基板処理装置及び基板処理方法
【課題】 処理液の流れ方向を常に変化させることにより、被処理基板の処理効率を上げて基板表面の均一化を可能にした基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】 複数枚の被処理基板Ｗを収容できる処理槽２と、処理槽の底部に配設された複数本の処理液供給管３１〜３５と、この処理液供給管に処理液を供給する制御装置５とを備えた基板処理装置１において、処理液供給管３１〜３５のうち、第１処理液供給管３１は処理槽の底壁面２２の中央部に、第２処理液供給管３２、３３は第１処理液供給管の両側に、噴射ノズルを前記処理槽内に収容される被処理基板Ｗの中央部に向けて配設し、第３処理液供給管３４、３５は前記処理槽の側壁に噴射ノズルを被処理基板Ｗの頂部に向けて配設し、制御装置５は被処理基板Ｗの洗浄時に処理液を前記第１処理液供給管３１からは常時、前記第２、第３処理液供給管からは秒単位の間隔で交互に切換えて供給する。
【解決手段】 複数枚の被処理基板Ｗを収容できる処理槽２と、処理槽の底部に配設された複数本の処理液供給管３１〜３５と、この処理液供給管に処理液を供給する制御装置５とを備えた基板処理装置１において、処理液供給管３１〜３５のうち、第１処理液供給管３１は処理槽の底壁面２２の中央部に、第２処理液供給管３２、３３は第１処理液供給管の両側に、噴射ノズルを前記処理槽内に収容される被処理基板Ｗの中央部に向けて配設し、第３処理液供給管３４、３５は前記処理槽の側壁に噴射ノズルを被処理基板Ｗの頂部に向けて配設し、制御装置５は被処理基板Ｗの洗浄時に処理液を前記第１処理液供給管３１からは常時、前記第２、第３処理液供給管からは秒単位の間隔で交互に切換えて供給する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハ、液晶表示パネル、光ディスク等の各種基板の表面を処理する基板処理装置及び基板処理方法に係り、特に、純水による水洗い洗浄時の被処理基板の処理効率を上げると共に、基板表面の均一化を可能にした基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハ、液晶表示パネル、光ディスク等の各種基板は、その表面を清浄及び均一にするために、各種の薬液による薬液処理、純水による水洗い処理及び有機溶剤を用いた乾燥処理が各種の基板処理装置を使用して行われている。
この種の基板処理装置には、フッ酸、オゾン水等の薬液及び純水（以下、薬液及び純水を総称して処理液という）等の各種処理液を貯留した複数個の処理槽を併設してこれらの処理槽に被処理基板を順次浸漬して一連の表面処理を行うようにしたいわゆる多槽式処理装置、或いは一つの処理槽でこの一つの処理槽に異なる種類の処理液を順次入れ換え供給して一連の表面処理を行うようにしたいわゆる単槽式処理装置がある。
これらの基板処理装置は、何れも被処理基板を一つの薬液による処理が終了した後、次の薬液処理を行う前に、被処理基板に付着している薬液を純水により洗い落とす水洗処理を行っている。
【０００３】
図８は、公知の基板処理装置２００に使用されている処理槽の１例を示す断面図である。
この処理槽２０１は、底部に５本の処理液供給管３０１〜３０５が配設されている。これらの供給管は、何れも複数個の噴射ノズルを備え、これらの供給管のうち３本の供給管３０１〜３０３は、その噴射ノズルが被処理基板Ｗの中心部に向くようにして底面２０３に取付けられ、残り２本の供給管３０４、３０５は、その噴射ノズルが被処理基板Ｗの頂部に向くようにして傾斜面２０３ａ'、２０３ｂ'に取付けられている。また、各処理液供給管３０１〜３０５は、それぞれバルブ５１を介して１本の配管Ｌにより純水供給源４０に接続されている。
そして、バルブ５１は制御装置５０に接続され、この制御装置５０により各バルブの開閉制御が行われ、純水供給源４０から純水を各供給管３０１〜３０５へ同時に供給して被処理基板Ｗの表面処理を行うようになっている。
この基板処理装置を使用すると、供給された純水は、槽内において、一定方向の水流が形成され、この水流によって被処理基板の表面が洗浄される。
【０００４】
また、複数本の処理液供給管のうち、数本を順次選択・切換えて処理液を供給することにより被処理基板の表面処理を行うようにした基板処理装置も知られている（例えば、下記特許文献１、２参照）。
【０００５】
図９は、下記特許文献１に記載された基板処理装置の処理槽を示す断面図である。
この処理槽１００は、底部に６本の処理液供給管１０１〜１０６が配設され、これらの供給管のうち、２本の処理液供給管１０３、１０４は、その噴射ノズルが被処理基板Ｗの中心に向くようにして底面中央部に取付けられ、他の４本の処理液供給管１０１、１０２、１０５、１０６は、それぞれ２本をセットにして各噴射ノズルが被処理基板Ｗの側面を向くように各側壁に取付けられ、これら６本の供給管のうち、数本が順次選択され、更に交互に切換えられて処理液を処理槽へ供給するようになっている。
【０００６】
この供給管の選択・処理液の切換えは、２つの処理ステップＩ、IIに分かれている。処理ステップＩでは、６本の処理液供給管１０１〜１０６のうち、先ず、４本の処理液供給管１０２、１０３、１０４、１０５が選択されて、それぞれにＸ分単位の給液が行われ、また、処理ステップIIでは、４本の処理液供給管１０１、１０３、１０４、１０６が選択され、それぞれＹ分単位での給液が行われる。
そして、洗浄処理時には、これらの処理ステップが順次繰り返され、すなわち処理ステップＩではＸ分の処理が行われ、その後、処理ステップＩの処理が停止されて、処理ステップIIに切換えられてＹ分の処理が行われ、以後、この処理ステップＩ、IIが繰り返されて、合計切換え回数×（Ｘ＋Ｙ）分の時間を掛けて基板表面の洗浄処理が行われる。
例えば、アンモニア過水処理後の水洗処理は、先ず、処理ステップＩで４本の処理液供給管１０２、１０３、１０４、１０５が選択されて給液され、被処理基板の洗浄が行われ、７分後に、処理ステップIIに切換えて一部異なる４本の処理液供給管１０１、１０３、１０４、１０６が選択されて給液され、被処理基板の洗浄が行われている。
この基板処理装置を使用すると、比抵抗の回復基準点１０ＭΩを達成するのに、従来方式では処理時間が１０分１５秒掛かったのに対して、この処理装置では９分で達成できるとされている。
【０００７】
また、下記特許文献２に記載された基板処理装置は、処理槽の対向する側壁面に、複数本の処理液供給管が配設され、これらの供給管のうち何れかの供給管を選択的に切換えて、処理液を基板に供給するものである。この装置によると、処理液の様々な流れを形成することができるので、一定の流れを継続させることにより、槽内の淀みを抑制することができる。
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−１５００９１号公報（図１、段落〔００１４〕〜〔００１８〕、〔００２７〕、〔００２８〕）
【特許文献２】特開２００１−２７４１３３号公報（図７、段落〔００３９〕〜〔００４２〕）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記公知の基板処理装置２００によれば、複数本の処理液供給管３０１〜３０５から同時に供給された処理液は、処理槽内において一定方向の水流を形成し、この一定方向の水流によって被処理基板の表面が効率的に洗浄される。
【００１０】
しかしながら、上記基板処理装置２００では、流路に当たる領域に面した基板表面は効率よく洗浄されるが、この流路から外れた領域に面した基板表面は、流路が形成されていないために流速が遅くなり、また淀み部分が発生することがあることから、十分に洗浄されない。そのため、被処理基板の表面は、水洗いが良好に行われた領域と不十分な領域とに分かれ、いわゆる洗浄ムラが発生する。
そこで、このような洗浄ムラをなくそうとすると、大量の処理液を使用し、長時間掛けて洗浄処理を行う必要がある。したがって、このような方法では、処理能力の向上が期待できず、処理費用も高騰する。また、流路が一定方向に固定されるので、依然として洗浄ムラは解消されず、その結果、被処理基板表面の高品質な均一化を達成することが難しい。
【００１１】
また、上記特許文献１に記載された処理装置は、複数本の供給管を選択して切換えるので、切換え毎に流路が変更される。しかしながら、このような選択・切換えによっても、洗浄ムラは解消さず、結果として、近年要求されている被処理基板表面の高品質な均一化の仕様に適合させることは難しい。詳しくは、この処理槽では、２つの処理ステップを設定し、これらの処理ステップを組み合わせることによって洗浄処理を行っているが、各処理ステップの処理時間は何れも分単位のものとなっている。このため、例えば処理ステップＩにおいてはＸ分（実施例では７分）掛けて洗浄を行っているので、この間に、槽内では一定方向の流路が形成され、この流路によって基板表面が洗浄されている。したがって、この間は上記基板処理装置２００と同じように、被処理基板上で良好な洗浄が行われている領域と不十分な洗浄しか行われない領域が発生し、洗浄が不十分な領域に例えばエッチング液が付着している場合は、この処理ステップＩの間、すなわち、ほぼ７分間はエッチングが進行してしまう。この７分間が経過すると処理ステップIIに切換えられて流路が変更されるが、処理ステップＩで薬液処理されたエッチングが進んだ領域は修復されず、したがって基板表面の均一化処理を実現することは難しい。
【００１２】
加えて、上記特許文献１の基板処理装置は、処理槽の底部及び両側壁に近接した箇所に発生する「よどみ」を解消することを目的としている。このため、基板表面に付着した薬液等を効率よく洗い落とすことが難しくなっている。さらに、全体の処理時間が長い（実施例では９分）ので、この処理時間の長さに比例して処理液の使用量が多くなる。
【００１３】
さらに、上記特許文献２に記載された基板処理装置は、一定の方向、例えば時計回りに回転する流路を形成して基板表面を処理するものであって、この装置を使用しても上記課題は解決されない。
【００１４】
近年、半導体デバイスの高密度化及び高精細化が進んでいる。この動向に合わせて、基板処理装置には、基板表面をより平坦にするために一層の均一化、いわゆるユニフォミティーが要求されている。
【００１５】
そこで、本発明者らは、上記従来技術の基板処理装置では、このような要求を満たすことができる高精度な被処理基板表面の均一化が困難であることに鑑み、その原因を探求したところ、その要因が被処理基板に付着した薬液を純水で洗い落とすスピード、すなわち薬液を純水に置き換える置換スピード、いわゆる置換効率の高低にあることを突き止めた。そして、種々の対応策を検討した結果、複数本の処理液供給管の選択・切換えの順序を変え、且つ切換え時間を短時間に行うことにより、薬液と純水との置換効率の向上が図れることを見出し、この置換効率を上げればより高精度な被処理基板表面の均一化が達成できることに想到し、本発明を完成するに至ったものである。
【００１６】
すなわち、本発明の目的は、処理液の流れ方向を常に変化させることにより、被処理基板の処理効率を上げると共に、基板表面の均一化を可能にした基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の基板処理装置は、複数枚の被処理基板を垂直に立設した状態で収容できる大きさの箱型の処理槽と、この処理槽の底部に配設された複数本の処理液供給管と、これらの処理液供給管に所定のタイミングで処理液を供給する制御装置とを備えた基板処理装置において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管は前記処理槽の底壁面の中央部に、第２処理液供給管は前記第１処理液供給管の両側に、それぞれの噴射ノズルが収容される被処理基板の中央部に向けて配設され、更に第３処理液供給管は前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設され、前記制御装置は、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１処理液供給管からは常時、前記第２、第３処理液供給管からは秒単位の間隔で交互に切換えて供給する切換手段を有していることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記切換手段は、前記第２、第３処理液供給管の切換えを１〜６０秒間隔で行うことを特徴とする。
【００１９】
