両用洗浄剤および被洗浄物の洗浄方法
【課題】 半田付け基板等における半田用フラックスと、ドライフィルムレジストとの同時洗浄が可能な両用洗浄剤およびそれを用いた被洗浄物の洗浄方法を提供する。
【解決手段】 半田フラックスと、ドライフィルムレジストと、を同時洗浄することが可能な両用洗浄剤であって、全体量に対して、ベンジルアルコールの添加量を５〜９４重量％の範囲内の値、アミン化合物を１〜５０重量％の範囲内の値、かつ、水を３〜９０重量％の範囲内の値とする。
【解決手段】 半田フラックスと、ドライフィルムレジストと、を同時洗浄することが可能な両用洗浄剤であって、全体量に対して、ベンジルアルコールの添加量を５〜９４重量％の範囲内の値、アミン化合物を１〜５０重量％の範囲内の値、かつ、水を３〜９０重量％の範囲内の値とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、両用洗浄剤および被洗浄物の洗浄方法に関し、特に、半田用フラックスと、ドライフィルムレジストとの同時洗浄が可能な両用洗浄剤およびそれを用いた被洗浄物の洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子材料分野において使用されるフラックス洗浄剤や塗膜剥離用洗浄剤として、グリコール化合物が主成分として多用されているが、モノアルコール系溶剤を主成分とした洗浄剤も知られている。
例えば、保護塗膜等の非水溶性高分子物質を洗浄することが可能な洗浄剤組成物が提案されている（例えば、特許文献１）。より具体的には、防錆材料としてのアクリル系高分子保護塗膜を、（Ａ）特定のアミン類を５〜９５重量部と、（Ｂ）ベンジルアルコール等を０．２〜５０重量部と、（Ｃ）特定の界面活性剤を０．１〜８０重量部と、から構成された洗浄剤組成物を用いて洗浄する方法が提案されている。
【０００３】
また、取扱いが安全であって、フラックス等の各種固体汚染物質を洗浄することが可能で、かつ、水リンス可能な洗浄剤が提案されている（例えば、特許文献２）。より具体的には、（Ａ）ベンジルアルコールを５０〜７０重量％、（Ｂ）特定の水溶性グリコールエーテルを２０〜４０重量％と、（Ｃ）特定の界面活性剤を１〜２０重量％と、（Ｄ）水を５〜２０重量％と、から構成された工業用洗浄剤が提案されている。
さらに、ロジン系フラックス等の除去性に優れ、劣化されにくく、かつ、廃水処理性に優れた洗浄剤が提案されている（例えば、特許文献３）。より具体的には、（Ａ）ベンジルアルコールまたは２−フェニルエチルアルコールを７０重量％以上と、（Ｂ）特定の界面活性剤を０．０１〜３０重量％と、からなる洗浄剤が提案されている。
【０００４】
一方、作業性等を向上させたフリップチップの実装方法が提案されている（例えば、特許文献４）。より具体的には、回路基板のフリップチップ実装エリアの所定位置に、ソルダーレジストを形成した後、リフロー処理を行ってＩＣチップを半田付けした後、フラックスの洗浄と同時にソルダーレジストの除去を行い、さらに樹脂コーティング処理を施すフリップチップの実装方法が提案されている。
【特許文献１】特開昭６３−６９８９７号公報
【特許文献２】特開２０００−８０８０号公報
【特許文献３】特開平３−１４０４８６号公報
【特許文献４】特開平５−３２６６３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１〜３で提案された洗浄剤は、いずれも半田用フラックスの洗浄性について不十分なばかりか、ドライフィルムレジストを同時に洗浄することは困難であった。
より具体的には、特許文献１に開示された洗浄剤組成物は、ベンジルアルコールの添加量が少なく、半田用フラックス及びドライフィルムレジストの洗浄剤としては、洗浄性が不十分であって、基板上に白色残渣が残りやすいという問題が見られた。一方、比較的多量のアミン類を添加しているため、被洗浄物である基板を侵しやすいという問題が見られた。さらには、所定量の界面活性剤を添加しなければならないために、リンス工程において界面活性剤が基板表面に残りやすく、誘電特性が劣化しやすいという問題も見られた。
また、特許文献２で提案された洗浄剤は、ベンジルアルコールと、特定の水溶性グリコールエーテルと、特定の界面活性剤とを主成分として用いているため、半田用フラックス及びドライフィルムレジストの洗浄剤としては、それぞれ洗浄性が同様に不十分であったり、アルコール系溶剤を使用した場合には、リンス工程におけるリンス性が低かったりするという問題が見られた。
さらに、特許文献３で提案された電子部品の洗浄方法は、ベンジルアルコールと、界面活性剤とを主成分として用いているため、半田用フラックス及びドライフィルムレジストの洗浄剤としては、洗浄性が不十分であったり、アルコール系溶剤を使用したリンス工程におけるリンス性が低かったりするという問題が見られた。
【０００６】
一方、特許文献４で提案されたフリップチップの実装方法では、フラックスの洗浄と同時にソルダーレジストの除去を行うための洗浄剤については、何ら具体的に開示しておらず、そのままでは実施することができないという問題が見られた。
【０００７】
そこで、本発明の発明者らは鋭意検討した結果、特定のアルコール系溶剤と、アミン化合物と、水と、グリコール化合物とを所定割合で組み合わせて使用することにより、半田用フラックス及びドライフィルムレジストを同時洗浄できることを見出し、本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明は、半田用フラックス及びドライフィルムレジストの同時洗浄に最適であって、優れた洗浄性およびリンス特性を有する両用洗浄剤およびそれを用いた被洗浄物の洗浄方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の両用洗浄剤によれば、半田フラックスと、ドライフィルムレジストと、を同時洗浄することが可能な両用洗浄剤であって、全体量に対して、ベンジルアルコールの添加量を５〜９４重量％の範囲内の値、アミン化合物を１〜５０重量％の範囲内の値、かつ、水を３〜９０重量％の範囲内の値とした両用洗浄剤が提供され、上述した問題点を解決することができる。
すなわち、本発明の半田用フラックスの洗浄方法によれば、所定量のベンジルアルコールと、アミン化合物と、水と、グリコール化合物と、を含むことにより、半田用フラックス及びドライフィルムレジストを同時洗浄する際に、それぞれに対して、優れた洗浄性を示すとともに、次工程におけるアルコール系溶剤を使用したリンスにおいても優れたリンス特性を示すことができる。
なお、半田フラックスおよびドライフィルムレジストの同時洗浄が可能であるとは、半田フラックスの洗浄終了までの時間をＴ１とし、ドライフィルムレジストの洗浄終了までの時間をＴ２としたときに、同一の洗浄液を用いて、Ｔ１／Ｔ２×１００で表される指標が、１０〜８００％の範囲内であれば良く、２０〜５００％の範囲内であればより好ましく、３０〜３００％の範囲内であればさらに好ましい。
【０００９】
また、本発明の両用洗浄剤を構成するにあたり、グリコール化合物をさらに含むとともに、当該グリコール化合物の添加量を、全体量に対して、１〜３０重量％の範囲内の値とすることが好ましい。
このように所定量のグリコール化合物を含むことにより、洗浄剤の溶解度パラメータを容易に調整することができ、各種半田用フラックスに対して、優れた洗浄性、リンス特性および安定性をそれぞれ発揮することができる。さらに、このようなグリコール化合物を添加することにより、被洗浄物としての基板表面の誘電損失をより低減することができ、所定の電気絶縁性を容易に確保することができる。
【００１０】
また、本発明の両用洗浄剤を構成するにあたり、界面活性剤をさらに含むとともに、当該界面活性剤の添加量を、全体量に対して、１〜３０重量％の範囲内の値とすることが好ましい。
このように所定量の界面活性剤を含むことにより、室温であっても、エマルジョン化しやすくなって、洗浄液の配合変化や劣化を目視にて、判断しやすくなる。また、両用洗浄剤をエマルジョン化することにより、フラックスやドライフィルムレジストの種類によっては、さらに洗浄性を高めることができる。
【００１１】
また、本発明の両用洗浄剤を構成するにあたり、電気伝導度を１〜２５０μＳ／ｃｍの範囲内の値とすることが好ましい。
このように電気伝導度を所定範囲に制限することにより、半田用フラックス及びレジスト材料の洗浄についての定量的管理が可能になって、それぞれに対して安定した洗浄性を示すことができる。また、電気伝導度を所定範囲に制限することにより、洗浄剤についての劣化度合いについても、精度良く判断することができる。
【００１２】
また、本発明の両用洗浄剤を構成するにあたり、室温（２５℃）においてエマルジョン状態であることが好ましい。
このように室温（２５℃）でエマルジョンとすることにより、洗浄液の配合変化や劣化を目視にて、判断しやすくなる。また、両用洗浄剤をエマルジョン化することにより、フラックスやドライフィルムレジストの種類によっては、さらに洗浄性を高めることができる。
【００１３】
本発明の別の態様は、半田フラックスと、ドライフィルムレジストと、を同時洗浄することが可能な両用洗浄剤を用いた被洗浄物の洗浄方法であって、全体量に対して、ベンジルアルコールの添加量を５〜９４重量％の範囲内の値、アミン化合物を１〜５０重量％の範囲内の値、かつ、水を３〜９０重量％の範囲内の値とした両用洗浄剤を準備する工程と、
両用洗浄剤を用いて、前記半田フラックス及びドライフィルムレジストが付着した被洗浄物を１０〜８０℃の温度範囲で同時洗浄する工程と、を含むことを特徴とする両用洗浄剤を用いた被洗浄物の洗浄方法である。
このように所定の両用洗浄剤を使用することにより、半田用フラックス及びドライフィルムレジストを同時洗浄する際に、それぞれに対して、優れた洗浄性を示すとともに、次工程におけるアルコール系溶剤を使用したリンスにおいても優れたリンス特性を示すことができる。
【００１４】
また、本発明の被洗浄物の洗浄方法を実施するにあたり、被洗浄物を洗浄する工程の後に、リンス液としてのアルコール系溶剤又は水によって、被洗浄物をすすぐためのリンス工程をさらに含むことが好ましい。
