半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法
【課題】ピックアップ性の向上を図り、信頼性の高い半導体装置を製造可能な半導体用フィルム、およびかかる半導体用フィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体用フィルム１０は接着層３上に半導体ウエハーを積層させ、ダイシングする際に半導体ウエハーを支持するとともに、個片化により形成された個片をピックアップする際に第１粘着層１と接着層３との間が剥離する。半導体用フィルム１０は、接着層３と第１粘着層１との間の２３℃における密着力をＡ１［Ｎ／ｍ］、第１粘着層１と第２粘着層２との間の２３℃における密着力をＡ２［Ｎ／ｍ］としたとき、Ａ１≦０．１×Ａ２の関係を満足し、接着層３と第１粘着層１との間の８０℃における密着力をＢ１［Ｎ／ｍ］、第１粘着層１と第２粘着層２との間の８０℃における密着力をＢ２［Ｎ／ｍ］としたとき、Ｂ１≦０．２×Ｂ２の関係を満足することを特徴とするものである。
【解決手段】半導体用フィルム１０は接着層３上に半導体ウエハーを積層させ、ダイシングする際に半導体ウエハーを支持するとともに、個片化により形成された個片をピックアップする際に第１粘着層１と接着層３との間が剥離する。半導体用フィルム１０は、接着層３と第１粘着層１との間の２３℃における密着力をＡ１［Ｎ／ｍ］、第１粘着層１と第２粘着層２との間の２３℃における密着力をＡ２［Ｎ／ｍ］としたとき、Ａ１≦０．１×Ａ２の関係を満足し、接着層３と第１粘着層１との間の８０℃における密着力をＢ１［Ｎ／ｍ］、第１粘着層１と第２粘着層２との間の８０℃における密着力をＢ２［Ｎ／ｍ］としたとき、Ｂ１≦０．２×Ｂ２の関係を満足することを特徴とするものである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。
【０００３】
これらの半導体装置の製造方法においては、まず、ケイ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウエハーに接着シートを貼付し、半導体ウエハーの周囲をウエハーリングで固定しながらダイシング工程で前記半導体ウエハーを個々の半導体素子に切断分離（個片化）する。次いで、個片化した個々の半導体素子同士を引き離すエキスパンディング工程と、個片化した半導体素子をピックアップするピックアップ工程とを行う。その後、ピックアップした半導体素子を金属リードフレームまたは基板（例えばテープ基板、有機硬質基板等）に搭載するためのダイボンディング工程へ移送する。これにより、半導体装置が得られる。
【０００４】
また、ダイボンディング工程では、ピックアップした半導体素子を、他の半導体素子上に積層することにより、１つのパッケージ内に複数の半導体素子を搭載したチップスタック型の半導体装置を得ることもできる。
【０００５】
このような半導体装置の製造方法において用いられる接着シートとしては、基材フィルム上に第１の粘接着剤層と第２の粘接着剤層とをこの順で積層してなるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
この接着シートは、半導体ウエハーに貼り付けられた状態で前述したダイシング工程に供される。ダイシング工程では、ダイシングブレードの先端が基材フィルムに到達するように切り込みを設けることで、半導体ウエハーと２層の粘接着剤層とが複数の部分に個片化される。そして、ピックアップ工程では、基材フィルムと２層の粘接着剤層との界面で剥離が生じ、個片化された半導体素子が、個片化された２層の粘接着剤層とともにピックアップされる。ピックアップされた２層の粘接着剤層は、ダイボンディング工程において、個片化された半導体素子と金属リードフレーム（または基板）との間の接着を担うこととなる。
【０００７】
しかしながら、半導体装置の製造にあたっては、優れたピックアップ性、すなわちピックアップ工程において半導体素子に割れや欠け等の不具合を発生させることなく、剥離すべき界面（特許文献１の場合、基材フィルムと２層の粘接着剤層との界面）で容易かつ確実に剥離を生じさせる特性が求められるが、従来の方法ではそれが十分ではないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−４３７６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、ピックアップ性の向上を図り、信頼性の高い半導体装置を製造可能な半導体用フィルム、およびかかる半導体用フィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的は、下記（１）〜（１２）の本発明により達成される。
（１） 接着層と粘着層と支持フィルムとがこの順で積層されてなり、前記接着層の前記粘着層と反対側の面に半導体ウエハーを積層させ、この状態で該半導体ウエハーおよび前記接着層を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片を前記支持フィルムからピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、
前記粘着層は、前記接着層と接する第１粘着層と、当該第１粘着層の前記接着層とは反対の面上に設けられた第２粘着層とを有し、
前記接着層と前記第１粘着層との間の２３℃における密着力をＡ１［Ｎ／ｍ］、前記第１粘着層と前記第２粘着層との間の２３℃における密着力をＡ２［Ｎ／ｍ］としたとき、Ａ１≦０．１×Ａ２の関係を満足し、
前記接着層と前記第１粘着層との間の８０℃における密着力をＢ１［Ｎ／ｍ］、前記第１粘着層と前記第２粘着層との間の８０℃における密着力をＢ２［Ｎ／ｍ］としたとき、Ｂ１≦０．２×Ｂ２の関係を満足することを特徴とする半導体用フィルム。
【００１１】
（２） 前記接着層の前記粘着層側とは反対側の面上に保護フィルムを有し、
前記接着層の外周縁および前記第１粘着層の外周縁は、それぞれ、前記第２粘着層の外周縁および前記保護フィルムの外周縁よりも内側に位置しており、
前記第２粘着層と前記保護フィルムとは、外周部において接しており、
前記接着層と前記保護フィルムとの間の２３℃における密着力をＡ３［Ｎ／ｍ］、前記第２粘着層と前記保護フィルムとの間の２３℃における密着力をＡ４［Ｎ／ｍ］、前記接着層と前記保護フィルムとの接触面積をＳ３［ｍｍ２］、前記第２粘着層と前記保護フィルムとの接触面積をＳ４［ｍｍ２］としたとき、０．１≦Ａ３／Ａ４≦１．０かつ、１．０≦Ｓ３／Ｓ４≦１０．０の関係を満足する上記（１）に記載の半導体用フィルム。
【００１２】
（３） 前記接着層と前記第１粘着層との間の２３℃における密着力をＡ１［Ｎ／ｍ］、前記接着層と前記保護フィルムとの間の２３℃における密着力をＡ３［Ｎ／ｍ］としたとき、Ａ３≦１．０×Ａ１の関係を満足する上記（２）に記載の半導体用フィルム。
【００１３】
（４） 前記接着層は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含む樹脂組成物で構成される上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【００１４】
（５） 前記熱可塑性樹脂は、アクリル系樹脂および／またはフェノキシ樹脂である上記（４）に記載の半導体用フィルム。
【００１５】
（６） 前記熱硬化性樹脂は、フェノール樹脂である上記（４）または（５）に記載の半導体用フィルム。
【００１６】
（７） 前記第２粘着層の粘着力は、前記第１粘着層の粘着力よりも大きい上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【００１７】
（８） 前記第１粘着層の２３℃における弾性率は、０．２〜４．０ＧＰａである上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【００１８】
（９） 前記第１粘着層の前記接着層側の面の前記半導体ウエハーを積層させる領域に、前記半導体ウエハーとの積層に先立ってあらかじめ紫外線が照射されている上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【００１９】
（１０） 上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の半導体用フィルムの前記接着層と半導体ウエハーとが接するように、前記半導体用フィルムと半導体ウエハーとを積層してなる積層体を用意する第１の工程と、
前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを設けることにより、前記半導体ウエハーを個片化し、複数の半導体素子を得る第２の工程と、
前記半導体素子をピックアップする第３の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００２０】
（１１） 前記切り込みは、その最深部が、前記粘着層内に位置するように設けられる上記（１０）に記載の半導体装置の製造方法。
【００２１】
（１２） １本の前記切り込みにおいて、前記接着層と前記粘着層との界面より先端側の部分の横断面積は、５×１０−５〜３００×１０−５ｍｍ２である上記（１０）または（１１）に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、たとえ個片のピックアップ時に個片に熱が伝わったとしても、ピックアップ性の低下を防止することができる。したがって、本発明によれば、半導体装置の製造歩留まりを高めるとともに、信頼性の高い半導体装置を製造可能な半導体用フィルムが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の半導体用フィルムの好適な実施形態を説明するための縦断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法の好適な実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法の好適な実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図４】本発明の半導体用フィルムを製造する方法を説明するための図である。す図（縦断面図）である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法について添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２５】
図１ないし図３は、本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の好適な実施形態を説明するための図（縦断面図）、図４は、本発明の半導体用フィルムを製造する方法を説明するための図である。なお、以下の説明では、図１ないし図４中の上側を「上」、下側を「下」という。
【００２６】
［半導体用フィルム］
図１に示す半導体用フィルム１０は、支持フィルム４と、第１粘着層１と、第２粘着層２と、接着層３と、保護フィルム１１とを有している。より詳しくは、半導体用フィルム１０は、支持フィルム４上に、第２粘着層２と、第１粘着層１と、接着層３と、保護フィルム１１とをこの順で積層してなるものである。なお、保護フィルム１１は無くてもよい。
【００２７】
このような半導体用フィルム１０は、保護フィルム１１を除去した後、図２（ａ）に示すように、接着層３の上面に半導体ウエハー７を積層させ、半導体ウエハー７をダイシングにより個片化する際に半導体ウエハー７を支持するとともに、個片化された半導体ウエハー７（半導体素子７１）をピックアップする際に、第１粘着層１と接着層３との間が選択的に剥離することにより、ピックアップした半導体素子７１を絶縁基板５上に接着するための接着層３１を提供する機能を有するものである。すなわち、半導体ウエハー７および接着層３をそれぞれ個片化し、半導体素子７１と接着層３１とを積層してなる個片８３をピックアップするのに半導体用フィルム１０が用いられる。
【００２８】
また、支持フィルム４の外周部４１および第２粘着層２の外周部２１は、図１および図２（ａ）に示すように、それぞれ第１粘着層１の外周縁１２を越えて外側に存在している。
【００２９】
このうち、外周部２１には、ウエハーリング９が貼り付けられる。これにより、半導体ウエハー７が確実に支持されることとなる。
【００３０】
また、図１に示すように、第２粘着層２と保護フィルム１１とは外周部において接している。
【００３１】
ところで、半導体装置の製造にあたっては、優れたピックアップ性、すなわちピックアップ工程において半導体素子に割れや欠け等の不具合を発生させることなく、剥離すべき界面で容易かつ確実に剥離を生じさせる特性が求められるが、従来の方法ではそれが十分ではないという問題があった。
【００３２】
これに対して、本発明では、接着層と第１粘着層との間の２３℃における密着力をＡ１［Ｎ／ｍ］、第１粘着層と第２粘着層との間の２３℃における密着力をＡ２［Ｎ／ｍ］としたとき、Ａ１≦０．１×Ａ２の関係を満足し、かつ、接着層と第１粘着層との間の８０℃における密着力をＢ１［Ｎ／ｍ］、第１粘着層と第２粘着層との間の８０℃における密着力をＢ２［Ｎ／ｍ］としたとき、Ｂ１≦０．２×Ｂ２の関係を満足するよう構成した点に特徴を有している。このような特徴により、個片をピックアップした際に、第１粘着層と第２粘着層との界面が不本意にも剥離してしまうのを防止することができる。すなわち、第１粘着層と接着層との界面で選択的に剥離を生じさせることができる。特に、連続してピックアップした際に蓄積した熱によって個片の温度が上昇した場合であっても、安定したピックアップ性を実現することができ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００３３】
以下、半導体用フィルム１０の各部の構成について順次詳述する。
（第１粘着層）
第１粘着層１は、一般的な粘着剤で構成されている。具体的には、第１粘着層１は、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第１樹脂組成物で構成されている。
【００３４】
アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が挙げられる。また、これらの樹脂を２種類以上混合してもよい。
【００３５】
また、これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、第１粘着層１が粘着する相手（被着体）との密着性や粘着性の制御が容易になる。
【００３６】
また、第１樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。
【００３７】
さらに、第１樹脂組成物には、第１粘着層１を紫外線等により硬化させる場合、光重合開始剤としてメトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾインイソブチルエーテル系化合物、ベンゾイン安息香酸メチル系化合物、ベンゾイン安息香酸系化合物、ベンゾインメチルエーテル系化合物、ベンジルフィニルサルファイド系化合物、ベンジル系化合物、ジベンジル系化合物、ジアセチル系化合物等を添加してもよい。
【００３８】
また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与材等を添加してもよい。
【００３９】
このような第１粘着層１の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜５０μｍ程度であるのがより好ましい。厚さが前記下限値未満であると十分な粘着力を確保するのが難しくなる場合があり、前記上限値を超えてもあまり特性に影響が無く、利点も得られない。厚さが前記範囲内であると、特に、ダイシング時に剥離せず、ピックアップ時には引っ張り荷重に伴って比較的容易に剥離可能になることから、ダイシング性、ピックアップ性に優れた第１粘着層１が得られる。
【００４０】
（第２粘着層）
第２粘着層２は、前述した第１粘着層１よりも粘着性が高いものである。これにより、第１粘着層１と接着層３との間よりも、第２粘着層２とウエハーリング９との間が強固に粘着することとなり、第２の工程においては、半導体ウエハー７をダイシングして個片化する際に、第２粘着層２とウエハーリング９との間が確実に固定されることとなる。その結果、半導体ウエハー７の位置ずれが確実に防止され、半導体素子７１の寸法精度の低下を防止することができる。
【００４１】
第２粘着層２には、前述した第１粘着層１と同様のものを用いることができる。具体的には、第２粘着層２は、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第２樹脂組成物で構成されている。
【００４２】
アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が用いられる。また、これらの共重合体を２種類以上混合してもよい。
【００４３】
また、これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、第２粘着層２が粘着する相手（被着体）との密着性や粘着性の制御が容易になる。
【００４４】
また、第２樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。
【００４５】
さらに、第２樹脂組成物には、第１樹脂組成物と同様の光重合開始剤を添加してもよい。
【００４６】
また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与材等を添加してもよい。
【００４７】
このような第２粘着層２の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。厚さが前記下限値未満であると十分な粘着力を確保するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えても特に優れた効果が得られない。また、第２粘着層２は、第１粘着層１によりも柔軟性が高いため、第２粘着層２の平均厚さが前記範囲内であれば、第２粘着層２の形状追従性が確保され、半導体用フィルム１０の半導体ウエハー７に対する密着性をより高めることができる。