請求項３に記載の基板処理装置は、複数枚の被処理基板を垂直に立設した状態で収容できる大きさの箱型の処理槽と、この処理槽の底部に配設された複数本の処理液供給管と、これらの処理液供給管に所定のタイミングで処理液を供給する制御装置とを備えた基板処理装置において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管は前記処理槽の底壁面の中央部に、第２、第３処理液供給管は前記第１処理液供給管の両側に、それぞれの噴射ノズルが収容される被処理基板の中央部に向けて配設され、更に第４処理液供給管は前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設され、前記制御装置は、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１処理液供給管からは常時、他の前記第２処理液供給管、前記第３処理液供給管、前記第４処理液供給管からは秒単位の間隔で何れか１つを順次切換えて供給する切換手段を有していることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の基板処理装置において、前記切換手段は、前記第２〜第４処理液供給管の切換えを１〜６０秒間隔で行うことを特徴とする。
【００２１】
請求項５に記載の基板処理装置は、複数枚の被処理基板を垂直に立設した状態で収容できる大きさの箱型の処理槽と、この処理槽の底部に配設された複数本の処理液供給管と、これらの供給管に所定のタイミングで処理液を供給する制御装置を備えた基板処理装置において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管は前記処理槽の底壁面の中央部に噴射ノズルが収容される被処理基板の中央部に向けて配設され、第２処理液供給管は前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設され、前記制御装置は、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１、第２処理液供給管から秒単位の間隔で交互に切換えて供給させる切換手段を有していることを特徴とする。
【００２２】
また、請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の基板処理装置において、前記切換手段は、前記第１、第２処理液供給管の切換えを１〜６０秒間隔で行うことを特徴とする。
【００２３】
請求項７に記載の基板処理方法は、処理槽内に複数枚の被処理基板を収容し、前記処理槽の底部に配設した複数本の処理液供給管から制御手段により所定のタイミングで処理液を供給して被処理基板の表面を処理する基板処理方法において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管は前記処理槽の底壁面の中央部に、第２処理液供給管は前記第１処理液供給管の両側に、それぞれの各噴射ノズルが前記被処理基板の中央部に向けて配設し、更に第３処理液供給管が前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設し、前記制御手段により、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１処理液供給管からは常時、前記第２、第３処理液供給管からは秒単位の間隔で交互に切換えて供給し、前記処理槽の底部から上方へ向かって噴射させて前記被処理基板の表面を処理することを特徴とする。
【００２４】
請求項８に記載の基板処理方法は、処理槽内に複数枚の被処理基板を収容し、前記処理槽の底部に配設した複数本の処理液供給管から制御手段により所定のタイミングで処理液を供給して被処理基板の表面を処理する基板処理方法において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管は前記処理槽の底壁面の中央部に、第２、第３処理液供給管は前記第１処理液供給管の両側に、それぞれの噴射ノズルが収容される被処理基板の中央部に向けて配設し、更に第４処理液供給管は前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設し、前記制御手段により、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１処理液供給管からは常時、他の前記第２処理液供給管、前記第３処理液供給管、前記第４処理液供給管からは秒単位の間隔で何れか１つを順次切換えて供給し、前記処理槽の底部から上方へ向かって噴射させて前記被処理基板の表面を処理することを特徴とする。
【００２５】
また、請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の基板処理方法において、前記第２、第３処理液供給管は、前記第１処理液供給管より処理液が多く供給されることを特徴とする。
【００２６】
請求項１０に記載の基板処理方法は、処理槽内に複数枚の被処理基板を収容し、前記処理槽の底部に配設した複数本の処理液供給管から制御手段により所定のタイミングで処理液を供給して被処理基板の表面を処理する基板処理方法において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管が前記処理槽の底壁面の中央部に噴射ノズルが前記被処理基板の中央部に向けて配設し、第２処理液供給管が前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設し、前記制御手段は、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１、第２処理液供給管から秒単位の間隔で交互に切換え、底部から上方へ向かって噴射させて前記被処理基板の表面を処理することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明は、上記構成を備えることにより以下に示す優れた効果を奏する。すなわち、請求項１、２の発明によれば、被処理基板の洗浄時に、純水等の処理液の供給が第１処理液供給管からは常時、第２、第３処理液供給管からは秒単位の間隔で交互に切換えられて供給されることにより、処理槽の底部から被処理基板の中央部を通って上方へ向かう上昇乱流を形成しながらオーバーフローされる。
この上昇乱流は、決まった流路を形成することなく随時その流路及び流速を変更しながら処理液の供給がなされるので、短時間に被処理基板表面の全面へ拡大され、あたかも基板表面を処理液で擦るようにして付着された薬液、パーティクル等を素早く洗い落とすことができる。また、この乱流は複数枚の被処理基板間にも入り込み、この基板間に留まっている薬液等の追い出しも良好に行われる。
その結果、被処理基板の表面は、流路及び流速が素早く変化する処理液で処理されるので、より高精度な均一化処理が可能になると共に処理時間も短縮される。また、この処理時間の短縮に伴って処理液の使用量も低減できる。この場合、切換え時間が１秒未満であると乱流は起こるが切換時間が早すぎて処理液に薬液を洗い落とすための流速が形成されないために、基板表面を処理液で擦るようにして付着された薬液、パーティクルを素早く洗い落とすことができず、かえって被処理基板の表面の均一性が損なわれる場合があり、また、切換時間が６０秒を超えると、従来例との差異が少なくなってしまうために好ましくない。
【００２８】
請求項３、４の発明によれば、被処理基板の洗浄時に、純水等の処理液の供給が第１処理液供給管からは常時、他の第２処理液供給管、第３処理液供給管、第４処理液供給管からは秒単位の間隔で何れか１つを順次切換えて供給されることにより、処理槽の底部から被処理基板の中央部を通って上方へ向かう上昇乱流を形成しながらオーバーフローされる。
この上昇乱流は、決まった流路を形成することなく随時その流路及び流速を変更しながら処理液の供給がなされるので、短時間に被処理基板表面の全面へ拡大され、あたかも基板表面を処理液で擦るようにして付着された薬液、パーティクル等を素早く洗い落とすことができる。また、この乱流は複数枚の被処理基板間にも入り込み、この基板間に留まっている薬液等の追い出しも良好に行われる。
その結果、被処理基板の表面は、流路及び流速が素早く変化する処理液で処理されるので、より高精度な均一化処理が可能になると共に処理時間も短縮される。また、この処理時間の短縮に伴って処理液の使用量も低減できる。この場合、切換え時間が１秒未満であると乱流は起こるが切換時間が早すぎて処理液に薬液を洗い落とすための流速が形成されないために、基板表面を処理液で擦るようにして付着された薬液、パーティクルを素早く洗い落とすことができず、かえって被処理基板の表面の均一性が損なわれる場合があり、また、切換時間が６０秒を超えると、従来例との差異が少なくなってしまうために好ましくない。
【００２９】
請求項５、６の発明によれば、被処理基板の洗浄時に、第１、第２処理液供給管から純水等の処理液が秒単位の間隔で交互に切換えられて供給されることにより、処理槽の底部から被処理基板の中央部を通って上方へ向かう上昇流と、処理槽中央上部から底部へ向かう下降流を交互に形成しながらオーバーフローされる。
この上昇流及び下降流により生じる乱流は、決まった流路を形成することなく随時その流路及び流速を変更しながら処理液の供給がなされるので、短時間に被処理基板表面の全面へ拡大され、あたかも基板表面を処理液で擦るようにして付着された薬液、パーティクル等を素早く洗い落とすことができる。また、この乱流は複数枚の被処理基板間にも入り込み、この基板間に留まっている薬液等の追い出しも良好に行われる。
その結果、被処理基板の表面は、流路及び流速が素早く変化する処理液で処理されるので、より高精度な均一化処理が可能になると共に処理時間も短縮される。また、この処理時間の短縮に伴って処理液の使用量も低減できる。
【００３０】
請求項７の発明によれば、被処理基板の処理時に、純水等の処理液は第１処理液供給管からは常時、第２、第３処理液供給管からは秒単位の間隔で交互に切換えられて供給されることにより、処理槽の底部から被処理基板の中央部を通って上方へ向かう上昇乱流を形成しながらオーバーフローされる。すなわち、第２処理液供給管及び第３処理液供給管が秒単位で切換えられて、処理槽内へ処理液が供給されることにより、底部の中央に位置する第１処理液供給管の垂直方向の流路を境にして、両サイドに第２処理液供給管により形成される時計方向及び反時計方向の渦流に別方向の流れが第３処理液供給管から供給されることになるので、それまでの流れの中に異なる流れが導入され、一部乱流が生じた後別の渦流を形成しようとするが、さらに所定時間後には給液される処理液供給管が変更されるので定常な流れになる前に再び別の乱流が生じる。
したがって、この上昇乱流は、決まった流路を形成することなく随時その流路及び流速を変更しながら処理液の供給がなされるので、短時間に被処理基板表面の全面へ拡大され、あたかも基板表面を処理液で擦るようにして付着された薬液、パーティクル等を素早く洗い落とすことができる。また、この上昇の乱流は複数枚の被処理基板間にも入り込み、この基板間に留まっている薬液等の追い出しも良好に行われる。その結果、被処理基板の表面は、流路及び流速が素早く変化する処理液で処理されるので、より高精度な均一化処理が可能になると共に処理時間も短縮される。また、この処理時間の短縮に伴って処理液の使用量も低減できる。
【００３１】
請求項８の発明によれば、被処理基板の処理時に、純水等の処理液は第１処理液供給管からは常時、他の第２〜第４処理液供給管からは秒単位の間隔で何れか１つを順次切換えて供給されることにより、処理槽の底部から被処理基板の中央部を通って上方へ向かう上昇乱流を形成しながらオーバーフローされる。すなわち、第２処理液供給管〜第４処理液供給管が秒単位で切換えられて、処理槽内へ処理液が供給されることにより、第２処理液供給管により形成される時計方向及び反時計方向の渦流に別方向の流れが第３処理液供給管から供給されることになるので、それまでの流れの中に異なる流れが導入され、一部乱流が生じた後別の渦流を形成しようとするが、さらに所定時間後には給液される処理液供給管が変更されるので定常な流れになる前に再び別の乱流が生じる。
したがって、この上昇乱流は、決まった流路を形成することなく随時その流路及び流速を変更しながら処理液の供給がなされるので、短時間に被処理基板表面の全面へ拡大され、あたかも基板表面を処理液で擦るようにして付着された薬液、パーティクル等を素早く洗い落とすことができる。また、この上昇の乱流は複数枚の被処理基板間にも入り込み、この基板間に留まっている薬液等の追い出しも良好に行われる。その結果、被処理基板の表面は、流路及び流速が素早く変化する処理液で処理されるので、より高精度な均一化処理が可能になると共に処理時間も短縮される。また、この処理時間の短縮に伴って処理液の使用量も低減できる。
【００３２】
請求項９の発明によれば、処理槽内に渦流を発生させることで、被処理基板の表面処理が良好に行われるので、第２、第３処理液供給管から供給される処理液の量を第１処理液供給管より大きくすると渦流が生じやすく、被処理基板表面の薬液、パーティクル等をより良好に洗い落とすことができるようになる。
【００３３】
