処理装置および表面処理治具
【課題】被処理面以外の面に対する処理液の飛散を抑制しつつ、被処理面に処理液による処理を施すことができる処理装置および表面処理治具を提供する。
【解決手段】本発明の処理装置１００は、被処理体１８が載置される載置台１０と、処理液にて被処理体１８の被処理面１８ａを処理する表面処理治具２０と、表面処理治具２０に処理液を供給する供給手段３０と、表面処理治具２０に供給された処理液を回収する回収手段４０と、表面処理治具２０を被処理面１８ａと離間した状態を維持する離間維持手段５０と、を含んでいる。表面処理治具２０は、被処理面１８ａに対向する対向面２２ａを有し、対向面２２ａと被処理面１８ａとの間に供給手段３０から供給された処理液を保持して被処理面１８ａを処理する処理部を備える。
【解決手段】本発明の処理装置１００は、被処理体１８が載置される載置台１０と、処理液にて被処理体１８の被処理面１８ａを処理する表面処理治具２０と、表面処理治具２０に処理液を供給する供給手段３０と、表面処理治具２０に供給された処理液を回収する回収手段４０と、表面処理治具２０を被処理面１８ａと離間した状態を維持する離間維持手段５０と、を含んでいる。表面処理治具２０は、被処理面１８ａに対向する対向面２２ａを有し、対向面２２ａと被処理面１８ａとの間に供給手段３０から供給された処理液を保持して被処理面１８ａを処理する処理部を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理体の表面に対して処理液を用いた処理を行なう処理装置および該処理に好適に用いられる表面処理治具に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＣカードや携帯電話の薄型化、小型化、軽量化が要求されており、この要求を満たすためには組み込まれる半導体チップについても薄型の半導体チップとしなければならない。このため半導体チップの基になる半導体ウェハの厚さ（膜厚）は現状では１２５μｍ〜１５０μｍであるが、次世代のチップ用には２５μｍ〜５０μｍにしなければならないと言われている。
【０００３】
上記膜厚の半導体ウェハを得る方法の一つとして、以下の薄化方法を挙げることができる。この方法では、まず、半導体ウェハとサポートプレートなどの板材とを、両面に粘着層を有するテープまたは接着剤を介して貼り付ける。このサポートプレートは、薄化された半導体ウェハを保護する役割を果たす。ついで、サポートプレートにより保護されている状態で、グラインダーなどにより半導体ウェハの研磨を行なうことにより薄化された半導体ウェハが形成される。最後に、この薄化された半導体ウェハからサポートプレートを剥がす。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記薄化方法のうち、サポートプレートと半導体ウェハとを接着剤を介して貼り付けている方法を採用する場合、半導体ウェハからサポートプレートを分離した後に接着剤が半導体ウェハに残存してしまうことがある。そのため、接着剤を除去して半導体ウェハの上面を清浄な面にしなくてはならない。ここで、上記薄化された半導体ウェハは、一般的にダイシングフレームに固定されたダイシングテープに貼り付けられた状態にてダイシングされ、個々のチップに分割される。上記薄化された半導体ウェハは、サポートプレートと貼り合わされた状態でダイシングテープに貼り付けられた後、サポートプレートの剥離、そして半導体ウェハ上の接着剤の除去が行われることがある。このダイシングテープを用いる場合、通常、その表面積は半導体ウェハと比して大きいため、半導体ウェハの外周には、ダイシングテープの露出面が位置することとなる。このような被処理体に対して、被処理体を回転させつつ処理液（溶剤）を滴下する方法や、半導体ウェハを浸漬させるという通常の洗浄処理を施すと、ダイシングテープの露出面をもこの処理液で処理してしまうことになる。つまり、処理をしたい面は半導体ウェハの表面のみであるにも関わらず、半導体ウェハの外周に設けられているダイシングテープの露出面にまで処理が行なわれてしまうのである。このときの処理液の種類によっては、ダイシングテープの劣化が懸念され、それゆえ、ダイシングテープの保護を図りつつ半導体ウェハ上の接着剤を除去する処理方法の開発が望まれている。
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、被処理面のみに処理液を用いた処理を施すことができる処理装置および表面処理治具を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）本発明にかかる処理装置は、被処理体が載置される載置台と、
処理液にて前記被処理体の被処理面を処理する表面処理治具と、
前記表面処理治具に処理液を供給する供給手段と、
前記表面処理治具に供給された処理液を回収する回収手段と、
前記表面処理治具を前記被処理面と離間した状態を維持する離間維持手段と、を含み、 前記表面処理治具は、上記被処理面に対向する対向面を有し、該対向面と被処理面との間に前記供給手段から供給された処理液を保持して被処理面を処理する処理部を備えることを特徴としている。
【０００７】
本発明にかかる処理装置は、被処理面と離間された状態を維持しつつ、表面処理治具に処理液の供給と回収を行なうことができる表面処理治具を含む。そのため、被処理面と、被処理面と対向する対向面との間のみに処理液を保持することができ、被処理面以外に処理液が飛散することがない。その結果、本発明にかかる処理装置によれば、被処理面のうち処理を施したい領域にのみに処理を施すことができる。さらに、表面処理治具が被処理体に接触することがないため、被処理体に損傷を与える可能性を低減することができる。
【０００８】
（２）本発明にかかる処理装置において、前記処理部は、前記対向面から前記被処理体に向かって突出する突出部を備え、該突出部と前記被処理面との間における処理液の表面張力により、供給された処理液を前記対向面と前記被処理面との間に保持することが好ましい。この態様によれば、突出部が設けられていることで、被処理面と対向面との間に処理液の保持を確実に行なうことができる。
【０００９】
（３）本発明にかかる処理装置において、前記突出部の、被処理面と対向する面は平面であり、前記離間維持手段により前記突出部と被処理面との距離が、３ｍｍ以下に維持されることが好ましい。この態様によれば、処理液の表面張力を利用して、被処理面と、表面処理治具の対向面との間に、より確実に処理液を保持することができる。そのため、処理液が被処理面以外に飛散することを抑制することができる。
【００１０】
（４）本発明にかかる処理装置において、処理後の被処理面を乾燥させる乾燥手段を備えることが好ましい。この態様によれば、処理液の回収を完全に行なうことができない場合であっても、被処理面の乾燥を行なうことができる。
【００１１】
（５）本発明にかかる処理装置において、前記乾燥手段は、前記被処理面に向かって不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段であることが好ましい。この態様によれば、不活性ガスを吹き付けることで、処理液を飛散させ、乾燥させることができる。
【００１２】
（６）本発明にかかる処理装置において、前記乾燥手段は、前記被処理面に残った処理液を吸引する吸引手段であることが好ましい。
【００１３】
（７）本発明にかかる処理装置において、前記吸引手段は、前記表面処理治具を用いて行われ、該表面処理治具における供給手段からの処理液の供給が停止した状態で、処理液を回収手段により被処理面に残った処理液を吸引することにより行われることが好ましい。この態様によれば、表面処理治具を処理と乾燥との双方に対して使用することができる （８）本発明に係る処理装置において、前記対向面の面積は、前記被処理面の面積と比して小さいことが好ましい。
【００１４】