【００４８】
（接着層）
接着層３は、例えば熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含む第３樹脂組成物で構成されている。このような樹脂組成物は、フィルム形成能、接着性および硬化後の耐熱性に優れる。
【００４９】
このうち、熱可塑性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂等のポリイミド系樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもアクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、ガラス転移温度が低いため接着層３の初期密着性をより向上することができる。
【００５０】
なお、アクリル系樹脂とは、アクリル酸およびその誘導体を意味し、具体的にはアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸エステル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のメタクリル酸エステル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の重合体および他の単量体との共重合体等が挙げられる。
【００５１】
また、アクリル系樹脂の中でもエポキシ基、水酸基、カルボキシル基、ニトリル基等の官能基を持つ化合物（共重合モノマー成分）を有するアクリル系樹脂（特に、アクリル酸エステル共重合体）が好ましい。これにより、半導体素子７１等の被着体への密着性をより向上することができる。前記官能基を持つ化合物としては、具体的にはグリシジルエーテル基を持つグリシジルメタクリレート、水酸基を持つヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を持つカルボキシメタクリレート、ニトリル基を持つアクリロニトリル等が挙げられる。
【００５２】
また、前記官能基を持つ化合物の含有量は、特に限定されないが、アクリル系樹脂全体の０．５〜４０質量％程度であるのが好ましく、特に５〜３０質量％程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると粘着力が強すぎて作業性を向上する効果が低下する場合がある。
【００５３】
また、熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、特に限定されないが、−２５〜１２０℃であることが好ましく、特に−２０〜６０℃であることがより好ましく、−１０〜５０℃であることがさらに好ましい。ガラス転移温度が前記下限値未満であると接着層３の粘着力が強くなり作業性が低下する場合があり、前記上限値を超えると低温接着性を向上する効果が低下する場合がある。
【００５４】
また、熱可塑性樹脂（特にアクリル系樹脂）の重量平均分子量は、特に限定されないが、１０万以上が好ましく、特に１５万〜１００万が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、特に接着層３の成膜性を向上することができる。
【００５５】
また、熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂を含んでいるのが好ましい。これにより、ピックアップ性をより高いものとすることができる。また、フェノキシ樹脂は硬化性も示すことで、耐熱性を向上させることができる。
【００５６】
一方、熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物を用いるようにしてもよい。また、これらの中でもエポキシ樹脂またはフェノール樹脂が好ましい。これらの樹脂によれば、接着層３の耐熱性および密着性をより向上することができる。
【００５７】
また、熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０５〜４００質量部程度であるのが好ましく、特に０．１〜１００質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記上限値を上回ると、チッピングやクラックが起こる場合や、密着性を向上する効果が低下する場合があり、含有量が前記下限値を下回ると、粘着力が強すぎ、ピックアップ不良が起こる場合や、作業性を向上する効果が低下する場合がある。
【００５８】
また、これらの熱硬化性樹脂に加えて、またはこれらの熱硬化性樹脂に代えて、フェノキシ樹脂を含ませることもできる。これにより、優れたピックアップ性と耐熱性を両立させることができる。
【００５９】
また、第３樹脂組成物は、さらに硬化剤（熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合、特に、フェノール系硬化剤）を含有することが好ましい。
【００６０】
硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）等の脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）等の芳香族ポリアミン、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジド等を含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物（液状酸無水物）、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノール、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタン、およびこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）製、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。
【００６１】
また、硬化剤（特にフェノール系硬化剤）の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して１〜４００質量部であるのが好ましく、特に３〜１００質量部であるのがより好ましい。含有量が前記下限値を下回ると、接着層３の耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、含有量が前記上限値を上回ると、接着層３の保存性が低下する場合がある。
【００６２】
また、前述した熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合は、エポキシ当量と硬化剤の当量比を計算して決めることができ、エポキシ樹脂のエポキシ当量と硬化剤の官能基の当量（例えばフェノール樹脂であれば水酸基当量）の比が０．５〜１．５であることが好ましく、特に０．７〜１．３であることが好ましい。含有量が前記下限値未満であると保存性が低下する場合があり、前記上限値を超えると耐熱性を向上する効果が低下する場合がある。
【００６３】
また、第３樹脂組成物は、特に限定されないが、さらに硬化触媒を含むことが好ましい。これにより、接着層３の硬化性を向上することができる。
【００６４】
硬化触媒としては、例えばイミダゾール類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン等アミン系触媒、トリフェニルホスフィン等リン系触媒等が挙げられる。これらの中でもイミダゾール類が好ましい。これにより、特に速硬化性と保存性を両立することができる。
【００６５】
イミダゾール類としては、例えば１−ベンジル−２メチルイミダゾール、１−ベンジル−２フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。これらの中でも２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールまたは２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。これにより、保存性を特に向上することができる。
【００６６】
また、硬化触媒の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１〜３０質量部程度であるのが好ましく、特に０．５〜１０質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化性が不十分である場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。
【００６７】
また、硬化触媒の平均粒子径は、特に限定されないが、１０μｍ以下であることが好ましく、特に１〜５μｍであることがより好ましい。平均粒子径が前記範囲内であると、特に硬化触媒の反応性に優れる。
【００６８】
また、第３樹脂組成物は、特に限定されないが、さらにカップリング剤を含むことが好ましい。これにより、樹脂と被着体および樹脂界面の密着性をより向上させることができる。
【００６９】
前記カップリング剤としてはシラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらの中でもシラン系カップリング剤が好ましい。これにより、耐熱性をより向上することができる。
【００７０】
このうち、シラン系カップリング剤としては、例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファンなどが挙げられる。
【００７１】
カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１〜１０質量部程度であるのが好ましく、特に０．５〜１０質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性の効果が不十分である場合があり、前記上限値を超えるとアウトガスやボイドの原因になる場合がある。
【００７２】
接着層３を成膜するにあたっては、このような第３樹脂組成物を、例えばメチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等の溶剤に溶解して、ワニスの状態にした後、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等を用いてキャリアフィルムに塗工し、乾燥することで接着層３を得ることができる。
【００７３】
接着層３の平均厚さは、特に限定されないが、３〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に５〜７０μｍ程度であるのがより好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。
【００７４】
また、第３樹脂組成物は、必要に応じてフィラーを含有していてもよい。フィラーを含むことにより、接着層３の機械的特性および接着力の向上を図ることができる。
【００７５】
このフィラーとしては、例えば銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等の粒子が挙げられる。
【００７６】
また、フィラーの平均粒径は、０．０１〜２５μｍ程度であることが好ましい。平均粒径が前記下限値未満であるとフィラー添加の効果が少なくなり、前記上限値を超えるとフィルムとしての接着力の低下をもたらす可能性がある。
【００７７】
フィラーの含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．１〜２００質量部程度であるのが好ましく、特に５〜１５０質量部程度であるのがより好ましい。これにより、接着層３の機械的特性を高めつつ、接着力をより高めることができる。
【００７８】
（支持フィルム）
支持フィルム４は、以上のような第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３を支持する支持体である。
【００７９】
このような支持フィルム４の構成材料としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢ビ共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物が挙げられる。
【００８０】
支持フィルム４の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、３０〜１５０μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、支持フィルム４は、適度な剛性を有するものとなるため、第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３を確実に支持して、半導体用フィルム１０の取扱いを容易にするとともに、半導体用フィルム１０が適度に湾曲することで、半導体ウエハー７との密着性を高めることができる。
【００８１】
（保護フィルム）
保護フィルム１１は、以上のような第２粘着層２および接着層３を保護する機能を有している。
【００８２】
このような保護フィルム１１としては、例えば、ポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム等が挙げられる。
【００８３】
保護フィルム１１の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１００μｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０μｍ程度であるのがより好ましい。
【００８４】
また、保護フィルム１１の第２粘着層２および接着層３と接する面には、公知の剥離処理が施されていてもよい。
【００８５】
（半導体用フィルムの特性）
上述したように、本発明では接着層３と第１粘着層１との間の２３℃における密着力をＡ１［Ｎ／ｍ］、第１粘着層１と第２粘着層２との間の２３℃における密着力をＡ２［Ｎ／ｍ］としたとき、Ａ１≦０．１×Ａ２の関係を満足するが、Ａ１≦０．０８×Ａ２の関係を満足するのがより好ましく、Ａ１≦０．０５×Ａ２の関係を満足するのがさらに好ましい。これにより、本発明の効果をより顕著なものとすることができる。
【００８６】
また、上述したように、本発明では、接着層３と第１粘着層１との間の８０℃における密着力をＢ１［Ｎ／ｍ］、第１粘着層１と第２粘着層２との間の８０℃における密着力をＢ２［Ｎ／ｍ］としたとき、Ｂ１≦０．２×Ｂ２の関係を満足するが、Ｂ１≦０．１５×Ｂ２の関係を満足するのがより好ましく、Ｂ１≦０．１×Ｂ２の関係を満足するのがさらに好ましい。これにより、本発明の効果をより顕著なものとすることができる。
【００８７】
なお、接着層３と第１粘着層１との間の上記密着力の単位である「Ｎ／ｍ」は、第１粘着層１の表面に接着層３を貼り付けたサンプルを２５ｍｍ幅の短冊状にし、その後、２３℃（室温）および８０℃において、この積層フィルムにおいて接着層３部分を剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位Ｎ）を１ｍ幅当たりに換算した（１０００ｍｍ／２５ｍｍ＝４０倍した）値である。すなわち、ここでは、第１粘着層１と接着層３との密着力および第１粘着層１と第２粘着層２との密着力は、１８０°ピール強度として説明する。また、第１粘着層１と第２粘着層２との間の上記密着力の単位である「Ｎ／ｍ」は、支持フィルム４上の第２粘着層２の表面に第１粘着層１を積層して貼り付けたサンプルを２５ｍｍ幅の短冊状にし、その後、２３℃（室温）および８０℃において、この積層フィルムにおいて第２粘着層２部分を支持フィルム４とともに剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位Ｎ）を１ｍ幅当たりに換算した（１０００ｍｍ／２５ｍｍ＝４０倍した）値である。すなわち、ここでは、第１粘着層１と第２粘着層２との密着力は、１８０°ピール強度として説明する。
【００８８】
また、接着層３と保護フィルム１１との間の２３℃における密着力をＡ３［Ｎ／ｍ］、第２粘着層２と保護フィルム１１との間の２３℃における密着力をＡ４［Ｎ／ｍ］としたとき、０．１≦Ａ３／Ａ４≦１．０の関係を満足するのが好ましく、０．１≦Ａ３／Ａ４≦０．５の関係を満足するのがより好ましい。このような関係を満足することにより、保護フィルム１１の剥離性をより高いものとすることができ、半導体装置の生産性を向上させることができる。
【００８９】
なお、接着層３と保護フィルム１１との間の上記密着力の単位である「Ｎ／ｍ」は、保護フィルム１１の表面に接着層３を貼り付けたサンプルを２５ｍｍ幅の短冊状にし、その後、２３℃（室温）において、この積層フィルムにおいて接着層３部分を剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位Ｎ）を１ｍ幅当たりに換算した（１０００ｍｍ／２５ｍｍ＝４０倍した）値である。すなわち、ここでは、接着層３と保護フィルム１１と密着力は、１８０°ピール強度として説明する。また、第２粘着層２と保護フィルム１１との間の上記密着力の単位である「Ｎ／ｍ」は、支持フィルム４上の第２粘着層２の表面に保護フィルム１１を貼り付けたサンプルを２５ｍｍ幅の短冊状にし、その後、２３℃（室温）において、この積層フィルムにおいて第２粘着層２部分を支持フィルム４とともに剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位Ｎ）を１ｍ幅当たりに換算した（１０００ｍｍ／２５ｍｍ＝４０倍した）値である。すなわち、ここでは、第２粘着層２と保護フィルム１１と密着力は、１８０°ピール強度として説明する。
【００９０】
また、上記関係を満足すると同時に、接着層３と保護フィルム１１との接触面積をＳ３［ｍｍ２］、第２粘着層２と保護フィルム１１との接触面積をＳ４［ｍｍ２］としたとき、１．０≦Ｓ３／Ｓ４≦１０．０の関係を満足するのが好ましく、３．０≦Ｓ３／Ｓ４≦１０．０の関係を満足するのがより好ましい。このような関係を満足することにより、保護フィルム１１の剥離性をさらに高いものとすることができ、半導体装置の生産性をさらに向上させることができる。