請求項１０の発明によれば、被処理基板の処理時に、第１、第２処理液供給管からは、秒単位の間隔で交互に切換えられて供給されることにより、処理槽の底部から被処理基板の中央部を通って上方へ向かう上昇流と、処理槽中央上部から底部へ向かう下降流を交互に形成しながらオーバーフローされる。すなわち、第１処理液供給管及び第２処理液供給管が秒単位で切換えられて、処理槽内へ処理液が供給されることにより、処理槽の中央線を境にして、両サイドに第１、第２処理液供給管により時計方向及び反時計方向の渦流が形成される。それと同時に、処理槽の中心部分には第１処理液供給管からの処理液供給により上昇流が形成されることとなるが、所定時間経過後に給液を行う処理液供給管を第２処理液供給管に変更すると、処理槽の中心部分には反対に下降流を形成しようとする。これにより、秒単位で処理液を供給する処理液供給管を変更することにより、定常な流れとなることがないと共に、上昇流と下降流が衝突するために大きな乱流が生じることとなる。
したがって、この上昇流及び下降流により生じる乱流は、決まった流路を形成することなく随時その流路及び流速を変更しながら処理液の供給がなされるので、短時間に被処理基板表面の全面へ拡大され、あたかも基板表面を処理液で擦るようにして付着された薬液、パーティクル等を素早く洗い落とすことができる。また、この乱流は複数枚の被処理基板間にも入り込み、この基板間に留まっている薬液等の追い出しも良好に行われる。その結果、被処理基板の表面は、流路及び流速が素早く変化する処理液で処理されるので、より高精度な均一化処理が可能になると共に処理時間も短縮される。また、この処理時間の短縮に伴って処理液の使用量も低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための基板処理装置及び基板処理方法を例示するものであって、本発明をこの基板処理装置及び基板処理方法に特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものも等しく適応し得るものである。
【実施例１】
【００３５】
図１は本発明の実施例１に係る基板処理装置を示す概略断面図であり、図１（ａ）は底部付近に設けられた３つの処理液供給管から処理液を供給した状態を示す図、図１（ｂ）は中央部と傾斜面に設けられた３つの処理液供給管から処理液を供給した状態を示す図である。
基板処理装置１は、図１に示すように、処理液及び複数枚の被処理基板を収容できる大きさの処理槽２と、この処理槽２内の底部に配設された複数本の処理液供給管３１〜３５と、処理液供給管に連結された配管Ｌの途中に設けられた複数個のバルブ５１〜５３と、これらのバルブ５１〜５３の開閉制御を行う制御装置５とを備えている。
【００３６】
処理槽２は、複数枚の被処理基板、例えば直径３００ｍｍの円板状の半導体ウェーハ（以下、ウェーハという）Ｗを５０枚程度、垂直に立設した状態で収容できる大きさを有する箱型の容器からなり、図１に示すように、その縦断面形状が底部に平坦面を有する細長な六角形状をなしている。すなわち、上方に開口部２１を有し、周囲が側壁２３ａ、２３ｂで囲まれ、ウェーハが十分浸漬できる深さで、この底部２２の両角部に所定角度の傾斜面２３ａ'、２３ｂ'が形成された構成を有している。
【００３７】
また、この処理槽２には、底部付近に複数本、図１では５本の処理液供給管３１〜３５が配設される。これら５本の処理液供給管３１〜３５は、それぞれ複数個の噴射ノズル（図示省略）が所定のピッチで長手方向に１列又は複数列形成されている。
そして、各処理液供給管３１〜３５は噴射ノズルが所定の方向に向くようにして取付けられる。すなわち、５本の処理液供給管３１〜３５のうち、３本の処理液供給管３１、３２、３３は、それぞれの噴射ノズルがウェーハＷの中心部に向くようにして底部２２近傍に取付けられ、残りの２本の処理液供給管３４、３５は、その噴射ノズルがウェーハＷの頂部を向くようにして、それぞれ傾斜面２３ａ'、２３ｂ'に取付けられる。
【００３８】
また、５本の処理液供給管３１〜３５には、配管Ｌ及びバルブ５１〜５３を介して純水が供給される。このバルブ５１〜５３は、制御装置５に接続されており、この制御装置５で開閉制御が行われる。また、各バルブ５１〜５３には、純水供給源が接続されている。
【００３９】
次に、この基板処理装置を使用したウェーハの処理方法を図１、図２を参照して説明する。図２は実施例１に係る基板処理装置の処理槽に処理液を供給するタイミングチャートである。
この基板処理装置１は、制御装置５により各バルブ５１〜５３を開閉制御することで各処理液供給管３１〜３５へ処理液を供給して処理槽２内でウェーハＷの表面処理を行う。
ウェーハＷの表面処理のうち、純水を使用した洗浄処理は、先ず、図２に示すように、時刻ｔ０において、制御装置５によりバルブ５１を開いて中央部に位置する処理液供給管３１から処理槽２内に純水を供給する。この処理液供給管３１からの給液は、この洗浄処理が終了する最終時刻ｔｎまで継続して行う。
【００４０】
また、制御装置５はこのバルブ５１の開放とほぼ同時にバルブ５２を開いて、処理液供給管３１の両サイドに隣接する２本の処理液供給管３２、３３から処理槽２内へ純水を時刻ｔ１までの秒単位の所定時間、例えば１０秒間供給する。このとき、バルブ５３は閉じておく。
処理液供給管３１からの給液により、処理槽２の底部２２中央部から上方へ向けた垂直方向の上昇流路が形成される。また、この処理液供給管３１の両側に位置する処理液供給管３２、３３からの給液により、この垂直方向の流路を境にして、その両サイドに時計方向及び反時計方向の渦流が形成される。
したがって、この垂直方向の流路及び左右の渦流は、ウェーハＷのほぼ中心部を通って上昇流、いわゆるアップ・フローで流れ、ウェーハＷの洗浄が行われる。なお、アップ・フローした純水は、その一部が外槽（図示省略）へオーバーフローする。
【００４１】
次に、時刻ｔ０から１０秒経過した時刻ｔ１において、バルブ５２を閉じて各処理液供給管３２、３３からの純水供給を停止し、これとほぼ同時に、バルブ５３を開いて傾斜面に位置する２本の処理液供給管３４、３５から純水を時刻ｔ２まで供給する。ｔ１〜ｔ２間の時間は、ｔ０〜ｔ１間の時間と同じく１０秒である。
各処理液供給管３４、３５からの給液により、底部の中央に位置する処理液供給管３１の垂直方向の流路を境にして、両サイドに既に各処理液供給管３２、３３からの給液により形成されていた時計方向及び反時計方向の渦流の流れが徐々に変化するが、定常流になる前のｔ２（１０秒後）にバルブ５３を開放し、バルブ５２を閉鎖するので一定の流れにならない。したがって、この流路の変更により、ウェーハＷの両側部が効率よく洗浄される。
【００４２】
以後、同様のタイミングで制御装置５により各バルブ５２、５３を１０秒間隔で交互に切換えて、各処理液供給管３２、３３及び処理液供給管３４、３５から処理槽２内へ純水を供給してウェーハＷの洗浄を行う。
したがって、一対の処理液供給管３２、３３及び処理液供給管３４、３５が秒単位で切換えられて、処理槽２内へ純水が供給されることにより、底部の中央に位置する処理液供給管３１の垂直方向の流路を境にして、両サイドに各処理液供給管３２、３３により形成されていた時計方向及び反時計方向の渦流に別方向の流れが各処理液供給管３４、３５から供給されるので、それまでの流れの中に異なる流れが導入され、一部乱流が生じた後別の渦流を形成しようとするが、１０秒後には給液される処理液供給管がさらに変更されるので定常な流れになる前に再び別の乱流が生じる。
これらの乱流により、あたかも基板表面を処理流で擦るようにして、付着された薬液、パーティクル等が素早く洗い流される。
この秒単位の切換え給液により、処理槽内の流速が急峻に変化すると共に、処理液供給管３２、３３と処理液供給管３４、３５とにより形成される渦流が相互に作用することにより処理槽２内に均一な乱流が形成されるので、ウェーハＷ表面のパーティクルの付着を抑制できる。
【００４３】
この基板処理槽１を使用した具体例として、容積５０リットルの処理槽２を使用し、この中に直径３００ｍｍのウェーハを収容し、各処理液供給管３１〜３５に所定量の純水を所定時間供給して洗浄した。詳しくは、処理液供給管３１からは、２０Ｌ／ｍｉｎ、各処理液供給管３２、３３の合計供給量２０Ｌ／ｍｉｎ、各処理液供給管３４、３５の合計供給量１８Ｌ／ｍｉｎ、各供給時間ｔｎ−１〜ｔｎを１０秒にしてウェーハＷを洗浄した。その結果、純水を約１０９．８Ｌ使用し、合計１７０秒で良好な洗浄ができた。
【実施例２】
【００４４】
図３は本発明の実施例２に係る基板処理装置の概略断面図、図４は実施例２の基板処理装置における処理液供給管から処理槽内への処理液供給プロセスを説明する断面図、図５は実施例２の基板処理装置の処理槽に処理液を供給するタイミングチャートを示す図である。なお、図５に示すタイミングチャートの切換え時間であるｔ０〜ｔｎは実施例１と同様に等間隔に設定されており、例えば１０秒間隔である。
【００４５】
この基板処理装置１Ａは、図３に示すように、上記実施例１の基板処理装置１と比べて中央の処理液供給管３１の両側に位置する処理液供給管３２、３３が個々のバルブ５２、５３に接続され、これらのバルブの開閉により処理槽へ個別に純水が供給されるようになっている点が異なる。すなわち、各供給管３２、３３は、それぞれ異なるバルブ５２、５３を介して純水供給源に接続され、制御装置５により各バルブ５１〜５４を切換えることによって、各供給管３１〜３６から処理槽２へ純水が供給される。そこで、両者に共通する構成は同一符号を付してその説明を援用し、異なる動作についてのみ説明する。
【００４６】
処理槽２への純水の供給は、図４及び図５に示すように、制御装置５によりバルブ５１を開いて中央部に位置する処理液供給管３１から処理槽２内に純水を供給する。この処理液供給管３１からの給液は、この洗浄処理が終了するまで継続して行われ、このときの供給量は定量で、例えば１０Ｌ／ｍｉｎである。
そして先ず、図４（ａ）に示すように、処理液供給管３１から純水を供給しながら、制御装置５によりバルブ５２を開いて、中央の処理液供給管３１に隣接する一方の処理液供給管３２から処理槽２内へ純水をｔ０からｔ１の間、例えば１０秒間供給する。この処理液供給管３２からの処理液の供給量は処理液供給管３１より多く、例えば２０Ｌ／ｍｉｎである。また、このときバルブ５３、５４は閉じられている。そして、各処理液供給管３１、３２から処理液を給液することにより、槽中央部の上昇流形成に伴い、図４（ａ）の右側では時計回り、左側では反時計回りの渦流が形成される。しかしながら、処理槽供給管３２は右側に片寄っているため、右側の時計回りの渦流がやや小さくなる。
【００４７】
その後、所定時間ｔ１に達した時点で、バルブ５２を閉じて処理液供給管３２からの純水供給を停止し、これとほぼ同時に、バルブ５３を開いて処理液供給管３３から純水の供給を所定時間ｔ１からｔ２の間行う（図４（ｂ）参照）。ｔ０からｔ１のときに形成された２つの渦流においては右側の時計回りの渦流の方が左側の反時計回りの渦流より小さかったのに対してｔ１からｔ２のときにおいては、処理液供給管３３からの新たな方向の流れによって、逆に左側の反時計回りの渦流の方が右側の時計回りの渦流より小さくなる流れを形成しようとする流れとなっている。この供給により、各処理液供給管３１、３２で形成された渦流、すなわち、バルブ５２が開かれた時点で処理液供給管３２からの供給が停止されているので慣性と処理液供給管３１による残留渦流と、処理液供給管３３からの供給に基づく新たな方向の水流とが衝突し、処理槽２内で乱流が発生する。
【００４８】
次いで、所定時間ｔ２に達した時点で、バルブ５３を閉じて処理液供給管３３からの純水供給を停止し、これとほぼ同時に、バルブ５４を開いて傾斜面に位置する処理液供給管３４、３５から純水を同時に所定時間ｔ２からｔ３の間供給して、槽内で新たな上昇水流を形成する（図４（ｃ）参照）。このときも、処理液供給管３３により形成された渦流が、処理液供給管３４、３５により生成される新たな水流による槽内の流れは図１（ｂ）の流れに移り変わろうとしているので、先の流れと衝突し、処理槽２内には乱流が発生する。そして、図４（ａ）〜図４（ｃ）に示すような切換えを所定回数（例えば図５ではｔｎ回）行うことにより、ウェーハWの表面処理がなされる。
【００４９】
この基板処理装置１Ａを使用した具体例として、容積４０リットルの処理槽２を使用し、この中に直径３００ｍｍのウェーハを収容し、各処理液処理液供給管３１〜３５に所定量の純水を所定時間供給して洗浄した。詳しくは、処理液供給管３１からは、常時１０Ｌ／ｍｉｎの処理液を供給し、処理液供給管３２、３３から供給される処理液及び処理液供給管３４、３５から供給される処理液の合計をそれぞれ２０Ｌ／ｍｉｎとして実施した。その結果、合計処理時間６分、純水使用量１８０リットルでエッチングユニフォミティー３％が達成できた。このユニフォミティーを例えば図８に示した従来技術の処理装置を使用すると、処理時間が８分掛かり、その純水使用量は４８０リットルであった。この結果、実施例２の基板処理装置１Ａによれば、処理時間が短縮されると共に純水使用量が大幅に低減されている。
【実施例３】
【００５０】