（９）本発明にかかる処理装置において、前記離間維持手段は、表面処理治具を被処理体に対して移動させることができる。この態様によれば、対向面の面積が、被処理面の面積と比して小さい場合であっても、被処理面の全域に対して処理を行なうことができる。
【００１５】
（１０）本発明にかかる処理装置において、前記離間維持手段は、表面処理治具を被処理体の略中心から外縁に向かって移動させることができる。なお、本態様において、「略中心」とは、中心と中心の周囲を含む意味である。この態様によれば、特に被処理体を回転させながら、表面処理治具を中心から外周に向かって移動させることにより被処理体全体を処理することができる。
【００１６】
（１１）本発明にかかる処理装置において、前記載置台は、載置された被処理体を回転させることができる。この態様によれば、被処理面の面積が対向面と比して大きい場合に、処理の効率化を図ることができる。
【００１７】
（１２）本発明にかかる表面処理治具は、
被処理体の被処理面を処理液で処理するのに用いられる表面処理治具であって、
被処理面に対して離間して維持された際に、前記被処理面に対向する対向面を有し、該対向面と該被処理面との間に供給された処理液を保持して被処理面を処理する処理部を備えることを特徴としている。
【００１８】
本発明にかかる表面処理治具は、被処理面と対向面との間に処理液を保持することができる。そのため、本発明にかかる表面処理治具を用いて処理を行なうことで、所望の領域のみに処理液による処理を施すことができる。その結果、被処理面と同一のレベルに処理を施したくない面が設けられている場合でも、該面に処理液が飛散することが抑制された処理を実現することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る処理装置は、被処理体と離間して維持された表面処理治具と、処理液の供給手段と回収手段とを備えていることにより、被処理面と対向面との間に処理液を保持することができ、被処理面以外に対する処理液の飛散が抑制された処理を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。
【００２１】
（処理装置）
本実施形態にかかる処理装置１００について、図１ないし図３を参照しつつ説明する。図１は、本実施形態にかかる処理装置１００の要部を示す断面図である。図２は、図１のＡ部をより詳細に示す断面図である。図３は、本実施形態にかかる処理装置に備えられている表面処理治具の一部を示す平面図である。なお、図３は、表面処理治具の対向面（被処理面と対向する面）を示す平面図である。
【００２２】
図１に示すように、処理装置１００は、被処理体１８が載置される載置台１０と、処理液にて被処理体１８の被処理面１８ａを処理する表面処理治具２０と、表面処理治具２０に処理液を供給する供給手段３０と、表面処理治具２０に供給された処理液を回収する回収手段４０と、表面処理治具２０を被処理面１８ａと離間した状態を維持する離間維持手段５０と、を含む。さらに、処理装置１００には、被処理体１８を囲むように設けられた洗浄カップ１６が設けられている。
【００２３】
載置台１０は、被処理体１８をたとえば吸引することで保持することができる。また、載置台１０は、略中心を軸として回転可能な回転軸１２の上に設けられ、回転軸１２には、これを回転させるモーター１４が取り付けられている。この構成により、被処理体１８を、被処理面１８ａの略中心を通る垂線を軸として回転させることができる。
【００２４】
表面処理治具２０は、被処理面１８ａに対向する対向面２２ａを有し、対向面２２ａと被処理面１８ａとの間に、供給手段３０から供給された処理液を保持する役割を果たす。本実施形態にかかる処理装置では、表面処理治具２０は、上記役割を果たすことができれば、その構造は特に制限されない。
【００２５】
以下に、表面処理治具２０の構造の一例について、図２および図３を参照しつつ説明する。図２に示すように、表面処理治具２０は、供給された処理液を保持し、被処理面１８ａを処理するための処理部２２を有している。この処理部２２は、表面処理治具２０が被処理面１８ａに対して離間して維持された際に、被処理面１８ａに対向する対向面２２ａを有する。つまり、本実施形態に係る表面処理治具２０によれば、処理部２２と対向面２２ａとの間に、処理液を保持することができる。
【００２６】
処理部２２には、第１貫通孔２６および第２貫通孔２８が設けられている。第１貫通孔２６は、処理液を処理部２２に供給するための孔であり、第２貫通孔２８は、処理部２２の処理液を回収するための孔である。図２において、各破線の矢印は、処理液の流れる方向を示している。なお、図２および図３には、第１貫通孔２６が一つと、第２貫通孔２８が４つ設けられている場合を示したが、これに限定されることはなく、例えば第２貫通孔を６つ、８つ設けてもよい。また、第１貫通孔２６と第２貫通孔２８の配置についても、図示の配置に限定されることはない。第１貫通孔２６および第２貫通孔２８の平面形状は、円形、楕円形または矩形であることができ、処理液の流れを妨げない限り特に制限されることはない。このことは、第１貫通孔２６および第２貫通孔２８の開口径についても同様である。
【００２７】
さらに、前記処理部２２は、対向面２２ａから被処理体１８に向かって突出する突出部２４を備えることが好ましい。突出部２４は、図２および図３に示すように、対向面２２ａの周縁に設けられていることが好ましい。このように、処理部２２は、突出部２４を備えることにより、供給された処理液を被処理面１８ａとの間により確実に保持することができる。処理液の保持は、処理液の表面張力を利用して行われる。
【００２８】
また、突出部２４の底面（被処理面１８ａと対向する面）が、平面である場合、後述する離間維持手段５０により突出部２４と被処理面１８ａとの距離が、０．５ｍｍ以上、３ｍｍ以下に維持されることが好ましく、０．５〜１．５ｍｍの範囲であることがより好ましい。なお、突出部２４と被処理面１８ａとの距離は接触しない範囲で限りなく０ｍｍに近づいてもよい。これにより、処理液をより確実に保持することができる。
【００２９】
本実施形態にかかる表面処理治具２０は、被処理面１８ａの面積がその対向面２２ａの面積（処理部２２の処理面積）と比して大きい被処理体１８に対する処理に用いることが好ましい。被処理面１８ａの面積が対向面２２ａの面積と比して大きい場合、被処理面１８ａと処理部２２との距離を、離間維持手段５０により調整することで、その表面張力を利用して、処理液を保持することが可能となる。具体的には、対向面２２ａおよび被処理面１８ａ（処理部２２の処理面積）が円形状である場合には、対向面２２ａの直径は被処理面１８ａの半径と比して小さいことが好ましい。
【００３０】
供給手段３０は、表面処理治具２０の処理部２２に処理液を供給する役割を果たす。この供給手段３０は、たとえば、処理液を貯留する処理液タンク３４や、処理液タンク３４に接続された供給配管３２や、表面処理治具２２に処理液を供給するためのポンプ（図示せず）などを含む。また、前記供給配管３２は、第１貫通孔２６に接続されている。そして、処理液タンク３４、供給配管３２および第１貫通孔２６を介して、前記処理部２２に処理液が供給されるようになっている。
【００３１】
吸引手段４０は、表面処理治具２０の処理部２２から、処理液を回収する役割を果たす。この吸引手段４０は、たとえば、処理液の回収配管４２と、処理済の処理液を回収するための回収タンク４４、処理液を吸引するためのポンプまたはイジェクターなどを含む。なお、前記ポンプまたはイジェクターは回収タンクの後方に設ければよい。また、前記回収配管４２は、第２貫通孔２８に接続されている。そして、処理部２２に供給された処理液は、第２貫通孔２８、回収配管４２を介して回収タンク４４に回収されるようになっている。また、上記では回収タンクに処理液を回収する構成を記載したが、単にポンプ、イジェクター等により表面処理治具２０から処理液を排出できる構成であってもよい。
【００３２】
