有機EL装置の製造方法、有機EL装置及び電子機器
【課題】トップエミッション構造を採用し補助配線を設けた有機EL装置において、表示品質の低下を防止することを目的とする。
【解決手段】基板上に補助配線と複数の画素電極とを形成し、該補助配線及び各画素電極上に有機機能層を形成し、該有機機能層上に光透過性の共通電極を形成することにより複数の有機EL素子を前記基板上に形成する有機EL表示装置の製造方法であって、前記補助配線上の共通電極に接続部材を打ち込むことにより前記共通電極と前記補助配線とを相互接続する。
【解決手段】基板上に補助配線と複数の画素電極とを形成し、該補助配線及び各画素電極上に有機機能層を形成し、該有機機能層上に光透過性の共通電極を形成することにより複数の有機EL素子を前記基板上に形成する有機EL表示装置の製造方法であって、前記補助配線上の共通電極に接続部材を打ち込むことにより前記共通電極と前記補助配線とを相互接続する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機EL装置の製造方法、有機EL装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
バックライト等の光源を必要としない自発光素子を備えた表示装置として、近年、エレクトロルミネッセンス(以下、ELと称す)素子を備えた有機EL装置が注目されている。有機EL装置は、有機EL材料からなる発光層を一対の電極により挟持した発光素子を、基板面内に複数設けた構成を備えたもので、発光層からの光の取り出し方向の違いにより、基板側から光を取り出すボトムエミッション構造と、封止基板やカラーフィルタ基板等の対向基板側から光を取り出すトップエミッション構造とに分類される。近年では、有機EL装置の大型化、高精細化、高輝度化に対するニーズが高く、発光素子の高開口率化、高効率化を実現するのに有利なトップエミッション構造の有機EL装置の研究開発が盛んに行われている。
【0003】
トップエミッション構造の有機EL装置においては、一般的に、発光層を挟む一対の電極のうち共通電極は、光が射出される側に配置されている。そして、この共通電極は透光性を有する導電材料、例えば、ITO(インジウム・スズ酸化物)膜やIZO(インジウム・亜鉛酸化物)膜等によって形成されている。このようなITO膜やIZO膜は金属膜と比べて抵抗が大きいため、共通電極内において電圧の不均一を招き、表示品質が低下する恐れがある。このため、特に大型のトップエミッション構造の有機EL装置では、基板上に抵抗が小さい補助配線を形成し、この補助配線と共通電極の途中部位とを電気的に接続することによって共通電極の電圧降下を防止している。
【0004】
ところで、発光層を形成する方法としては、一般的に、真空下で有機EL材料を配置した蒸着ボートを蒸着マスクを挟んで基板と対向させ、上記蒸着ボートを加熱することにより有機EL材料を蒸着マスクを介して基板(より具体的には画素領域)に蒸着させる真空蒸着法が採用されている(例えば下記特許文献1参照)。この場合、画素毎に異なる色(R、G、Bのいずれか)を発光する有機EL材料をそれぞれ蒸着して発光層を形成することでフルカラー表示を行っている。一方、発光層に白色発光の有機EL材料を用い、対向基板にカラーフィルタ基板を用いることによってフルカラー表示を行うような有機EL表示装置の場合、画素毎に有機EL材料を変更する必要がないので、蒸着マスクを用いず、白色発光の有機EL材料を基板全面にべた蒸着することで発光層を形成している。
【0005】
このように、白色発光の有機EL材料を基板全面にべた蒸着するような場合、上記のようなトップエミッション構造を採用すると、補助配線上に有機EL材料が蒸着されることによって、補助配線と共通電極との導通が図れなくなるという問題がある。これを解決するために、有機EL材料を基板全面にべた蒸着するような場合であっても、蒸着マスクを用いることによって補助配線上に有機EL材料が蒸着することを防いでいた。
【特許文献1】特開2003−313655号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、上記のように、補助配線上に有機EL材料が蒸着されないようにするためには、高精度の蒸着マスクや、位置合わせ技術が要求され、これらの精度が十分でない場合、補助配線と共通電極との間に付着した有機EL材料が抵抗成分となり、共通電極内において電圧の不均一を招き、表示品質が低下する恐れがあった。