【００９１】
また、接着層３と第１粘着層１との間の２３℃における密着力をＡ１［Ｎ／ｍ］、接着層３と保護フィルム１１との間の２３℃における密着力をＡ３［Ｎ／ｍ］としたとき、Ａ３≦１．０×Ａ１の関係を満足するのが好ましく、Ａ３≦０．５×Ａ１の関係を満足するのがより好ましい。このような関係を満足することにより、保護フィルム１１の剥離性をさらに高いものとすることができ、半導体装置の生産性をさらに向上させることができる。
【００９２】
また、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、後述する第３の工程において、個片８３をピックアップした際に、第２粘着層２とウエハーリング９との間は剥離することなく、接着層３と第１粘着層１との間が選択的に剥離する。そして、ダイシングの際には、ウエハーリング９により積層体８を確実に支持し続けることができる。
【００９３】
すなわち、本実施形態では、第１粘着層１および第２粘着層２の２層の粘着層を用いているため、それぞれの密着力を異ならせることで、上記のように、積層体８の確実な固定と個片８３の容易なピックアップとを両立させることが可能になる。換言すれば、ダイシング性とピックアップ性の両立をより好適に図ることができる。
【００９４】
なお、第１粘着層１の接着層３に対する密着力や第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力等は、それぞれ、前述したアクリル系樹脂等の種類（組成）、モノマー等の種類、含有量、硬度等を変化させることで調整することができる。
【００９５】
また、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、接着層３の半導体ウエハー７に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、個片８３をピックアップした際に、半導体ウエハー７と接着層３との界面が不本意にも剥離してしまうのを防止することができる。すなわち、第１粘着層１と接着層３との界面で選択的に剥離を生じさせることができる。
【００９６】
（半導体用フィルムの製造方法）
以上説明したような半導体用フィルム１０は、例えば以下のような方法で製造される。
【００９７】
まず、図４（ａ）に示す基材４ａを用意し、この基材４ａの一方の面上に第１粘着層１を成膜する。これにより、基材４ａと第１粘着層１との積層体６１を得る。第１粘着層１の成膜は、前述した第１樹脂組成物を含む樹脂ワニスを各種塗布法等により塗布し、その後塗布膜を乾燥させる方法や、第１樹脂組成物からなるフィルムをラミネートする方法等により行うことができる。また、紫外線等の放射線を照射することにより、塗布膜を硬化させるようにしてもよい。
【００９８】
上記塗布法としては、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。
【００９９】
また、積層体６１と同様にして、図４（ａ）に示すように、用意した基材４ｂの一方の面上に接着層３を成膜し、これにより、基材４ｂと接着層３との積層体６２を得る。
【０１００】
さらに、各積層体６１、６２と同様にして、図４（ａ）に示すように、用意した支持フィルム４の一方の面上に第２粘着層２を成膜し、これにより、支持フィルム４と第２粘着層２との積層体６３を得る。
【０１０１】
次いで、図４（ｂ）に示すように、第１粘着層１と接着層３とが接するように積層体６１と積層体６２とを積層し、積層体６４を得る。この積層は、例えばロールラミネート法等により行うことができる。
【０１０２】
次いで、図４（ｃ）に示すように、積層体６４から基材４ａを剥離する。そして、図４（ｄ）に示すように、前記基材４ａを剥離した積層体６４に対して、基材４ｂを残して、前記接着層３および前記第１粘着層１の有効領域の外側部分をリング状に除去する。ここで、有効領域とは、その外周が、半導体ウエハー７の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング９の内径よりも小さい領域を指す。
【０１０３】
次いで、図４（ｅ）に示すように、第１粘着層１の露出面に第２粘着層２が接するように、基材４ａを剥離し有効領域の外側部分をリング状に除去した積層体６４と積層体６３を積層する。その後、基材４ｂを剥離することにより、図４（ｆ）に示す半導体用フィルム１０が得られる。なお、必要に応じて、図１に示すように保護フィルム１１を接着層３側に貼着することができ、基材４ｂをそのまま保護フィルム１１として残すこともできる。
【０１０４】
［半導体装置の製造方法］
次に、上述したような半導体用フィルム１０を用いて半導体装置１００を製造する方法（本発明の半導体装置の製造方法）について説明する。
【０１０５】
図２および図３に示す半導体装置の製造方法は、半導体ウエハー７と半導体用フィルム１０とを積層し、積層体８を得る第１の工程と、半導体用フィルム１０の外周部２１をウエハーリング９に貼り付けた状態で、半導体ウエハー７側から積層体８に切り込み８１を設ける（ダイシングする）ことにより、半導体ウエハー７および接着層３を個片化し、半導体素子７１および接着層３１からなる複数の個片８３を得る第２の工程と、個片８３の少なくとも１つをピックアップする第３の工程と、ピックアップされた個片８３を絶縁基板５上に載置し、半導体装置１００を得る第４の工程と、を有する。以下、各工程について順次詳述する。
【０１０６】
［１］
［１−１］まず、半導体ウエハー７および保護フィルム１１を剥がした状態の半導体用フィルム１０を用意する。
【０１０７】
半導体ウエハー７は、あらかじめ、その表面に複数個分の回路が形成されたものである。かかる半導体ウエハー７としては、シリコンウエハーの他、ガリウムヒ素、窒化ガリウムのような化合物半導体ウエハー等が挙げられる。
【０１０８】
このような半導体ウエハー７の平均厚さは、特に限定されず、好ましくは０．０１〜１ｍｍ程度、より好ましくは０．０３〜０．５ｍｍ程度とされる。本発明の半導体装置の製造方法によれば、このような厚さの半導体ウエハー７に対して欠けや割れ等の不具合を生じさせることなく、簡単かつ確実に切断して個片化することができる。
【０１０９】
［１−２］次に、図２（ａ）に示すように、上述したような半導体用フィルム１０の接着層３と、半導体ウエハー７とを密着させつつ、半導体用フィルム１０と半導体ウエハー７とを積層する（第１の工程）。なお、図２に示す半導体用フィルム１０では、接着層３の平面視における大きさおよび形状が、半導体ウエハー７の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング９の内径よりも小さい形状に、あらかじめ設定されている。このため、半導体ウエハー７の下面全体が接着層３の上面全体と密着し、これにより半導体ウエハー７が半導体用フィルム１０で支持されることとなる。
【０１１０】
上記積層の結果、図２（ｂ）に示すように、半導体用フィルム１０と半導体ウエハー７とが積層されてなる積層体８が得られる。
【０１１１】
［２］
［２−１］次に、ウエハーリング９を用意する。続いて、第２粘着層２の外周部２１の上面とウエハーリング９の下面とが密着するように、積層体８とウエハーリング９とを積層する。これにより、積層体８の外周部がウエハーリング９により支持される。
【０１１２】
ウエハーリング９は、一般にステンレス鋼、アルミニウム等の各種金属材料等で構成されるため、剛性が高く、積層体８の変形を確実に防止することができる。
【０１１３】
半導体用フィルム１０が上述したように粘着性の異なる２層の粘着層（第１粘着層１および第２粘着層２）を有していることにより、これらの粘着性の違いを利用して、ダイシング性とピックアップ性の両立を図ることができる。
【０１１４】
［２−２］次に、図示しないダイサーテーブルを用意し、ダイサーテーブルと支持フィルム４とが接触するように、ダイサーテーブル上に積層体８を載置する。
【０１１５】
続いて、図２（ｃ）に示すように、ダイシングブレード８２を用いて積層体８に複数の切り込み８１を形成する（ダイシング）。ダイシングブレード８２は、円盤状のダイヤモンドブレード等で構成されており、これを回転させつつ積層体８の半導体ウエハー７側の面に押し当てることで切り込み８１が形成される。そして、半導体ウエハー７に形成された回路パターン同士の間隙に沿って、ダイシングブレード８２を相対的に移動させることにより、半導体ウエハー７が複数の半導体素子７１に個片化される（第２の工程）。また、接着層３も同様に、複数の接着層３１に個片化される。このようなダイシングの際には、半導体ウエハー７に振動や衝撃が加わるが、半導体ウエハー７の下面が半導体用フィルム１０で支持されているため、上記の振動や衝撃が緩和されることとなる。その結果、半導体ウエハー７における割れや欠け等の不具合の発生を確実に防止することができる。
なお、本工程については、後に詳述する。
【０１１６】
［３］
［３−１］次に、複数の切り込み８１が形成された積層体８を、図示しないエキスパンド装置により、放射状に引き伸ばす（エキスパンド）。これにより、図２（ｄ）に示すように、積層体８に形成された切り込み８１の幅が広がり、それに伴って個片化された半導体素子７１同士の間隔も拡大する。その結果、半導体素子７１同士が干渉し合うおそれがなくなり、個々の半導体素子７１をピックアップし易くなる。なお、エキスパンド装置は、このようなエキスパンド状態を後述する工程においても維持し得るよう構成されている。
【０１１７】
［３−２］次に、図示しないダイボンダにより、個片化された半導体素子７１のうちの１つを、ダイボンダのコレット（チップ吸着部）で吸着するとともに上方に引き上げる。その結果、図３（ｅ）に示すように、接着層３１と第１粘着層１との界面が選択的に剥離し、半導体素子７１と接着層３１とが積層されてなる個片８３がピックアップされる（第３の工程）。
【０１１８】
なお、接着層３１と第１粘着層１との界面が選択的に剥離する理由は、前述したように、第２粘着層２の粘着性が第１粘着層１の粘着性より高いため、支持フィルム４と第２粘着層２との界面の密着力、および、第２粘着層２の第１粘着層１との界面の密着力は、第１粘着層１と接着層３との密着力より大きいからである。すなわち、半導体素子７１を上方にピックアップした場合、これらの３箇所のうち、最も密着力の小さい第１粘着層１と接着層３との界面が選択的に剥離することとなる。
【０１１９】
また、個片８３をピックアップする際には、半導体用フィルム１０の下方から、ピックアップすべき個片８３を選択的に突き上げるようにしてもよい。これにより、積層体８から個片８３が突き上げられるため、前述した個片８３のピックアップをより容易に行うことができるようになる。なお、個片８３の突き上げには、半導体用フィルム１０を下方から突き上げる針状体（ニードル）等が用いられる。
【０１２０】
［４］
［４−１］次に、半導体素子７１（チップ）を搭載（マウント）するための絶縁基板５を用意する。
【０１２１】
この絶縁基板５としては、半導体素子７１を搭載し、半導体素子７１と外部とを電気的に接続するための配線や端子等を備えた絶縁性を有する基板が挙げられる。
【０１２２】
具体的には、ポリエステル銅張フィルム基板、ポリイミド銅張フィルム基板、アラミド銅張フィルム基板等の可撓性基板や、ガラス布・エポキシ銅張積層板等のガラス基材銅張積層板、ガラス不織布・エポキシ銅張積層板等のコンポジット銅張積層板、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板等の耐熱・熱可塑性基板といった硬質性基板の他、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板等のセラミックス基板、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）基板などが挙げられる。
なお、絶縁基板５に代えて、リードフレーム等を用いるようにしてもよい。
【０１２３】
次いで、図３（ｆ）に示すように、ピックアップされた個片８３を、絶縁基板５上に載置する。
【０１２４】
［４−２］次に、図３（ｇ）に示すように、絶縁基板５上に載置された個片８３を加熱・圧着する。これにより、接着層３１を介して半導体素子７１と絶縁基板５とが接着（ダイボンディング）される（第４の工程）。
【０１２５】
加熱・圧着の条件としては、例えば加熱温度は１００〜３００℃程度であるのが好ましく、１００〜２００℃程度であるのがより好ましい。また、圧着時間は１〜１０秒程度であるのが好ましく、１〜５秒程度であるのがより好ましい。
【０１２６】
また、その後に加熱処理を施してもよい。この場合の加熱条件は、加熱温度が好ましくは１００〜３００℃程度、より好ましくは１５０〜２５０℃程度とされ、加熱時間が好ましくは１〜２４０分程度、より好ましくは１０〜６０分程度とされる。
【０１２７】
その後、半導体素子７１の端子（図示せず）と絶縁基板５上の端子（図示せず）とをワイヤ８４により電気的に接続する。なお、この接続には、ワイヤ８４に代えて、導電性ペースト、導電性フィルム等を用いるようにしてもよい。
【０１２８】
そして、絶縁基板５上に載置された個片８３およびワイヤ８４を樹脂材料で被覆し、モールド層８５を形成する。このモールド層８５を構成する樹脂材料としては、エポキシ系樹脂等の各種モールド樹脂が挙げられる。
【０１２９】
さらに、絶縁基板５の下面に設けられた端子（図示せず）にボール状電極８６を接合することにより、半導体素子７１をパッケージ内に収納してなる図３（ｈ）に示すような半導体装置１００が得られる。
【０１３０】
以上のような方法によれば、第３の工程において、半導体素子７１に接着層３１が付着した状態、すなわち個片８３の状態でピックアップされることから、第４の工程において、この接着層３１をそのまま絶縁基板５との接着に利用することができる。このため、別途接着剤等を用意する必要がなく、半導体装置１００の製造効率をより高めることができる。
【０１３１】
以上のような半導体用フィルム１０によれば、ダイボンダのコレットの温度が上昇し、それに伴って積層体８の温度が上昇したとしても、ピックアップ性が低下するのを防止することができる。
【０１３２】
ところで、上述したような半導体用フィルム１０を用いて半導体ウエハー７をダイシングする工程を有する本発明の半導体装置の製造方法は、特に第２の工程に特徴を有する。
【０１３３】
まず、この特徴の説明に先立って、従来のダイシング工程について説明する。
従来のダイシング工程は、ダイシングブレードの先端が半導体ウエハー、接着層および各粘着層をそれぞれ貫通し、支持フィルムに到達するように行われていた。
【０１３４】
ところが、ダイシングブレードの先端が支持フィルムに到達した結果、支持フィルムが削られることとなり、その削り屑が発生する。そして、この削り屑は、支持フィルム周辺に留まることなく、各粘着層の周辺、接着層の周辺および半導体ウエハーの周辺に移動して、種々の不具合をもたらすこととなる。具体的には、半導体素子のピックアップの際に引っ掛かりを生じたり、後述する第４の工程において絶縁基板と半導体素子との間に削り屑が侵入したり、半導体ウエハーに形成された回路に削り屑が付着し、ワイヤボンディングに支障を来す等の不具合が挙げられる。
【０１３５】
これに対し、本実施形態では、第２の工程において、ダイシングブレード８２の先端が粘着層内に留まるように、削り深さを設定する。換言すれば、切り込み８１の先端が支持フィルム４に到達することなく、第１粘着層１内に留まるようにダイシングを行う。このようにすれば、支持フィルム４の削り屑は発生し得ないため、上述したような削り屑に伴う問題が確実に解消されることとなる。すなわち、半導体素子７１をピックアップする際には、引っ掛かり等の発生が防止され、ピックアップした半導体素子７１を絶縁基板５にマウントする際には、異物の侵入およびワイヤボンディング不良の発生が防止される。その結果、半導体装置１００の製造歩留まりが向上するとともに、信頼性の高い半導体装置１００を得ることができる。
【０１３６】
また、特に、切り込み８１の先端が第１粘着層１内に位置するようにダイシングを行うことにより、第２粘着層２の成分が切り込み８１を介して、接着層３の周辺や半導体ウエハー７の周辺に染み出すことが防止される。その結果、染み出した物質が不本意にも接着層３と第１粘着層１との間の密着力を高めてしまうのを防止して、個片８３のピックアップを阻害する不具合を防止することができる。さらには、染み出した物質が半導体素子７１の変質・劣化を引き起こすのを防止することができる。
【０１３７】
このような成分の染み出しは、第２粘着層２の粘着性が第１粘着層１の粘着性よりも強いことから、必然的に、第２粘着層２は第１粘着層１よりも柔軟性が高いと考えられ、したがって第２粘着層２に含まれる物質は流動性や流出性が第１粘着層１よりも高いということに起因する現象であると考えられる。すなわち、本実施形態のように、粘着層が複数層で構成されており、接着層３側の粘着層（図１では第１粘着層１）よりも支持フィルム４側の粘着層（図１では第２粘着層２）の粘着性が強い場合には、図１（ｃ）に示すように切り込み８１の先端を第１粘着層１内に留めることが、上記不具合を防止するにあたって特に有効である。
【０１３８】
なお、上記の観点から、第２粘着層２の２３℃における弾性率は、第１粘着層１の２３℃における弾性率より小さいのが好ましい。これにより、第２粘着層２は、第１粘着層１に比べて確実に粘着性が高いものとなる一方、第１粘着層１は、ピックアップ性に優れたものとなる。
【０１３９】
また、第１粘着層１の２３℃における弾性率は、０．２〜４．０ＧＰａ程度であるのが好ましく、０．５〜２．０ＧＰａ程度であるのがより好ましい。このような弾性率の第１粘着層１は、粘着性が適度に抑えられる一方、成分の流動性や流出性を比較的抑えられることから、この第１粘着層１に切り込み８１が形成されたとしても、ピックアップ性の向上と、第１粘着層１からの物質の染み出しによる不具合の防止とを両立させることができる。なお、弾性率は一般的な引張り試験等で測定することができる。