このように所定の両用洗浄剤を使用するとともに、アルコール系溶剤によって被洗浄物をリンスすることにより、半田用フラックス及びレジスト材料を同時洗浄する際に、それぞれに対して、優れた洗浄性を示すとともに、アルコール系溶剤を使用したリンス処理においても優れたリンス特性を示すことができる。
【００１５】
また、本発明の被洗浄物の洗浄方法を実施するにあたり、半田フラックスとして、ロジンを主成分とした鉛フリー用半田フラックスまたは高融点半田フラックスを洗浄の際の対象物とすることが好ましい。
このように半田フラックスの種類を所定のものとすることにより、優れた濡れ性等が得られる一方、容易かつ短時間に洗浄除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
[第１の実施の形態]
第１の実施形態は、半田フラックスと、ドライフィルムレジストと、を同時洗浄することが可能な両用洗浄剤であって、全体量に対して、ベンジルアルコールの添加量を５〜９４重量％の範囲内の値、アミン化合物を１〜５０重量％の範囲内の値、かつ、水を３〜９０重量％の範囲内の値とした両用洗浄剤である。
すなわち、ベンジルアルコールを単独使用しても、ポリイミド基材等に付着した半田用フラックス及びレジスト材料を同時洗浄することは困難である。しかしながら、ベンジルアルコールに対して、所定量のアミン化合物と、水とを添加することにより、それぞれの相乗効果が発揮されて、リンス特性を低下させることなく、半田用フラックス及びドライフィルムレジストを同時洗浄することができる。
したがって、かかる両用洗浄剤に、一例として、オレイルアルコールのエチレンオキサイド１２モル付加物を５重量％添加した場合ではあるが、図１の室温（２５℃）での三成分系両用洗浄剤における液状態図や、図２の６０℃での三成分系両用洗浄剤における液状態図から理解されるように、配合比率や環境温度によって、容易にエマルジョン化することを特徴としている。
さらに、かかる両用洗浄剤に、一例として、オレイルアルコールのエチレンオキサイド６モル付加物を５重量％添加した場合ではあるが、図３の室温（２５℃）での三成分系両用洗浄剤における液状態図や、図４の６０℃での三成分系両用洗浄剤における液状態図から理解されるように、配合比率や環境温度によって、容易にエマルジョン化することを特徴としている。
以下、両用洗浄剤の構成成分等について具体的に説明する。
【００１７】
１．ベンジルアルコール
ベンジルアルコールの添加量を、全体量に対して、５〜９４重量％の範囲内の値にすることを特徴とする。
この理由は、かかるベンジルアルコールの添加量が５重量％未満の値になると、アミン化合物と、水と、グリコール化合物との相乗効果が発揮されずに、半田用フラックス及びレジスト材料を十分に洗浄することが困難になるためである。一方、かかるベンジルアルコールの添加量が、９４重量％を超えると、逆に、半田用フラックス及びレジスト材料に対する洗浄性が低下したり、リンス特性が低下したりする場合があるためである。
したがって、ベンジルアルコールの添加量を、全体量に対して、５０〜９０重量％の範囲内の値にすることがより好ましく、６０〜８５重量％の範囲内の値にすることがさらに好ましい。
なお、図５に、両用洗浄剤におけるベンジルアルコールの添加量の影響を示す。かかる図５から容易に理解できるように、全体量に対して、所定量の範囲内の値にすることにより、他配合成分との相乗効果を発揮して、半田用フラックス及びレジスト材料に対して、所定の洗浄性を示すことができる。
【００１８】
２．アミン化合物
（１）種類
アミン化合物の種類は特に制限されるものではないが、例えば、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ−メチルモノエタノールアミン、Ｎ−エチルモノエタノールアミン、Ｎ−ブチルモノエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ−ブチルジエタノールアミン、Ｎ−シクロヘキシルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルモノエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルモノエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルモノエタノールアミン、アミノメチルプロパノール、アミノエチルプロパンジオール、アミノメチルプロパンジオール、アミノブタノール等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。
また、これらのアミン化合物のうち、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、およびＮ−シクロヘキシルジエタノールアミンのアミノアルコールは、安価であるとともに、比較的少量添加するだけで、優れた同時洗浄性を示すことより、より好ましいアミン化合物である。
【００１９】
また、アミン化合物の種類を、沸点から選択することも好ましい。すなわち、沸点が１２０〜４００℃のアミン化合物を選択することが好ましい。
この理由は、かかるアミン化合物の沸点が１２０℃未満になると、引火性が高くなって、得られる半田フラックス除去用洗浄剤の取扱いが困難になったり、洗浄温度を過度に低下したりしなければならない場合があるためである。一方、アミン化合物の沸点が４００℃を超えると、半田用フラックス及びレジスト材料に対する同時洗浄性が低下する場合があるためである。
したがって、沸点が１８０〜３７０℃のアミン化合物を選択することがより好ましい。
【００２０】
（２）添加量
また、アミン化合物の添加量を、全体量に対して、１〜５０重量％の範囲内の値にすることを特徴とする。
この理由は、かかるアミン化合物の添加量が１重量％未満の値になると、ベンジルアルコールと、水と、グリコール化合物との相乗効果が発揮されずに、半田用フラックスやレジスト材料についての洗浄性が低下するためである。また、アミン化合物の添加量が、１重量％未満の値になると、次工程におけるアルコール系溶剤を使用したリンス工程でのリンス特性が低下する場合があるためである。
一方、かかるアミン化合物の添加量が、５０重量％を超えると、半田用フラックスやレジスト材料に対する洗浄効果が逆に低下したり、被洗浄物の被着物である電子部品の基板等を侵したりする場合があるためである。
したがって、アミン化合物の添加量を、全体量に対して、５〜３０重量％の範囲内の値にすることがより好ましく、１０〜２０重量％の範囲内の値にすることがさらに好ましい。
【００２１】
なお、図６に、両用洗浄剤におけるアミン化合物の添加量の影響を示す。かかる図６から容易に理解できるように、全体量に対して、所定量の範囲内の値にすることにより、他配合成分との相乗効果を発揮して、半田用フラックス及びレジスト材料に対して、所定の洗浄性を示すことができる。
【００２２】
３．水
また、水の添加量を、全体量に対して、３〜９０重量％の範囲内の値にすることを特徴とする。
この理由は、かかる水の添加量が、３重量％未満の値になると、レジスト材料に対する洗浄効果が著しく低下する場合があるためである。すなわち、ベンジルアルコールと、アミン化合物と、水と、グリコール化合物との相乗効果が発揮されずに、レジスト材料についての洗浄性が低下するためである。一方、かかる水の添加量が、９０重量％を超えると、半田用フラックスに対する洗浄効果が著しく低下する場合があるためである。
したがって、水の添加量を、全体量に対して、５〜５０重量％の範囲内の値にすることがより好ましく、１０〜３０重量％の範囲内の値にすることがさらに好ましい。
【００２３】
なお、図７に、両用洗浄剤における水の添加量の影響を示す。かかる図７から容易に理解できるように、全体量に対して、水の添加量を、所定範囲内の値にすることにより、他配合成分との相乗効果を発揮して、半田用フラックス及びレジスト材料に対して、所定の洗浄性を示すことができる。
【００２４】
４．グリコール化合物
（１）種類
また、両用洗浄剤中に、所定量のグリコール化合物を添加することが好ましい。そして、グリコール化合物の種類としては、例えば、下記一般式（１）、あるいは下記一般式（２）および（３）で表される化合物であることが好ましい。
この理由は、このようなグリコール化合物を添加することにより、ベンジルアルコールと、アミン化合物と、水との相乗効果によって、半田用フラックス及びレジスト材料について同時洗浄することができるためである。
【００２５】
【化１】
【００２６】
（一般式（１）中、Ｒ1は、炭素数１〜８のアルキル基であり、繰り返し数ｎは、１〜３の自然数である。）
【００２７】
【化２】
【００２８】
（一般式（２）中、Ｒ2は、炭素数１〜６のアルキル基であり、Ｒ3は、水素またはメチル
基である。）
【００２９】
【化３】
【００３０】
（一般式（３）中、Ｒ4は、炭素数１〜３のアルキル基であり、Ｒ5は、水素またはメチル基であり、Ｒ6は、炭素数１〜２のアルキル基である。）
【００３１】
