層の表面上に、前記ライト側凹部および前記リード側凹部を形成する部分が露出する第一レジストパターンを形成する第一レジストパターン形成工程と、
前記第一レジストパターンから露出する前記第一絶縁層をエッチングし、前記ライト側凹部および前記リード側凹部を形成するエッチング工程と、
前記エッチング工程後に、前記第一レジストパターンを剥離する第一レジストパターン剥離工程とを有し、
前記第一配線層形成工程は、
前記ライト側凹部および前記リード側凹部を形成した前記第一絶縁層の表面上に、スパッタリング法により第一配線層形成用膜を形成するスパッタリング工程と、
前記第一配線層形成用膜の表面上に、前記ライト側第一配線層および前記リード側第一配線層を形成する部分が露出する第二レジストパターンを形成する第二レジストパターン形成工程と、
前記第二レジストパターンから露出する前記第一配線層形成用膜の表面上に、めっき法により前記ライト側第一配線層および前記リード側第一配線層を構成するめっき層を形成するめっき工程と、
前記めっき工程後に、前記第二レジストパターンを剥離する第二レジストパターン剥離工程と、
前記めっき層が形成されていない部分の前記第一配線層形成用膜を除去する除去工程とを有することを特徴とする請求項１０に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１１−２５８２６５（Ｐ２０１１−２５８２６５Ａ）
【公開日】平成２３年１２月２２日（２０１１．１２．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１３１１９７（Ｐ２０１０−１３１１９７）
【出願日】平成２２年６月８日（２０１０．６．８）
【出願人】（０００００２８９７）大日本印刷株式会社 (14,506)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１２月２２日（２０１１．１２．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月８日（２０１０．６．８）
【出願人】（０００００２８９７）大日本印刷株式会社 (14,506)
【Ｆターム（参考）】
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