上記実施例１、２では、処理槽２の底部２２付近に３本の処理液供給管を配設したが、中央の処理液供給管を省いても同様の作用が期待できる。そこで、実施例３の基処理装置１Ｂは、上記基板処理装置１で底部に位置する３本の処理液供給管３１〜３３のうち、中央の処理液供給管３１を省いた、或いは使用しない構成を有している。したがって、この構成は、実施例１、２の装置と処理液供給管３１を省き或いは不使用にしただけで、その他の構成は同じであるので、両者に共通な構成は同一符号を付してその説明を援用し、異なる動作についてのみ説明する。
【００５１】
この基板処理装置１Ｂを使用したウェーハＷの処理方法を図６、図７を参照して説明する。図６は本発明の実施例３に係る基板処理装置を示す概略断面図であり、図６（ａ）は底部付近に設けられた２つの処理液供給管から処理液を供給した状態を示す図、図６（ｂ）は傾斜面に設けられた２つの処理液供給管から処理液を供給した状態を示す図、図７は処理槽に処理液を供給するタイミングチャートを示したものである。
この基板処理装置１Ｂは、制御装置５により各バルブ５２、５３を開閉制御することで各処理液供給管３２〜３５へ処理液を供給して処理槽２内でウェーハＷの表面処理を行う。
ウェーハＷの表面処理のうち、純水を使用した洗浄処理は、先ず、図７に示すように、時刻ｔ０において、制御装置５によりバルブ５２を開いて中央部に位置する処理液供給管３２、３３から処理槽２内に純水を供給する。このとき、バルブ５３は閉じておく。
処理液供給管３２、３３からの給液により、処理槽２の底部２２中央部から上方へ向けたほぼ垂直方向の上昇流路が形成され、この流路は、その両サイドで時計方向及び反時計方向の渦流となり、この渦流は、ウェーハＷのほぼ中心部を通って上昇流、いわゆるアップ・フローで流れ、ウェーハＷの洗浄が行われる。なお、アップ・フローした純水は、その一部が外槽（図示省略）へオーバーフローする。
【００５２】
次に、時刻ｔ０から１０秒経った時刻ｔ１において、バルブ５２を閉じて各処理液供給管３２、３３からの純水供給を停止し、これとほぼ同時に、バルブ５３を開いて傾斜面に位置する２本の処理液供給管３４、３５から純水を時刻ｔ２まで供給する。ｔ１〜ｔ２間の時間は、ｔ０〜ｔ１間の時間と同じく１０秒である。
各処理液供給管３４、３５からの給液により、時刻ｔ１〜ｔ２で処理液供給管３２、３３によって形成されていた時計方向及び反時計方向の渦流の流れが実施例１と同様に徐々に変化するが、中心に上昇流がないため中心部分では下降流を生じようとする。この流れは実施例１より大きな乱流を生じさせる。したがって、この流路の変更により、さらにウェーハＷの両側部が効率よく洗浄される。この渦流は、実施例１の基板処理装置１では、処理液供給管３１からの給液により、中央部に常に上昇流を形成していたが、この基板処理装置１Ｂでは中央部分に下降流を生じようとする給液を行うので、実施例１の基板処理装置１よりも乱流が大きいものとなる。
【００５３】
以後、同様のタイミングで制御装置５により、各バルブ５２、５３を１０秒間隔で交互に切換えて、各処理液供給管３２、３３及び処理液供給管３４、３５から処理槽２内へ純水を供給してウェーハＷの洗浄を行う。
したがって、一対の処理液供給管３２、３３及び処理液供給管３４、３５が秒単位で切換えられて、処理槽２内へ純水が供給されることにより、中央部に形成されていた上昇流が１０秒後に下降流に変化し始める。変化し始めたところで、また１０秒後に再び上昇流に変化し始めると言ったように、常に中央部の流れが変化し続けることになる。これらの流れ方向の反転により、ウェーハＷが洗浄される。
この秒単位の切換え給液により、処理槽内の流速が急峻に変化すると共に、処理液供給管３２、３３と処理液供給管３４、３５とにより形成される渦流が相互に作用することにより処理槽２内に均一な乱流が発生し、定常的な淀みがなくなるので、ウェーハＷ表面のパーティクルの付着を抑制させることができる。
【００５４】
この基板処理槽１Ｂを使用した具体例として、容積５０リットルの処理槽２を使用し、この中に直径３００ｍｍのウェーハを収容し、各処理液供給管３２〜３５に所定量の純水を所定時間供給して洗浄した。詳しくは、各処理液供給管３２、３３の合計供給量２８Ｌ／ｍｉｎ、各処理液供給管３４、３５の合計供給量２６Ｌ／ｍｉｎ、各供給時間ｔｎ−１〜ｔｎを１０秒にしてウェーハＷを洗浄した。その結果、純水を約１０６．８Ｌ使用し、合計２４０秒で良好な洗浄ができた。
さらに詳しい実施例はないが、複数薬液を使用する単一槽においての直前に使用され他処理液の追い出しに関しても有効な方法であることは明白である。
また、本実施例では切換時間を一定値１０秒としたが、この切換時間は１〜６０秒の間であれば所定の作用が奏され、またこの切換時間を徐々に変えたり、途中又は最後に定常流を交えるなど、多くのバリエーションが考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施例１に係る基板処理装置を示す概略断面図であり、図１（ａ）は底部付近に設けられた３つの処理液供給管から処理液を供給した状態を示す図であり、図１（ｂ）は中央部と傾斜面に設けられた３つの処理液供給管から処理液を供給した状態を示す図、
【図２】実施例１に係る基板処理装置の処理槽に処理液を供給するタイミングチャート、
【図３】本発明の実施例２に係る基板処理装置を示す概略断面図、
【図４】実施例２に係る基板処理装置の処理液供給管から処理槽内への処理液供給プロセスを説明する断面図、
【図５】実施例２に係る基板処理装置の処理槽に処理液を供給するタイミングチャート、
【図６】本発明の実施例３に係る基板処理装置を示す概略断面図であり、図６（ａ）は底部付近に設けられた２つの処理液供給管から処理液を供給した状態を示す図、図６（ｂ）は傾斜面に設けられた２つの処理液供給管から処理液を供給した状態を示す図、
【図７】実施例３に係る基板処理装置の処理槽に処理液を供給するタイミングチャート、
【図８】従来技術の基板処理装置を示す概略断面図、
【図９】従来技術の基板処理装置を示す断面図。
【符号の説明】
【００５６】
１、１Ａ、１Ｂ 基板処理装置
２ 処理槽
５ 制御装置
３１〜３５ 処理液供給管
５１〜５４ バルブ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハ、液晶表示パネル、光ディスク等の各種基板の表面を処理する基板処理装置及び基板処理方法に係り、特に、純水による水洗い洗浄時の被処理基板の処理効率を上げると共に、基板表面の均一化を可能にした基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハ、液晶表示パネル、光ディスク等の各種基板は、その表面を清浄及び均一にするために、各種の薬液による薬液処理、純水による水洗い処理及び有機溶剤を用いた乾燥処理が各種の基板処理装置を使用して行われている。
この種の基板処理装置には、フッ酸、オゾン水等の薬液及び純水（以下、薬液及び純水を総称して処理液という）等の各種処理液を貯留した複数個の処理槽を併設してこれらの処理槽に被処理基板を順次浸漬して一連の表面処理を行うようにしたいわゆる多槽式処理装置、或いは一つの処理槽でこの一つの処理槽に異なる種類の処理液を順次入れ換え供給して一連の表面処理を行うようにしたいわゆる単槽式処理装置がある。
これらの基板処理装置は、何れも被処理基板を一つの薬液による処理が終了した後、次の薬液処理を行う前に、被処理基板に付着している薬液を純水により洗い落とす水洗処理を行っている。
【０００３】
図８は、公知の基板処理装置２００に使用されている処理槽の１例を示す断面図である。
この処理槽２０１は、底部に５本の処理液供給管３０１〜３０５が配設されている。これらの供給管は、何れも複数個の噴射ノズルを備え、これらの供給管のうち３本の供給管３０１〜３０３は、その噴射ノズルが被処理基板Ｗの中心部に向くようにして底面２０３に取付けられ、残り２本の供給管３０４、３０５は、その噴射ノズルが被処理基板Ｗの頂部に向くようにして傾斜面２０３ａ'、２０３ｂ'に取付けられている。また、各処理液供給管３０１〜３０５は、それぞれバルブ５１を介して１本の配管Ｌにより純水供給源４０に接続されている。
そして、バルブ５１は制御装置５０に接続され、この制御装置５０により各バルブの開閉制御が行われ、純水供給源４０から純水を各供給管３０１〜３０５へ同時に供給して被処理基板Ｗの表面処理を行うようになっている。
この基板処理装置を使用すると、供給された純水は、槽内において、一定方向の水流が形成され、この水流によって被処理基板の表面が洗浄される。
【０００４】
また、複数本の処理液供給管のうち、数本を順次選択・切換えて処理液を供給することにより被処理基板の表面処理を行うようにした基板処理装置も知られている（例えば、下記特許文献１、２参照）。
【０００５】
図９は、下記特許文献１に記載された基板処理装置の処理槽を示す断面図である。
この処理槽１００は、底部に６本の処理液供給管１０１〜１０６が配設され、これらの供給管のうち、２本の処理液供給管１０３、１０４は、その噴射ノズルが被処理基板Ｗの中心に向くようにして底面中央部に取付けられ、他の４本の処理液供給管１０１、１０２、１０５、１０６は、それぞれ２本をセットにして各噴射ノズルが被処理基板Ｗの側面を向くように各側壁に取付けられ、これら６本の供給管のうち、数本が順次選択され、更に交互に切換えられて処理液を処理槽へ供給するようになっている。
【０００６】
この供給管の選択・処理液の切換えは、２つの処理ステップＩ、IIに分かれている。処理ステップＩでは、６本の処理液供給管１０１〜１０６のうち、先ず、４本の処理液供給管１０２、１０３、１０４、１０５が選択されて、それぞれにＸ分単位の給液が行われ、また、処理ステップIIでは、４本の処理液供給管１０１、１０３、１０４、１０６が選択され、それぞれＹ分単位での給液が行われる。
そして、洗浄処理時には、これらの処理ステップが順次繰り返され、すなわち処理ステップＩではＸ分の処理が行われ、その後、処理ステップＩの処理が停止されて、処理ステップIIに切換えられてＹ分の処理が行われ、以後、この処理ステップＩ、IIが繰り返されて、合計切換え回数×（Ｘ＋Ｙ）分の時間を掛けて基板表面の洗浄処理が行われる。
例えば、アンモニア過水処理後の水洗処理は、先ず、処理ステップＩで４本の処理液供給管１０２、１０３、１０４、１０５が選択されて給液され、被処理基板の洗浄が行われ、７分後に、処理ステップIIに切換えて一部異なる４本の処理液供給管１０１、１０３、１０４、１０６が選択されて給液され、被処理基板の洗浄が行われている。
この基板処理装置を使用すると、比抵抗の回復基準点１０ＭΩを達成するのに、従来方式では処理時間が１０分１５秒掛かったのに対して、この処理装置では９分で達成できるとされている。
【０００７】
また、下記特許文献２に記載された基板処理装置は、処理槽の対向する側壁面に、複数本の処理液供給管が配設され、これらの供給管のうち何れかの供給管を選択的に切換えて、処理液を基板に供給するものである。この装置によると、処理液の様々な流れを形成することができるので、一定の流れを継続させることにより、槽内の淀みを抑制することができる。
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−１５００９１号公報（図１、段落〔００１４〕〜〔００１８〕、〔００２７〕、〔００２８〕）
【特許文献２】特開２００１−２７４１３３号公報（図７、段落〔００３９〕〜〔００４２〕）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記公知の基板処理装置２００によれば、複数本の処理液供給管３０１〜３０５から同時に供給された処理液は、処理槽内において一定方向の水流を形成し、この一定方向の水流によって被処理基板の表面が効率的に洗浄される。
【００１０】
しかしながら、上記基板処理装置２００では、流路に当たる領域に面した基板表面は効率よく洗浄されるが、この流路から外れた領域に面した基板表面は、流路が形成されていないために流速が遅くなり、また淀み部分が発生することがあることから、十分に洗浄されない。そのため、被処理基板の表面は、水洗いが良好に行われた領域と不十分な領域とに分かれ、いわゆる洗浄ムラが発生する。
そこで、このような洗浄ムラをなくそうとすると、大量の処理液を使用し、長時間掛けて洗浄処理を行う必要がある。したがって、このような方法では、処理能力の向上が期待できず、処理費用も高騰する。また、流路が一定方向に固定されるので、依然として洗浄ムラは解消されず、その結果、被処理基板表面の高品質な均一化を達成することが難しい。
【００１１】