また、具体的には、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノオクチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノヘキシルエーテル、トリエチレングリコールモノオクチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノオクチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノヘキシルエーテル、ジプロピレングリコールモノオクチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールモノオクチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジヘキシルエーテル、ジエチレングリコールジオクチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジプロピルエーテル、トリエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジヘキシルエーテル、トリエチレングリコールジオクチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジヘキシルエーテル、プロピレングリコールジオクチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジヘキシルエーテル、ジプロピレングリコールジオクチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールジプロピルエーテル、トリプロピレングリコールジブチルエーテル、トリプロピレングリコールジヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールジオクチルエーテル等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。
【００３２】
（２） 添加量
また、グリコール化合物の添加量を、全体量に対して、グリコール化合物の添加量を１〜３０重量％の範囲内の値とすることを特徴とする。
この理由は、かかるグリコール化合物の添加量が１重量％未満の値になると、ベンジルアルコールと、アミン化合物と、水との相乗効果が発揮されずに、半田用フラックスやレジスト材料に対する洗浄効果が著しく低下する場合があるためである。一方、かかるグリコール化合物の添加量が、３０重量％以上の値になると、半田用フラックス等に対する洗浄効果が著しく低下する場合があるためである。
したがって、グリコール化合物の添加量を、全体量に対して、２重量％〜２０重量％の範囲内の値にすることがより好ましく、３重量％〜１５重量％の範囲内の値にすることがさらに好ましい。
なお、図８に、両用洗浄剤におけるグリコール化合物の添加量の影響を示す。かかる図８から容易に理解できるように、全体量に対して、グリコール化合物の添加量を、所定範囲内の値（１〜３０重量％）にすることにより、他配合成分との相乗効果を発揮して、半田用フラックス及びレジスト材料に対して、所定の洗浄性を示すことができる。
【００３３】
５．溶解度パラメータ
また、両用洗浄剤の溶解度パラメータを１２〜２０の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる溶解度パラメータが、かかる範囲を超えると、鉛フリー半田用フラックスや高融点半田用フラックス等に対する洗浄効果が著しく低下する場合があるためである。
したがって、両用洗浄剤の溶解度パラメータを、全体量に対して、１２〜１６の範囲内の値にすることがより好ましい。
【００３４】
６．電気伝導度
また、両用洗浄剤の電気伝導度（室温）を１〜２５０μＳ／ｃｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる電気伝導度が、１μＳ／ｃｍ未満の値になると、鉛フリー半田用フラックスや高融点半田用フラックス等に対する洗浄効果が著しく低下する場合があるためである。一方、かかる電気伝導度が、２５０μＳ／ｃｍを超えると、被洗浄物の被着物である電子部品の基板等を侵す場合があるためである。
したがって、両用洗浄剤の電気伝導度を３〜１６０μＳ／ｃｍの範囲内の値とすることがより好ましく、５〜５０μＳ／ｃｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００３５】
７．被洗浄物およびフラックス
また、被洗浄物の種類は、半田処理された電子部品や製品はもちろんのこと、半田処理されていなくとも、フラックスの影響がある部品等も好適に使用することができる。したがって、被洗浄物の種類は、特に制限されるものではないが、例えば、プリント回路板、セラミック配線基板、半導体素子（ＢＧＡ、ＣＳＰ、ＰＧＡ、ＬＧＡ等の半導体部品を含む。）、半導体素子搭載基板、バンプ付きＴＡＢテープ、バンプ無しＴＡＢテープ、半導体素子搭載ＴＡＢテープ、リードフレーム、コンデンサ、および抵抗等が具体的に挙げられる。
そして、これら半田処理された電子部品や製品において、使用される半田フラックスの種類は特に制限されるものではないが、例えば、鉛フリー用半田フラックスまたは高融点半田フラックス、あるいは無洗浄半田フラックスであることが好ましい、すなわち、これらの半田フラックスは、通常、ロジンを主成分としており、それに、有機酸塩、グリシジ
ルエーテル化合物、オキシ酸、カルボン酸（ジカルボン酸含む。）、アニリドおよび熱硬
化樹脂（例えば、エポキシ樹脂や熱硬化系アクリル樹脂）の少なくとも一つの化合物が添
加してある場合が多いためである。したがって、本発明の両用洗浄剤であれば、通常の半田フラックスはもちろんのこと、これらの半田フラックスに対しても、選択的に優れた洗浄性を示すことができる。
また、ベンジルアルコールやアミン化合物への溶解性が良好なことから、ロジンの一部または全部が水添してある化合物を、半田フラックスを洗浄の際の直接的な対象物とすることも好ましい。
さらに、無洗浄半田フラックスであっても、さらに高い耐電気腐食性を得たいような場合には、洗浄の際の直接的な対象物とすることができる。
【００３６】
なお、直接的な対象物であるフラックスが添加される高融点半田や鉛フリー半田、さらには無洗浄半田の種類についても特に制限されるものではないが、例えば、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ｂｉ系、Ｐｂ−Ｓｎ系等が代表的である。
また、半田処理された電子部品や製品において、使用されるレジスト材料の種類についても特に制限されるものではないが、例えば、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、レゾール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を主成分とした半田バンプ用厚膜レジスト材料を対象物とすることができる。
なお、対象物に対して、両用洗浄剤としてのベンジルアルコールと、アミン化合物と、グリコール化合物と、水との相乗効果を効果的に発揮させるためには、レジスト材料中に含まれるアマイド化合物の添加量を、全体量に対して、１０重量％以下の値とすることが好ましく、５重量％以下の値とすることがより好ましい。
【００３７】
８．ドライフィルムレジスト
被洗浄物に使用されるドライフィルムレジストは、通常、ソルダーレジストの機能を果たした材料であれば特に制限されるものではないが、具体的には、以下のようなドライフィルムレジストであることが好ましい。
すなわち、ポジ型感光性ドライフィルムの場合は、光照射によって分解するレジスト組成物を離型紙等の支持フィルムに塗装し、加熱硬化させたものを使用することができる。また、フィルムには感光性もしくは非感光性の粘着層を設けておくこともできる。
一方、ネガ型感光性組成物としては、光硬化性樹脂、光反応開始剤及び必要に応じて光増感色素とを含有した従来公知のレジスト組成物を離型紙等の支持フィルムに塗装し、加熱硬化させたものを使用することができる。
また、ネガ型感光性組成物を構成するために、光硬化性樹脂は、光照射により架橋しうる感光基を有する光硬化性樹脂である。
なお、ドライフィルムレジストの厚さとしては、５〜３００μｍの範囲内の値であることが好ましく、１０〜２００μｍの範囲内の値であることがより好ましい。
【００３８】
[第２の実施の形態]
第２の実施形態は、半田フラックスと、ドライフィルムレジストと、を同時洗浄することが可能な両用洗浄剤を用いた被洗浄物の洗浄方法であって、全体量に対して、ベンジルアルコールの添加量を５〜９４重量％の範囲内の値、アミン化合物を１〜５０重量％の範囲内の値、かつ、水を３〜９０重量％の範囲内の値とした両用洗浄剤を準備する工程と、
両用洗浄剤を用いて、前記半田フラックス及びドライフィルムレジストが付着した被洗浄物を１０〜８０℃の温度範囲で洗浄する工程と、を含むことを特徴とする両用洗浄剤を用いた被洗浄物の洗浄方法である。
以下、両用洗浄剤を用いた洗浄方法を、各工程について具体的に説明する。
【００３９】
１．調整工程
被洗浄物を洗浄するに先立ち、容器内に、主成分としてのベンジルアルコールやアミン化合物、水、あるいはグリコール化合物をそれぞれ秤量しながら添加し、それらを均一に混合して、両用洗浄剤を調整する工程を設けることが好ましい。
なお、両用洗浄剤の内容は、第１の実施の形態と同様であるが、この段階で、両用洗浄剤の粘度、誘電損失、酸価、電気伝導度等の少なくとも一つを測定し、それぞれ所定範囲に制限することにより、均一な特性を有することを確認することが好ましい。
【００４０】
２．洗浄工程
調整した両用洗浄剤を用いて、半田処理された電子部品や製品を洗浄し、それらに付着している半田用フラックス及びレジスト材料を同時洗浄して、除去する工程である。
ここで、図９に示すような、超音波洗浄するための超音波振動子２９を備えた洗浄槽１２と、循環路２２と、送液ポンプ２４と、リンス槽１４と、乾燥槽１６と、を備えた洗浄装置１０であることが好ましい。
より具体的には、洗浄槽１２は、被洗浄物２３の収容部（洗浄液）２０と、超音波振動子２９と、洗浄液の攪拌装置（図示せず）と、サーモスタット付きのヒーター１９と、洗浄液２１を循環させるための循環路２２と、から構成し、攪拌および循環している洗浄液２１に対して超音波振動を付与し、被洗浄物２３を効率的に洗浄することが好ましい。次いで、リンス槽１４において、被洗浄物２３から半田用フラックス及びレジスト材料を同時洗浄した洗浄液２１を除去し、さらに乾燥槽１６においては、リンス液１５等を蒸発させて、完全に除去することが好ましい。
なお、半田処理された被洗浄物を洗浄するにあたり、１０〜９０℃、０．５〜３０分の条件で洗浄することが好ましい。
この理由は、このような条件で所定の洗浄効果が得られるならば、半田フラックス除去用洗浄剤の劣化を有効に防止できるためである。
【００４１】
３．リンス工程