【０１４０】
また、第２粘着層２の６０℃での溶融粘度は、１０００〜１００００Ｐａ・ｓ程度であるのが好ましく、３０００〜１００００Ｐａ・ｓ程度であるのがより好ましい。このような溶融粘度の第２粘着層２は、十分な粘着性を有する一方、成分の流動性や流出性を比較的抑えられることから、ダイシング性（ダイシングにおける積層体８とウエハーリング９との固定性）の向上と、物質の染み出しによる不具合の防止とを両立させることができる。溶融粘度は一般的なずり測定試験等で測定することができる。
【０１４１】
また、上記のような観点から、１本の切り込み８１のうち、接着層３と第１粘着層１との界面より先端側の部分の横断面積は、ダイシングブレード８２の厚さや各粘着層１、２の厚さに応じて異なるものの、５〜３００（×１０−５ｍｍ２）程度であるのが好ましく、１０〜２００（×１０−５ｍｍ２）程度であるのがより好ましい。切り込み８１のうち、接着層３と第１粘着層１との界面より先端側の部分の横断面積を前記範囲内に設定することにより、接着層３を確実に個片化するとともに、第１粘着層１に対する切り込み部分の横断面積を最小限に抑えることができる。その結果、個片８３の確実なピックアップと、第１粘着層１からの成分の染み出しの抑制とを高度に両立することができる。
【０１４２】
また、第１粘着層１の膜厚をｔとしたとき、切り込み８１のうちの第１粘着層１内に位置する部分の深さは、０．２ｔ〜０．８ｔであるのが好ましく、０．３ｔ〜０．７ｔであるのがより好ましい。これにより、個片８３の確実なピックアップと、第１粘着層１からの成分の染み出しの抑制とを、より高度に両立させることができる。
【０１４３】
以上のように、切り込み８１の先端を第１粘着層１内に留めたり、そうでなくても切り込み８１のうちの接着層３と第１粘着層１との界面より先端側の部分の横断面積を前記範囲内としたりした場合には、第１粘着層１や第２粘着層２からの成分の染み出しが最小限に抑えられることから、この成分の染み出しが第１粘着層１と接着層３との密着力に及ぼす影響も最小限に抑えられることとなる。その結果、この密着力が意図せず高まってしまい、個片８３のピックアップ性が阻害されるのを防止することができる。
【０１４４】
また、本実施形態では、切り込み８１の先端を第１粘着層１内に留めることにより、半導体ウエハー７および接着層３は確実に個片化される一方、第１粘着層１および第２粘着層２は個片化されない。したがって、第３の工程において、個片８３をピックアップする際に、第１粘着層１や第２粘着層２が支持フィルム４側に残すべきところ、不本意にも個片８３側に貼り付いた状態でピックアップされてしまうのを防止することができる。これは、第１粘着層１および第２粘着層２を個片化しなかったことで、これらの面方向の繋がりが維持されるため、第１粘着層１と第２粘着層２との密着力、および、第２粘着層２と支持フィルム４との密着力の低下が防止されるためである。すなわち、第１粘着層１と第２粘着層２との密着力、および、第２粘着層２と支持フィルム４との密着力が、ピックアップにおける上方への引っ張り力に対して十分な抗力を有するためである。
【０１４５】
以上、本発明の半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１４６】
例えば、パッケージの形態は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＬＧＡ（Land Grid Array）等のＣＳＰ（Chip Size Package）、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）のような表面実装型のパッケージ、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＰＧＡ（Pin Grid Array）のような挿入型のパッケージ等であってもよく、特に限定されない。
【０１４７】
また、前述した実施形態では、絶縁基板５上に個片８３をマウントする場合について説明したが、この個片８３は、別の半導体素子上にマウントするようにしてもよい。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子を積層してなるチップスタック型の半導体装置を製造する場合にも適用することができる。これにより、ピックアップ不良のおそれや半導体素子間に削り屑等が侵入するおそれがなくなり、信頼性の高いチップスタック型の半導体装置を高い製造歩留まりで製造することができる。
【０１４８】
また、前述した実施形態では、粘着層が２層の構成のものについて説明したが、これに限定されず、３層以上であってもよい。
【０１４９】
また、本発明の半導体装置の製造方法では、必要に応じて、任意の工程を追加することもできる。
【実施例】
【０１５０】
以下、本発明の具体的実施例について説明する。
１．半導体装置の製造
（実施例１）
＜１＞第１粘着層の形成
アクリル系粘着剤としての、アクリル酸−２−エチルヘキシル３０質量％と酢酸ビニル７０質量％とを共重合して得られた重量平均分子量３００，０００の共重合体１００質量部と、分子量が１１０００の２官能ウレタンアクリレート６０質量部と、光重合開始剤としての、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン５質量部と、架橋剤としての、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３質量部とを酢酸エチルとトルエンの混合溶媒に溶解して、樹脂固形分３０質量％の樹脂ワニスを得た。
【０１５１】
次に、得られた樹脂ワニスを剥離処理した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに対して、乾燥後の厚さが３０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、得られた塗布膜に対して紫外線５００ｍＪ／ｃｍ２を照射し、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に第１粘着層を成膜した。
なお、得られた第１粘着層の２３℃における弾性率は１．０ＧＰａであった。
【０１５２】
＜２＞第２粘着層の形成
アクリル系粘着剤としての、アクリル酸ブチル７０質量％とアクリル酸２−エチルヘキシル３０質量％とを共重合して得られた重量平均分子量５００，０００の共重合体１００質量部と、架橋剤としての、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３質量部とを酢酸エチルとトルエンの混合溶媒に溶解して、樹脂固形分３０質量％の樹脂ワニスを得た。
【０１５３】
次に、得られた樹脂ワニスを剥離処理した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに対して、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に第２粘着層を成膜した。その後、支持フィルムとして厚さ１００μｍのポリエチレンシートをラミネートした。
なお、得られた第２粘着層の６０℃における溶融粘度は、３５００Ｐａ・ｓであった。
【０１５４】
＜３＞接着層の形成
（メタ）アクリル酸エステル共重合体としての、アクリル酸エステル共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）／トルエン溶解品、ナガセケムテックス株式会社製、ＳＧ−７０８−６、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）の固形成分として１００質量部と、フェノキシ樹脂（ＪＥＲ１２５６、Ｍｗ：５００００、三菱化学株式会社製）９．８質量部と、無機充填剤（フィラー）としての球状シリカ（ＳＣ１０５０、平均粒径０．３μｍ、株式会社アドマテックス製）９０．８質量部と、カップリング剤としてのγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業株式会社製）１．１質量部と、フェノール樹脂（ＰＲ−５３６４７、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト株式会社製）０．１質量部とを、メチルエチルケトンに溶解して、樹脂固形分２０質量％の樹脂ワニスを得た。
【０１５５】
次に、得られた樹脂ワニスを、コンマコーターによりポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、品番ピューレックスＡ４３、厚さ３８μｍ）に塗布した後、１５０℃、３分間乾燥して、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に厚さ２５μｍの接着層を成膜した。
【０１５６】
＜４＞半導体用フィルムの製造
第１粘着層を成膜したフィルムと、接着層を成膜したフィルムとを、第１粘着層と接着層とが接するようにラミネート（積層）し、第１粘着層側のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離して、積層体を得た。
【０１５７】
次にロール状の金型を用いて、第１粘着層と接着層を半導体ウエハーの外径よりも大きく、かつウエハーリングの内径よりも小さく打ち抜き、その後不要部分を除去して、第２積層体を得た。
【０１５８】
さらに第２粘着層の一方の面側にあるポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離する。そして前記第２積層体の第１粘着層と第２粘着層とが接するように、これらを積層した。これにより、ポリエチレンシート（支持フィルム）、第２粘着層、第１粘着層、接着層およびポリエチレンテレフタレートフィルム（保護フィルム）の５層がこの順で積層してなる半導体用フィルムを得た。
【０１５９】
（実施例２）
接着層および粘着層を構成する樹脂組成物として表１に示す構成のものを用いた以外は、前記実施例１と同様にして半導体用フィルムを作製した。
【０１６０】
（比較例）
接着層および粘着層を構成する樹脂組成物として表１に示す構成のものを用いた以外は、前記実施例１と同様にして半導体用フィルムを作製した。
【０１６１】
以上の各実施例および比較例における、各層を構成する樹脂組成物の組成、第１粘着層の２３℃における弾性率、および第２粘着層の６０℃における溶融粘度を表１に、各層間の密着力等を表２に示した。なお、表中、接着層３と第１粘着層１との間の２３℃における密着力をＡ１、第１粘着層１と第２粘着層２との間の２３℃における密着力をＡ２、接着層３と第１粘着層１との間の８０℃における密着力をＢ１、第１粘着層１と第２粘着層２との間の８０℃における密着力をＢ２、接着層３と保護フィルム１１との間の２３℃における密着力をＡ３、第２粘着層２と保護フィルム１１との間の２３℃における密着力をＡ４と示した。また、保護フィルム１１と接着層３との接触面積をＳ３、第２粘着層２と保護フィルム１１との接触面積をＳ４と示した。
【０１６２】
【表１】
【０１６３】
【表２】
【０１６４】
２．半導体装置の製造
まず、厚さ１００μｍ、８インチのシリコンウエハーを用意した。
【０１６５】
そして、各実施例および比較例の半導体用フィルムからポリエステルフィルムを剥離し、その剥離面にシリコンウエハーを６０℃で積層した。これにより、半導体用フィルムおよびシリコンウエハーの５層がこの順で積層してなる積層体を得た。
【０１６６】
次いで、この積層体をシリコンウエハー側から、ダイシングソー（ＤＦＤ６３６０、（株）ディスコ製）を用いて以下の条件でダイシング（切断）した。これにより、シリコンウエハーが個片化され、以下のダイシングサイズの半導体素子を得た。
【０１６７】
＜ダイシング条件＞
・ダイシングサイズ ：１０ｍｍ×１０ｍｍ角
・ダイシング速度 ：５０ｍｍ／ｓｅｃ
・スピンドル回転数 ：４０，０００ｒｐｍ
・ダイシング最大深さ ：０．１３０ｍｍ（シリコンウエハーの表面からの切り込み量）
・ダイシングブレードの厚さ：１５μｍ
・切り込みの横断面積 ：７．５×１０−５ｍｍ２（接着層と第１粘着層との界面より先端側の部分の横断面積）
【０１６８】
なお、このダイシングにより形成された切り込みは、その先端が第１粘着層内に達していた。
【０１６９】
次いで、半導体素子の１つを半導体用フィルムの裏面からニードルで突き上げ、突き上げた半導体素子の表面をダイボンダのコレットで吸着しつつ上方に引き上げた。これにより、半導体素子と接着層の個片をピックアップした。
【０１７０】
次に、ピックアップした個片を、ソルダーレジスト（太陽インキ製造（株）製、商品名：ＡＵＳ３０８）をコーティングしたビスマレイミド−トリアジン樹脂基板（回路段差５〜１０μｍ）に、温度１３０℃、荷重５Ｎで、１．０秒間圧着して、ダイボンディングした。
次いで、半導体素子と樹脂基板とをワイヤボンディングにより電気的に接続した。
【０１７１】
そして、樹脂基板上の半導体素子およびボンディングワイヤを、封止樹脂ＥＭＥ−Ｇ７６０（住友ベークライト（株）製、商品名）で封止し、温度１７５℃で２時間の熱処理に供した。これにより、封止樹脂を硬化させて半導体装置を得た。
【０１７２】
３．ダイシング性およびピックアップ性の評価
各実施例および比較例におけるダイシング性はいずれも良好であった。また、ダイシングの際には、半導体素子の欠けや剥離等が生じることはなかった。
【０１７３】
また、各実施例では、いずれも安定的にピックアップを行い得ることがわかった。このため、各実施例では、半導体素子の割れや欠け等の不具合を確実に抑制し得ることが明らかとなった。
一方、比較例ではピックアップにおいて満足な結果が得られなかった。
【符号の説明】
【０１７４】
１ 第１粘着層
１２ 外周縁
２ 第２粘着層
２１ 外周部
３、３１ 接着層
４ 支持フィルム
４１ 外周部
４ａ、４ｂ 基材
５ 絶縁基板
６１〜６４ 積層体
７ 半導体ウエハー
７１ 半導体素子
８ 積層体
８１ 切り込み
８２ ダイシングブレード
８３ 個片
８４ ワイヤ
８５ モールド層
８６ ボール状電極
９ ウエハーリング
１０ 半導体用フィルム
１１ 保護フィルム
１００ 半導体装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。
【０００３】
これらの半導体装置の製造方法においては、まず、ケイ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウエハーに接着シートを貼付し、半導体ウエハーの周囲をウエハーリングで固定しながらダイシング工程で前記半導体ウエハーを個々の半導体素子に切断分離（個片化）する。次いで、個片化した個々の半導体素子同士を引き離すエキスパンディング工程と、個片化した半導体素子をピックアップするピックアップ工程とを行う。その後、ピックアップした半導体素子を金属リードフレームまたは基板（例えばテープ基板、有機硬質基板等）に搭載するためのダイボンディング工程へ移送する。これにより、半導体装置が得られる。
【０００４】
また、ダイボンディング工程では、ピックアップした半導体素子を、他の半導体素子上に積層することにより、１つのパッケージ内に複数の半導体素子を搭載したチップスタック型の半導体装置を得ることもできる。
【０００５】
このような半導体装置の製造方法において用いられる接着シートとしては、基材フィルム上に第１の粘接着剤層と第２の粘接着剤層とをこの順で積層してなるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
この接着シートは、半導体ウエハーに貼り付けられた状態で前述したダイシング工程に供される。ダイシング工程では、ダイシングブレードの先端が基材フィルムに到達するように切り込みを設けることで、半導体ウエハーと２層の粘接着剤層とが複数の部分に個片化される。そして、ピックアップ工程では、基材フィルムと２層の粘接着剤層との界面で剥離が生じ、個片化された半導体素子が、個片化された２層の粘接着剤層とともにピックアップされる。ピックアップされた２層の粘接着剤層は、ダイボンディング工程において、個片化された半導体素子と金属リードフレーム（または基板）との間の接着を担うこととなる。
【０００７】
しかしながら、半導体装置の製造にあたっては、優れたピックアップ性、すなわちピックアップ工程において半導体素子に割れや欠け等の不具合を発生させることなく、剥離すべき界面（特許文献１の場合、基材フィルムと２層の粘接着剤層との界面）で容易かつ確実に剥離を生じさせる特性が求められるが、従来の方法ではそれが十分ではないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−４３７６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、ピックアップ性の向上を図り、信頼性の高い半導体装置を製造可能な半導体用フィルム、およびかかる半導体用フィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的は、下記（１）〜（１２）の本発明により達成される。
（１） 接着層と粘着層と支持フィルムとがこの順で積層されてなり、前記接着層の前記粘着層と反対側の面に半導体ウエハーを積層させ、この状態で該半導体ウエハーおよび前記接着層を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片を前記支持フィルムからピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、
前記粘着層は、前記接着層と接する第１粘着層と、当該第１粘着層の前記接着層とは反対の面上に設けられた第２粘着層とを有し、
前記接着層と前記第１粘着層との間の２３℃における密着力をＡ１［Ｎ／ｍ］、前記第１粘着層と前記第２粘着層との間の２３℃における密着力をＡ２［Ｎ／ｍ］としたとき、Ａ１≦０．１×Ａ２の関係を満足し、
前記接着層と前記第１粘着層との間の８０℃における密着力をＢ１［Ｎ／ｍ］、前記第１粘着層と前記第２粘着層との間の８０℃における密着力をＢ２［Ｎ／ｍ］としたとき、Ｂ１≦０．２×Ｂ２の関係を満足することを特徴とする半導体用フィルム。
【００１１】