また、上記特許文献１に記載された処理装置は、複数本の供給管を選択して切換えるので、切換え毎に流路が変更される。しかしながら、このような選択・切換えによっても、洗浄ムラは解消さず、結果として、近年要求されている被処理基板表面の高品質な均一化の仕様に適合させることは難しい。詳しくは、この処理槽では、２つの処理ステップを設定し、これらの処理ステップを組み合わせることによって洗浄処理を行っているが、各処理ステップの処理時間は何れも分単位のものとなっている。このため、例えば処理ステップＩにおいてはＸ分（実施例では７分）掛けて洗浄を行っているので、この間に、槽内では一定方向の流路が形成され、この流路によって基板表面が洗浄されている。したがって、この間は上記基板処理装置２００と同じように、被処理基板上で良好な洗浄が行われている領域と不十分な洗浄しか行われない領域が発生し、洗浄が不十分な領域に例えばエッチング液が付着している場合は、この処理ステップＩの間、すなわち、ほぼ７分間はエッチングが進行してしまう。この７分間が経過すると処理ステップIIに切換えられて流路が変更されるが、処理ステップＩで薬液処理されたエッチングが進んだ領域は修復されず、したがって基板表面の均一化処理を実現することは難しい。
【００１２】
加えて、上記特許文献１の基板処理装置は、処理槽の底部及び両側壁に近接した箇所に発生する「よどみ」を解消することを目的としている。このため、基板表面に付着した薬液等を効率よく洗い落とすことが難しくなっている。さらに、全体の処理時間が長い（実施例では９分）ので、この処理時間の長さに比例して処理液の使用量が多くなる。
【００１３】
さらに、上記特許文献２に記載された基板処理装置は、一定の方向、例えば時計回りに回転する流路を形成して基板表面を処理するものであって、この装置を使用しても上記課題は解決されない。
【００１４】
近年、半導体デバイスの高密度化及び高精細化が進んでいる。この動向に合わせて、基板処理装置には、基板表面をより平坦にするために一層の均一化、いわゆるユニフォミティーが要求されている。
【００１５】
そこで、本発明者らは、上記従来技術の基板処理装置では、このような要求を満たすことができる高精度な被処理基板表面の均一化が困難であることに鑑み、その原因を探求したところ、その要因が被処理基板に付着した薬液を純水で洗い落とすスピード、すなわち薬液を純水に置き換える置換スピード、いわゆる置換効率の高低にあることを突き止めた。そして、種々の対応策を検討した結果、複数本の処理液供給管の選択・切換えの順序を変え、且つ切換え時間を短時間に行うことにより、薬液と純水との置換効率の向上が図れることを見出し、この置換効率を上げればより高精度な被処理基板表面の均一化が達成できることに想到し、本発明を完成するに至ったものである。
【００１６】
すなわち、本発明の目的は、処理液の流れ方向を常に変化させることにより、被処理基板の処理効率を上げると共に、基板表面の均一化を可能にした基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の基板処理装置は、複数枚の被処理基板を垂直に立設した状態で収容できる大きさの箱型の処理槽と、この処理槽の底部に配設された複数本の処理液供給管と、これらの処理液供給管に所定のタイミングで処理液を供給する制御装置とを備えた基板処理装置において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管は前記処理槽の底壁面の中央部に、第２処理液供給管は前記第１処理液供給管の両側に、それぞれの噴射ノズルが収容される被処理基板の中央部に向けて配設され、更に第３処理液供給管は前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設され、前記制御装置は、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１処理液供給管からは常時、前記第２、第３処理液供給管からは秒単位の間隔で交互に切換えて供給する切換手段を有していることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記切換手段は、前記第２、第３処理液供給管の切換えを１〜６０秒間隔で行うことを特徴とする。
【００１９】
請求項３に記載の基板処理装置は、複数枚の被処理基板を垂直に立設した状態で収容できる大きさの箱型の処理槽と、この処理槽の底部に配設された複数本の処理液供給管と、これらの処理液供給管に所定のタイミングで処理液を供給する制御装置とを備えた基板処理装置において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管は前記処理槽の底壁面の中央部に、第２、第３処理液供給管は前記第１処理液供給管の両側に、それぞれの噴射ノズルが収容される被処理基板の中央部に向けて配設され、更に第４処理液供給管は前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設され、前記制御装置は、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１処理液供給管からは常時、他の前記第２処理液供給管、前記第３処理液供給管、前記第４処理液供給管からは秒単位の間隔で何れか１つを順次切換えて供給する切換手段を有していることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の基板処理装置において、前記切換手段は、前記第２〜第４処理液供給管の切換えを１〜６０秒間隔で行うことを特徴とする。
【００２１】
請求項５に記載の基板処理装置は、複数枚の被処理基板を垂直に立設した状態で収容できる大きさの箱型の処理槽と、この処理槽の底部に配設された複数本の処理液供給管と、これらの供給管に所定のタイミングで処理液を供給する制御装置を備えた基板処理装置において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管は前記処理槽の底壁面の中央部に噴射ノズルが収容される被処理基板の中央部に向けて配設され、第２処理液供給管は前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設され、前記制御装置は、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１、第２処理液供給管から秒単位の間隔で交互に切換えて供給させる切換手段を有していることを特徴とする。
【００２２】
また、請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の基板処理装置において、前記切換手段は、前記第１、第２処理液供給管の切換えを１〜６０秒間隔で行うことを特徴とする。
【００２３】
請求項７に記載の基板処理方法は、処理槽内に複数枚の被処理基板を収容し、前記処理槽の底部に配設した複数本の処理液供給管から制御手段により所定のタイミングで処理液を供給して被処理基板の表面を処理する基板処理方法において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管は前記処理槽の底壁面の中央部に、第２処理液供給管は前記第１処理液供給管の両側に、それぞれの各噴射ノズルが前記被処理基板の中央部に向けて配設し、更に第３処理液供給管が前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設し、前記制御手段により、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１処理液供給管からは常時、前記第２、第３処理液供給管からは秒単位の間隔で交互に切換えて供給し、前記処理槽の底部から上方へ向かって噴射させて前記被処理基板の表面を処理することを特徴とする。
【００２４】
請求項８に記載の基板処理方法は、処理槽内に複数枚の被処理基板を収容し、前記処理槽の底部に配設した複数本の処理液供給管から制御手段により所定のタイミングで処理液を供給して被処理基板の表面を処理する基板処理方法において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管は前記処理槽の底壁面の中央部に、第２、第３処理液供給管は前記第１処理液供給管の両側に、それぞれの噴射ノズルが収容される被処理基板の中央部に向けて配設し、更に第４処理液供給管は前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設し、前記制御手段により、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１処理液供給管からは常時、他の前記第２処理液供給管、前記第３処理液供給管、前記第４処理液供給管からは秒単位の間隔で何れか１つを順次切換えて供給し、前記処理槽の底部から上方へ向かって噴射させて前記被処理基板の表面を処理することを特徴とする。
【００２５】
また、請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の基板処理方法において、前記第２、第３処理液供給管は、前記第１処理液供給管より処理液が多く供給されることを特徴とする。
【００２６】
請求項１０に記載の基板処理方法は、処理槽内に複数枚の被処理基板を収容し、前記処理槽の底部に配設した複数本の処理液供給管から制御手段により所定のタイミングで処理液を供給して被処理基板の表面を処理する基板処理方法において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管が前記処理槽の底壁面の中央部に噴射ノズルが前記被処理基板の中央部に向けて配設し、第２処理液供給管が前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設し、前記制御手段は、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１、第２処理液供給管から秒単位の間隔で交互に切換え、底部から上方へ向かって噴射させて前記被処理基板の表面を処理することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明は、上記構成を備えることにより以下に示す優れた効果を奏する。すなわち、請求項１、２の発明によれば、被処理基板の洗浄時に、純水等の処理液の供給が第１処理液供給管からは常時、第２、第３処理液供給管からは秒単位の間隔で交互に切換えられて供給されることにより、処理槽の底部から被処理基板の中央部を通って上方へ向かう上昇乱流を形成しながらオーバーフローされる。
この上昇乱流は、決まった流路を形成することなく随時その流路及び流速を変更しながら処理液の供給がなされるので、短時間に被処理基板表面の全面へ拡大され、あたかも基板表面を処理液で擦るようにして付着された薬液、パーティクル等を素早く洗い落とすことができる。また、この乱流は複数枚の被処理基板間にも入り込み、この基板間に留まっている薬液等の追い出しも良好に行われる。
その結果、被処理基板の表面は、流路及び流速が素早く変化する処理液で処理されるので、より高精度な均一化処理が可能になると共に処理時間も短縮される。また、この処理時間の短縮に伴って処理液の使用量も低減できる。この場合、切換え時間が１秒未満であると乱流は起こるが切換時間が早すぎて処理液に薬液を洗い落とすための流速が形成されないために、基板表面を処理液で擦るようにして付着された薬液、パーティクルを素早く洗い落とすことができず、かえって被処理基板の表面の均一性が損なわれる場合があり、また、切換時間が６０秒を超えると、従来例との差異が少なくなってしまうために好ましくない。
【００２８】
請求項３、４の発明によれば、被処理基板の洗浄時に、純水等の処理液の供給が第１処理液供給管からは常時、他の第２処理液供給管、第３処理液供給管、第４処理液供給管からは秒単位の間隔で何れか１つを順次切換えて供給されることにより、処理槽の底部から被処理基板の中央部を通って上方へ向かう上昇乱流を形成しながらオーバーフローされる。
この上昇乱流は、決まった流路を形成することなく随時その流路及び流速を変更しながら処理液の供給がなされるので、短時間に被処理基板表面の全面へ拡大され、あたかも基板表面を処理液で擦るようにして付着された薬液、パーティクル等を素早く洗い落とすことができる。また、この乱流は複数枚の被処理基板間にも入り込み、この基板間に留まっている薬液等の追い出しも良好に行われる。
その結果、被処理基板の表面は、流路及び流速が素早く変化する処理液で処理されるので、より高精度な均一化処理が可能になると共に処理時間も短縮される。また、この処理時間の短縮に伴って処理液の使用量も低減できる。この場合、切換え時間が１秒未満であると乱流は起こるが切換時間が早すぎて処理液に薬液を洗い落とすための流速が形成されないために、基板表面を処理液で擦るようにして付着された薬液、パーティクルを素早く洗い落とすことができず、かえって被処理基板の表面の均一性が損なわれる場合があり、また、切換時間が６０秒を超えると、従来例との差異が少なくなってしまうために好ましくない。
【００２９】
請求項５、６の発明によれば、被処理基板の洗浄時に、第１、第２処理液供給管から純水等の処理液が秒単位の間隔で交互に切換えられて供給されることにより、処理槽の底部から被処理基板の中央部を通って上方へ向かう上昇流と、処理槽中央上部から底部へ向かう下降流を交互に形成しながらオーバーフローされる。