洗浄した電子部品や製品を、さらにリンス処理する工程である。ここで、リンス液として、アルコール系溶剤を使用することが好ましい。この理由は、水と比較して、早期乾燥ができるとともに、ベンジルアルコールやアミン化合物についても、十分除去できる
ためである。
また、より具体的には、アルコール系溶剤として、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、ｓ−ブチルアルコール、アミルアルコール、１−メトキシ−２−プロパノール等の一種単独または二種以上のアルコールを使用することが好ましい。
また、これらのアルコールに対して、所定量の水を添加したアルコール系溶剤を使用することが好ましく、より具体的には、全体量に対して４０〜７０重量％になるように水を添加したアルコール系溶剤を使用することが好ましい。
【００４２】
また、リンス条件としては、１０〜４０℃、１〜３０分の範囲内とし、さらに、二段階でリンス処理を実施することがより好ましい。この理由は、ベンジルアルコールやアミノアルコールの残渣についても、より少なくするためである。
なお、リンス工程後、例えば、４０〜１００℃、１〜３０分の条件で、熱風乾燥することがより好ましい。
【実施例】
【００４３】
以下、実施例を挙げて、本発明を詳細に説明する。ただし、言うまでもなく、本発明の範囲は、以下の記載に何ら制限されるものではない。
【００４４】
[実施例１]
１．洗浄剤の調整および評価
（１）洗浄性評価
まず、シリコンウエハの表面にドライフィルムレジスト（膜厚７０μｍ、アクリル系）を貼り、露光・現像処理によりシリコンウエハ電極上にφ１５０μｍの開口部を形成した。形成した開口部にスキージを用いてエコソルダーＭ７０５−ＧＲＮ３６０−Ｋ２−Ｖ（千住金属工業（株）製はんだペースト）を印刷充填し、２５０℃のカバー付きホットプレートの中で、リフローさせて、テストピースとした。
それを、温度６０℃に保持された２００ｇの洗浄剤入り３００ｍｌビーカ内に浸漬し、マグネットスターラーを用いて攪拌状態としながら、洗浄を行った。所定時間洗浄した後、ビーカからテストピースを取り出し、リンス液として、２００ｇの工業用エタノール５５重量％の水溶液が入った別のビーカに浸漬し、マグネットスターラーを用いて攪拌状態としながら、１０分間のリンス操作を行った。このリンス操作を合計２回行った後、８０℃に保持されたオーブンを用いて、テストピースを１０分間乾燥させた。次いで、乾燥させたテストピースを、実体顕微鏡（倍率４０倍）を用いて観察し、下記基準に照らして洗浄性を評価した。
【００４５】
（１）−１ レジスト洗浄性
◎：５分間の洗浄で、残渣が無い。
○：１０分間の洗浄で、残渣が無い。
△：１０分間の洗浄で、残渣が少々残る。
Ｘ：１０分間の洗浄で、多量の残渣が残る。
【００４６】
（１）−２ フラックス洗浄性
◎：３分間の洗浄で、残渣が無い。
○：５分間の洗浄で、残渣が無い。
△：５分間の洗浄で、残渣が少々残る。
Ｘ：５分間の洗浄で、多量の残渣が残る。
【００４７】
（２）はんだ腐食性
ガラスエキポシ基板の所定箇所に、メタルマスクを用いて、エコソルダーＭ７０５−ＧＲＮ３６０−Ｋ２−Ｖ（千住金属工業（株）製はんだペースト）を印刷し、２５０℃のカバー付きホットプレ−トの中で、リフローさせて、テストピースとした。
それを、温度６０℃に保持された２００ｇの洗浄剤入りの３００ｍｌのビーカ内に浸漬し、マグネットスターラーを用いて攪拌状態としながら、洗浄を行った。所定時間洗浄した後、ビーカからテストピースを取り出し、リンス液として、２００ｇの工業用エタノール５５重量％の水溶液が入った別のビーカに浸漬し、マグネットスターラーを用いて攪拌状態としながら、１０分間のリンス操作を行った。このリンス操作を合計２回行った後、８０℃に保持されたオーブンを用いて、テストピースを１０分間乾燥させた。次いで、乾燥させたテストピースを、実体顕微鏡（倍率４０）を用いて観察し、下記基準に照らしてはんだ腐食性を評価した。
◎：６０分間の洗浄で、はんだ腐食性が無い。
○：３０分間の洗浄で、はんだ腐食性が無い。
△：３０分間の洗浄で、はんだ腐食性が若干認められる。
×：３０分間の洗浄で、多量の腐食が認められる。
【００４８】
（３）ｐＨ
表１に示す実施例１の組成の洗浄剤を調整し、さらに蒸留水を用いて１００倍希釈した水溶液のｐＨを、ｐＨメーターＭ−８（（株）堀場製作所製）を用いて、２５℃の条件にて測定した。
【００４９】
[実施例２〜７]
実施例２〜７では、表１に示すように、ベンジルアルコールと、水および、アミン化合物の配合比およびアミン化合物の種類等を変えた洗浄剤をそれぞれ準備したほかは、実施例１と同様に、洗浄性、はんだ腐食性、およびｐＨをそれぞれ測定し、評価した。
【００５０】
[比較例１〜４]
比較例１〜４では、表１に示すように、ベンジルアルコールと、アミノアルコールと、グリコール化合物と、水との配合比率を本発明の範囲外に変え、あるいは、アミノアルコールを使用せずに、表１に示すような組成の洗浄剤をそれぞれ準備したほかは、実施例１と同様に、洗浄性、はんだ腐食性、およびｐＨをそれぞれ測定し、評価した。
その結果、比較例１では、ベンジルアルコールと、アミノアルコールを併用しているが、ベンジルアルコールの使用量が少なすぎることから、電気伝導度の値は比較的高いものの、レジストの洗浄時間が長くかかるという問題が見られた。
また、比較例２では、ベンジルアルコールと、アミノアルコールを併用しているが、水を使用していないことから、電気伝導度の値が低い一方、レジストの洗浄時間が同様に長くかかるという問題が見られた。
また、比較例３では、ベンジルアルコールを全く使用しておらず、フラックス洗浄性に乏しいという問題が見られた。
また、比較例４では、アミノアルコールを全く使用しておらず、電気伝導度の値が低く、レジストの洗浄時間が長くかかったり、フラックス洗浄性に欠けたりするという問題が見られた。
【００５１】
【表１】
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明の両用洗浄剤およびそれを用いた洗浄方法によれば、グリコール化合物の添加量に応じて、所定量のベンジルアルコールと、アミン化合物と、水と、を所定比率となるように含むことにより、半田用フラックス及びレジスト材料を同時洗浄する際に、それぞれに対して、優れた洗浄性を示すとともに、次工程におけるアルコール系溶剤を使用したリンスにおいても優れたリンス特性を示すことができるようになった。
したがって、高信頼性を要求される車載基板等の電装部品や、高回路特性を要求される高周波回路基板等の洗浄が必要な基板において、半田用フラックス及びレジスト材料を簡易程で、十分かつ短時間に除去できるようになった。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】室温（２５℃）での三成分系両用洗浄剤における液状態図である（その１）。
【図２】６０℃での三成分系両用洗浄剤における液状態図である（その１）。
【図３】室温（２５℃）での三成分系両用洗浄剤における液状態図である（その２）。
【図４】６０℃での三成分系両用洗浄剤における液状態図である（その２）。
【図５】両用洗浄剤におけるベンジルアルコールの添加量の影響を説明するために供する図である。
【図６】両用洗浄剤におけるアミン化合物の添加量の影響を説明するために供する図である。
【図７】両用洗浄剤における水の添加量の影響を説明するために供する図である。
【図８】両用洗浄剤におけるグリコール化合物の添加量の影響を説明するために供する図である。
【図９】洗浄装置を説明するために供する図である。
【００５４】
１０：洗浄装置
１２：洗浄槽
１４：リンス槽
１５：リンス液
１６：乾燥槽
２１：洗浄液
２２：循環路
２８：フィルター
【技術分野】
【０００１】
本発明は、両用洗浄剤および被洗浄物の洗浄方法に関し、特に、半田用フラックスと、ドライフィルムレジストとの同時洗浄が可能な両用洗浄剤およびそれを用いた被洗浄物の洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子材料分野において使用されるフラックス洗浄剤や塗膜剥離用洗浄剤として、グリコール化合物が主成分として多用されているが、モノアルコール系溶剤を主成分とした洗浄剤も知られている。
例えば、保護塗膜等の非水溶性高分子物質を洗浄することが可能な洗浄剤組成物が提案されている（例えば、特許文献１）。より具体的には、防錆材料としてのアクリル系高分子保護塗膜を、（Ａ）特定のアミン類を５〜９５重量部と、（Ｂ）ベンジルアルコール等を０．２〜５０重量部と、（Ｃ）特定の界面活性剤を０．１〜８０重量部と、から構成された洗浄剤組成物を用いて洗浄する方法が提案されている。
【０００３】
また、取扱いが安全であって、フラックス等の各種固体汚染物質を洗浄することが可能で、かつ、水リンス可能な洗浄剤が提案されている（例えば、特許文献２）。より具体的には、（Ａ）ベンジルアルコールを５０〜７０重量％、（Ｂ）特定の水溶性グリコールエーテルを２０〜４０重量％と、（Ｃ）特定の界面活性剤を１〜２０重量％と、（Ｄ）水を５〜２０重量％と、から構成された工業用洗浄剤が提案されている。
さらに、ロジン系フラックス等の除去性に優れ、劣化されにくく、かつ、廃水処理性に優れた洗浄剤が提案されている（例えば、特許文献３）。より具体的には、（Ａ）ベンジルアルコールまたは２−フェニルエチルアルコールを７０重量％以上と、（Ｂ）特定の界面活性剤を０．０１〜３０重量％と、からなる洗浄剤が提案されている。
【０００４】
一方、作業性等を向上させたフリップチップの実装方法が提案されている（例えば、特許文献４）。より具体的には、回路基板のフリップチップ実装エリアの所定位置に、ソルダーレジストを形成した後、リフロー処理を行ってＩＣチップを半田付けした後、フラックスの洗浄と同時にソルダーレジストの除去を行い、さらに樹脂コーティング処理を施すフリップチップの実装方法が提案されている。
【特許文献１】特開昭６３−６９８９７号公報
【特許文献２】特開２０００−８０８０号公報
【特許文献３】特開平３−１４０４８６号公報