【0007】
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、トップエミッション構造を採用し補助配線を設けた有機EL装置において、表示品質の低下を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記課題を解決するために、本発明では、有機EL装置の製造方法に係る解決手段として、基板上に補助配線と複数の画素電極とを形成し、該補助配線及び各画素電極上に有機機能層を形成し、該有機機能層上に光透過性の共通電極を形成することにより複数の有機EL素子を前記基板上に形成する有機EL装置の製造方法であって、前記補助配線上の共通電極に所定の接続部材を打ち込むことにより前記共通電極と前記補助配線とを相互接続することを特徴とする。
この発明によれば、補助配線上の共通電極に接続部材を打ち込んで当該共通電極と補助配線とを相互接続することにより、補助配線上に蒸着された有機EL材料による抵抗の増加を防ぐことができ、その結果、共通電極内における電圧の不均一を低減して表示品質の低下を防止することが可能である。
【0009】
また、本発明では、補助配線が画素電極の下層に形成される場合には、前記補助配線上に当該補助配線の一部が露出するように開口を形成した上で有機機能層と共通電極とを形成することが好ましい。
この発明によれば、画素電極の形成された層より下層に補助配線を形成した場合であっても、開口を設けることにより確実に接続部材を打ち込んで共通電極と補助配線とを接続することが可能である。
【0010】
また、本発明では、接続部材を含む溶剤を前記補助配線に沿って連続的または間欠的に共通電極上に塗布し、当該塗布した溶剤に圧力を加えることによって前記接続部材を共通電極に打ち込むことが好ましい。
この発明によれば、効率良く短時間で接続部材を打ち込むことができる。
【0011】
また、本発明では、ピン状の接続部材を前記補助配線に沿って離間的に打ち込むことが好ましい。
この発明によれば、効率良く短時間で接続部材を打ち込むことができる。
【0012】
また、本発明では、前記補助配線の長さと略同一の長さを有する板状の接続部材を前記補助配線に沿って打ち込むことが好ましい。
この発明によれば、効率良く短時間で接続部材を打ち込むことができる。
【0013】
また、本発明では、前記基板のカラーフィルタ基板側に、ピン状の接続部材を補助配線の長さ方向に離間的に形成し、前記カラーフィルタ基板を前記基板に貼り合わせることによって、前記ピン状の接続部材を補助配線上の共通電極に打ち込むことが好ましい。
この発明によれば、効率良く短時間で接続部材を打ち込むことができる。
【0014】
また、本発明では、前記基板のカラーフィルタ基板側に、板状の接続部材を補助配線の長さ方向に垂直に形成し、前記カラーフィルタ基板を前記基板に貼り合わせることによって、前記板状の接続部材を補助配線上の共通電極に打ち込むことが好ましい。
この発明によれば、効率良く短時間で接続部材を打ち込むことができる。
【0015】
一方、本発明では、有機EL装置に係る解決手段として、上記のいずれかの有機EL装置の製造方法により製造されることを特徴とする。
この発明によれば、共通電極内における電圧の不均一を低減して表示品質の低下を防止した有機EL装置を提供することができる。
【0016】
さらに、本発明では、電子機器に係る解決手段として、上記有機EL装置を備えることを特徴とする。
この発明によれば、共通電極内における電圧の不均一を低減して表示品質の低下を防止した有機EL装置を備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0017】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
なお、本実施形態は、発光層に白色発光の有機EL材料を用い、対向基板にカラーフィ
ルタ基板を用いることによってフルカラー表示を行うような有機EL装置の製造方法に関するものである。
【0018】
〔有機EL装置の構成〕
最初に、本実施形態によって製造された有機EL装置について説明する。
図1は、本実施形態によって製造された有機EL装置1の構成を示すものであり、(a)は平面図、(b)は上記平面図におけるA−A矢視断面図である。