離間維持手段５０は、表面処理治具２０を被処理面１８ａに対して、離間して維持するものである。そして、表面処理治具２０と被処理面１８ａとの距離を所定の距離に維持することにより、前記処理部２２に、処理液を保持することができるようになっている。また、離間維持手段５０は、表面処理治具２０を、被処理面１８ａと平行な方向および被処理面１８ａに対して上下の方向に移動させることを可能とする機構を備えていてもよい。離間維持手段５０は、具体的には、たとえば、表面処理治具２０を保持するアーム５２などにより実現することができる。
【００３３】
さらに、本実施形態にかかる処理装置１００は、処理後の被処理面１８ａを乾燥させる乾燥手段を備える。乾燥手段としては、たとえば、不活性ガスを被処理面１８ａに向かって供給する不活性ガス供給手段６０と、被処理面１８ａに残存する処理液を吸引する吸引手段（図示せず）とを例示することができる。不活性ガス供給手段６０は、たとえば、不活性ガスタンク６２と、不活性ガス供給配管６４と、不活性ガス供給配管６４の先端に設けられたノズル６６とからなることができる。不活性ガスとしては、公知の不活性ガス、たとえば、アルゴン、窒素などを用いることができる。また、不活性ガスの供給時には、被処理面１８ａに吹き付けるように供給することが好ましい。また、吸引手段としては、たとえば、吸引するためのポンプと、処理液を回収するための回収タンクと処理液の回収配管とからなることができる。不活性ガス供給手段６０および吸引手段は、後述の表面処理治具２０と一体で構成されていてもよいし、別々に構成されていてもよい。また、この被処理体１８の乾燥は、表面処理治具２０を用いて行なうこともできる。表面処理治具２０を用いて被処理面１８ａの乾燥を行なう場合の処理方法については後述する。
【００３４】
（処理方法）
次に、上述の処理装置を用いた被処理体の処理方法について説明する。本処理方法では、まず、被処理体１８を載置台１０に保持する。載置台１０には、吸引機構が設けられており、被処理体１８を保持することができる。ついで、離間維持手段５０により、表面処理治具２０を被処理体１８の上方に配置する。このとき、被処理体１８の被処理面１８ａと、表面処理治具２０（特に突出部２４）との距離が、たとえば、３ｍｍ以下であるように維持されていることが好ましい。これにより、処理液を被処理面１８ａと表面処理治具２０の対向面２２ａとの間に、処理液を保持することが容易となる。
【００３５】
次に、処理液の供給手段３０から表面処理治具２０（処理部２２）に処理液を供給する。この処理液の供給は、表面処理治具２０の第１貫通孔２６を介して、行なわれる。処理液の供給と共に、供給された処理液の回収が回収手段４０により行われる（以下、「供給・回収処理」と称する）。この処理液の回収は、表面処理治具２０の第２貫通孔２８を介して回収配管４４側に処理液を吸引することで行われる。そして、被処理面１８ａと、表面処理治具２０との間で生じる処理液の表面張力を利用して、処理液を保持することができる。なお、上記供給・回収処理における処理液の供給量および回収量は、上記表面張力を保ち、表面処理治具２０から処理液が拡散しなければよく、例えばほぼ同じ量等に調整すればよい。
【００３６】
この処理液の供給・回収処理は、表面処理治具２０を被処理体１８に対して移動させながら行なうことができる。このときは、表面処理治具２０を被処理体１８の略中心から外縁に向かって移動させることが好ましい。このように、表面処理治具２０を移動させることで、表面処理治具２０の処理部２２の処理面が、被処理面１８ａと比して小さい場合であっても、被処理面１８ａの全域に処理を施すことができる。なお、本態様において、「略中心」とは、中心と中心の周囲を含む意味である。
【００３７】
さらに、被処理体１８を、その表面の略中心を通る垂線を軸として回転させつつ、供給・回収処理を行なってもよい。この場合、回転速度は、１０ｒｐｍ以上、１００ｒｐｍ以下であることが好ましい。上記範囲内であれば、処理液を処理部２２と被処理面１８ａとの間に保持することができ、他の領域に処理液が飛散することを抑制することができるためである。また、このように被処理体１８を回転させることで処理の効率化を図ることもできる。
【００３８】
次に、供給・回収処理を終えた後に、被処理面１８ａを乾燥させる（以下、「乾燥処理」と称する）。乾燥処理は、上述の不活性ガス供給手段６０または吸引手段を用いて行なうことができる。また、表面処理治具２０を用いて、この乾燥工程を行なうことができる。表面処理治具２０を用いる場合には、供給手段３０からの処理液の供給が停止した状態で、回収手段４０を用いることにより被処理面１８ａに残った処理液を吸引する。この場合、表面処理治具２０が、処理液による処理と乾燥とを実現することができ、処理装置を有効に活用することができる。
【００３９】
以上により、本実施形態にかかる処理装置を用いて、被処理面１８ａに対して処理液による処理を行なうことができる。
【００４０】
本実施形態にかかる処理装置１００によれば、離間維持手段５０により、被処理面１８ａと表面処理治具２０とが離間した状態を維持しつつ、表面処理治具２０に対する処理液の供給と、供給された処理液の回収を行なうことができる。このように、処理液の供給と供給された処理液の回収とを同時に行なうことで、表面処理治具２０と被処理面１８ａとの間に処理液を保持できることとなる。そのため、処理液が飛散することが望まれない領域に対する処理液の飛散を抑制することができる。その結果、処理を施したい面（被処理面）にのみ、処理を施すことができる処理装置を提供することができる。
【００４１】
さらに、本実施形態にかかる処理装置１００では、離間維持手段５０により、表面処理治具２０と被処理面１８ａとの間の距離を調整することで、処理液の表面張力を利用して、より確実に処理液を保持することができる。そのため、処理液の飛散を防ぐことができると共に、処理が施される領域には、所定量の処理液を保持できることとなる。また、突出部２４を設けた場合には、突出部２４の長さに応じて処理部２２に窪みが生じることとなる。その結果、この窪みを処理液の保持領域として機能させることができる。このように、表面処理治具２０を用いることで、所望量の処理液の保持が可能となり処理を良好に行なうことができる。
【００４２】
また、本実施形態にかかる処理装置によれば、処理液を飛散させないようにしているため、処理液の利用効率を上げることができる。
【００４３】
次に、本実施形態にかかる処理装置により特に良好に処理される被処理体の例について説明する。なお、被処理体１８は、以下に例示する被処理体に限定されないことは言うまでもない。
【００４４】
本実施形態にかかる処理装置により良好に処理される被処理体１８は、支持体であるダイシングテープの上に設けられ、薄化された半導体ウェハである。このように薄化された半導体ウェハは、その薄化プロセスにおいて、半導体ウェハの表面に接着剤が残存することがある。このような半導体ウェハの接着剤の除去処理において、本実施形態にかかる処理装置を用いることができるのである。
【００４５】
以下の説明では、まず、半導体ウェハの薄化プロセスについて図面を参照しつつ説明した後、本実施形態にかかる処理装置を用いる利点について説明する。図４（ａ）〜図４（ｄ）は、半導体ウェハの薄化プロセスを説明する断面図である。ここでは、孔有りサポートプレート７０を用いた例について説明する。
【００４６】