この上昇流及び下降流により生じる乱流は、決まった流路を形成することなく随時その流路及び流速を変更しながら処理液の供給がなされるので、短時間に被処理基板表面の全面へ拡大され、あたかも基板表面を処理液で擦るようにして付着された薬液、パーティクル等を素早く洗い落とすことができる。また、この乱流は複数枚の被処理基板間にも入り込み、この基板間に留まっている薬液等の追い出しも良好に行われる。
その結果、被処理基板の表面は、流路及び流速が素早く変化する処理液で処理されるので、より高精度な均一化処理が可能になると共に処理時間も短縮される。また、この処理時間の短縮に伴って処理液の使用量も低減できる。
【００３０】
請求項７の発明によれば、被処理基板の処理時に、純水等の処理液は第１処理液供給管からは常時、第２、第３処理液供給管からは秒単位の間隔で交互に切換えられて供給されることにより、処理槽の底部から被処理基板の中央部を通って上方へ向かう上昇乱流を形成しながらオーバーフローされる。すなわち、第２処理液供給管及び第３処理液供給管が秒単位で切換えられて、処理槽内へ処理液が供給されることにより、底部の中央に位置する第１処理液供給管の垂直方向の流路を境にして、両サイドに第２処理液供給管により形成される時計方向及び反時計方向の渦流に別方向の流れが第３処理液供給管から供給されることになるので、それまでの流れの中に異なる流れが導入され、一部乱流が生じた後別の渦流を形成しようとするが、さらに所定時間後には給液される処理液供給管が変更されるので定常な流れになる前に再び別の乱流が生じる。
したがって、この上昇乱流は、決まった流路を形成することなく随時その流路及び流速を変更しながら処理液の供給がなされるので、短時間に被処理基板表面の全面へ拡大され、あたかも基板表面を処理液で擦るようにして付着された薬液、パーティクル等を素早く洗い落とすことができる。また、この上昇の乱流は複数枚の被処理基板間にも入り込み、この基板間に留まっている薬液等の追い出しも良好に行われる。その結果、被処理基板の表面は、流路及び流速が素早く変化する処理液で処理されるので、より高精度な均一化処理が可能になると共に処理時間も短縮される。また、この処理時間の短縮に伴って処理液の使用量も低減できる。
【００３１】
請求項８の発明によれば、被処理基板の処理時に、純水等の処理液は第１処理液供給管からは常時、他の第２〜第４処理液供給管からは秒単位の間隔で何れか１つを順次切換えて供給されることにより、処理槽の底部から被処理基板の中央部を通って上方へ向かう上昇乱流を形成しながらオーバーフローされる。すなわち、第２処理液供給管〜第４処理液供給管が秒単位で切換えられて、処理槽内へ処理液が供給されることにより、第２処理液供給管により形成される時計方向及び反時計方向の渦流に別方向の流れが第３処理液供給管から供給されることになるので、それまでの流れの中に異なる流れが導入され、一部乱流が生じた後別の渦流を形成しようとするが、さらに所定時間後には給液される処理液供給管が変更されるので定常な流れになる前に再び別の乱流が生じる。
したがって、この上昇乱流は、決まった流路を形成することなく随時その流路及び流速を変更しながら処理液の供給がなされるので、短時間に被処理基板表面の全面へ拡大され、あたかも基板表面を処理液で擦るようにして付着された薬液、パーティクル等を素早く洗い落とすことができる。また、この上昇の乱流は複数枚の被処理基板間にも入り込み、この基板間に留まっている薬液等の追い出しも良好に行われる。その結果、被処理基板の表面は、流路及び流速が素早く変化する処理液で処理されるので、より高精度な均一化処理が可能になると共に処理時間も短縮される。また、この処理時間の短縮に伴って処理液の使用量も低減できる。
【００３２】
請求項９の発明によれば、処理槽内に渦流を発生させることで、被処理基板の表面処理が良好に行われるので、第２、第３処理液供給管から供給される処理液の量を第１処理液供給管より大きくすると渦流が生じやすく、被処理基板表面の薬液、パーティクル等をより良好に洗い落とすことができるようになる。
【００３３】
請求項１０の発明によれば、被処理基板の処理時に、第１、第２処理液供給管からは、秒単位の間隔で交互に切換えられて供給されることにより、処理槽の底部から被処理基板の中央部を通って上方へ向かう上昇流と、処理槽中央上部から底部へ向かう下降流を交互に形成しながらオーバーフローされる。すなわち、第１処理液供給管及び第２処理液供給管が秒単位で切換えられて、処理槽内へ処理液が供給されることにより、処理槽の中央線を境にして、両サイドに第１、第２処理液供給管により時計方向及び反時計方向の渦流が形成される。それと同時に、処理槽の中心部分には第１処理液供給管からの処理液供給により上昇流が形成されることとなるが、所定時間経過後に給液を行う処理液供給管を第２処理液供給管に変更すると、処理槽の中心部分には反対に下降流を形成しようとする。これにより、秒単位で処理液を供給する処理液供給管を変更することにより、定常な流れとなることがないと共に、上昇流と下降流が衝突するために大きな乱流が生じることとなる。
したがって、この上昇流及び下降流により生じる乱流は、決まった流路を形成することなく随時その流路及び流速を変更しながら処理液の供給がなされるので、短時間に被処理基板表面の全面へ拡大され、あたかも基板表面を処理液で擦るようにして付着された薬液、パーティクル等を素早く洗い落とすことができる。また、この乱流は複数枚の被処理基板間にも入り込み、この基板間に留まっている薬液等の追い出しも良好に行われる。その結果、被処理基板の表面は、流路及び流速が素早く変化する処理液で処理されるので、より高精度な均一化処理が可能になると共に処理時間も短縮される。また、この処理時間の短縮に伴って処理液の使用量も低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための基板処理装置及び基板処理方法を例示するものであって、本発明をこの基板処理装置及び基板処理方法に特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものも等しく適応し得るものである。
【実施例１】
【００３５】
図１は本発明の実施例１に係る基板処理装置を示す概略断面図であり、図１（ａ）は底部付近に設けられた３つの処理液供給管から処理液を供給した状態を示す図、図１（ｂ）は中央部と傾斜面に設けられた３つの処理液供給管から処理液を供給した状態を示す図である。
基板処理装置１は、図１に示すように、処理液及び複数枚の被処理基板を収容できる大きさの処理槽２と、この処理槽２内の底部に配設された複数本の処理液供給管３１〜３５と、処理液供給管に連結された配管Ｌの途中に設けられた複数個のバルブ５１〜５３と、これらのバルブ５１〜５３の開閉制御を行う制御装置５とを備えている。
【００３６】
処理槽２は、複数枚の被処理基板、例えば直径３００ｍｍの円板状の半導体ウェーハ（以下、ウェーハという）Ｗを５０枚程度、垂直に立設した状態で収容できる大きさを有する箱型の容器からなり、図１に示すように、その縦断面形状が底部に平坦面を有する細長な六角形状をなしている。すなわち、上方に開口部２１を有し、周囲が側壁２３ａ、２３ｂで囲まれ、ウェーハが十分浸漬できる深さで、この底部２２の両角部に所定角度の傾斜面２３ａ'、２３ｂ'が形成された構成を有している。
【００３７】
また、この処理槽２には、底部付近に複数本、図１では５本の処理液供給管３１〜３５が配設される。これら５本の処理液供給管３１〜３５は、それぞれ複数個の噴射ノズル（図示省略）が所定のピッチで長手方向に１列又は複数列形成されている。
そして、各処理液供給管３１〜３５は噴射ノズルが所定の方向に向くようにして取付けられる。すなわち、５本の処理液供給管３１〜３５のうち、３本の処理液供給管３１、３２、３３は、それぞれの噴射ノズルがウェーハＷの中心部に向くようにして底部２２近傍に取付けられ、残りの２本の処理液供給管３４、３５は、その噴射ノズルがウェーハＷの頂部を向くようにして、それぞれ傾斜面２３ａ'、２３ｂ'に取付けられる。
【００３８】
また、５本の処理液供給管３１〜３５には、配管Ｌ及びバルブ５１〜５３を介して純水が供給される。このバルブ５１〜５３は、制御装置５に接続されており、この制御装置５で開閉制御が行われる。また、各バルブ５１〜５３には、純水供給源が接続されている。
【００３９】
次に、この基板処理装置を使用したウェーハの処理方法を図１、図２を参照して説明する。図２は実施例１に係る基板処理装置の処理槽に処理液を供給するタイミングチャートである。
この基板処理装置１は、制御装置５により各バルブ５１〜５３を開閉制御することで各処理液供給管３１〜３５へ処理液を供給して処理槽２内でウェーハＷの表面処理を行う。
ウェーハＷの表面処理のうち、純水を使用した洗浄処理は、先ず、図２に示すように、時刻ｔ０において、制御装置５によりバルブ５１を開いて中央部に位置する処理液供給管３１から処理槽２内に純水を供給する。この処理液供給管３１からの給液は、この洗浄処理が終了する最終時刻ｔｎまで継続して行う。
【００４０】
また、制御装置５はこのバルブ５１の開放とほぼ同時にバルブ５２を開いて、処理液供給管３１の両サイドに隣接する２本の処理液供給管３２、３３から処理槽２内へ純水を時刻ｔ１までの秒単位の所定時間、例えば１０秒間供給する。このとき、バルブ５３は閉じておく。
処理液供給管３１からの給液により、処理槽２の底部２２中央部から上方へ向けた垂直方向の上昇流路が形成される。また、この処理液供給管３１の両側に位置する処理液供給管３２、３３からの給液により、この垂直方向の流路を境にして、その両サイドに時計方向及び反時計方向の渦流が形成される。
したがって、この垂直方向の流路及び左右の渦流は、ウェーハＷのほぼ中心部を通って上昇流、いわゆるアップ・フローで流れ、ウェーハＷの洗浄が行われる。なお、アップ・フローした純水は、その一部が外槽（図示省略）へオーバーフローする。
【００４１】
次に、時刻ｔ０から１０秒経過した時刻ｔ１において、バルブ５２を閉じて各処理液供給管３２、３３からの純水供給を停止し、これとほぼ同時に、バルブ５３を開いて傾斜面に位置する２本の処理液供給管３４、３５から純水を時刻ｔ２まで供給する。ｔ１〜ｔ２間の時間は、ｔ０〜ｔ１間の時間と同じく１０秒である。
各処理液供給管３４、３５からの給液により、底部の中央に位置する処理液供給管３１の垂直方向の流路を境にして、両サイドに既に各処理液供給管３２、３３からの給液により形成されていた時計方向及び反時計方向の渦流の流れが徐々に変化するが、定常流になる前のｔ２（１０秒後）にバルブ５３を開放し、バルブ５２を閉鎖するので一定の流れにならない。したがって、この流路の変更により、ウェーハＷの両側部が効率よく洗浄される。
【００４２】
以後、同様のタイミングで制御装置５により各バルブ５２、５３を１０秒間隔で交互に切換えて、各処理液供給管３２、３３及び処理液供給管３４、３５から処理槽２内へ純水を供給してウェーハＷの洗浄を行う。
したがって、一対の処理液供給管３２、３３及び処理液供給管３４、３５が秒単位で切換えられて、処理槽２内へ純水が供給されることにより、底部の中央に位置する処理液供給管３１の垂直方向の流路を境にして、両サイドに各処理液供給管３２、３３により形成されていた時計方向及び反時計方向の渦流に別方向の流れが各処理液供給管３４、３５から供給されるので、それまでの流れの中に異なる流れが導入され、一部乱流が生じた後別の渦流を形成しようとするが、１０秒後には給液される処理液供給管がさらに変更されるので定常な流れになる前に再び別の乱流が生じる。
これらの乱流により、あたかも基板表面を処理流で擦るようにして、付着された薬液、パーティクル等が素早く洗い流される。
この秒単位の切換え給液により、処理槽内の流速が急峻に変化すると共に、処理液供給管３２、３３と処理液供給管３４、３５とにより形成される渦流が相互に作用することにより処理槽２内に均一な乱流が形成されるので、ウェーハＷ表面のパーティクルの付着を抑制できる。
【００４３】
この基板処理槽１を使用した具体例として、容積５０リットルの処理槽２を使用し、この中に直径３００ｍｍのウェーハを収容し、各処理液供給管３１〜３５に所定量の純水を所定時間供給して洗浄した。詳しくは、処理液供給管３１からは、２０Ｌ／ｍｉｎ、各処理液供給管３２、３３の合計供給量２０Ｌ／ｍｉｎ、各処理液供給管３４、３５の合計供給量１８Ｌ／ｍｉｎ、各供給時間ｔｎ−１〜ｔｎを１０秒にしてウェーハＷを洗浄した。その結果、純水を約１０９．８Ｌ使用し、合計１７０秒で良好な洗浄ができた。
【実施例２】
【００４４】
図３は本発明の実施例２に係る基板処理装置の概略断面図、図４は実施例２の基板処理装置における処理液供給管から処理槽内への処理液供給プロセスを説明する断面図、図５は実施例２の基板処理装置の処理槽に処理液を供給するタイミングチャートを示す図である。なお、図５に示すタイミングチャートの切換え時間であるｔ０〜ｔｎは実施例１と同様に等間隔に設定されており、例えば１０秒間隔である。