（２） 前記接着層の前記粘着層側とは反対側の面上に保護フィルムを有し、
前記接着層の外周縁および前記第１粘着層の外周縁は、それぞれ、前記第２粘着層の外周縁および前記保護フィルムの外周縁よりも内側に位置しており、
前記第２粘着層と前記保護フィルムとは、外周部において接しており、
前記接着層と前記保護フィルムとの間の２３℃における密着力をＡ３［Ｎ／ｍ］、前記第２粘着層と前記保護フィルムとの間の２３℃における密着力をＡ４［Ｎ／ｍ］、前記接着層と前記保護フィルムとの接触面積をＳ３［ｍｍ２］、前記第２粘着層と前記保護フィルムとの接触面積をＳ４［ｍｍ２］としたとき、０．１≦Ａ３／Ａ４≦１．０かつ、１．０≦Ｓ３／Ｓ４≦１０．０の関係を満足する上記（１）に記載の半導体用フィルム。
【００１２】
（３） 前記接着層と前記第１粘着層との間の２３℃における密着力をＡ１［Ｎ／ｍ］、前記接着層と前記保護フィルムとの間の２３℃における密着力をＡ３［Ｎ／ｍ］としたとき、Ａ３≦１．０×Ａ１の関係を満足する上記（２）に記載の半導体用フィルム。
【００１３】
（４） 前記接着層は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含む樹脂組成物で構成される上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【００１４】
（５） 前記熱可塑性樹脂は、アクリル系樹脂および／またはフェノキシ樹脂である上記（４）に記載の半導体用フィルム。
【００１５】
（６） 前記熱硬化性樹脂は、フェノール樹脂である上記（４）または（５）に記載の半導体用フィルム。
【００１６】
（７） 前記第２粘着層の粘着力は、前記第１粘着層の粘着力よりも大きい上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【００１７】
（８） 前記第１粘着層の２３℃における弾性率は、０．２〜４．０ＧＰａである上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【００１８】
（９） 前記第１粘着層の前記接着層側の面の前記半導体ウエハーを積層させる領域に、前記半導体ウエハーとの積層に先立ってあらかじめ紫外線が照射されている上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【００１９】
（１０） 上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の半導体用フィルムの前記接着層と半導体ウエハーとが接するように、前記半導体用フィルムと半導体ウエハーとを積層してなる積層体を用意する第１の工程と、
前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを設けることにより、前記半導体ウエハーを個片化し、複数の半導体素子を得る第２の工程と、
前記半導体素子をピックアップする第３の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００２０】
（１１） 前記切り込みは、その最深部が、前記粘着層内に位置するように設けられる上記（１０）に記載の半導体装置の製造方法。
【００２１】
（１２） １本の前記切り込みにおいて、前記接着層と前記粘着層との界面より先端側の部分の横断面積は、５×１０−５〜３００×１０−５ｍｍ２である上記（１０）または（１１）に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、たとえ個片のピックアップ時に個片に熱が伝わったとしても、ピックアップ性の低下を防止することができる。したがって、本発明によれば、半導体装置の製造歩留まりを高めるとともに、信頼性の高い半導体装置を製造可能な半導体用フィルムが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の半導体用フィルムの好適な実施形態を説明するための縦断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法の好適な実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法の好適な実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図４】本発明の半導体用フィルムを製造する方法を説明するための図である。す図（縦断面図）である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法について添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２５】
図１ないし図３は、本発明の半導体用フィルムおよび本発明の半導体装置の製造方法の好適な実施形態を説明するための図（縦断面図）、図４は、本発明の半導体用フィルムを製造する方法を説明するための図である。なお、以下の説明では、図１ないし図４中の上側を「上」、下側を「下」という。
【００２６】
［半導体用フィルム］
図１に示す半導体用フィルム１０は、支持フィルム４と、第１粘着層１と、第２粘着層２と、接着層３と、保護フィルム１１とを有している。より詳しくは、半導体用フィルム１０は、支持フィルム４上に、第２粘着層２と、第１粘着層１と、接着層３と、保護フィルム１１とをこの順で積層してなるものである。なお、保護フィルム１１は無くてもよい。
【００２７】
このような半導体用フィルム１０は、保護フィルム１１を除去した後、図２（ａ）に示すように、接着層３の上面に半導体ウエハー７を積層させ、半導体ウエハー７をダイシングにより個片化する際に半導体ウエハー７を支持するとともに、個片化された半導体ウエハー７（半導体素子７１）をピックアップする際に、第１粘着層１と接着層３との間が選択的に剥離することにより、ピックアップした半導体素子７１を絶縁基板５上に接着するための接着層３１を提供する機能を有するものである。すなわち、半導体ウエハー７および接着層３をそれぞれ個片化し、半導体素子７１と接着層３１とを積層してなる個片８３をピックアップするのに半導体用フィルム１０が用いられる。
【００２８】
また、支持フィルム４の外周部４１および第２粘着層２の外周部２１は、図１および図２（ａ）に示すように、それぞれ第１粘着層１の外周縁１２を越えて外側に存在している。
【００２９】
このうち、外周部２１には、ウエハーリング９が貼り付けられる。これにより、半導体ウエハー７が確実に支持されることとなる。
【００３０】
また、図１に示すように、第２粘着層２と保護フィルム１１とは外周部において接している。
【００３１】
ところで、半導体装置の製造にあたっては、優れたピックアップ性、すなわちピックアップ工程において半導体素子に割れや欠け等の不具合を発生させることなく、剥離すべき界面で容易かつ確実に剥離を生じさせる特性が求められるが、従来の方法ではそれが十分ではないという問題があった。
【００３２】
これに対して、本発明では、接着層と第１粘着層との間の２３℃における密着力をＡ１［Ｎ／ｍ］、第１粘着層と第２粘着層との間の２３℃における密着力をＡ２［Ｎ／ｍ］としたとき、Ａ１≦０．１×Ａ２の関係を満足し、かつ、接着層と第１粘着層との間の８０℃における密着力をＢ１［Ｎ／ｍ］、第１粘着層と第２粘着層との間の８０℃における密着力をＢ２［Ｎ／ｍ］としたとき、Ｂ１≦０．２×Ｂ２の関係を満足するよう構成した点に特徴を有している。このような特徴により、個片をピックアップした際に、第１粘着層と第２粘着層との界面が不本意にも剥離してしまうのを防止することができる。すなわち、第１粘着層と接着層との界面で選択的に剥離を生じさせることができる。特に、連続してピックアップした際に蓄積した熱によって個片の温度が上昇した場合であっても、安定したピックアップ性を実現することができ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００３３】
以下、半導体用フィルム１０の各部の構成について順次詳述する。
（第１粘着層）
第１粘着層１は、一般的な粘着剤で構成されている。具体的には、第１粘着層１は、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第１樹脂組成物で構成されている。
【００３４】
アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が挙げられる。また、これらの樹脂を２種類以上混合してもよい。
【００３５】
また、これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、第１粘着層１が粘着する相手（被着体）との密着性や粘着性の制御が容易になる。
【００３６】
また、第１樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。
【００３７】
さらに、第１樹脂組成物には、第１粘着層１を紫外線等により硬化させる場合、光重合開始剤としてメトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾインイソブチルエーテル系化合物、ベンゾイン安息香酸メチル系化合物、ベンゾイン安息香酸系化合物、ベンゾインメチルエーテル系化合物、ベンジルフィニルサルファイド系化合物、ベンジル系化合物、ジベンジル系化合物、ジアセチル系化合物等を添加してもよい。
【００３８】
また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与材等を添加してもよい。
【００３９】
このような第１粘着層１の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜５０μｍ程度であるのがより好ましい。厚さが前記下限値未満であると十分な粘着力を確保するのが難しくなる場合があり、前記上限値を超えてもあまり特性に影響が無く、利点も得られない。厚さが前記範囲内であると、特に、ダイシング時に剥離せず、ピックアップ時には引っ張り荷重に伴って比較的容易に剥離可能になることから、ダイシング性、ピックアップ性に優れた第１粘着層１が得られる。
【００４０】
（第２粘着層）
第２粘着層２は、前述した第１粘着層１よりも粘着性が高いものである。これにより、第１粘着層１と接着層３との間よりも、第２粘着層２とウエハーリング９との間が強固に粘着することとなり、第２の工程においては、半導体ウエハー７をダイシングして個片化する際に、第２粘着層２とウエハーリング９との間が確実に固定されることとなる。その結果、半導体ウエハー７の位置ずれが確実に防止され、半導体素子７１の寸法精度の低下を防止することができる。
【００４１】
第２粘着層２には、前述した第１粘着層１と同様のものを用いることができる。具体的には、第２粘着層２は、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第２樹脂組成物で構成されている。
【００４２】
アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が用いられる。また、これらの共重合体を２種類以上混合してもよい。
【００４３】
また、これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、第２粘着層２が粘着する相手（被着体）との密着性や粘着性の制御が容易になる。
【００４４】
また、第２樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。
【００４５】
さらに、第２樹脂組成物には、第１樹脂組成物と同様の光重合開始剤を添加してもよい。
【００４６】
また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与材等を添加してもよい。
【００４７】
このような第２粘着層２の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。厚さが前記下限値未満であると十分な粘着力を確保するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えても特に優れた効果が得られない。また、第２粘着層２は、第１粘着層１によりも柔軟性が高いため、第２粘着層２の平均厚さが前記範囲内であれば、第２粘着層２の形状追従性が確保され、半導体用フィルム１０の半導体ウエハー７に対する密着性をより高めることができる。
【００４８】
（接着層）
接着層３は、例えば熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含む第３樹脂組成物で構成されている。このような樹脂組成物は、フィルム形成能、接着性および硬化後の耐熱性に優れる。
【００４９】
このうち、熱可塑性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂等のポリイミド系樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもアクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、ガラス転移温度が低いため接着層３の初期密着性をより向上することができる。
【００５０】
なお、アクリル系樹脂とは、アクリル酸およびその誘導体を意味し、具体的にはアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸エステル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等のメタクリル酸エステル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の重合体および他の単量体との共重合体等が挙げられる。
【００５１】
また、アクリル系樹脂の中でもエポキシ基、水酸基、カルボキシル基、ニトリル基等の官能基を持つ化合物（共重合モノマー成分）を有するアクリル系樹脂（特に、アクリル酸エステル共重合体）が好ましい。これにより、半導体素子７１等の被着体への密着性をより向上することができる。前記官能基を持つ化合物としては、具体的にはグリシジルエーテル基を持つグリシジルメタクリレート、水酸基を持つヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を持つカルボキシメタクリレート、ニトリル基を持つアクリロニトリル等が挙げられる。
【００５２】
また、前記官能基を持つ化合物の含有量は、特に限定されないが、アクリル系樹脂全体の０．５〜４０質量％程度であるのが好ましく、特に５〜３０質量％程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると粘着力が強すぎて作業性を向上する効果が低下する場合がある。
【００５３】
また、熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、特に限定されないが、−２５〜１２０℃であることが好ましく、特に−２０〜６０℃であることがより好ましく、−１０〜５０℃であることがさらに好ましい。ガラス転移温度が前記下限値未満であると接着層３の粘着力が強くなり作業性が低下する場合があり、前記上限値を超えると低温接着性を向上する効果が低下する場合がある。
【００５４】
また、熱可塑性樹脂（特にアクリル系樹脂）の重量平均分子量は、特に限定されないが、１０万以上が好ましく、特に１５万〜１００万が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、特に接着層３の成膜性を向上することができる。
【００５５】
また、熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂を含んでいるのが好ましい。これにより、ピックアップ性をより高いものとすることができる。また、フェノキシ樹脂は硬化性も示すことで、耐熱性を向上させることができる。
【００５６】
一方、熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物を用いるようにしてもよい。また、これらの中でもエポキシ樹脂またはフェノール樹脂が好ましい。これらの樹脂によれば、接着層３の耐熱性および密着性をより向上することができる。
【００５７】
また、熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０５〜４００質量部程度であるのが好ましく、特に０．１〜１００質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記上限値を上回ると、チッピングやクラックが起こる場合や、密着性を向上する効果が低下する場合があり、含有量が前記下限値を下回ると、粘着力が強すぎ、ピックアップ不良が起こる場合や、作業性を向上する効果が低下する場合がある。
【００５８】
また、これらの熱硬化性樹脂に加えて、またはこれらの熱硬化性樹脂に代えて、フェノキシ樹脂を含ませることもできる。これにより、優れたピックアップ性と耐熱性を両立させることができる。
【００５９】
また、第３樹脂組成物は、さらに硬化剤（熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合、特に、フェノール系硬化剤）を含有することが好ましい。
【００６０】
硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）等の脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）等の芳香族ポリアミン、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジド等を含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物（液状酸無水物）、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノール、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタン、およびこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）製、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。