まず、図４（ａ）に示すように、接着剤７２を介して、サポートプレート７０と、半導体ウェハ７４ａとを貼り付ける。この半導体ウェハ７４ａは、薄化する前のものである。ついで、図４（ｂ）に示すように、半導体ウェハ７４ａを研磨し、薄化された半導体ウェハ７４を形成する。半導体ウェハ７４ａの研磨は、各種公知の技術により行なうことができる。ついで、図４（ｃ）に示すように、半導体ウェハ７４における接着剤７２と接していない面を、ダイシングテープ（支持体）７６と貼り合わせる。このとき、ダイシングテープ７６は、剥離された後における半導体ウェハ７４の強度を補填し、取り扱いを容易にする役割を果たす。なお、ダイシングテープ７６の周囲には、ダイシングフレーム（固定具）７８が設けられている。このダイシングフレーム７８は、ダイシングテープ７６の弛みを防止する。その後、サポートプレート７０の孔から接着剤７２を溶かす溶剤を供給し、接着剤７２を溶かした後に、サポートプレート７０を除去する。このとき、接着剤７２は、完全に除去されず半導体ウェハ７４上に残存することとなる。残存した接着剤７２を残存接着剤７３として示す。このように、残存接着剤７３を有する半導体ウェハ７４が被処理体１８に相当することとなる。
【００４７】
この被処理体１８は、上述の工程を経ることで、その外周にダイシングテープ７６が配置されている。ダイシングテープ７６は、残存接着剤７３の除去に用いられる溶剤（処理液）が付着することで、劣化してしまうことがある。ダイシングテープ７６の劣化は、弛みを引き起こし、この弛みは、薄化され強度が低下している半導体ウェハ７４の割れを引き起こすことがある。そのため、ダイシングテープ７６を劣化させることなく、半導体ウェハ７４上の残存接着剤７３を除去する必要がある。つまり、半導体ウェハ７４の表面にのみ溶剤による除去を施すことが要求されることとなる。
【００４８】
本実施形態にかかる処理装置１００を、半導体ウェハ７４上の残存接着剤７３の除去に用いた場合、上述したように、半導体ウェハ７４（被処理体１８）以外に溶剤が飛散することを抑制した処理を行なうことができる。そのため、ダイシングテープ７６を劣化させることなく、良好に残存接着剤７３の除去を行なうことができる。このように、本実施形態にかかる処理装置によれば、処理を施こしたくない面に対しては、処理液の飛散を抑制しつつ、処理を施したい面に対しては良好に処理を行なうことができる処理装置を提供することができる。
【００４９】
なお、本実施の形態では、被処理体１８が、ダイシングテープ７６の上に設けられた半導体ウェハ７４である場合について説明したが、これに限定されることはない。処理液による処理を施すことが望まれる被処理体であれば、いずれの被処理体についても、本実施形態にかかる処理装置を用いることができる。
【００５０】
なお、上記処理装置１００では、表面処理治具２０の平面形状が円形である場合を図示したが、表面処理治具２０の形状がこれに限定されることはない。以下に、上記表面処理治具２０の変形例にかかる表面処理治具７０について図５を参照しつつ説明する。図５は、被処理面１８ａの上方に表面処理治具７０が位置している場合の平面図である。その他の構成は、表面処理治具２０と同様である。
【００５１】
図５に示すように、表面処理治具７０は、長方形状であって、その角が丸まっている平面形状を有する。表面処理治具７０には、処理液を被処理面１８ａに供給する第１貫通孔７６と、第２貫通孔７８とが設けられている。第１貫通孔７６を通じて、処理部への処理液の供給が行われ、第２貫通孔７８を通じて供給された処理液の回収が行なわれる。第１貫通孔７６および第２貫通孔７８の開口形状、個数、配置は、いずれも図５に示したものに限定されない。被処理面１８ａが円形である場合には、表面処理治具７０の長手方向の長さが、被処理面１８ａの半径と略同一であることが好ましい。この場合には、たとえば、矢印が示す方向に被処理体を回転させつつ処理を行なうことで、被処理面の全域に処理を施すことができる。また、表面処理治具７０においても、表面処理治具２０と同様に、被処理面１８ａとの対向面に突出部が設けられていてもよいことはいうまでもない。なお、表面処理治具７０ではその平面形状が長方形状である場合を示したが、被処理面１８ａに対する処理液の供給と供給された処理液の回収を行い、表面処理治具７０と被処理面１８ａとの間に処理液を保持できる限りこの形状に限定されることはない。
【００５２】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明にかかる処理装置は、処理液による洗浄や塗布などの各種処理を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施形態にかかる処理装置の構成を示す要部の断面図である。
【図２】図１のＡ部をより詳細に示す断面図である。
【図３】本実施形態に係る処理装置が有する表面処理治具を示す平面図である。
【図４】本実施形態にかかる処理装置で処理される被処理体の一例を示す断面図である。
【図５】他の態様にかかる表面処理治具を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０ 載置台
１２ 回転軸
１４ モーター
１６ 洗浄槽
１８ 被処理体
１８ａ 被処理面
２０ 表面処理治具
２２ 処理部
２２ａ 対向面
２４ 突出部
２６ 第１貫通孔
２８ 第２貫通孔
３０ 供給手段
３２ 供給配管
３４ 処理液タンク
４０ 回収手段
４２ 回収配管
４４ 吸引ポンプ
５０ 離間維持手段
５２ アーム
６０ 不活性ガス供給手段
６２ 不活性ガスタンク
６４ 不活性ガス供給配管
６６ ノズル
１００ 処理装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理体の表面に対して処理液を用いた処理を行なう処理装置および該処理に好適に用いられる表面処理治具に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＣカードや携帯電話の薄型化、小型化、軽量化が要求されており、この要求を満たすためには組み込まれる半導体チップについても薄型の半導体チップとしなければならない。このため半導体チップの基になる半導体ウェハの厚さ（膜厚）は現状では１２５μｍ〜１５０μｍであるが、次世代のチップ用には２５μｍ〜５０μｍにしなければならないと言われている。
【０００３】
上記膜厚の半導体ウェハを得る方法の一つとして、以下の薄化方法を挙げることができる。この方法では、まず、半導体ウェハとサポートプレートなどの板材とを、両面に粘着層を有するテープまたは接着剤を介して貼り付ける。このサポートプレートは、薄化された半導体ウェハを保護する役割を果たす。ついで、サポートプレートにより保護されている状態で、グラインダーなどにより半導体ウェハの研磨を行なうことにより薄化された半導体ウェハが形成される。最後に、この薄化された半導体ウェハからサポートプレートを剥がす。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記薄化方法のうち、サポートプレートと半導体ウェハとを接着剤を介して貼り付けている方法を採用する場合、半導体ウェハからサポートプレートを分離した後に接着剤が半導体ウェハに残存してしまうことがある。そのため、接着剤を除去して半導体ウェハの上面を清浄な面にしなくてはならない。ここで、上記薄化された半導体ウェハは、一般的にダイシングフレームに固定されたダイシングテープに貼り付けられた状態にてダイシングされ、個々のチップに分割される。上記薄化された半導体ウェハは、サポートプレートと貼り合わされた状態でダイシングテープに貼り付けられた後、サポートプレートの剥離、そして半導体ウェハ上の接着剤の除去が行われることがある。このダイシングテープを用いる場合、通常、その表面積は半導体ウェハと比して大きいため、半導体ウェハの外周には、ダイシングテープの露出面が位置することとなる。このような被処理体に対して、被処理体を回転させつつ処理液（溶剤）を滴下する方法や、半導体ウェハを浸漬させるという通常の洗浄処理を施すと、ダイシングテープの露出面をもこの処理液で処理してしまうことになる。つまり、処理をしたい面は半導体ウェハの表面のみであるにも関わらず、半導体ウェハの外周に設けられているダイシングテープの露出面にまで処理が行なわれてしまうのである。このときの処理液の種類によっては、ダイシングテープの劣化が懸念され、それゆえ、ダイシングテープの保護を図りつつ半導体ウェハ上の接着剤を除去する処理方法の開発が望まれている。