この有機EL表示装置1は、図1(a)に示すように、基板2上には三原色の各色(R、G、B)に対応する長円形状の画素領域3が行列状に複数配置すると共に、横方向に配列する画素領域3間に横方向に延在する帯状の補助配線4が複数本配置されている。
【0019】
また、図1(b)に示すように、基板2上には駆動用TFT5が形成されている。この駆動用TFT5は、半導体膜6に形成されたソース領域5a、ドレイン領域5b、及びチャネル領域5cと、半導体膜6の表面に形成されたゲート絶縁膜7を介してチャネル領域5cに対向するゲート電極5dとによって主に構成されている。また、半導体膜6及びゲート絶縁膜7を覆う第1層間絶縁膜8が形成されており、この第1層間絶縁膜8を貫通して半導体膜6に達するコンタクトホール9,10内に、それぞれドレイン電極11、ソース電極12が埋設され、この各電極は上記ドレイン領域5b、ソース領域5aに導電接続されている。
【0020】
上記第1層間絶縁膜8上には第2平坦化絶縁膜13が形成されており、また、この第2平坦化絶縁膜13上には画素電極14と上述した補助配線4とが形成されている。画素電極14の一部は、第2平坦化絶縁膜13に貫設されたコンタクトホールに埋設されており、ドレイン電極11と導電接続されている。補助配線4は、上記画素電極14と同一層に形成されている。また、画素電極14の周縁部に一部乗り上げるようにして無機絶縁材料からなる無機バンク(第1隔壁層)16が形成されている。この無機バンク16上には、有機材料からなるバンク(第2隔壁層)17が積層されている。
【0021】
上記有機EL素子15は、画素電極14、当該画素電極14上に形成された正孔注入/輸送層18、当該正孔注入/輸送層18上に形成された発光層19、当該発光層19上に形成された電子注入/輸送層20及び当該電子注入/輸送層20上に形成された共通電極21によって構成されている。これら正孔注入/輸送層18、発光層19及び電子注入/輸送層20は、有機機能層を構成している。そして、共通電極21上には、補助配線4に沿って連続的に、つまり図1(a)の横方向に、導電性を有する球状の接続部材Xを多数含むペーストP(溶剤)が塗布されており、以下で説明するように、ペーストPに圧力を加えて接続部材Xを共通電極21に打ち込むことにより、当該共通電極21と補助電極4とは接続部材Xを介して導電接続されている。なお、この接触部材Xは、導電性を有するものであれば他の形状でも良い。
【0022】
基板2としては、いわゆるトップエミッション構造の有機EL装置の場合、有機EL素子15が配設された側から光を取り出す構成であるので、ガラス等の透明基板のほか、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム(プラスチックフィルム)などが挙げられる。また、画素電極14は、トップエミッション構造の場合には透光性である必要はなく、金属材料等の適宜な導電材料によって形成できる。
【0023】
本実施形態における有機EL素子15は、共通電極21に透明な材料を用いることにより、発光層19で発光する光を共通電極21側から出射させるトップエミッション構造を採用したものである。透明な材料としては、例えば、インジウム・スズ酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、アルミニウム薄膜、マグネシウム銀の薄膜等を用いる事ができる。
【0024】
さらに、基板2と対向してカラーフィルタ基板22が設けられている。このカラーフィルタ基板22上には、三原色の各色(R、G、B)に対応するカラーフィルタ23と遮光用のBM(Black Matrix)パターン24が形成されている。また、カラーフィルタ基板22は、基板2側の画素領域3とカラーフィルタ23とが対向するように設けられている。なお、このカラーフィルタ基板22にはガラス等の透明性を有する基板が使用される。
【0025】
〔有機EL装置の製造方法〕