【特許文献４】特開平５−３２６６３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１〜３で提案された洗浄剤は、いずれも半田用フラックスの洗浄性について不十分なばかりか、ドライフィルムレジストを同時に洗浄することは困難であった。
より具体的には、特許文献１に開示された洗浄剤組成物は、ベンジルアルコールの添加量が少なく、半田用フラックス及びドライフィルムレジストの洗浄剤としては、洗浄性が不十分であって、基板上に白色残渣が残りやすいという問題が見られた。一方、比較的多量のアミン類を添加しているため、被洗浄物である基板を侵しやすいという問題が見られた。さらには、所定量の界面活性剤を添加しなければならないために、リンス工程において界面活性剤が基板表面に残りやすく、誘電特性が劣化しやすいという問題も見られた。
また、特許文献２で提案された洗浄剤は、ベンジルアルコールと、特定の水溶性グリコールエーテルと、特定の界面活性剤とを主成分として用いているため、半田用フラックス及びドライフィルムレジストの洗浄剤としては、それぞれ洗浄性が同様に不十分であったり、アルコール系溶剤を使用した場合には、リンス工程におけるリンス性が低かったりするという問題が見られた。
さらに、特許文献３で提案された電子部品の洗浄方法は、ベンジルアルコールと、界面活性剤とを主成分として用いているため、半田用フラックス及びドライフィルムレジストの洗浄剤としては、洗浄性が不十分であったり、アルコール系溶剤を使用したリンス工程におけるリンス性が低かったりするという問題が見られた。
【０００６】
一方、特許文献４で提案されたフリップチップの実装方法では、フラックスの洗浄と同時にソルダーレジストの除去を行うための洗浄剤については、何ら具体的に開示しておらず、そのままでは実施することができないという問題が見られた。
【０００７】
そこで、本発明の発明者らは鋭意検討した結果、特定のアルコール系溶剤と、アミン化合物と、水と、グリコール化合物とを所定割合で組み合わせて使用することにより、半田用フラックス及びドライフィルムレジストを同時洗浄できることを見出し、本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明は、半田用フラックス及びドライフィルムレジストの同時洗浄に最適であって、優れた洗浄性およびリンス特性を有する両用洗浄剤およびそれを用いた被洗浄物の洗浄方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の両用洗浄剤によれば、半田フラックスと、ドライフィルムレジストと、を同時洗浄することが可能な両用洗浄剤であって、全体量に対して、ベンジルアルコールの添加量を５〜９４重量％の範囲内の値、アミン化合物を１〜５０重量％の範囲内の値、かつ、水を３〜９０重量％の範囲内の値とした両用洗浄剤が提供され、上述した問題点を解決することができる。
すなわち、本発明の半田用フラックスの洗浄方法によれば、所定量のベンジルアルコールと、アミン化合物と、水と、グリコール化合物と、を含むことにより、半田用フラックス及びドライフィルムレジストを同時洗浄する際に、それぞれに対して、優れた洗浄性を示すとともに、次工程におけるアルコール系溶剤を使用したリンスにおいても優れたリンス特性を示すことができる。
なお、半田フラックスおよびドライフィルムレジストの同時洗浄が可能であるとは、半田フラックスの洗浄終了までの時間をＴ１とし、ドライフィルムレジストの洗浄終了までの時間をＴ２としたときに、同一の洗浄液を用いて、Ｔ１／Ｔ２×１００で表される指標が、１０〜８００％の範囲内であれば良く、２０〜５００％の範囲内であればより好ましく、３０〜３００％の範囲内であればさらに好ましい。
【０００９】
また、本発明の両用洗浄剤を構成するにあたり、グリコール化合物をさらに含むとともに、当該グリコール化合物の添加量を、全体量に対して、１〜３０重量％の範囲内の値とすることが好ましい。
このように所定量のグリコール化合物を含むことにより、洗浄剤の溶解度パラメータを容易に調整することができ、各種半田用フラックスに対して、優れた洗浄性、リンス特性および安定性をそれぞれ発揮することができる。さらに、このようなグリコール化合物を添加することにより、被洗浄物としての基板表面の誘電損失をより低減することができ、所定の電気絶縁性を容易に確保することができる。
【００１０】
また、本発明の両用洗浄剤を構成するにあたり、界面活性剤をさらに含むとともに、当該界面活性剤の添加量を、全体量に対して、１〜３０重量％の範囲内の値とすることが好ましい。
このように所定量の界面活性剤を含むことにより、室温であっても、エマルジョン化しやすくなって、洗浄液の配合変化や劣化を目視にて、判断しやすくなる。また、両用洗浄剤をエマルジョン化することにより、フラックスやドライフィルムレジストの種類によっては、さらに洗浄性を高めることができる。
【００１１】
また、本発明の両用洗浄剤を構成するにあたり、電気伝導度を１〜２５０μＳ／ｃｍの範囲内の値とすることが好ましい。
このように電気伝導度を所定範囲に制限することにより、半田用フラックス及びレジスト材料の洗浄についての定量的管理が可能になって、それぞれに対して安定した洗浄性を示すことができる。また、電気伝導度を所定範囲に制限することにより、洗浄剤についての劣化度合いについても、精度良く判断することができる。
【００１２】
また、本発明の両用洗浄剤を構成するにあたり、室温（２５℃）においてエマルジョン状態であることが好ましい。
このように室温（２５℃）でエマルジョンとすることにより、洗浄液の配合変化や劣化を目視にて、判断しやすくなる。また、両用洗浄剤をエマルジョン化することにより、フラックスやドライフィルムレジストの種類によっては、さらに洗浄性を高めることができる。
【００１３】
本発明の別の態様は、半田フラックスと、ドライフィルムレジストと、を同時洗浄することが可能な両用洗浄剤を用いた被洗浄物の洗浄方法であって、全体量に対して、ベンジルアルコールの添加量を５〜９４重量％の範囲内の値、アミン化合物を１〜５０重量％の範囲内の値、かつ、水を３〜９０重量％の範囲内の値とした両用洗浄剤を準備する工程と、
両用洗浄剤を用いて、前記半田フラックス及びドライフィルムレジストが付着した被洗浄物を１０〜８０℃の温度範囲で同時洗浄する工程と、を含むことを特徴とする両用洗浄剤を用いた被洗浄物の洗浄方法である。
このように所定の両用洗浄剤を使用することにより、半田用フラックス及びドライフィルムレジストを同時洗浄する際に、それぞれに対して、優れた洗浄性を示すとともに、次工程におけるアルコール系溶剤を使用したリンスにおいても優れたリンス特性を示すことができる。
【００１４】
また、本発明の被洗浄物の洗浄方法を実施するにあたり、被洗浄物を洗浄する工程の後に、リンス液としてのアルコール系溶剤又は水によって、被洗浄物をすすぐためのリンス工程をさらに含むことが好ましい。
このように所定の両用洗浄剤を使用するとともに、アルコール系溶剤によって被洗浄物をリンスすることにより、半田用フラックス及びレジスト材料を同時洗浄する際に、それぞれに対して、優れた洗浄性を示すとともに、アルコール系溶剤を使用したリンス処理においても優れたリンス特性を示すことができる。
【００１５】
また、本発明の被洗浄物の洗浄方法を実施するにあたり、半田フラックスとして、ロジンを主成分とした鉛フリー用半田フラックスまたは高融点半田フラックスを洗浄の際の対象物とすることが好ましい。
このように半田フラックスの種類を所定のものとすることにより、優れた濡れ性等が得られる一方、容易かつ短時間に洗浄除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
[第１の実施の形態]
第１の実施形態は、半田フラックスと、ドライフィルムレジストと、を同時洗浄することが可能な両用洗浄剤であって、全体量に対して、ベンジルアルコールの添加量を５〜９４重量％の範囲内の値、アミン化合物を１〜５０重量％の範囲内の値、かつ、水を３〜９０重量％の範囲内の値とした両用洗浄剤である。
すなわち、ベンジルアルコールを単独使用しても、ポリイミド基材等に付着した半田用フラックス及びレジスト材料を同時洗浄することは困難である。しかしながら、ベンジルアルコールに対して、所定量のアミン化合物と、水とを添加することにより、それぞれの相乗効果が発揮されて、リンス特性を低下させることなく、半田用フラックス及びドライフィルムレジストを同時洗浄することができる。
したがって、かかる両用洗浄剤に、一例として、オレイルアルコールのエチレンオキサイド１２モル付加物を５重量％添加した場合ではあるが、図１の室温（２５℃）での三成分系両用洗浄剤における液状態図や、図２の６０℃での三成分系両用洗浄剤における液状態図から理解されるように、配合比率や環境温度によって、容易にエマルジョン化することを特徴としている。
さらに、かかる両用洗浄剤に、一例として、オレイルアルコールのエチレンオキサイド６モル付加物を５重量％添加した場合ではあるが、図３の室温（２５℃）での三成分系両用洗浄剤における液状態図や、図４の６０℃での三成分系両用洗浄剤における液状態図から理解されるように、配合比率や環境温度によって、容易にエマルジョン化することを特徴としている。
以下、両用洗浄剤の構成成分等について具体的に説明する。
【００１７】
１．ベンジルアルコール
ベンジルアルコールの添加量を、全体量に対して、５〜９４重量％の範囲内の値にすることを特徴とする。
この理由は、かかるベンジルアルコールの添加量が５重量％未満の値になると、アミン化合物と、水と、グリコール化合物との相乗効果が発揮されずに、半田用フラックス及びレジスト材料を十分に洗浄することが困難になるためである。一方、かかるベンジルアルコールの添加量が、９４重量％を超えると、逆に、半田用フラックス及びレジスト材料に対する洗浄性が低下したり、リンス特性が低下したりする場合があるためである。
したがって、ベンジルアルコールの添加量を、全体量に対して、５０〜９０重量％の範囲内の値にすることがより好ましく、６０〜８５重量％の範囲内の値にすることがさらに好ましい。