【００４５】
この基板処理装置１Ａは、図３に示すように、上記実施例１の基板処理装置１と比べて中央の処理液供給管３１の両側に位置する処理液供給管３２、３３が個々のバルブ５２、５３に接続され、これらのバルブの開閉により処理槽へ個別に純水が供給されるようになっている点が異なる。すなわち、各供給管３２、３３は、それぞれ異なるバルブ５２、５３を介して純水供給源に接続され、制御装置５により各バルブ５１〜５４を切換えることによって、各供給管３１〜３６から処理槽２へ純水が供給される。そこで、両者に共通する構成は同一符号を付してその説明を援用し、異なる動作についてのみ説明する。
【００４６】
処理槽２への純水の供給は、図４及び図５に示すように、制御装置５によりバルブ５１を開いて中央部に位置する処理液供給管３１から処理槽２内に純水を供給する。この処理液供給管３１からの給液は、この洗浄処理が終了するまで継続して行われ、このときの供給量は定量で、例えば１０Ｌ／ｍｉｎである。
そして先ず、図４（ａ）に示すように、処理液供給管３１から純水を供給しながら、制御装置５によりバルブ５２を開いて、中央の処理液供給管３１に隣接する一方の処理液供給管３２から処理槽２内へ純水をｔ０からｔ１の間、例えば１０秒間供給する。この処理液供給管３２からの処理液の供給量は処理液供給管３１より多く、例えば２０Ｌ／ｍｉｎである。また、このときバルブ５３、５４は閉じられている。そして、各処理液供給管３１、３２から処理液を給液することにより、槽中央部の上昇流形成に伴い、図４（ａ）の右側では時計回り、左側では反時計回りの渦流が形成される。しかしながら、処理槽供給管３２は右側に片寄っているため、右側の時計回りの渦流がやや小さくなる。
【００４７】
その後、所定時間ｔ１に達した時点で、バルブ５２を閉じて処理液供給管３２からの純水供給を停止し、これとほぼ同時に、バルブ５３を開いて処理液供給管３３から純水の供給を所定時間ｔ１からｔ２の間行う（図４（ｂ）参照）。ｔ０からｔ１のときに形成された２つの渦流においては右側の時計回りの渦流の方が左側の反時計回りの渦流より小さかったのに対してｔ１からｔ２のときにおいては、処理液供給管３３からの新たな方向の流れによって、逆に左側の反時計回りの渦流の方が右側の時計回りの渦流より小さくなる流れを形成しようとする流れとなっている。この供給により、各処理液供給管３１、３２で形成された渦流、すなわち、バルブ５２が開かれた時点で処理液供給管３２からの供給が停止されているので慣性と処理液供給管３１による残留渦流と、処理液供給管３３からの供給に基づく新たな方向の水流とが衝突し、処理槽２内で乱流が発生する。
【００４８】
次いで、所定時間ｔ２に達した時点で、バルブ５３を閉じて処理液供給管３３からの純水供給を停止し、これとほぼ同時に、バルブ５４を開いて傾斜面に位置する処理液供給管３４、３５から純水を同時に所定時間ｔ２からｔ３の間供給して、槽内で新たな上昇水流を形成する（図４（ｃ）参照）。このときも、処理液供給管３３により形成された渦流が、処理液供給管３４、３５により生成される新たな水流による槽内の流れは図１（ｂ）の流れに移り変わろうとしているので、先の流れと衝突し、処理槽２内には乱流が発生する。そして、図４（ａ）〜図４（ｃ）に示すような切換えを所定回数（例えば図５ではｔｎ回）行うことにより、ウェーハWの表面処理がなされる。
【００４９】
この基板処理装置１Ａを使用した具体例として、容積４０リットルの処理槽２を使用し、この中に直径３００ｍｍのウェーハを収容し、各処理液処理液供給管３１〜３５に所定量の純水を所定時間供給して洗浄した。詳しくは、処理液供給管３１からは、常時１０Ｌ／ｍｉｎの処理液を供給し、処理液供給管３２、３３から供給される処理液及び処理液供給管３４、３５から供給される処理液の合計をそれぞれ２０Ｌ／ｍｉｎとして実施した。その結果、合計処理時間６分、純水使用量１８０リットルでエッチングユニフォミティー３％が達成できた。このユニフォミティーを例えば図８に示した従来技術の処理装置を使用すると、処理時間が８分掛かり、その純水使用量は４８０リットルであった。この結果、実施例２の基板処理装置１Ａによれば、処理時間が短縮されると共に純水使用量が大幅に低減されている。
【実施例３】
【００５０】
上記実施例１、２では、処理槽２の底部２２付近に３本の処理液供給管を配設したが、中央の処理液供給管を省いても同様の作用が期待できる。そこで、実施例３の基処理装置１Ｂは、上記基板処理装置１で底部に位置する３本の処理液供給管３１〜３３のうち、中央の処理液供給管３１を省いた、或いは使用しない構成を有している。したがって、この構成は、実施例１、２の装置と処理液供給管３１を省き或いは不使用にしただけで、その他の構成は同じであるので、両者に共通な構成は同一符号を付してその説明を援用し、異なる動作についてのみ説明する。
【００５１】
この基板処理装置１Ｂを使用したウェーハＷの処理方法を図６、図７を参照して説明する。図６は本発明の実施例３に係る基板処理装置を示す概略断面図であり、図６（ａ）は底部付近に設けられた２つの処理液供給管から処理液を供給した状態を示す図、図６（ｂ）は傾斜面に設けられた２つの処理液供給管から処理液を供給した状態を示す図、図７は処理槽に処理液を供給するタイミングチャートを示したものである。
この基板処理装置１Ｂは、制御装置５により各バルブ５２、５３を開閉制御することで各処理液供給管３２〜３５へ処理液を供給して処理槽２内でウェーハＷの表面処理を行う。
ウェーハＷの表面処理のうち、純水を使用した洗浄処理は、先ず、図７に示すように、時刻ｔ０において、制御装置５によりバルブ５２を開いて中央部に位置する処理液供給管３２、３３から処理槽２内に純水を供給する。このとき、バルブ５３は閉じておく。
処理液供給管３２、３３からの給液により、処理槽２の底部２２中央部から上方へ向けたほぼ垂直方向の上昇流路が形成され、この流路は、その両サイドで時計方向及び反時計方向の渦流となり、この渦流は、ウェーハＷのほぼ中心部を通って上昇流、いわゆるアップ・フローで流れ、ウェーハＷの洗浄が行われる。なお、アップ・フローした純水は、その一部が外槽（図示省略）へオーバーフローする。
【００５２】
次に、時刻ｔ０から１０秒経った時刻ｔ１において、バルブ５２を閉じて各処理液供給管３２、３３からの純水供給を停止し、これとほぼ同時に、バルブ５３を開いて傾斜面に位置する２本の処理液供給管３４、３５から純水を時刻ｔ２まで供給する。ｔ１〜ｔ２間の時間は、ｔ０〜ｔ１間の時間と同じく１０秒である。
各処理液供給管３４、３５からの給液により、時刻ｔ１〜ｔ２で処理液供給管３２、３３によって形成されていた時計方向及び反時計方向の渦流の流れが実施例１と同様に徐々に変化するが、中心に上昇流がないため中心部分では下降流を生じようとする。この流れは実施例１より大きな乱流を生じさせる。したがって、この流路の変更により、さらにウェーハＷの両側部が効率よく洗浄される。この渦流は、実施例１の基板処理装置１では、処理液供給管３１からの給液により、中央部に常に上昇流を形成していたが、この基板処理装置１Ｂでは中央部分に下降流を生じようとする給液を行うので、実施例１の基板処理装置１よりも乱流が大きいものとなる。
【００５３】
以後、同様のタイミングで制御装置５により、各バルブ５２、５３を１０秒間隔で交互に切換えて、各処理液供給管３２、３３及び処理液供給管３４、３５から処理槽２内へ純水を供給してウェーハＷの洗浄を行う。
したがって、一対の処理液供給管３２、３３及び処理液供給管３４、３５が秒単位で切換えられて、処理槽２内へ純水が供給されることにより、中央部に形成されていた上昇流が１０秒後に下降流に変化し始める。変化し始めたところで、また１０秒後に再び上昇流に変化し始めると言ったように、常に中央部の流れが変化し続けることになる。これらの流れ方向の反転により、ウェーハＷが洗浄される。
この秒単位の切換え給液により、処理槽内の流速が急峻に変化すると共に、処理液供給管３２、３３と処理液供給管３４、３５とにより形成される渦流が相互に作用することにより処理槽２内に均一な乱流が発生し、定常的な淀みがなくなるので、ウェーハＷ表面のパーティクルの付着を抑制させることができる。
【００５４】
この基板処理槽１Ｂを使用した具体例として、容積５０リットルの処理槽２を使用し、この中に直径３００ｍｍのウェーハを収容し、各処理液供給管３２〜３５に所定量の純水を所定時間供給して洗浄した。詳しくは、各処理液供給管３２、３３の合計供給量２８Ｌ／ｍｉｎ、各処理液供給管３４、３５の合計供給量２６Ｌ／ｍｉｎ、各供給時間ｔｎ−１〜ｔｎを１０秒にしてウェーハＷを洗浄した。その結果、純水を約１０６．８Ｌ使用し、合計２４０秒で良好な洗浄ができた。
さらに詳しい実施例はないが、複数薬液を使用する単一槽においての直前に使用され他処理液の追い出しに関しても有効な方法であることは明白である。
また、本実施例では切換時間を一定値１０秒としたが、この切換時間は１〜６０秒の間であれば所定の作用が奏され、またこの切換時間を徐々に変えたり、途中又は最後に定常流を交えるなど、多くのバリエーションが考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施例１に係る基板処理装置を示す概略断面図であり、図１（ａ）は底部付近に設けられた３つの処理液供給管から処理液を供給した状態を示す図であり、図１（ｂ）は中央部と傾斜面に設けられた３つの処理液供給管から処理液を供給した状態を示す図、
【図２】実施例１に係る基板処理装置の処理槽に処理液を供給するタイミングチャート、
【図３】本発明の実施例２に係る基板処理装置を示す概略断面図、
【図４】実施例２に係る基板処理装置の処理液供給管から処理槽内への処理液供給プロセスを説明する断面図、
【図５】実施例２に係る基板処理装置の処理槽に処理液を供給するタイミングチャート、
【図６】本発明の実施例３に係る基板処理装置を示す概略断面図であり、図６（ａ）は底部付近に設けられた２つの処理液供給管から処理液を供給した状態を示す図、図６（ｂ）は傾斜面に設けられた２つの処理液供給管から処理液を供給した状態を示す図、
【図７】実施例３に係る基板処理装置の処理槽に処理液を供給するタイミングチャート、
【図８】従来技術の基板処理装置を示す概略断面図、
【図９】従来技術の基板処理装置を示す断面図。
【符号の説明】
【００５６】
１、１Ａ、１Ｂ 基板処理装置
２ 処理槽
５ 制御装置
３１〜３５ 処理液供給管
５１〜５４ バルブ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の被処理基板を垂直に立設した状態で収容できる大きさの箱型の処理槽と、この処理槽の底部に配設された複数本の処理液供給管と、これらの処理液供給管に所定のタイミングで処理液を供給する制御装置とを備えた基板処理装置において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管は前記処理槽の底壁面の中央部に、第２処理液供給管は前記第１処理液供給管の両側に、それぞれの噴射ノズルが収容される被処理基板の中央部に向けて配設され、更に第３処理液供給管は前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設され、前記制御装置は、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１処理液供給管からは常時、前記第２、第３処理液供給管からは秒単位の間隔で交互に切換えて供給する切換手段を有していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記切換手段は、前記第２、第３処理液供給管の切換えを１〜６０秒間隔で行うことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
複数枚の被処理基板を垂直に立設した状態で収容できる大きさの箱型の処理槽と、この処理槽の底部に配設された複数本の処理液供給管と、これらの処理液供給管に所定のタイミングで処理液を供給する制御装置とを備えた基板処理装置において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管は前記処理槽の底壁面の中央部に、第２、第３処理液供給管は前記第１処理液供給管の両側に、それぞれの噴射ノズルが収容される被処理基板の中央部に向けて配設され、更に第４処理液供給管は前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設され、前記制御装置は、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１処理液供給管からは常時、他の前記第２処理液供給管、前記第３処理液供給管、前記第４処理液供給管からは秒単位の間隔で何れか１つを順次切換えて供給する切換手段を有していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