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、被処理面のみに処理液を用いた処理を施すことができる処理装置および表面処理治具を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）本発明にかかる処理装置は、被処理体が載置される載置台と、
処理液にて前記被処理体の被処理面を処理する表面処理治具と、
前記表面処理治具に処理液を供給する供給手段と、
前記表面処理治具に供給された処理液を回収する回収手段と、
前記表面処理治具を前記被処理面と離間した状態を維持する離間維持手段と、を含み、 前記表面処理治具は、上記被処理面に対向する対向面を有し、該対向面と被処理面との間に前記供給手段から供給された処理液を保持して被処理面を処理する処理部を備えることを特徴としている。
【０００７】
本発明にかかる処理装置は、被処理面と離間された状態を維持しつつ、表面処理治具に処理液の供給と回収を行なうことができる表面処理治具を含む。そのため、被処理面と、被処理面と対向する対向面との間のみに処理液を保持することができ、被処理面以外に処理液が飛散することがない。その結果、本発明にかかる処理装置によれば、被処理面のうち処理を施したい領域にのみに処理を施すことができる。さらに、表面処理治具が被処理体に接触することがないため、被処理体に損傷を与える可能性を低減することができる。
【０００８】
（２）本発明にかかる処理装置において、前記処理部は、前記対向面から前記被処理体に向かって突出する突出部を備え、該突出部と前記被処理面との間における処理液の表面張力により、供給された処理液を前記対向面と前記被処理面との間に保持することが好ましい。この態様によれば、突出部が設けられていることで、被処理面と対向面との間に処理液の保持を確実に行なうことができる。
【０００９】
（３）本発明にかかる処理装置において、前記突出部の、被処理面と対向する面は平面であり、前記離間維持手段により前記突出部と被処理面との距離が、３ｍｍ以下に維持されることが好ましい。この態様によれば、処理液の表面張力を利用して、被処理面と、表面処理治具の対向面との間に、より確実に処理液を保持することができる。そのため、処理液が被処理面以外に飛散することを抑制することができる。
【００１０】
（４）本発明にかかる処理装置において、処理後の被処理面を乾燥させる乾燥手段を備えることが好ましい。この態様によれば、処理液の回収を完全に行なうことができない場合であっても、被処理面の乾燥を行なうことができる。
【００１１】
（５）本発明にかかる処理装置において、前記乾燥手段は、前記被処理面に向かって不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段であることが好ましい。この態様によれば、不活性ガスを吹き付けることで、処理液を飛散させ、乾燥させることができる。
【００１２】
（６）本発明にかかる処理装置において、前記乾燥手段は、前記被処理面に残った処理液を吸引する吸引手段であることが好ましい。
【００１３】
（７）本発明にかかる処理装置において、前記吸引手段は、前記表面処理治具を用いて行われ、該表面処理治具における供給手段からの処理液の供給が停止した状態で、処理液を回収手段により被処理面に残った処理液を吸引することにより行われることが好ましい。この態様によれば、表面処理治具を処理と乾燥との双方に対して使用することができる （８）本発明に係る処理装置において、前記対向面の面積は、前記被処理面の面積と比して小さいことが好ましい。
【００１４】
（９）本発明にかかる処理装置において、前記離間維持手段は、表面処理治具を被処理体に対して移動させることができる。この態様によれば、対向面の面積が、被処理面の面積と比して小さい場合であっても、被処理面の全域に対して処理を行なうことができる。
【００１５】
（１０）本発明にかかる処理装置において、前記離間維持手段は、表面処理治具を被処理体の略中心から外縁に向かって移動させることができる。なお、本態様において、「略中心」とは、中心と中心の周囲を含む意味である。この態様によれば、特に被処理体を回転させながら、表面処理治具を中心から外周に向かって移動させることにより被処理体全体を処理することができる。
【００１６】
（１１）本発明にかかる処理装置において、前記載置台は、載置された被処理体を回転させることができる。この態様によれば、被処理面の面積が対向面と比して大きい場合に、処理の効率化を図ることができる。
【００１７】
（１２）本発明にかかる表面処理治具は、
被処理体の被処理面を処理液で処理するのに用いられる表面処理治具であって、
被処理面に対して離間して維持された際に、前記被処理面に対向する対向面を有し、該対向面と該被処理面との間に供給された処理液を保持して被処理面を処理する処理部を備えることを特徴としている。
【００１８】
本発明にかかる表面処理治具は、被処理面と対向面との間に処理液を保持することができる。そのため、本発明にかかる表面処理治具を用いて処理を行なうことで、所望の領域のみに処理液による処理を施すことができる。その結果、被処理面と同一のレベルに処理を施したくない面が設けられている場合でも、該面に処理液が飛散することが抑制された処理を実現することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る処理装置は、被処理体と離間して維持された表面処理治具と、処理液の供給手段と回収手段とを備えていることにより、被処理面と対向面との間に処理液を保持することができ、被処理面以外に対する処理液の飛散が抑制された処理を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。
【００２１】
（処理装置）
本実施形態にかかる処理装置１００について、図１ないし図３を参照しつつ説明する。図１は、本実施形態にかかる処理装置１００の要部を示す断面図である。図２は、図１のＡ部をより詳細に示す断面図である。図３は、本実施形態にかかる処理装置に備えられている表面処理治具の一部を示す平面図である。なお、図３は、表面処理治具の対向面（被処理面と対向する面）を示す平面図である。
【００２２】
図１に示すように、処理装置１００は、被処理体１８が載置される載置台１０と、処理液にて被処理体１８の被処理面１８ａを処理する表面処理治具２０と、表面処理治具２０に処理液を供給する供給手段３０と、表面処理治具２０に供給された処理液を回収する回収手段４０と、表面処理治具２０を被処理面１８ａと離間した状態を維持する離間維持手段５０と、を含む。さらに、処理装置１００には、被処理体１８を囲むように設けられた洗浄カップ１６が設けられている。
【００２３】
載置台１０は、被処理体１８をたとえば吸引することで保持することができる。また、載置台１０は、略中心を軸として回転可能な回転軸１２の上に設けられ、回転軸１２には、これを回転させるモーター１４が取り付けられている。この構成により、被処理体１８を、被処理面１８ａの略中心を通る垂線を軸として回転させることができる。
【００２４】
表面処理治具２０は、被処理面１８ａに対向する対向面２２ａを有し、対向面２２ａと被処理面１８ａとの間に、供給手段３０から供給された処理液を保持する役割を果たす。本実施形態にかかる処理装置では、表面処理治具２０は、上記役割を果たすことができれば、その構造は特に制限されない。
【００２５】
以下に、表面処理治具２０の構造の一例について、図２および図３を参照しつつ説明する。図２に示すように、表面処理治具２０は、供給された処理液を保持し、被処理面１８ａを処理するための処理部２２を有している。この処理部２２は、表面処理治具２０が被処理面１８ａに対して離間して維持された際に、被処理面１８ａに対向する対向面２２ａを有する。つまり、本実施形態に係る表面処理治具２０によれば、処理部２２と対向面２２ａとの間に、処理液を保持することができる。