なお、図５に、両用洗浄剤におけるベンジルアルコールの添加量の影響を示す。かかる図５から容易に理解できるように、全体量に対して、所定量の範囲内の値にすることにより、他配合成分との相乗効果を発揮して、半田用フラックス及びレジスト材料に対して、所定の洗浄性を示すことができる。
【００１８】
２．アミン化合物
（１）種類
アミン化合物の種類は特に制限されるものではないが、例えば、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ−メチルモノエタノールアミン、Ｎ−エチルモノエタノールアミン、Ｎ−ブチルモノエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ−ブチルジエタノールアミン、Ｎ−シクロヘキシルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルモノエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルモノエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルモノエタノールアミン、アミノメチルプロパノール、アミノエチルプロパンジオール、アミノメチルプロパンジオール、アミノブタノール等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。
また、これらのアミン化合物のうち、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、およびＮ−シクロヘキシルジエタノールアミンのアミノアルコールは、安価であるとともに、比較的少量添加するだけで、優れた同時洗浄性を示すことより、より好ましいアミン化合物である。
【００１９】
また、アミン化合物の種類を、沸点から選択することも好ましい。すなわち、沸点が１２０〜４００℃のアミン化合物を選択することが好ましい。
この理由は、かかるアミン化合物の沸点が１２０℃未満になると、引火性が高くなって、得られる半田フラックス除去用洗浄剤の取扱いが困難になったり、洗浄温度を過度に低下したりしなければならない場合があるためである。一方、アミン化合物の沸点が４００℃を超えると、半田用フラックス及びレジスト材料に対する同時洗浄性が低下する場合があるためである。
したがって、沸点が１８０〜３７０℃のアミン化合物を選択することがより好ましい。
【００２０】
（２）添加量
また、アミン化合物の添加量を、全体量に対して、１〜５０重量％の範囲内の値にすることを特徴とする。
この理由は、かかるアミン化合物の添加量が１重量％未満の値になると、ベンジルアルコールと、水と、グリコール化合物との相乗効果が発揮されずに、半田用フラックスやレジスト材料についての洗浄性が低下するためである。また、アミン化合物の添加量が、１重量％未満の値になると、次工程におけるアルコール系溶剤を使用したリンス工程でのリンス特性が低下する場合があるためである。
一方、かかるアミン化合物の添加量が、５０重量％を超えると、半田用フラックスやレジスト材料に対する洗浄効果が逆に低下したり、被洗浄物の被着物である電子部品の基板等を侵したりする場合があるためである。
したがって、アミン化合物の添加量を、全体量に対して、５〜３０重量％の範囲内の値にすることがより好ましく、１０〜２０重量％の範囲内の値にすることがさらに好ましい。
【００２１】
なお、図６に、両用洗浄剤におけるアミン化合物の添加量の影響を示す。かかる図６から容易に理解できるように、全体量に対して、所定量の範囲内の値にすることにより、他配合成分との相乗効果を発揮して、半田用フラックス及びレジスト材料に対して、所定の洗浄性を示すことができる。
【００２２】
３．水
また、水の添加量を、全体量に対して、３〜９０重量％の範囲内の値にすることを特徴とする。
この理由は、かかる水の添加量が、３重量％未満の値になると、レジスト材料に対する洗浄効果が著しく低下する場合があるためである。すなわち、ベンジルアルコールと、アミン化合物と、水と、グリコール化合物との相乗効果が発揮されずに、レジスト材料についての洗浄性が低下するためである。一方、かかる水の添加量が、９０重量％を超えると、半田用フラックスに対する洗浄効果が著しく低下する場合があるためである。
したがって、水の添加量を、全体量に対して、５〜５０重量％の範囲内の値にすることがより好ましく、１０〜３０重量％の範囲内の値にすることがさらに好ましい。
【００２３】
なお、図７に、両用洗浄剤における水の添加量の影響を示す。かかる図７から容易に理解できるように、全体量に対して、水の添加量を、所定範囲内の値にすることにより、他配合成分との相乗効果を発揮して、半田用フラックス及びレジスト材料に対して、所定の洗浄性を示すことができる。
【００２４】
４．グリコール化合物
（１）種類
また、両用洗浄剤中に、所定量のグリコール化合物を添加することが好ましい。そして、グリコール化合物の種類としては、例えば、下記一般式（１）、あるいは下記一般式（２）および（３）で表される化合物であることが好ましい。
この理由は、このようなグリコール化合物を添加することにより、ベンジルアルコールと、アミン化合物と、水との相乗効果によって、半田用フラックス及びレジスト材料について同時洗浄することができるためである。
【００２５】
【化１】
【００２６】
（一般式（１）中、Ｒ1は、炭素数１〜８のアルキル基であり、繰り返し数ｎは、１〜３の自然数である。）
【００２７】
【化２】
【００２８】
（一般式（２）中、Ｒ2は、炭素数１〜６のアルキル基であり、Ｒ3は、水素またはメチル
基である。）
【００２９】
【化３】
【００３０】
（一般式（３）中、Ｒ4は、炭素数１〜３のアルキル基であり、Ｒ5は、水素またはメチル基であり、Ｒ6は、炭素数１〜２のアルキル基である。）
【００３１】
また、具体的には、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノオクチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノヘキシルエーテル、トリエチレングリコールモノオクチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノオクチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノヘキシルエーテル、ジプロピレングリコールモノオクチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールモノオクチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジヘキシルエーテル、ジエチレングリコールジオクチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジプロピルエーテル、トリエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジヘキシルエーテル、トリエチレングリコールジオクチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジヘキシルエーテル、プロピレングリコールジオクチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジヘキシルエーテル、ジプロピレングリコールジオクチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールジプロピルエーテル、トリプロピレングリコールジブチルエーテル、トリプロピレングリコールジヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールジオクチルエーテル等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。
【００３２】
（２） 添加量
また、グリコール化合物の添加量を、全体量に対して、グリコール化合物の添加量を１〜３０重量％の範囲内の値とすることを特徴とする。
この理由は、かかるグリコール化合物の添加量が１重量％未満の値になると、ベンジルアルコールと、アミン化合物と、水との相乗効果が発揮されずに、半田用フラックスやレジスト材料に対する洗浄効果が著しく低下する場合があるためである。一方、かかるグリコール化合物の添加量が、３０重量％以上の値になると、半田用フラックス等に対する洗浄効果が著しく低下する場合があるためである。
したがって、グリコール化合物の添加量を、全体量に対して、２重量％〜２０重量％の範囲内の値にすることがより好ましく、３重量％〜１５重量％の範囲内の値にすることがさらに好ましい。
なお、図８に、両用洗浄剤におけるグリコール化合物の添加量の影響を示す。かかる図８から容易に理解できるように、全体量に対して、グリコール化合物の添加量を、所定範囲内の値（１〜３０重量％）にすることにより、他配合成分との相乗効果を発揮して、半田用フラックス及びレジスト材料に対して、所定の洗浄性を示すことができる。
【００３３】
５．溶解度パラメータ
また、両用洗浄剤の溶解度パラメータを１２〜２０の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる溶解度パラメータが、かかる範囲を超えると、鉛フリー半田用フラックスや高融点半田用フラックス等に対する洗浄効果が著しく低下する場合があるためである。
したがって、両用洗浄剤の溶解度パラメータを、全体量に対して、１２〜１６の範囲内の値にすることがより好ましい。
【００３４】
６．電気伝導度
また、両用洗浄剤の電気伝導度（室温）を１〜２５０μＳ／ｃｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる電気伝導度が、１μＳ／ｃｍ未満の値になると、鉛フリー半田用フラックスや高融点半田用フラックス等に対する洗浄効果が著しく低下する場合があるためである。一方、かかる電気伝導度が、２５０μＳ／ｃｍを超えると、被洗浄物の被着物である電子部品の基板等を侵す場合があるためである。