次に、上記有機EL装置1の製造方法について説明する。本実施形態では、ガラス等の基板2上に各種配線や駆動用TFT5等を形成する工程、該駆動用TFT5上に画素電極14及び補助配線4を形成する工程、当該画素電極14及び補助配線4上に隔壁(無機バンク16及びバンク17)を形成する工程、この隔壁上に有機機能層を形成する工程、有機機能層上に共通電極21を形成する工程、補助配線4に沿って連続的に共通電極21上にペーストPを塗布し、ペーストPに含まれる接続部材Xによって補助配線4と共通電極21とを導電接続する工程を実施することにより、有機EL装置1を製造するものである。これら各工程のうち、各種配線や駆動用TFT5等を形成する工程については、周知の工程と同様なので、これ以降の工程について詳しく説明する。
【0026】
(1)画素電極・補助配線形成工程
図2(a)に示すように、基板2上に駆動用TFT5、半導体膜6、ゲート絶縁膜7、第1層間絶縁膜8、ドレイン電極11、ソース電極12及び第2平坦化絶縁膜13が形成されると、蒸着法により第2平坦化絶縁膜13上にインジウム・スズ酸化物(ITO)を全面成膜し、またこの膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、図2(b)に示すように画素電極14及び補助配線4を形成する。なお、本実施形態の有機EL表示装置1は、前述したようにトップエミッションタイプなので、画素電極14及び補助配線4は、透明である必要がないので、よって上記インジウム・スズ酸化物に限定されることなく適宜な導電材料によって形成することができる。
【0027】
(2)隔壁形成工程
次に、図2(c)に示すように、第2平坦化絶縁膜13、画素電極14及び補助配線4上に第1の隔壁として無機バンク16を形成し、さらに図2(d)に示すように、第2の隔壁としてバンク17を形成する。無機バンク16は、例えばCVD法、スパッタ法、蒸着法等によって第2平坦化絶縁膜13、画素電極14及び補助配線4上の全面にSiO2、TiO2、SiN等の無機物膜を形成し、この無機物膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより形成する。この無機バンク16は、第2平坦化絶縁膜13上、画素電極14及び補助配線4の周縁部上のみに設けられ、画素電極14の中央近傍に位置する電極面14a及び補助配線4の中央近傍に位置する電極面4aは露出している。
【0028】
次いで、上記無機バンク16上にバンク17を形成する。このバンク17は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する有機樹脂を材料として用いることができる。バンク17は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂を溶媒に溶かしたものを、スピンコート、ディップコート等により塗布して形成する。そして、バンク17をフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口を設ける。このバンク17の開口部は、図2(d)に示すように、無機バンク16の開口部よりやや広く形成することが好ましい。
【0029】
このようにしてバンク17が形成されると、続いてプラズマ処理を行う。このプラズマ処理は、画素電極14の電極面14aを活性化するものであり、画素電極14の電極面14aの表面洗浄、更に仕事関数の調整、更には親液化を主な目的として行われる。
【0030】
(3)機機能層形成工程
次に、図3に示すように、画素電極14、無機バンク16及びバンク17の全面に正孔注入/輸送層18を形成し、さらにその上に発光層19を形成し、さらにその上に電子注入/輸送層20を形成することによって有機機能層を形成する。正孔注入/輸送層18、発光層19及び電子注入/輸送層20は、各層に好適な蒸着材料を周知の蒸着法に基づいて蒸着することによって形成される。
【0031】
発光層19の蒸着材料としては、白色の蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の低分子材料を用いることができ、例えばアントラセンやピレン、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、またはこれら低分子材料に、ルブレン、キナクリドン誘導体、フェノキサゾン誘導体、DCM、DCJ、ペリノン、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ジアザインダセン誘導体等をドープして用いることができる。また、電子注入/輸送層20の蒸着材料としては、LiF等のアルカリ金属のフッ化物あるいは酸化物、マグネシウムリチウム等の合金等を用いることができる。