【００２６】
処理部２２には、第１貫通孔２６および第２貫通孔２８が設けられている。第１貫通孔２６は、処理液を処理部２２に供給するための孔であり、第２貫通孔２８は、処理部２２の処理液を回収するための孔である。図２において、各破線の矢印は、処理液の流れる方向を示している。なお、図２および図３には、第１貫通孔２６が一つと、第２貫通孔２８が４つ設けられている場合を示したが、これに限定されることはなく、例えば第２貫通孔を６つ、８つ設けてもよい。また、第１貫通孔２６と第２貫通孔２８の配置についても、図示の配置に限定されることはない。第１貫通孔２６および第２貫通孔２８の平面形状は、円形、楕円形または矩形であることができ、処理液の流れを妨げない限り特に制限されることはない。このことは、第１貫通孔２６および第２貫通孔２８の開口径についても同様である。
【００２７】
さらに、前記処理部２２は、対向面２２ａから被処理体１８に向かって突出する突出部２４を備えることが好ましい。突出部２４は、図２および図３に示すように、対向面２２ａの周縁に設けられていることが好ましい。このように、処理部２２は、突出部２４を備えることにより、供給された処理液を被処理面１８ａとの間により確実に保持することができる。処理液の保持は、処理液の表面張力を利用して行われる。
【００２８】
また、突出部２４の底面（被処理面１８ａと対向する面）が、平面である場合、後述する離間維持手段５０により突出部２４と被処理面１８ａとの距離が、０．５ｍｍ以上、３ｍｍ以下に維持されることが好ましく、０．５〜１．５ｍｍの範囲であることがより好ましい。なお、突出部２４と被処理面１８ａとの距離は接触しない範囲で限りなく０ｍｍに近づいてもよい。これにより、処理液をより確実に保持することができる。
【００２９】
本実施形態にかかる表面処理治具２０は、被処理面１８ａの面積がその対向面２２ａの面積（処理部２２の処理面積）と比して大きい被処理体１８に対する処理に用いることが好ましい。被処理面１８ａの面積が対向面２２ａの面積と比して大きい場合、被処理面１８ａと処理部２２との距離を、離間維持手段５０により調整することで、その表面張力を利用して、処理液を保持することが可能となる。具体的には、対向面２２ａおよび被処理面１８ａ（処理部２２の処理面積）が円形状である場合には、対向面２２ａの直径は被処理面１８ａの半径と比して小さいことが好ましい。
【００３０】
供給手段３０は、表面処理治具２０の処理部２２に処理液を供給する役割を果たす。この供給手段３０は、たとえば、処理液を貯留する処理液タンク３４や、処理液タンク３４に接続された供給配管３２や、表面処理治具２２に処理液を供給するためのポンプ（図示せず）などを含む。また、前記供給配管３２は、第１貫通孔２６に接続されている。そして、処理液タンク３４、供給配管３２および第１貫通孔２６を介して、前記処理部２２に処理液が供給されるようになっている。
【００３１】
吸引手段４０は、表面処理治具２０の処理部２２から、処理液を回収する役割を果たす。この吸引手段４０は、たとえば、処理液の回収配管４２と、処理済の処理液を回収するための回収タンク４４、処理液を吸引するためのポンプまたはイジェクターなどを含む。なお、前記ポンプまたはイジェクターは回収タンクの後方に設ければよい。また、前記回収配管４２は、第２貫通孔２８に接続されている。そして、処理部２２に供給された処理液は、第２貫通孔２８、回収配管４２を介して回収タンク４４に回収されるようになっている。また、上記では回収タンクに処理液を回収する構成を記載したが、単にポンプ、イジェクター等により表面処理治具２０から処理液を排出できる構成であってもよい。
【００３２】
離間維持手段５０は、表面処理治具２０を被処理面１８ａに対して、離間して維持するものである。そして、表面処理治具２０と被処理面１８ａとの距離を所定の距離に維持することにより、前記処理部２２に、処理液を保持することができるようになっている。また、離間維持手段５０は、表面処理治具２０を、被処理面１８ａと平行な方向および被処理面１８ａに対して上下の方向に移動させることを可能とする機構を備えていてもよい。離間維持手段５０は、具体的には、たとえば、表面処理治具２０を保持するアーム５２などにより実現することができる。
【００３３】
さらに、本実施形態にかかる処理装置１００は、処理後の被処理面１８ａを乾燥させる乾燥手段を備える。乾燥手段としては、たとえば、不活性ガスを被処理面１８ａに向かって供給する不活性ガス供給手段６０と、被処理面１８ａに残存する処理液を吸引する吸引手段（図示せず）とを例示することができる。不活性ガス供給手段６０は、たとえば、不活性ガスタンク６２と、不活性ガス供給配管６４と、不活性ガス供給配管６４の先端に設けられたノズル６６とからなることができる。不活性ガスとしては、公知の不活性ガス、たとえば、アルゴン、窒素などを用いることができる。また、不活性ガスの供給時には、被処理面１８ａに吹き付けるように供給することが好ましい。また、吸引手段としては、たとえば、吸引するためのポンプと、処理液を回収するための回収タンクと処理液の回収配管とからなることができる。不活性ガス供給手段６０および吸引手段は、後述の表面処理治具２０と一体で構成されていてもよいし、別々に構成されていてもよい。また、この被処理体１８の乾燥は、表面処理治具２０を用いて行なうこともできる。表面処理治具２０を用いて被処理面１８ａの乾燥を行なう場合の処理方法については後述する。
【００３４】
（処理方法）
次に、上述の処理装置を用いた被処理体の処理方法について説明する。本処理方法では、まず、被処理体１８を載置台１０に保持する。載置台１０には、吸引機構が設けられており、被処理体１８を保持することができる。ついで、離間維持手段５０により、表面処理治具２０を被処理体１８の上方に配置する。このとき、被処理体１８の被処理面１８ａと、表面処理治具２０（特に突出部２４）との距離が、たとえば、３ｍｍ以下であるように維持されていることが好ましい。これにより、処理液を被処理面１８ａと表面処理治具２０の対向面２２ａとの間に、処理液を保持することが容易となる。
【００３５】
次に、処理液の供給手段３０から表面処理治具２０（処理部２２）に処理液を供給する。この処理液の供給は、表面処理治具２０の第１貫通孔２６を介して、行なわれる。処理液の供給と共に、供給された処理液の回収が回収手段４０により行われる（以下、「供給・回収処理」と称する）。この処理液の回収は、表面処理治具２０の第２貫通孔２８を介して回収配管４４側に処理液を吸引することで行われる。そして、被処理面１８ａと、表面処理治具２０との間で生じる処理液の表面張力を利用して、処理液を保持することができる。なお、上記供給・回収処理における処理液の供給量および回収量は、上記表面張力を保ち、表面処理治具２０から処理液が拡散しなければよく、例えばほぼ同じ量等に調整すればよい。
【００３６】
この処理液の供給・回収処理は、表面処理治具２０を被処理体１８に対して移動させながら行なうことができる。このときは、表面処理治具２０を被処理体１８の略中心から外縁に向かって移動させることが好ましい。このように、表面処理治具２０を移動させることで、表面処理治具２０の処理部２２の処理面が、被処理面１８ａと比して小さい場合であっても、被処理面１８ａの全域に処理を施すことができる。なお、本態様において、「略中心」とは、中心と中心の周囲を含む意味である。
【００３７】
さらに、被処理体１８を、その表面の略中心を通る垂線を軸として回転させつつ、供給・回収処理を行なってもよい。この場合、回転速度は、１０ｒｐｍ以上、１００ｒｐｍ以下であることが好ましい。上記範囲内であれば、処理液を処理部２２と被処理面１８ａとの間に保持することができ、他の領域に処理液が飛散することを抑制することができるためである。また、このように被処理体１８を回転させることで処理の効率化を図ることもできる。
【００３８】