したがって、両用洗浄剤の電気伝導度を３〜１６０μＳ／ｃｍの範囲内の値とすることがより好ましく、５〜５０μＳ／ｃｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００３５】
７．被洗浄物およびフラックス
また、被洗浄物の種類は、半田処理された電子部品や製品はもちろんのこと、半田処理されていなくとも、フラックスの影響がある部品等も好適に使用することができる。したがって、被洗浄物の種類は、特に制限されるものではないが、例えば、プリント回路板、セラミック配線基板、半導体素子（ＢＧＡ、ＣＳＰ、ＰＧＡ、ＬＧＡ等の半導体部品を含む。）、半導体素子搭載基板、バンプ付きＴＡＢテープ、バンプ無しＴＡＢテープ、半導体素子搭載ＴＡＢテープ、リードフレーム、コンデンサ、および抵抗等が具体的に挙げられる。
そして、これら半田処理された電子部品や製品において、使用される半田フラックスの種類は特に制限されるものではないが、例えば、鉛フリー用半田フラックスまたは高融点半田フラックス、あるいは無洗浄半田フラックスであることが好ましい、すなわち、これらの半田フラックスは、通常、ロジンを主成分としており、それに、有機酸塩、グリシジ
ルエーテル化合物、オキシ酸、カルボン酸（ジカルボン酸含む。）、アニリドおよび熱硬
化樹脂（例えば、エポキシ樹脂や熱硬化系アクリル樹脂）の少なくとも一つの化合物が添
加してある場合が多いためである。したがって、本発明の両用洗浄剤であれば、通常の半田フラックスはもちろんのこと、これらの半田フラックスに対しても、選択的に優れた洗浄性を示すことができる。
また、ベンジルアルコールやアミン化合物への溶解性が良好なことから、ロジンの一部または全部が水添してある化合物を、半田フラックスを洗浄の際の直接的な対象物とすることも好ましい。
さらに、無洗浄半田フラックスであっても、さらに高い耐電気腐食性を得たいような場合には、洗浄の際の直接的な対象物とすることができる。
【００３６】
なお、直接的な対象物であるフラックスが添加される高融点半田や鉛フリー半田、さらには無洗浄半田の種類についても特に制限されるものではないが、例えば、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ｂｉ系、Ｐｂ−Ｓｎ系等が代表的である。
また、半田処理された電子部品や製品において、使用されるレジスト材料の種類についても特に制限されるものではないが、例えば、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、レゾール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を主成分とした半田バンプ用厚膜レジスト材料を対象物とすることができる。
なお、対象物に対して、両用洗浄剤としてのベンジルアルコールと、アミン化合物と、グリコール化合物と、水との相乗効果を効果的に発揮させるためには、レジスト材料中に含まれるアマイド化合物の添加量を、全体量に対して、１０重量％以下の値とすることが好ましく、５重量％以下の値とすることがより好ましい。
【００３７】
８．ドライフィルムレジスト
被洗浄物に使用されるドライフィルムレジストは、通常、ソルダーレジストの機能を果たした材料であれば特に制限されるものではないが、具体的には、以下のようなドライフィルムレジストであることが好ましい。
すなわち、ポジ型感光性ドライフィルムの場合は、光照射によって分解するレジスト組成物を離型紙等の支持フィルムに塗装し、加熱硬化させたものを使用することができる。また、フィルムには感光性もしくは非感光性の粘着層を設けておくこともできる。
一方、ネガ型感光性組成物としては、光硬化性樹脂、光反応開始剤及び必要に応じて光増感色素とを含有した従来公知のレジスト組成物を離型紙等の支持フィルムに塗装し、加熱硬化させたものを使用することができる。
また、ネガ型感光性組成物を構成するために、光硬化性樹脂は、光照射により架橋しうる感光基を有する光硬化性樹脂である。
なお、ドライフィルムレジストの厚さとしては、５〜３００μｍの範囲内の値であることが好ましく、１０〜２００μｍの範囲内の値であることがより好ましい。
【００３８】
[第２の実施の形態]
第２の実施形態は、半田フラックスと、ドライフィルムレジストと、を同時洗浄することが可能な両用洗浄剤を用いた被洗浄物の洗浄方法であって、全体量に対して、ベンジルアルコールの添加量を５〜９４重量％の範囲内の値、アミン化合物を１〜５０重量％の範囲内の値、かつ、水を３〜９０重量％の範囲内の値とした両用洗浄剤を準備する工程と、
両用洗浄剤を用いて、前記半田フラックス及びドライフィルムレジストが付着した被洗浄物を１０〜８０℃の温度範囲で洗浄する工程と、を含むことを特徴とする両用洗浄剤を用いた被洗浄物の洗浄方法である。
以下、両用洗浄剤を用いた洗浄方法を、各工程について具体的に説明する。
【００３９】
１．調整工程
被洗浄物を洗浄するに先立ち、容器内に、主成分としてのベンジルアルコールやアミン化合物、水、あるいはグリコール化合物をそれぞれ秤量しながら添加し、それらを均一に混合して、両用洗浄剤を調整する工程を設けることが好ましい。
なお、両用洗浄剤の内容は、第１の実施の形態と同様であるが、この段階で、両用洗浄剤の粘度、誘電損失、酸価、電気伝導度等の少なくとも一つを測定し、それぞれ所定範囲に制限することにより、均一な特性を有することを確認することが好ましい。
【００４０】
２．洗浄工程
調整した両用洗浄剤を用いて、半田処理された電子部品や製品を洗浄し、それらに付着している半田用フラックス及びレジスト材料を同時洗浄して、除去する工程である。
ここで、図９に示すような、超音波洗浄するための超音波振動子２９を備えた洗浄槽１２と、循環路２２と、送液ポンプ２４と、リンス槽１４と、乾燥槽１６と、を備えた洗浄装置１０であることが好ましい。
より具体的には、洗浄槽１２は、被洗浄物２３の収容部（洗浄液）２０と、超音波振動子２９と、洗浄液の攪拌装置（図示せず）と、サーモスタット付きのヒーター１９と、洗浄液２１を循環させるための循環路２２と、から構成し、攪拌および循環している洗浄液２１に対して超音波振動を付与し、被洗浄物２３を効率的に洗浄することが好ましい。次いで、リンス槽１４において、被洗浄物２３から半田用フラックス及びレジスト材料を同時洗浄した洗浄液２１を除去し、さらに乾燥槽１６においては、リンス液１５等を蒸発させて、完全に除去することが好ましい。
なお、半田処理された被洗浄物を洗浄するにあたり、１０〜９０℃、０．５〜３０分の条件で洗浄することが好ましい。
この理由は、このような条件で所定の洗浄効果が得られるならば、半田フラックス除去用洗浄剤の劣化を有効に防止できるためである。
【００４１】
３．リンス工程
洗浄した電子部品や製品を、さらにリンス処理する工程である。ここで、リンス液として、アルコール系溶剤を使用することが好ましい。この理由は、水と比較して、早期乾燥ができるとともに、ベンジルアルコールやアミン化合物についても、十分除去できる
ためである。
また、より具体的には、アルコール系溶剤として、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、ｓ−ブチルアルコール、アミルアルコール、１−メトキシ−２−プロパノール等の一種単独または二種以上のアルコールを使用することが好ましい。
また、これらのアルコールに対して、所定量の水を添加したアルコール系溶剤を使用することが好ましく、より具体的には、全体量に対して４０〜７０重量％になるように水を添加したアルコール系溶剤を使用することが好ましい。
【００４２】
また、リンス条件としては、１０〜４０℃、１〜３０分の範囲内とし、さらに、二段階でリンス処理を実施することがより好ましい。この理由は、ベンジルアルコールやアミノアルコールの残渣についても、より少なくするためである。
なお、リンス工程後、例えば、４０〜１００℃、１〜３０分の条件で、熱風乾燥することがより好ましい。
【実施例】
【００４３】
以下、実施例を挙げて、本発明を詳細に説明する。ただし、言うまでもなく、本発明の範囲は、以下の記載に何ら制限されるものではない。
【００４４】
[実施例１]
１．洗浄剤の調整および評価
（１）洗浄性評価
まず、シリコンウエハの表面にドライフィルムレジスト（膜厚７０μｍ、アクリル系）を貼り、露光・現像処理によりシリコンウエハ電極上にφ１５０μｍの開口部を形成した。形成した開口部にスキージを用いてエコソルダーＭ７０５−ＧＲＮ３６０−Ｋ２−Ｖ（千住金属工業（株）製はんだペースト）を印刷充填し、２５０℃のカバー付きホットプレートの中で、リフローさせて、テストピースとした。
それを、温度６０℃に保持された２００ｇの洗浄剤入り３００ｍｌビーカ内に浸漬し、マグネットスターラーを用いて攪拌状態としながら、洗浄を行った。所定時間洗浄した後、ビーカからテストピースを取り出し、リンス液として、２００ｇの工業用エタノール５５重量％の水溶液が入った別のビーカに浸漬し、マグネットスターラーを用いて攪拌状態としながら、１０分間のリンス操作を行った。このリンス操作を合計２回行った後、８０℃に保持されたオーブンを用いて、テストピースを１０分間乾燥させた。次いで、乾燥させたテストピースを、実体顕微鏡（倍率４０倍）を用いて観察し、下記基準に照らして洗浄性を評価した。
【００４５】
（１）−１ レジスト洗浄性
◎：５分間の洗浄で、残渣が無い。
○：１０分間の洗浄で、残渣が無い。
△：１０分間の洗浄で、残渣が少々残る。
Ｘ：１０分間の洗浄で、多量の残渣が残る。
【００４６】
（１）−２ フラックス洗浄性
◎：３分間の洗浄で、残渣が無い。
○：５分間の洗浄で、残渣が無い。
△：５分間の洗浄で、残渣が少々残る。
Ｘ：５分間の洗浄で、多量の残渣が残る。
【００４７】
（２）はんだ腐食性
ガラスエキポシ基板の所定箇所に、メタルマスクを用いて、エコソルダーＭ７０５−ＧＲＮ３６０−Ｋ２−Ｖ（千住金属工業（株）製はんだペースト）を印刷し、２５０℃のカバー付きホットプレ−トの中で、リフローさせて、テストピースとした。