【００６１】
また、硬化剤（特にフェノール系硬化剤）の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して１〜４００質量部であるのが好ましく、特に３〜１００質量部であるのがより好ましい。含有量が前記下限値を下回ると、接着層３の耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、含有量が前記上限値を上回ると、接着層３の保存性が低下する場合がある。
【００６２】
また、前述した熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合は、エポキシ当量と硬化剤の当量比を計算して決めることができ、エポキシ樹脂のエポキシ当量と硬化剤の官能基の当量（例えばフェノール樹脂であれば水酸基当量）の比が０．５〜１．５であることが好ましく、特に０．７〜１．３であることが好ましい。含有量が前記下限値未満であると保存性が低下する場合があり、前記上限値を超えると耐熱性を向上する効果が低下する場合がある。
【００６３】
また、第３樹脂組成物は、特に限定されないが、さらに硬化触媒を含むことが好ましい。これにより、接着層３の硬化性を向上することができる。
【００６４】
硬化触媒としては、例えばイミダゾール類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン等アミン系触媒、トリフェニルホスフィン等リン系触媒等が挙げられる。これらの中でもイミダゾール類が好ましい。これにより、特に速硬化性と保存性を両立することができる。
【００６５】
イミダゾール類としては、例えば１−ベンジル−２メチルイミダゾール、１−ベンジル−２フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。これらの中でも２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールまたは２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。これにより、保存性を特に向上することができる。
【００６６】
また、硬化触媒の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１〜３０質量部程度であるのが好ましく、特に０．５〜１０質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化性が不十分である場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。
【００６７】
また、硬化触媒の平均粒子径は、特に限定されないが、１０μｍ以下であることが好ましく、特に１〜５μｍであることがより好ましい。平均粒子径が前記範囲内であると、特に硬化触媒の反応性に優れる。
【００６８】
また、第３樹脂組成物は、特に限定されないが、さらにカップリング剤を含むことが好ましい。これにより、樹脂と被着体および樹脂界面の密着性をより向上させることができる。
【００６９】
前記カップリング剤としてはシラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。これらの中でもシラン系カップリング剤が好ましい。これにより、耐熱性をより向上することができる。
【００７０】
このうち、シラン系カップリング剤としては、例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファンなどが挙げられる。
【００７１】
カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１〜１０質量部程度であるのが好ましく、特に０．５〜１０質量部程度であるのがより好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性の効果が不十分である場合があり、前記上限値を超えるとアウトガスやボイドの原因になる場合がある。
【００７２】
接着層３を成膜するにあたっては、このような第３樹脂組成物を、例えばメチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等の溶剤に溶解して、ワニスの状態にした後、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等を用いてキャリアフィルムに塗工し、乾燥することで接着層３を得ることができる。
【００７３】
接着層３の平均厚さは、特に限定されないが、３〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に５〜７０μｍ程度であるのがより好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。
【００７４】
また、第３樹脂組成物は、必要に応じてフィラーを含有していてもよい。フィラーを含むことにより、接着層３の機械的特性および接着力の向上を図ることができる。
【００７５】
このフィラーとしては、例えば銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等の粒子が挙げられる。
【００７６】
また、フィラーの平均粒径は、０．０１〜２５μｍ程度であることが好ましい。平均粒径が前記下限値未満であるとフィラー添加の効果が少なくなり、前記上限値を超えるとフィルムとしての接着力の低下をもたらす可能性がある。
【００７７】
フィラーの含有量は、特に限定されないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．１〜２００質量部程度であるのが好ましく、特に５〜１５０質量部程度であるのがより好ましい。これにより、接着層３の機械的特性を高めつつ、接着力をより高めることができる。
【００７８】
（支持フィルム）
支持フィルム４は、以上のような第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３を支持する支持体である。
【００７９】
このような支持フィルム４の構成材料としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢ビ共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物が挙げられる。
【００８０】
支持フィルム４の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、３０〜１５０μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、支持フィルム４は、適度な剛性を有するものとなるため、第１粘着層１、第２粘着層２および接着層３を確実に支持して、半導体用フィルム１０の取扱いを容易にするとともに、半導体用フィルム１０が適度に湾曲することで、半導体ウエハー７との密着性を高めることができる。
【００８１】
（保護フィルム）
保護フィルム１１は、以上のような第２粘着層２および接着層３を保護する機能を有している。
【００８２】
このような保護フィルム１１としては、例えば、ポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム等が挙げられる。
【００８３】
保護フィルム１１の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１００μｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０μｍ程度であるのがより好ましい。
【００８４】
また、保護フィルム１１の第２粘着層２および接着層３と接する面には、公知の剥離処理が施されていてもよい。
【００８５】
（半導体用フィルムの特性）
上述したように、本発明では接着層３と第１粘着層１との間の２３℃における密着力をＡ１［Ｎ／ｍ］、第１粘着層１と第２粘着層２との間の２３℃における密着力をＡ２［Ｎ／ｍ］としたとき、Ａ１≦０．１×Ａ２の関係を満足するが、Ａ１≦０．０８×Ａ２の関係を満足するのがより好ましく、Ａ１≦０．０５×Ａ２の関係を満足するのがさらに好ましい。これにより、本発明の効果をより顕著なものとすることができる。
【００８６】
また、上述したように、本発明では、接着層３と第１粘着層１との間の８０℃における密着力をＢ１［Ｎ／ｍ］、第１粘着層１と第２粘着層２との間の８０℃における密着力をＢ２［Ｎ／ｍ］としたとき、Ｂ１≦０．２×Ｂ２の関係を満足するが、Ｂ１≦０．１５×Ｂ２の関係を満足するのがより好ましく、Ｂ１≦０．１×Ｂ２の関係を満足するのがさらに好ましい。これにより、本発明の効果をより顕著なものとすることができる。
【００８７】
なお、接着層３と第１粘着層１との間の上記密着力の単位である「Ｎ／ｍ」は、第１粘着層１の表面に接着層３を貼り付けたサンプルを２５ｍｍ幅の短冊状にし、その後、２３℃（室温）および８０℃において、この積層フィルムにおいて接着層３部分を剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位Ｎ）を１ｍ幅当たりに換算した（１０００ｍｍ／２５ｍｍ＝４０倍した）値である。すなわち、ここでは、第１粘着層１と接着層３との密着力および第１粘着層１と第２粘着層２との密着力は、１８０°ピール強度として説明する。また、第１粘着層１と第２粘着層２との間の上記密着力の単位である「Ｎ／ｍ」は、支持フィルム４上の第２粘着層２の表面に第１粘着層１を積層して貼り付けたサンプルを２５ｍｍ幅の短冊状にし、その後、２３℃（室温）および８０℃において、この積層フィルムにおいて第２粘着層２部分を支持フィルム４とともに剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位Ｎ）を１ｍ幅当たりに換算した（１０００ｍｍ／２５ｍｍ＝４０倍した）値である。すなわち、ここでは、第１粘着層１と第２粘着層２との密着力は、１８０°ピール強度として説明する。
【００８８】
また、接着層３と保護フィルム１１との間の２３℃における密着力をＡ３［Ｎ／ｍ］、第２粘着層２と保護フィルム１１との間の２３℃における密着力をＡ４［Ｎ／ｍ］としたとき、０．１≦Ａ３／Ａ４≦１．０の関係を満足するのが好ましく、０．１≦Ａ３／Ａ４≦０．５の関係を満足するのがより好ましい。このような関係を満足することにより、保護フィルム１１の剥離性をより高いものとすることができ、半導体装置の生産性を向上させることができる。
【００８９】
なお、接着層３と保護フィルム１１との間の上記密着力の単位である「Ｎ／ｍ」は、保護フィルム１１の表面に接着層３を貼り付けたサンプルを２５ｍｍ幅の短冊状にし、その後、２３℃（室温）において、この積層フィルムにおいて接着層３部分を剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位Ｎ）を１ｍ幅当たりに換算した（１０００ｍｍ／２５ｍｍ＝４０倍した）値である。すなわち、ここでは、接着層３と保護フィルム１１と密着力は、１８０°ピール強度として説明する。また、第２粘着層２と保護フィルム１１との間の上記密着力の単位である「Ｎ／ｍ」は、支持フィルム４上の第２粘着層２の表面に保護フィルム１１を貼り付けたサンプルを２５ｍｍ幅の短冊状にし、その後、２３℃（室温）において、この積層フィルムにおいて第２粘着層２部分を支持フィルム４とともに剥離角１８０°でかつ引っ張り速度１０００ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときの荷重（単位Ｎ）を１ｍ幅当たりに換算した（１０００ｍｍ／２５ｍｍ＝４０倍した）値である。すなわち、ここでは、第２粘着層２と保護フィルム１１と密着力は、１８０°ピール強度として説明する。
【００９０】
また、上記関係を満足すると同時に、接着層３と保護フィルム１１との接触面積をＳ３［ｍｍ２］、第２粘着層２と保護フィルム１１との接触面積をＳ４［ｍｍ２］としたとき、１．０≦Ｓ３／Ｓ４≦１０．０の関係を満足するのが好ましく、３．０≦Ｓ３／Ｓ４≦１０．０の関係を満足するのがより好ましい。このような関係を満足することにより、保護フィルム１１の剥離性をさらに高いものとすることができ、半導体装置の生産性をさらに向上させることができる。
【００９１】
また、接着層３と第１粘着層１との間の２３℃における密着力をＡ１［Ｎ／ｍ］、接着層３と保護フィルム１１との間の２３℃における密着力をＡ３［Ｎ／ｍ］としたとき、Ａ３≦１．０×Ａ１の関係を満足するのが好ましく、Ａ３≦０．５×Ａ１の関係を満足するのがより好ましい。このような関係を満足することにより、保護フィルム１１の剥離性をさらに高いものとすることができ、半導体装置の生産性をさらに向上させることができる。
【００９２】
また、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、後述する第３の工程において、個片８３をピックアップした際に、第２粘着層２とウエハーリング９との間は剥離することなく、接着層３と第１粘着層１との間が選択的に剥離する。そして、ダイシングの際には、ウエハーリング９により積層体８を確実に支持し続けることができる。
【００９３】
すなわち、本実施形態では、第１粘着層１および第２粘着層２の２層の粘着層を用いているため、それぞれの密着力を異ならせることで、上記のように、積層体８の確実な固定と個片８３の容易なピックアップとを両立させることが可能になる。換言すれば、ダイシング性とピックアップ性の両立をより好適に図ることができる。
【００９４】
なお、第１粘着層１の接着層３に対する密着力や第２粘着層２のウエハーリング９に対する密着力等は、それぞれ、前述したアクリル系樹脂等の種類（組成）、モノマー等の種類、含有量、硬度等を変化させることで調整することができる。
【００９５】
また、第１粘着層１の接着層３に対する密着力は、接着層３の半導体ウエハー７に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、個片８３をピックアップした際に、半導体ウエハー７と接着層３との界面が不本意にも剥離してしまうのを防止することができる。すなわち、第１粘着層１と接着層３との界面で選択的に剥離を生じさせることができる。
【００９６】
（半導体用フィルムの製造方法）
以上説明したような半導体用フィルム１０は、例えば以下のような方法で製造される。
【００９７】
まず、図４（ａ）に示す基材４ａを用意し、この基材４ａの一方の面上に第１粘着層１を成膜する。これにより、基材４ａと第１粘着層１との積層体６１を得る。第１粘着層１の成膜は、前述した第１樹脂組成物を含む樹脂ワニスを各種塗布法等により塗布し、その後塗布膜を乾燥させる方法や、第１樹脂組成物からなるフィルムをラミネートする方法等により行うことができる。また、紫外線等の放射線を照射することにより、塗布膜を硬化させるようにしてもよい。
【００９８】
上記塗布法としては、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。
【００９９】
また、積層体６１と同様にして、図４（ａ）に示すように、用意した基材４ｂの一方の面上に接着層３を成膜し、これにより、基材４ｂと接着層３との積層体６２を得る。
【０１００】
さらに、各積層体６１、６２と同様にして、図４（ａ）に示すように、用意した支持フィルム４の一方の面上に第２粘着層２を成膜し、これにより、支持フィルム４と第２粘着層２との積層体６３を得る。
【０１０１】
次いで、図４（ｂ）に示すように、第１粘着層１と接着層３とが接するように積層体６１と積層体６２とを積層し、積層体６４を得る。この積層は、例えばロールラミネート法等により行うことができる。
【０１０２】
次いで、図４（ｃ）に示すように、積層体６４から基材４ａを剥離する。そして、図４（ｄ）に示すように、前記基材４ａを剥離した積層体６４に対して、基材４ｂを残して、前記接着層３および前記第１粘着層１の有効領域の外側部分をリング状に除去する。ここで、有効領域とは、その外周が、半導体ウエハー７の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング９の内径よりも小さい領域を指す。
【０１０３】
次いで、図４（ｅ）に示すように、第１粘着層１の露出面に第２粘着層２が接するように、基材４ａを剥離し有効領域の外側部分をリング状に除去した積層体６４と積層体６３を積層する。その後、基材４ｂを剥離することにより、図４（ｆ）に示す半導体用フィルム１０が得られる。なお、必要に応じて、図１に示すように保護フィルム１１を接着層３側に貼着することができ、基材４ｂをそのまま保護フィルム１１として残すこともできる。
【０１０４】
［半導体装置の製造方法］
次に、上述したような半導体用フィルム１０を用いて半導体装置１００を製造する方法（本発明の半導体装置の製造方法）について説明する。
【０１０５】
図２および図３に示す半導体装置の製造方法は、半導体ウエハー７と半導体用フィルム１０とを積層し、積層体８を得る第１の工程と、半導体用フィルム１０の外周部２１をウエハーリング９に貼り付けた状態で、半導体ウエハー７側から積層体８に切り込み８１を設ける（ダイシングする）ことにより、半導体ウエハー７および接着層３を個片化し、半導体素子７１および接着層３１からなる複数の個片８３を得る第２の工程と、個片８３の少なくとも１つをピックアップする第３の工程と、ピックアップされた個片８３を絶縁基板５上に載置し、半導体装置１００を得る第４の工程と、を有する。以下、各工程について順次詳述する。
【０１０６】
［１］
［１−１］まず、半導体ウエハー７および保護フィルム１１を剥がした状態の半導体用フィルム１０を用意する。
【０１０７】
半導体ウエハー７は、あらかじめ、その表面に複数個分の回路が形成されたものである。かかる半導体ウエハー７としては、シリコンウエハーの他、ガリウムヒ素、窒化ガリウムのような化合物半導体ウエハー等が挙げられる。