次に、供給・回収処理を終えた後に、被処理面１８ａを乾燥させる（以下、「乾燥処理」と称する）。乾燥処理は、上述の不活性ガス供給手段６０または吸引手段を用いて行なうことができる。また、表面処理治具２０を用いて、この乾燥工程を行なうことができる。表面処理治具２０を用いる場合には、供給手段３０からの処理液の供給が停止した状態で、回収手段４０を用いることにより被処理面１８ａに残った処理液を吸引する。この場合、表面処理治具２０が、処理液による処理と乾燥とを実現することができ、処理装置を有効に活用することができる。
【００３９】
以上により、本実施形態にかかる処理装置を用いて、被処理面１８ａに対して処理液による処理を行なうことができる。
【００４０】
本実施形態にかかる処理装置１００によれば、離間維持手段５０により、被処理面１８ａと表面処理治具２０とが離間した状態を維持しつつ、表面処理治具２０に対する処理液の供給と、供給された処理液の回収を行なうことができる。このように、処理液の供給と供給された処理液の回収とを同時に行なうことで、表面処理治具２０と被処理面１８ａとの間に処理液を保持できることとなる。そのため、処理液が飛散することが望まれない領域に対する処理液の飛散を抑制することができる。その結果、処理を施したい面（被処理面）にのみ、処理を施すことができる処理装置を提供することができる。
【００４１】
さらに、本実施形態にかかる処理装置１００では、離間維持手段５０により、表面処理治具２０と被処理面１８ａとの間の距離を調整することで、処理液の表面張力を利用して、より確実に処理液を保持することができる。そのため、処理液の飛散を防ぐことができると共に、処理が施される領域には、所定量の処理液を保持できることとなる。また、突出部２４を設けた場合には、突出部２４の長さに応じて処理部２２に窪みが生じることとなる。その結果、この窪みを処理液の保持領域として機能させることができる。このように、表面処理治具２０を用いることで、所望量の処理液の保持が可能となり処理を良好に行なうことができる。
【００４２】
また、本実施形態にかかる処理装置によれば、処理液を飛散させないようにしているため、処理液の利用効率を上げることができる。
【００４３】
次に、本実施形態にかかる処理装置により特に良好に処理される被処理体の例について説明する。なお、被処理体１８は、以下に例示する被処理体に限定されないことは言うまでもない。
【００４４】
本実施形態にかかる処理装置により良好に処理される被処理体１８は、支持体であるダイシングテープの上に設けられ、薄化された半導体ウェハである。このように薄化された半導体ウェハは、その薄化プロセスにおいて、半導体ウェハの表面に接着剤が残存することがある。このような半導体ウェハの接着剤の除去処理において、本実施形態にかかる処理装置を用いることができるのである。
【００４５】
以下の説明では、まず、半導体ウェハの薄化プロセスについて図面を参照しつつ説明した後、本実施形態にかかる処理装置を用いる利点について説明する。図４（ａ）〜図４（ｄ）は、半導体ウェハの薄化プロセスを説明する断面図である。ここでは、孔有りサポートプレート７０を用いた例について説明する。
【００４６】
まず、図４（ａ）に示すように、接着剤７２を介して、サポートプレート７０と、半導体ウェハ７４ａとを貼り付ける。この半導体ウェハ７４ａは、薄化する前のものである。ついで、図４（ｂ）に示すように、半導体ウェハ７４ａを研磨し、薄化された半導体ウェハ７４を形成する。半導体ウェハ７４ａの研磨は、各種公知の技術により行なうことができる。ついで、図４（ｃ）に示すように、半導体ウェハ７４における接着剤７２と接していない面を、ダイシングテープ（支持体）７６と貼り合わせる。このとき、ダイシングテープ７６は、剥離された後における半導体ウェハ７４の強度を補填し、取り扱いを容易にする役割を果たす。なお、ダイシングテープ７６の周囲には、ダイシングフレーム（固定具）７８が設けられている。このダイシングフレーム７８は、ダイシングテープ７６の弛みを防止する。その後、サポートプレート７０の孔から接着剤７２を溶かす溶剤を供給し、接着剤７２を溶かした後に、サポートプレート７０を除去する。このとき、接着剤７２は、完全に除去されず半導体ウェハ７４上に残存することとなる。残存した接着剤７２を残存接着剤７３として示す。このように、残存接着剤７３を有する半導体ウェハ７４が被処理体１８に相当することとなる。
【００４７】
この被処理体１８は、上述の工程を経ることで、その外周にダイシングテープ７６が配置されている。ダイシングテープ７６は、残存接着剤７３の除去に用いられる溶剤（処理液）が付着することで、劣化してしまうことがある。ダイシングテープ７６の劣化は、弛みを引き起こし、この弛みは、薄化され強度が低下している半導体ウェハ７４の割れを引き起こすことがある。そのため、ダイシングテープ７６を劣化させることなく、半導体ウェハ７４上の残存接着剤７３を除去する必要がある。つまり、半導体ウェハ７４の表面にのみ溶剤による除去を施すことが要求されることとなる。
【００４８】
本実施形態にかかる処理装置１００を、半導体ウェハ７４上の残存接着剤７３の除去に用いた場合、上述したように、半導体ウェハ７４（被処理体１８）以外に溶剤が飛散することを抑制した処理を行なうことができる。そのため、ダイシングテープ７６を劣化させることなく、良好に残存接着剤７３の除去を行なうことができる。このように、本実施形態にかかる処理装置によれば、処理を施こしたくない面に対しては、処理液の飛散を抑制しつつ、処理を施したい面に対しては良好に処理を行なうことができる処理装置を提供することができる。
【００４９】
なお、本実施の形態では、被処理体１８が、ダイシングテープ７６の上に設けられた半導体ウェハ７４である場合について説明したが、これに限定されることはない。処理液による処理を施すことが望まれる被処理体であれば、いずれの被処理体についても、本実施形態にかかる処理装置を用いることができる。
【００５０】
なお、上記処理装置１００では、表面処理治具２０の平面形状が円形である場合を図示したが、表面処理治具２０の形状がこれに限定されることはない。以下に、上記表面処理治具２０の変形例にかかる表面処理治具７０について図５を参照しつつ説明する。図５は、被処理面１８ａの上方に表面処理治具７０が位置している場合の平面図である。その他の構成は、表面処理治具２０と同様である。
【００５１】
図５に示すように、表面処理治具７０は、長方形状であって、その角が丸まっている平面形状を有する。表面処理治具７０には、処理液を被処理面１８ａに供給する第１貫通孔７６と、第２貫通孔７８とが設けられている。第１貫通孔７６を通じて、処理部への処理液の供給が行われ、第２貫通孔７８を通じて供給された処理液の回収が行なわれる。第１貫通孔７６および第２貫通孔７８の開口形状、個数、配置は、いずれも図５に示したものに限定されない。被処理面１８ａが円形である場合には、表面処理治具７０の長手方向の長さが、被処理面１８ａの半径と略同一であることが好ましい。この場合には、たとえば、矢印が示す方向に被処理体を回転させつつ処理を行なうことで、被処理面の全域に処理を施すことができる。また、表面処理治具７０においても、表面処理治具２０と同様に、被処理面１８ａとの対向面に突出部が設けられていてもよいことはいうまでもない。なお、表面処理治具７０ではその平面形状が長方形状である場合を示したが、被処理面１８ａに対する処理液の供給と供給された処理液の回収を行い、表面処理治具７０と被処理面１８ａとの間に処理液を保持できる限りこの形状に限定されることはない。
【００５２】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明にかかる処理装置は、処理液による洗浄や塗布などの各種処理を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施形態にかかる処理装置の構成を示す要部の断面図である。
【図２】図１のＡ部をより詳細に示す断面図である。