それを、温度６０℃に保持された２００ｇの洗浄剤入りの３００ｍｌのビーカ内に浸漬し、マグネットスターラーを用いて攪拌状態としながら、洗浄を行った。所定時間洗浄した後、ビーカからテストピースを取り出し、リンス液として、２００ｇの工業用エタノール５５重量％の水溶液が入った別のビーカに浸漬し、マグネットスターラーを用いて攪拌状態としながら、１０分間のリンス操作を行った。このリンス操作を合計２回行った後、８０℃に保持されたオーブンを用いて、テストピースを１０分間乾燥させた。次いで、乾燥させたテストピースを、実体顕微鏡（倍率４０）を用いて観察し、下記基準に照らしてはんだ腐食性を評価した。
◎：６０分間の洗浄で、はんだ腐食性が無い。
○：３０分間の洗浄で、はんだ腐食性が無い。
△：３０分間の洗浄で、はんだ腐食性が若干認められる。
×：３０分間の洗浄で、多量の腐食が認められる。
【００４８】
（３）ｐＨ
表１に示す実施例１の組成の洗浄剤を調整し、さらに蒸留水を用いて１００倍希釈した水溶液のｐＨを、ｐＨメーターＭ−８（（株）堀場製作所製）を用いて、２５℃の条件にて測定した。
【００４９】
[実施例２〜７]
実施例２〜７では、表１に示すように、ベンジルアルコールと、水および、アミン化合物の配合比およびアミン化合物の種類等を変えた洗浄剤をそれぞれ準備したほかは、実施例１と同様に、洗浄性、はんだ腐食性、およびｐＨをそれぞれ測定し、評価した。
【００５０】
[比較例１〜４]
比較例１〜４では、表１に示すように、ベンジルアルコールと、アミノアルコールと、グリコール化合物と、水との配合比率を本発明の範囲外に変え、あるいは、アミノアルコールを使用せずに、表１に示すような組成の洗浄剤をそれぞれ準備したほかは、実施例１と同様に、洗浄性、はんだ腐食性、およびｐＨをそれぞれ測定し、評価した。
その結果、比較例１では、ベンジルアルコールと、アミノアルコールを併用しているが、ベンジルアルコールの使用量が少なすぎることから、電気伝導度の値は比較的高いものの、レジストの洗浄時間が長くかかるという問題が見られた。
また、比較例２では、ベンジルアルコールと、アミノアルコールを併用しているが、水を使用していないことから、電気伝導度の値が低い一方、レジストの洗浄時間が同様に長くかかるという問題が見られた。
また、比較例３では、ベンジルアルコールを全く使用しておらず、フラックス洗浄性に乏しいという問題が見られた。
また、比較例４では、アミノアルコールを全く使用しておらず、電気伝導度の値が低く、レジストの洗浄時間が長くかかったり、フラックス洗浄性に欠けたりするという問題が見られた。
【００５１】
【表１】
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明の両用洗浄剤およびそれを用いた洗浄方法によれば、グリコール化合物の添加量に応じて、所定量のベンジルアルコールと、アミン化合物と、水と、を所定比率となるように含むことにより、半田用フラックス及びレジスト材料を同時洗浄する際に、それぞれに対して、優れた洗浄性を示すとともに、次工程におけるアルコール系溶剤を使用したリンスにおいても優れたリンス特性を示すことができるようになった。
したがって、高信頼性を要求される車載基板等の電装部品や、高回路特性を要求される高周波回路基板等の洗浄が必要な基板において、半田用フラックス及びレジスト材料を簡易程で、十分かつ短時間に除去できるようになった。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】室温（２５℃）での三成分系両用洗浄剤における液状態図である（その１）。
【図２】６０℃での三成分系両用洗浄剤における液状態図である（その１）。
【図３】室温（２５℃）での三成分系両用洗浄剤における液状態図である（その２）。
【図４】６０℃での三成分系両用洗浄剤における液状態図である（その２）。
【図５】両用洗浄剤におけるベンジルアルコールの添加量の影響を説明するために供する図である。
【図６】両用洗浄剤におけるアミン化合物の添加量の影響を説明するために供する図である。
【図７】両用洗浄剤における水の添加量の影響を説明するために供する図である。
【図８】両用洗浄剤におけるグリコール化合物の添加量の影響を説明するために供する図である。
【図９】洗浄装置を説明するために供する図である。
【００５４】
１０：洗浄装置
１２：洗浄槽
１４：リンス槽
１５：リンス液
１６：乾燥槽
２１：洗浄液
２２：循環路
２８：フィルター
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半田フラックスと、ドライフィルムレジストと、を同時洗浄することが可能な両用洗浄剤であって、
全体量に対して、ベンジルアルコールの添加量を５〜９４重量％の範囲内の値、アミン化合物を１〜５０重量％の範囲内の値、かつ、水を３〜９０重量％の範囲内の値とすることを特徴とする両用洗浄剤。
【請求項２】
グリコール化合物をさらに含むとともに、当該グリコール化合物の添加量を、全体量に対して、１〜３０重量％の範囲内の値とすることを特徴とする請求項１に記載の両用洗浄剤。
【請求項３】
界面活性剤をさらに含むとともに、当該界面活性剤の添加量を、全体量に対して、１〜３０重量％の範囲内の値とすることを特徴とする請求項１または２に記載の両用洗浄剤。
【請求項４】
電気伝導度を１〜２５０μＳ／ｃｍの範囲内の値とすることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の両用洗浄剤。
【請求項５】
室温（２５℃）においてエマルジョン状態であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の両用洗浄剤。
【請求項６】
半田フラックスと、ドライフィルムレジストと、を同時洗浄することが可能な両用洗浄剤を用いた被洗浄物の洗浄方法であって、
全体量に対して、ベンジルアルコールの添加量を５〜９４重量％の範囲内の値、アミン化合物を１〜５０重量％の範囲内の値、かつ、水を３〜９０重量％の範囲内の値とした両用洗浄剤を準備する工程と、
前記両用洗浄剤を用いて、前記半田フラックス及びドライフィルムレジストが付着した被洗浄物を１０〜８０℃の温度範囲で同時洗浄する工程と、
を含むことを特徴とする両用洗浄剤を用いた被洗浄物の洗浄方法。
【請求項７】
前記被洗浄物を洗浄する工程の後に、リンス液としてのアルコール系溶剤又は水によって、被洗浄物をすすぐためのリンス工程をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の被洗浄物の洗浄方法。
【請求項８】
前記半田フラックスとして、ロジンを主成分とした鉛フリー用半田フラックスまたは高融点半田フラックスを洗浄の際の対象物とすることを特徴とする請求項６または７に記載の両用洗浄剤。
【請求項１】
半田フラックスと、ドライフィルムレジストと、を同時洗浄することが可能な両用洗浄剤であって、
全体量に対して、ベンジルアルコールの添加量を５〜９４重量％の範囲内の値、アミン化合物を１〜５０重量％の範囲内の値、かつ、水を３〜９０重量％の範囲内の値とすることを特徴とする両用洗浄剤。
【請求項２】
グリコール化合物をさらに含むとともに、当該グリコール化合物の添加量を、全体量に対して、１〜３０重量％の範囲内の値とすることを特徴とする請求項１に記載の両用洗浄剤。
【請求項３】
界面活性剤をさらに含むとともに、当該界面活性剤の添加量を、全体量に対して、１〜３０重量％の範囲内の値とすることを特徴とする請求項１または２に記載の両用洗浄剤。
【請求項４】
電気伝導度を１〜２５０μＳ／ｃｍの範囲内の値とすることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の両用洗浄剤。
【請求項５】
室温（２５℃）においてエマルジョン状態であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の両用洗浄剤。
【請求項６】
半田フラックスと、ドライフィルムレジストと、を同時洗浄することが可能な両用洗浄剤を用いた被洗浄物の洗浄方法であって、
全体量に対して、ベンジルアルコールの添加量を５〜９４重量％の範囲内の値、アミン化合物を１〜５０重量％の範囲内の値、かつ、水を３〜９０重量％の範囲内の値とした両用洗浄剤を準備する工程と、
前記両用洗浄剤を用いて、前記半田フラックス及びドライフィルムレジストが付着した被洗浄物を１０〜８０℃の温度範囲で同時洗浄する工程と、
を含むことを特徴とする両用洗浄剤を用いた被洗浄物の洗浄方法。
【請求項７】
前記被洗浄物を洗浄する工程の後に、リンス液としてのアルコール系溶剤又は水によって、被洗浄物をすすぐためのリンス工程をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の被洗浄物の洗浄方法。
【請求項８】
前記半田フラックスとして、ロジンを主成分とした鉛フリー用半田フラックスまたは高融点半田フラックスを洗浄の際の対象物とすることを特徴とする請求項６または７に記載の両用洗浄剤。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００７−２２４１６５（Ｐ２００７−２２４１６５Ａ）
【公開日】平成１９年９月６日（２００７．９．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−４７６８４（Ｐ２００６−４７６８４）
【出願日】平成１８年２月２４日（２００６．２．２４）
【出願人】（０００１２３４９１）化研テック株式会社 (15)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年９月６日（２００７．９．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年２月２４日（２００６．２．２４）
【出願人】（０００１２３４９１）化研テック株式会社 (15)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]