【０１０８】
このような半導体ウエハー７の平均厚さは、特に限定されず、好ましくは０．０１〜１ｍｍ程度、より好ましくは０．０３〜０．５ｍｍ程度とされる。本発明の半導体装置の製造方法によれば、このような厚さの半導体ウエハー７に対して欠けや割れ等の不具合を生じさせることなく、簡単かつ確実に切断して個片化することができる。
【０１０９】
［１−２］次に、図２（ａ）に示すように、上述したような半導体用フィルム１０の接着層３と、半導体ウエハー７とを密着させつつ、半導体用フィルム１０と半導体ウエハー７とを積層する（第１の工程）。なお、図２に示す半導体用フィルム１０では、接着層３の平面視における大きさおよび形状が、半導体ウエハー７の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング９の内径よりも小さい形状に、あらかじめ設定されている。このため、半導体ウエハー７の下面全体が接着層３の上面全体と密着し、これにより半導体ウエハー７が半導体用フィルム１０で支持されることとなる。
【０１１０】
上記積層の結果、図２（ｂ）に示すように、半導体用フィルム１０と半導体ウエハー７とが積層されてなる積層体８が得られる。
【０１１１】
［２］
［２−１］次に、ウエハーリング９を用意する。続いて、第２粘着層２の外周部２１の上面とウエハーリング９の下面とが密着するように、積層体８とウエハーリング９とを積層する。これにより、積層体８の外周部がウエハーリング９により支持される。
【０１１２】
ウエハーリング９は、一般にステンレス鋼、アルミニウム等の各種金属材料等で構成されるため、剛性が高く、積層体８の変形を確実に防止することができる。
【０１１３】
半導体用フィルム１０が上述したように粘着性の異なる２層の粘着層（第１粘着層１および第２粘着層２）を有していることにより、これらの粘着性の違いを利用して、ダイシング性とピックアップ性の両立を図ることができる。
【０１１４】
［２−２］次に、図示しないダイサーテーブルを用意し、ダイサーテーブルと支持フィルム４とが接触するように、ダイサーテーブル上に積層体８を載置する。
【０１１５】
続いて、図２（ｃ）に示すように、ダイシングブレード８２を用いて積層体８に複数の切り込み８１を形成する（ダイシング）。ダイシングブレード８２は、円盤状のダイヤモンドブレード等で構成されており、これを回転させつつ積層体８の半導体ウエハー７側の面に押し当てることで切り込み８１が形成される。そして、半導体ウエハー７に形成された回路パターン同士の間隙に沿って、ダイシングブレード８２を相対的に移動させることにより、半導体ウエハー７が複数の半導体素子７１に個片化される（第２の工程）。また、接着層３も同様に、複数の接着層３１に個片化される。このようなダイシングの際には、半導体ウエハー７に振動や衝撃が加わるが、半導体ウエハー７の下面が半導体用フィルム１０で支持されているため、上記の振動や衝撃が緩和されることとなる。その結果、半導体ウエハー７における割れや欠け等の不具合の発生を確実に防止することができる。
なお、本工程については、後に詳述する。
【０１１６】
［３］
［３−１］次に、複数の切り込み８１が形成された積層体８を、図示しないエキスパンド装置により、放射状に引き伸ばす（エキスパンド）。これにより、図２（ｄ）に示すように、積層体８に形成された切り込み８１の幅が広がり、それに伴って個片化された半導体素子７１同士の間隔も拡大する。その結果、半導体素子７１同士が干渉し合うおそれがなくなり、個々の半導体素子７１をピックアップし易くなる。なお、エキスパンド装置は、このようなエキスパンド状態を後述する工程においても維持し得るよう構成されている。
【０１１７】
［３−２］次に、図示しないダイボンダにより、個片化された半導体素子７１のうちの１つを、ダイボンダのコレット（チップ吸着部）で吸着するとともに上方に引き上げる。その結果、図３（ｅ）に示すように、接着層３１と第１粘着層１との界面が選択的に剥離し、半導体素子７１と接着層３１とが積層されてなる個片８３がピックアップされる（第３の工程）。
【０１１８】
なお、接着層３１と第１粘着層１との界面が選択的に剥離する理由は、前述したように、第２粘着層２の粘着性が第１粘着層１の粘着性より高いため、支持フィルム４と第２粘着層２との界面の密着力、および、第２粘着層２の第１粘着層１との界面の密着力は、第１粘着層１と接着層３との密着力より大きいからである。すなわち、半導体素子７１を上方にピックアップした場合、これらの３箇所のうち、最も密着力の小さい第１粘着層１と接着層３との界面が選択的に剥離することとなる。
【０１１９】
また、個片８３をピックアップする際には、半導体用フィルム１０の下方から、ピックアップすべき個片８３を選択的に突き上げるようにしてもよい。これにより、積層体８から個片８３が突き上げられるため、前述した個片８３のピックアップをより容易に行うことができるようになる。なお、個片８３の突き上げには、半導体用フィルム１０を下方から突き上げる針状体（ニードル）等が用いられる。
【０１２０】
［４］
［４−１］次に、半導体素子７１（チップ）を搭載（マウント）するための絶縁基板５を用意する。
【０１２１】
この絶縁基板５としては、半導体素子７１を搭載し、半導体素子７１と外部とを電気的に接続するための配線や端子等を備えた絶縁性を有する基板が挙げられる。
【０１２２】
具体的には、ポリエステル銅張フィルム基板、ポリイミド銅張フィルム基板、アラミド銅張フィルム基板等の可撓性基板や、ガラス布・エポキシ銅張積層板等のガラス基材銅張積層板、ガラス不織布・エポキシ銅張積層板等のコンポジット銅張積層板、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板等の耐熱・熱可塑性基板といった硬質性基板の他、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板等のセラミックス基板、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）基板などが挙げられる。
なお、絶縁基板５に代えて、リードフレーム等を用いるようにしてもよい。
【０１２３】
次いで、図３（ｆ）に示すように、ピックアップされた個片８３を、絶縁基板５上に載置する。
【０１２４】
［４−２］次に、図３（ｇ）に示すように、絶縁基板５上に載置された個片８３を加熱・圧着する。これにより、接着層３１を介して半導体素子７１と絶縁基板５とが接着（ダイボンディング）される（第４の工程）。
【０１２５】
加熱・圧着の条件としては、例えば加熱温度は１００〜３００℃程度であるのが好ましく、１００〜２００℃程度であるのがより好ましい。また、圧着時間は１〜１０秒程度であるのが好ましく、１〜５秒程度であるのがより好ましい。
【０１２６】
また、その後に加熱処理を施してもよい。この場合の加熱条件は、加熱温度が好ましくは１００〜３００℃程度、より好ましくは１５０〜２５０℃程度とされ、加熱時間が好ましくは１〜２４０分程度、より好ましくは１０〜６０分程度とされる。
【０１２７】
その後、半導体素子７１の端子（図示せず）と絶縁基板５上の端子（図示せず）とをワイヤ８４により電気的に接続する。なお、この接続には、ワイヤ８４に代えて、導電性ペースト、導電性フィルム等を用いるようにしてもよい。
【０１２８】
そして、絶縁基板５上に載置された個片８３およびワイヤ８４を樹脂材料で被覆し、モールド層８５を形成する。このモールド層８５を構成する樹脂材料としては、エポキシ系樹脂等の各種モールド樹脂が挙げられる。
【０１２９】
さらに、絶縁基板５の下面に設けられた端子（図示せず）にボール状電極８６を接合することにより、半導体素子７１をパッケージ内に収納してなる図３（ｈ）に示すような半導体装置１００が得られる。
【０１３０】
以上のような方法によれば、第３の工程において、半導体素子７１に接着層３１が付着した状態、すなわち個片８３の状態でピックアップされることから、第４の工程において、この接着層３１をそのまま絶縁基板５との接着に利用することができる。このため、別途接着剤等を用意する必要がなく、半導体装置１００の製造効率をより高めることができる。
【０１３１】
以上のような半導体用フィルム１０によれば、ダイボンダのコレットの温度が上昇し、それに伴って積層体８の温度が上昇したとしても、ピックアップ性が低下するのを防止することができる。
【０１３２】
ところで、上述したような半導体用フィルム１０を用いて半導体ウエハー７をダイシングする工程を有する本発明の半導体装置の製造方法は、特に第２の工程に特徴を有する。
【０１３３】
まず、この特徴の説明に先立って、従来のダイシング工程について説明する。
従来のダイシング工程は、ダイシングブレードの先端が半導体ウエハー、接着層および各粘着層をそれぞれ貫通し、支持フィルムに到達するように行われていた。
【０１３４】
ところが、ダイシングブレードの先端が支持フィルムに到達した結果、支持フィルムが削られることとなり、その削り屑が発生する。そして、この削り屑は、支持フィルム周辺に留まることなく、各粘着層の周辺、接着層の周辺および半導体ウエハーの周辺に移動して、種々の不具合をもたらすこととなる。具体的には、半導体素子のピックアップの際に引っ掛かりを生じたり、後述する第４の工程において絶縁基板と半導体素子との間に削り屑が侵入したり、半導体ウエハーに形成された回路に削り屑が付着し、ワイヤボンディングに支障を来す等の不具合が挙げられる。
【０１３５】
これに対し、本実施形態では、第２の工程において、ダイシングブレード８２の先端が粘着層内に留まるように、削り深さを設定する。換言すれば、切り込み８１の先端が支持フィルム４に到達することなく、第１粘着層１内に留まるようにダイシングを行う。このようにすれば、支持フィルム４の削り屑は発生し得ないため、上述したような削り屑に伴う問題が確実に解消されることとなる。すなわち、半導体素子７１をピックアップする際には、引っ掛かり等の発生が防止され、ピックアップした半導体素子７１を絶縁基板５にマウントする際には、異物の侵入およびワイヤボンディング不良の発生が防止される。その結果、半導体装置１００の製造歩留まりが向上するとともに、信頼性の高い半導体装置１００を得ることができる。
【０１３６】
また、特に、切り込み８１の先端が第１粘着層１内に位置するようにダイシングを行うことにより、第２粘着層２の成分が切り込み８１を介して、接着層３の周辺や半導体ウエハー７の周辺に染み出すことが防止される。その結果、染み出した物質が不本意にも接着層３と第１粘着層１との間の密着力を高めてしまうのを防止して、個片８３のピックアップを阻害する不具合を防止することができる。さらには、染み出した物質が半導体素子７１の変質・劣化を引き起こすのを防止することができる。
【０１３７】
このような成分の染み出しは、第２粘着層２の粘着性が第１粘着層１の粘着性よりも強いことから、必然的に、第２粘着層２は第１粘着層１よりも柔軟性が高いと考えられ、したがって第２粘着層２に含まれる物質は流動性や流出性が第１粘着層１よりも高いということに起因する現象であると考えられる。すなわち、本実施形態のように、粘着層が複数層で構成されており、接着層３側の粘着層（図１では第１粘着層１）よりも支持フィルム４側の粘着層（図１では第２粘着層２）の粘着性が強い場合には、図１（ｃ）に示すように切り込み８１の先端を第１粘着層１内に留めることが、上記不具合を防止するにあたって特に有効である。
【０１３８】
なお、上記の観点から、第２粘着層２の２３℃における弾性率は、第１粘着層１の２３℃における弾性率より小さいのが好ましい。これにより、第２粘着層２は、第１粘着層１に比べて確実に粘着性が高いものとなる一方、第１粘着層１は、ピックアップ性に優れたものとなる。
【０１３９】
また、第１粘着層１の２３℃における弾性率は、０．２〜４．０ＧＰａ程度であるのが好ましく、０．５〜２．０ＧＰａ程度であるのがより好ましい。このような弾性率の第１粘着層１は、粘着性が適度に抑えられる一方、成分の流動性や流出性を比較的抑えられることから、この第１粘着層１に切り込み８１が形成されたとしても、ピックアップ性の向上と、第１粘着層１からの物質の染み出しによる不具合の防止とを両立させることができる。なお、弾性率は一般的な引張り試験等で測定することができる。
【０１４０】
また、第２粘着層２の６０℃での溶融粘度は、１０００〜１００００Ｐａ・ｓ程度であるのが好ましく、３０００〜１００００Ｐａ・ｓ程度であるのがより好ましい。このような溶融粘度の第２粘着層２は、十分な粘着性を有する一方、成分の流動性や流出性を比較的抑えられることから、ダイシング性（ダイシングにおける積層体８とウエハーリング９との固定性）の向上と、物質の染み出しによる不具合の防止とを両立させることができる。溶融粘度は一般的なずり測定試験等で測定することができる。
【０１４１】
また、上記のような観点から、１本の切り込み８１のうち、接着層３と第１粘着層１との界面より先端側の部分の横断面積は、ダイシングブレード８２の厚さや各粘着層１、２の厚さに応じて異なるものの、５〜３００（×１０−５ｍｍ２）程度であるのが好ましく、１０〜２００（×１０−５ｍｍ２）程度であるのがより好ましい。切り込み８１のうち、接着層３と第１粘着層１との界面より先端側の部分の横断面積を前記範囲内に設定することにより、接着層３を確実に個片化するとともに、第１粘着層１に対する切り込み部分の横断面積を最小限に抑えることができる。その結果、個片８３の確実なピックアップと、第１粘着層１からの成分の染み出しの抑制とを高度に両立することができる。
【０１４２】
また、第１粘着層１の膜厚をｔとしたとき、切り込み８１のうちの第１粘着層１内に位置する部分の深さは、０．２ｔ〜０．８ｔであるのが好ましく、０．３ｔ〜０．７ｔであるのがより好ましい。これにより、個片８３の確実なピックアップと、第１粘着層１からの成分の染み出しの抑制とを、より高度に両立させることができる。
【０１４３】
以上のように、切り込み８１の先端を第１粘着層１内に留めたり、そうでなくても切り込み８１のうちの接着層３と第１粘着層１との界面より先端側の部分の横断面積を前記範囲内としたりした場合には、第１粘着層１や第２粘着層２からの成分の染み出しが最小限に抑えられることから、この成分の染み出しが第１粘着層１と接着層３との密着力に及ぼす影響も最小限に抑えられることとなる。その結果、この密着力が意図せず高まってしまい、個片８３のピックアップ性が阻害されるのを防止することができる。
【０１４４】
また、本実施形態では、切り込み８１の先端を第１粘着層１内に留めることにより、半導体ウエハー７および接着層３は確実に個片化される一方、第１粘着層１および第２粘着層２は個片化されない。したがって、第３の工程において、個片８３をピックアップする際に、第１粘着層１や第２粘着層２が支持フィルム４側に残すべきところ、不本意にも個片８３側に貼り付いた状態でピックアップされてしまうのを防止することができる。これは、第１粘着層１および第２粘着層２を個片化しなかったことで、これらの面方向の繋がりが維持されるため、第１粘着層１と第２粘着層２との密着力、および、第２粘着層２と支持フィルム４との密着力の低下が防止されるためである。すなわち、第１粘着層１と第２粘着層２との密着力、および、第２粘着層２と支持フィルム４との密着力が、ピックアップにおける上方への引っ張り力に対して十分な抗力を有するためである。
【０１４５】
以上、本発明の半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１４６】
例えば、パッケージの形態は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＬＧＡ（Land Grid Array）等のＣＳＰ（Chip Size Package）、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）のような表面実装型のパッケージ、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＰＧＡ（Pin Grid Array）のような挿入型のパッケージ等であってもよく、特に限定されない。
【０１４７】
また、前述した実施形態では、絶縁基板５上に個片８３をマウントする場合について説明したが、この個片８３は、別の半導体素子上にマウントするようにしてもよい。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子を積層してなるチップスタック型の半導体装置を製造する場合にも適用することができる。これにより、ピックアップ不良のおそれや半導体素子間に削り屑等が侵入するおそれがなくなり、信頼性の高いチップスタック型の半導体装置を高い製造歩留まりで製造することができる。
【０１４８】
また、前述した実施形態では、粘着層が２層の構成のものについて説明したが、これに限定されず、３層以上であってもよい。
【０１４９】
また、本発明の半導体装置の製造方法では、必要に応じて、任意の工程を追加することもできる。
【実施例】
【０１５０】
以下、本発明の具体的実施例について説明する。
１．半導体装置の製造
（実施例１）
＜１＞第１粘着層の形成
アクリル系粘着剤としての、アクリル酸−２−エチルヘキシル３０質量％と酢酸ビニル７０質量％とを共重合して得られた重量平均分子量３００，０００の共重合体１００質量部と、分子量が１１０００の２官能ウレタンアクリレート６０質量部と、光重合開始剤としての、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン５質量部と、架橋剤としての、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３質量部とを酢酸エチルとトルエンの混合溶媒に溶解して、樹脂固形分３０質量％の樹脂ワニスを得た。
【０１５１】
次に、得られた樹脂ワニスを剥離処理した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに対して、乾燥後の厚さが３０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、得られた塗布膜に対して紫外線５００ｍＪ／ｃｍ２を照射し、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に第１粘着層を成膜した。