【図３】本実施形態に係る処理装置が有する表面処理治具を示す平面図である。
【図４】本実施形態にかかる処理装置で処理される被処理体の一例を示す断面図である。
【図５】他の態様にかかる表面処理治具を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０ 載置台
１２ 回転軸
１４ モーター
１６ 洗浄槽
１８ 被処理体
１８ａ 被処理面
２０ 表面処理治具
２２ 処理部
２２ａ 対向面
２４ 突出部
２６ 第１貫通孔
２８ 第２貫通孔
３０ 供給手段
３２ 供給配管
３４ 処理液タンク
４０ 回収手段
４２ 回収配管
４４ 吸引ポンプ
５０ 離間維持手段
５２ アーム
６０ 不活性ガス供給手段
６２ 不活性ガスタンク
６４ 不活性ガス供給配管
６６ ノズル
１００ 処理装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体が載置される載置台と、
処理液にて前記被処理体の被処理面を処理する表面処理治具と、
前記表面処理治具に処理液を供給する供給手段と、
前記表面処理治具に供給された処理液を回収する回収手段と、
前記表面処理治具を前記被処理面と離間した状態に維持する離間維持手段と、を含み、 前記表面処理治具は、前記被処理面に対向する対向面を有し、該対向面と該被処理面との間に前記供給手段から供給された処理液を保持して被処理面を処理する処理部を備えることを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記処理部は、前記対向面から前記被処理体に向かって突出する突出部を備え、該突出部と前記被処理面との間における処理液の表面張力により、供給された処理液を前記対向面と前記被処理面との間に保持することを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記突出部の、前記被処理面と対向する面は平面であり、前記離間維持手段により該突出部と該被処理面との距離が、３ｍｍ以下に維持されることを特徴とする請求項２に記載の処理装置。
【請求項４】
処理後の被処理面を乾燥させる乾燥手段を備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項５】
前記乾燥手段は、前記被処理面に向かって不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段であることを特徴とする請求項４に記載の処理装置。
【請求項６】
前記乾燥手段は、前記被処理面に残った処理液を吸引する吸引手段であることを特徴とする請求項４に記載の処理装置。
【請求項７】
前記吸引手段は、前記表面処理治具を用いて行なわれ、前記供給手段からの処理液の供給が停止した状態で、前記回収手段により前記被処理面に残った処理液を吸引することにより行われることを特徴とする請求項６に記載の処理装置。
【請求項８】
前記対向面の面積は、前記被処理面の面積と比して小さいことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項９】
前記離間維持手段は、表面処理治具を被処理体に対して移動させることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項１０】
前記離間維持手段は、表面処理治具を被処理体の略中心から外縁に向かって移動させることを特徴とする請求項９に記載の処理装置。
【請求項１１】
前記載置台は、載置された被処理体を回転させることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項１２】
被処理体の被処理面を処理液にて処理するのに用いられる表面処理治具であって、
被処理面に対して離間して維持された際に、上記被処理面に対向する対向面を有し、該対向面と前記被処理面との間に供給された処理液を保持して被処理面を処理する処理部を備えることを特徴とする表面処理治具。
【請求項１】
被処理体が載置される載置台と、
処理液にて前記被処理体の被処理面を処理する表面処理治具と、
前記表面処理治具に処理液を供給する供給手段と、
前記表面処理治具に供給された処理液を回収する回収手段と、
前記表面処理治具を前記被処理面と離間した状態に維持する離間維持手段と、を含み、 前記表面処理治具は、前記被処理面に対向する対向面を有し、該対向面と該被処理面との間に前記供給手段から供給された処理液を保持して被処理面を処理する処理部を備えることを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記処理部は、前記対向面から前記被処理体に向かって突出する突出部を備え、該突出部と前記被処理面との間における処理液の表面張力により、供給された処理液を前記対向面と前記被処理面との間に保持することを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記突出部の、前記被処理面と対向する面は平面であり、前記離間維持手段により該突出部と該被処理面との距離が、３ｍｍ以下に維持されることを特徴とする請求項２に記載の処理装置。
【請求項４】
処理後の被処理面を乾燥させる乾燥手段を備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項５】
前記乾燥手段は、前記被処理面に向かって不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段であることを特徴とする請求項４に記載の処理装置。
【請求項６】
前記乾燥手段は、前記被処理面に残った処理液を吸引する吸引手段であることを特徴とする請求項４に記載の処理装置。
【請求項７】
前記吸引手段は、前記表面処理治具を用いて行なわれ、前記供給手段からの処理液の供給が停止した状態で、前記回収手段により前記被処理面に残った処理液を吸引することにより行われることを特徴とする請求項６に記載の処理装置。
【請求項８】
前記対向面の面積は、前記被処理面の面積と比して小さいことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項９】
前記離間維持手段は、表面処理治具を被処理体に対して移動させることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項１０】
前記離間維持手段は、表面処理治具を被処理体の略中心から外縁に向かって移動させることを特徴とする請求項９に記載の処理装置。
【請求項１１】
前記載置台は、載置された被処理体を回転させることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項１２】
被処理体の被処理面を処理液にて処理するのに用いられる表面処理治具であって、
被処理面に対して離間して維持された際に、上記被処理面に対向する対向面を有し、該対向面と前記被処理面との間に供給された処理液を保持して被処理面を処理する処理部を備えることを特徴とする表面処理治具。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００８−１４０９０９（Ｐ２００８−１４０９０９Ａ）
【公開日】平成２０年６月１９日（２００８．６．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３２４４３８（Ｐ２００６−３２４４３８）
【出願日】平成１８年１１月３０日（２００６．１１．３０）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年６月１９日（２００８．６．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１１月３０日（２００６．１１．３０）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]