前記切換手段は、前記第２〜第４処理液供給管の切換えを１〜６０秒間隔で行うことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
複数枚の被処理基板を垂直に立設した状態で収容できる大きさの箱型の処理槽と、この処理槽の底部に配設された複数本の処理液供給管と、これらの供給管に所定のタイミングで処理液を供給する制御装置を備えた基板処理装置において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管は前記処理槽の底壁面の中央部に噴射ノズルが収容される被処理基板の中央部に向けて配設され、第２処理液供給管は前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設され、前記制御装置は、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１、第２処理液供給管から秒単位の間隔で交互に切換えて供給させる切換手段を有していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
前記切換手段は、前記第１、第２処理液供給管の切換えを１〜６０秒間隔で行うことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
処理槽内に複数枚の被処理基板を収容し、前記処理槽の底部に配設した複数本の処理液供給管から制御手段により所定のタイミングで処理液を供給して被処理基板の表面を処理する基板処理方法において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管は前記処理槽の底壁面の中央部に、第２処理液供給管は前記第１処理液供給管の両側に、それぞれの各噴射ノズルが前記被処理基板の中央部に向けて配設し、更に第３処理液供給管が前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設し、前記制御手段により、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１処理液供給管からは常時、前記第２、第３処理液供給管からは秒単位の間隔で交互に切換えて供給し、前記処理槽の底部から上方へ向かって噴射させて前記被処理基板の表面を処理することを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
処理槽内に複数枚の被処理基板を収容し、前記処理槽の底部に配設した複数本の処理液供給管から制御手段により所定のタイミングで処理液を供給して被処理基板の表面を処理する基板処理方法において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管は前記処理槽の底壁面の中央部に、第２、第３処理液供給管は前記第１処理液供給管の両側に、それぞれの噴射ノズルが収容される被処理基板の中央部に向けて配設し、更に第４処理液供給管は前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設し、前記制御手段により、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１処理液供給管からは常時、他の前記第２処理液供給管、前記第３処理液供給管、前記第４処理液供給管からは秒単位の間隔で何れか１つを順次切換えて供給し、前記処理槽の底部から上方へ向かって噴射させて前記被処理基板の表面を処理することを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
前記第２、第３処理液供給管は、前記第１処理液供給管より処理液が多く供給されることを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
処理槽内に複数枚の被処理基板を収容し、前記処理槽の底部に配設した複数本の処理液供給管から制御手段により所定のタイミングで処理液を供給して被処理基板の表面を処理する基板処理方法において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管が前記処理槽の底壁面の中央部に噴射ノズルが前記被処理基板の中央部に向けて配設し、第２処理液供給管が前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設し、前記制御手段は、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１、第２処理液供給管から秒単位の間隔で交互に切換え、底部から上方へ向かって噴射させて前記被処理基板の表面を処理することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１】
複数枚の被処理基板を垂直に立設した状態で収容できる大きさの箱型の処理槽と、この処理槽の底部に配設された複数本の処理液供給管と、これらの処理液供給管に所定のタイミングで処理液を供給する制御装置とを備えた基板処理装置において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管は前記処理槽の底壁面の中央部に、第２処理液供給管は前記第１処理液供給管の両側に、それぞれの噴射ノズルが収容される被処理基板の中央部に向けて配設され、更に第３処理液供給管は前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設され、前記制御装置は、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１処理液供給管からは常時、前記第２、第３処理液供給管からは秒単位の間隔で交互に切換えて供給する切換手段を有していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記切換手段は、前記第２、第３処理液供給管の切換えを１〜６０秒間隔で行うことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
複数枚の被処理基板を垂直に立設した状態で収容できる大きさの箱型の処理槽と、この処理槽の底部に配設された複数本の処理液供給管と、これらの処理液供給管に所定のタイミングで処理液を供給する制御装置とを備えた基板処理装置において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管は前記処理槽の底壁面の中央部に、第２、第３処理液供給管は前記第１処理液供給管の両側に、それぞれの噴射ノズルが収容される被処理基板の中央部に向けて配設され、更に第４処理液供給管は前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設され、前記制御装置は、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１処理液供給管からは常時、他の前記第２処理液供給管、前記第３処理液供給管、前記第４処理液供給管からは秒単位の間隔で何れか１つを順次切換えて供給する切換手段を有していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
前記切換手段は、前記第２〜第４処理液供給管の切換えを１〜６０秒間隔で行うことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
複数枚の被処理基板を垂直に立設した状態で収容できる大きさの箱型の処理槽と、この処理槽の底部に配設された複数本の処理液供給管と、これらの供給管に所定のタイミングで処理液を供給する制御装置を備えた基板処理装置において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管は前記処理槽の底壁面の中央部に噴射ノズルが収容される被処理基板の中央部に向けて配設され、第２処理液供給管は前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設され、前記制御装置は、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１、第２処理液供給管から秒単位の間隔で交互に切換えて供給させる切換手段を有していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
前記切換手段は、前記第１、第２処理液供給管の切換えを１〜６０秒間隔で行うことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
処理槽内に複数枚の被処理基板を収容し、前記処理槽の底部に配設した複数本の処理液供給管から制御手段により所定のタイミングで処理液を供給して被処理基板の表面を処理する基板処理方法において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管は前記処理槽の底壁面の中央部に、第２処理液供給管は前記第１処理液供給管の両側に、それぞれの各噴射ノズルが前記被処理基板の中央部に向けて配設し、更に第３処理液供給管が前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設し、前記制御手段により、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１処理液供給管からは常時、前記第２、第３処理液供給管からは秒単位の間隔で交互に切換えて供給し、前記処理槽の底部から上方へ向かって噴射させて前記被処理基板の表面を処理することを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
処理槽内に複数枚の被処理基板を収容し、前記処理槽の底部に配設した複数本の処理液供給管から制御手段により所定のタイミングで処理液を供給して被処理基板の表面を処理する基板処理方法において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管は前記処理槽の底壁面の中央部に、第２、第３処理液供給管は前記第１処理液供給管の両側に、それぞれの噴射ノズルが収容される被処理基板の中央部に向けて配設し、更に第４処理液供給管は前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設し、前記制御手段により、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１処理液供給管からは常時、他の前記第２処理液供給管、前記第３処理液供給管、前記第４処理液供給管からは秒単位の間隔で何れか１つを順次切換えて供給し、前記処理槽の底部から上方へ向かって噴射させて前記被処理基板の表面を処理することを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
前記第２、第３処理液供給管は、前記第１処理液供給管より処理液が多く供給されることを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
処理槽内に複数枚の被処理基板を収容し、前記処理槽の底部に配設した複数本の処理液供給管から制御手段により所定のタイミングで処理液を供給して被処理基板の表面を処理する基板処理方法において、
前記各処理液供給管は、それぞれ複数個の噴射ノズルを有しており、これら複数本の処理液供給管のうち、第１処理液供給管が前記処理槽の底壁面の中央部に噴射ノズルが前記被処理基板の中央部に向けて配設し、第２処理液供給管が前記処理槽の対向する両側壁に噴射ノズルが前記被処理基板の頂部に向けて配設し、前記制御手段は、前記被処理基板の洗浄時に処理液を前記第１、第２処理液供給管から秒単位の間隔で交互に切換え、底部から上方へ向かって噴射させて前記被処理基板の表面を処理することを特徴とする基板処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００６−１８６３１０（Ｐ２００６−１８６３１０Ａ）
【公開日】平成１８年７月１３日（２００６．７．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２６３１８７（Ｐ２００５−２６３１８７）
【出願日】平成１７年９月１２日（２００５．９．１２）
【出願人】（３９１０６０３９５）エス・イー・エス株式会社 (46)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年７月１３日（２００６．７．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月１２日（２００５．９．１２）
【出願人】（３９１０６０３９５）エス・イー・エス株式会社 (46)
【Ｆターム（参考）】
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