なお、得られた第１粘着層の２３℃における弾性率は１．０ＧＰａであった。
【０１５２】
＜２＞第２粘着層の形成
アクリル系粘着剤としての、アクリル酸ブチル７０質量％とアクリル酸２−エチルヘキシル３０質量％とを共重合して得られた重量平均分子量５００，０００の共重合体１００質量部と、架橋剤としての、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３質量部とを酢酸エチルとトルエンの混合溶媒に溶解して、樹脂固形分３０質量％の樹脂ワニスを得た。
【０１５３】
次に、得られた樹脂ワニスを剥離処理した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに対して、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に第２粘着層を成膜した。その後、支持フィルムとして厚さ１００μｍのポリエチレンシートをラミネートした。
なお、得られた第２粘着層の６０℃における溶融粘度は、３５００Ｐａ・ｓであった。
【０１５４】
＜３＞接着層の形成
（メタ）アクリル酸エステル共重合体としての、アクリル酸エステル共重合体（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−アクリル酸−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）／トルエン溶解品、ナガセケムテックス株式会社製、ＳＧ−７０８−６、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）の固形成分として１００質量部と、フェノキシ樹脂（ＪＥＲ１２５６、Ｍｗ：５００００、三菱化学株式会社製）９．８質量部と、無機充填剤（フィラー）としての球状シリカ（ＳＣ１０５０、平均粒径０．３μｍ、株式会社アドマテックス製）９０．８質量部と、カップリング剤としてのγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３Ｅ、信越化学工業株式会社製）１．１質量部と、フェノール樹脂（ＰＲ−５３６４７、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト株式会社製）０．１質量部とを、メチルエチルケトンに溶解して、樹脂固形分２０質量％の樹脂ワニスを得た。
【０１５５】
次に、得られた樹脂ワニスを、コンマコーターによりポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、品番ピューレックスＡ４３、厚さ３８μｍ）に塗布した後、１５０℃、３分間乾燥して、ポリエチレンテレフタレートフィルム上に厚さ２５μｍの接着層を成膜した。
【０１５６】
＜４＞半導体用フィルムの製造
第１粘着層を成膜したフィルムと、接着層を成膜したフィルムとを、第１粘着層と接着層とが接するようにラミネート（積層）し、第１粘着層側のポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離して、積層体を得た。
【０１５７】
次にロール状の金型を用いて、第１粘着層と接着層を半導体ウエハーの外径よりも大きく、かつウエハーリングの内径よりも小さく打ち抜き、その後不要部分を除去して、第２積層体を得た。
【０１５８】
さらに第２粘着層の一方の面側にあるポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離する。そして前記第２積層体の第１粘着層と第２粘着層とが接するように、これらを積層した。これにより、ポリエチレンシート（支持フィルム）、第２粘着層、第１粘着層、接着層およびポリエチレンテレフタレートフィルム（保護フィルム）の５層がこの順で積層してなる半導体用フィルムを得た。
【０１５９】
（実施例２）
接着層および粘着層を構成する樹脂組成物として表１に示す構成のものを用いた以外は、前記実施例１と同様にして半導体用フィルムを作製した。
【０１６０】
（比較例）
接着層および粘着層を構成する樹脂組成物として表１に示す構成のものを用いた以外は、前記実施例１と同様にして半導体用フィルムを作製した。
【０１６１】
以上の各実施例および比較例における、各層を構成する樹脂組成物の組成、第１粘着層の２３℃における弾性率、および第２粘着層の６０℃における溶融粘度を表１に、各層間の密着力等を表２に示した。なお、表中、接着層３と第１粘着層１との間の２３℃における密着力をＡ１、第１粘着層１と第２粘着層２との間の２３℃における密着力をＡ２、接着層３と第１粘着層１との間の８０℃における密着力をＢ１、第１粘着層１と第２粘着層２との間の８０℃における密着力をＢ２、接着層３と保護フィルム１１との間の２３℃における密着力をＡ３、第２粘着層２と保護フィルム１１との間の２３℃における密着力をＡ４と示した。また、保護フィルム１１と接着層３との接触面積をＳ３、第２粘着層２と保護フィルム１１との接触面積をＳ４と示した。
【０１６２】
【表１】
【０１６３】
【表２】
【０１６４】
２．半導体装置の製造
まず、厚さ１００μｍ、８インチのシリコンウエハーを用意した。
【０１６５】
そして、各実施例および比較例の半導体用フィルムからポリエステルフィルムを剥離し、その剥離面にシリコンウエハーを６０℃で積層した。これにより、半導体用フィルムおよびシリコンウエハーの５層がこの順で積層してなる積層体を得た。
【０１６６】
次いで、この積層体をシリコンウエハー側から、ダイシングソー（ＤＦＤ６３６０、（株）ディスコ製）を用いて以下の条件でダイシング（切断）した。これにより、シリコンウエハーが個片化され、以下のダイシングサイズの半導体素子を得た。
【０１６７】
＜ダイシング条件＞
・ダイシングサイズ ：１０ｍｍ×１０ｍｍ角
・ダイシング速度 ：５０ｍｍ／ｓｅｃ
・スピンドル回転数 ：４０，０００ｒｐｍ
・ダイシング最大深さ ：０．１３０ｍｍ（シリコンウエハーの表面からの切り込み量）
・ダイシングブレードの厚さ：１５μｍ
・切り込みの横断面積 ：７．５×１０−５ｍｍ２（接着層と第１粘着層との界面より先端側の部分の横断面積）
【０１６８】
なお、このダイシングにより形成された切り込みは、その先端が第１粘着層内に達していた。
【０１６９】
次いで、半導体素子の１つを半導体用フィルムの裏面からニードルで突き上げ、突き上げた半導体素子の表面をダイボンダのコレットで吸着しつつ上方に引き上げた。これにより、半導体素子と接着層の個片をピックアップした。
【０１７０】
次に、ピックアップした個片を、ソルダーレジスト（太陽インキ製造（株）製、商品名：ＡＵＳ３０８）をコーティングしたビスマレイミド−トリアジン樹脂基板（回路段差５〜１０μｍ）に、温度１３０℃、荷重５Ｎで、１．０秒間圧着して、ダイボンディングした。
次いで、半導体素子と樹脂基板とをワイヤボンディングにより電気的に接続した。
【０１７１】
そして、樹脂基板上の半導体素子およびボンディングワイヤを、封止樹脂ＥＭＥ−Ｇ７６０（住友ベークライト（株）製、商品名）で封止し、温度１７５℃で２時間の熱処理に供した。これにより、封止樹脂を硬化させて半導体装置を得た。
【０１７２】
３．ダイシング性およびピックアップ性の評価
各実施例および比較例におけるダイシング性はいずれも良好であった。また、ダイシングの際には、半導体素子の欠けや剥離等が生じることはなかった。
【０１７３】
また、各実施例では、いずれも安定的にピックアップを行い得ることがわかった。このため、各実施例では、半導体素子の割れや欠け等の不具合を確実に抑制し得ることが明らかとなった。
一方、比較例ではピックアップにおいて満足な結果が得られなかった。
【符号の説明】
【０１７４】
１ 第１粘着層
１２ 外周縁
２ 第２粘着層
２１ 外周部
３、３１ 接着層
４ 支持フィルム
４１ 外周部
４ａ、４ｂ 基材
５ 絶縁基板
６１〜６４ 積層体
７ 半導体ウエハー
７１ 半導体素子
８ 積層体
８１ 切り込み
８２ ダイシングブレード
８３ 個片
８４ ワイヤ
８５ モールド層
８６ ボール状電極
９ ウエハーリング
１０ 半導体用フィルム
１１ 保護フィルム
１００ 半導体装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着層と粘着層と支持フィルムとがこの順で積層されてなり、前記接着層の前記粘着層と反対側の面に半導体ウエハーを積層させ、この状態で該半導体ウエハーおよび前記接着層を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片を前記支持フィルムからピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、
前記粘着層は、前記接着層と接する第１粘着層と、当該第１粘着層の前記接着層とは反対の面上に設けられた第２粘着層とを有し、
前記接着層と前記第１粘着層との間の２３℃における密着力をＡ１［Ｎ／ｍ］、前記第１粘着層と前記第２粘着層との間の２３℃における密着力をＡ２［Ｎ／ｍ］としたとき、Ａ１≦０．１×Ａ２の関係を満足し、
前記接着層と前記第１粘着層との間の８０℃における密着力をＢ１［Ｎ／ｍ］、前記第１粘着層と前記第２粘着層との間の８０℃における密着力をＢ２［Ｎ／ｍ］としたとき、Ｂ１≦０．２×Ｂ２の関係を満足することを特徴とする半導体用フィルム。
【請求項２】
前記接着層の前記粘着層側とは反対側の面上に保護フィルムを有し、
前記接着層の外周縁および前記第１粘着層の外周縁は、それぞれ、前記第２粘着層の外周縁および前記保護フィルムの外周縁よりも内側に位置しており、
前記第２粘着層と前記保護フィルムとは、外周部において接しており、
前記接着層と前記保護フィルムとの間の２３℃における密着力をＡ３［Ｎ／ｍ］、前記第２粘着層と前記保護フィルムとの間の２３℃における密着力をＡ４［Ｎ／ｍ］、前記接着層と前記保護フィルムとの接触面積をＳ３［ｍｍ２］、前記第２粘着層と前記保護フィルムとの接触面積をＳ４［ｍｍ２］としたとき、０．１≦Ａ３／Ａ４≦１．０かつ、１．０≦Ｓ３／Ｓ４≦１０．０の関係を満足する請求項１に記載の半導体用フィルム。
【請求項３】
前記接着層と前記第１粘着層との間の２３℃における密着力をＡ１［Ｎ／ｍ］、前記接着層と前記保護フィルムとの間の２３℃における密着力をＡ３［Ｎ／ｍ］としたとき、Ａ３≦１．０×Ａ１の関係を満足する請求項２に記載の半導体用フィルム。
【請求項４】
前記接着層は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含む樹脂組成物で構成される請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【請求項５】
前記熱可塑性樹脂は、アクリル系樹脂および／またはフェノキシ樹脂である請求項４に記載の半導体用フィルム。
【請求項６】
前記熱硬化性樹脂は、フェノール樹脂である請求項４または５に記載の半導体用フィルム。
【請求項７】
前記第２粘着層の粘着力は、前記第１粘着層の粘着力よりも大きい請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【請求項８】
前記第１粘着層の２３℃における弾性率は、０．２〜４．０ＧＰａである請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【請求項９】
前記第１粘着層の前記接着層側の面の前記半導体ウエハーを積層させる領域に、前記半導体ウエハーとの積層に先立ってあらかじめ紫外線が照射されている請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体用フィルムの前記接着層と半導体ウエハーとが接するように、前記半導体用フィルムと半導体ウエハーとを積層してなる積層体を用意する第１の工程と、
前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを設けることにより、前記半導体ウエハーを個片化し、複数の半導体素子を得る第２の工程と、
前記半導体素子をピックアップする第３の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記切り込みは、その最深部が、前記粘着層内に位置するように設けられる請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
１本の前記切り込みにおいて、前記接着層と前記粘着層との界面より先端側の部分の横断面積は、５×１０−５〜３００×１０−５ｍｍ２である請求項１０または１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】
接着層と粘着層と支持フィルムとがこの順で積層されてなり、前記接着層の前記粘着層と反対側の面に半導体ウエハーを積層させ、この状態で該半導体ウエハーおよび前記接着層を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片を前記支持フィルムからピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、
前記粘着層は、前記接着層と接する第１粘着層と、当該第１粘着層の前記接着層とは反対の面上に設けられた第２粘着層とを有し、
前記接着層と前記第１粘着層との間の２３℃における密着力をＡ１［Ｎ／ｍ］、前記第１粘着層と前記第２粘着層との間の２３℃における密着力をＡ２［Ｎ／ｍ］としたとき、Ａ１≦０．１×Ａ２の関係を満足し、
前記接着層と前記第１粘着層との間の８０℃における密着力をＢ１［Ｎ／ｍ］、前記第１粘着層と前記第２粘着層との間の８０℃における密着力をＢ２［Ｎ／ｍ］としたとき、Ｂ１≦０．２×Ｂ２の関係を満足することを特徴とする半導体用フィルム。
【請求項２】
前記接着層の前記粘着層側とは反対側の面上に保護フィルムを有し、
前記接着層の外周縁および前記第１粘着層の外周縁は、それぞれ、前記第２粘着層の外周縁および前記保護フィルムの外周縁よりも内側に位置しており、
前記第２粘着層と前記保護フィルムとは、外周部において接しており、
前記接着層と前記保護フィルムとの間の２３℃における密着力をＡ３［Ｎ／ｍ］、前記第２粘着層と前記保護フィルムとの間の２３℃における密着力をＡ４［Ｎ／ｍ］、前記接着層と前記保護フィルムとの接触面積をＳ３［ｍｍ２］、前記第２粘着層と前記保護フィルムとの接触面積をＳ４［ｍｍ２］としたとき、０．１≦Ａ３／Ａ４≦１．０かつ、１．０≦Ｓ３／Ｓ４≦１０．０の関係を満足する請求項１に記載の半導体用フィルム。
【請求項３】
前記接着層と前記第１粘着層との間の２３℃における密着力をＡ１［Ｎ／ｍ］、前記接着層と前記保護フィルムとの間の２３℃における密着力をＡ３［Ｎ／ｍ］としたとき、Ａ３≦１．０×Ａ１の関係を満足する請求項２に記載の半導体用フィルム。
【請求項４】
前記接着層は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含む樹脂組成物で構成される請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【請求項５】
前記熱可塑性樹脂は、アクリル系樹脂および／またはフェノキシ樹脂である請求項４に記載の半導体用フィルム。
【請求項６】
前記熱硬化性樹脂は、フェノール樹脂である請求項４または５に記載の半導体用フィルム。
【請求項７】
前記第２粘着層の粘着力は、前記第１粘着層の粘着力よりも大きい請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【請求項８】
前記第１粘着層の２３℃における弾性率は、０．２〜４．０ＧＰａである請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【請求項９】
前記第１粘着層の前記接着層側の面の前記半導体ウエハーを積層させる領域に、前記半導体ウエハーとの積層に先立ってあらかじめ紫外線が照射されている請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体用フィルム。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体用フィルムの前記接着層と半導体ウエハーとが接するように、前記半導体用フィルムと半導体ウエハーとを積層してなる積層体を用意する第１の工程と、
前記半導体ウエハー側から前記積層体に切り込みを設けることにより、前記半導体ウエハーを個片化し、複数の半導体素子を得る第２の工程と、
前記半導体素子をピックアップする第３の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記切り込みは、その最深部が、前記粘着層内に位置するように設けられる請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
１本の前記切り込みにおいて、前記接着層と前記粘着層との界面より先端側の部分の横断面積は、５×１０−５〜３００×１０−５ｍｍ２である請求項１０または１１に記載の半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１２−３９０２５（Ｐ２０１２−３９０２５Ａ）
【公開日】平成２４年２月２３日（２０１２．２．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１８００５７（Ｐ２０１０−１８００５７）
【出願日】平成２２年８月１１日（２０１０．８．１１）
【出願人】（０００００２１４１）住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年２月２３日（２０１２．２．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月１１日（２０１０．８．１１）
【出願人】（０００００２１４１）住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Ｆターム（参考）】
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