【0032】
(4)共通電極形成工程
そして、図4に示すように、電子注入/輸送層20上の全面に、共通電極21を形成する。この共通電極形成工程では、トップエミッション構造を実現するために、例えばイオンプレーティング法等の物理気相成長法により透明なITOを共通電極21として成膜する。またはアルミニウムの薄膜、マグネシウム銀の薄膜を蒸着法で形成して共通電極21とする。また、酸素や水分の影響による有機EL素子15の劣化を防止するために、共通電極21上に、酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素等の保護層を設けても良い。
【0033】
(5)ペースト塗布及び共通電極21と補助配線4との導通接続工程
続いて、図4に示すように、接続部材Xを含むペーストPを、ディスペンサ装置を用いて、補助配線4に沿って連続的に共通電極21上に塗布する。そして、ペーストPに対して上方から圧力を加えることによって、図1(b)に示すように、接続部材Xを共通電極21側から補助配線4側へ打ち込む。これにより、共通電極21と補助配線4とは、接続部材Xを介して導通接続される。
このような導通接続工程後に、基板2と対向する側にカラーフィルタ基板22を重ね合わせ、基板2とカラーフィルタ基板22とを封止樹脂にて貼り合せることにより、図1に示した有機EL装置1が完成する。なお、上記のような基板2とカラーフィルタ基板22との貼り合せ工程を利用してペーストPに圧力を加えても良い。
【0034】
以上のように、本実施形態によれば、補助配線4上の共通電極21に接続部材Xを打ち込んで当該共通電極21と補助配線4とを導通接続することにより、高精度に加工された蒸着マスクと当該蒸着マスクと基板との高精度な位置合わせ技術を用いることなく、補助配線4と共通電極21を接続することが可能である。そして、この結果として、共通電極21の電圧の不均一に起因する表示品質の低下を防止することができる。
【0035】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のような変形例が考えられる。
(1)上記実施形態では、補助配線4に沿って連続的に共通電極21上にペーストPを塗布したが、例えば図5に示すように、補助配線4に沿って間欠的にペーストPを共通電極21上に塗布して接続部材Xを打ち込んでも良い。また、図6に示すように、補助配線4が間欠的に配置されている場合でも、補助配線4に沿って連続的に共通電極21上にペーストPを塗布しても良い。さらに、図7に示すように、補助配線4が間欠的に配置されている場合、これら補助配線4と平面的に重ね合わさるように、間欠的に共通電極21上にペーストPを塗布しても良い。
【0036】
(2)また、上記実施形態では補助配線4が画素電極14と同一層に形成される有機EL表示装置1の製造方法について説明したが、補助配線4を画素電極14よりも下層に設けることが考えられる。図8は、このように補助配線4が画素電極14よりも下層に設けられた有機EL装置を示している。図8(a)は、ゲート電極5dと同一層に補助配線4を形成する場合を示し、図8(b)は、ドレイン電極11及びソース電極12と同一層に補助配線4を形成する場合を示している。また、図10(a)は、ゲート電極5dと同一層に補助配線4を形成する場合の、補助配線4、画素領域3、駆動用TFT5、開口部30の位置関係の一例を示す平面図である。この図に示すように、補助配線4は下層に形成されているため、共通電極21とのコンタクト用の開口部30が設けられている。
【0037】
また、ドレイン電極11及びソース電極12並びにゲート電極5dとは異なる専用層に補助配線4を形成するようにしても良い。図9は、補助配線4をバンク17の上面に設けた場合の断面図であり、図10(b)は、このような場合の、補助配線4、画素領域3、駆動用TFT5の位置関係の一例を示す平面図である。この図に示すように、補助配線4をバンク17の上面に設けた場合も、補助配線4の上には有機機能層が積層するためペーストPを塗布して接続部材Xを打ち込む必要がある。
【0038】
このように補助配線4を画素電極14層の他層に設ける場合には、フォトリソグラフィ法に基づくパターニングによって補助配線4上に位置する各層に開口を形成した上で有機機能層を形成することが有効である。このような開口を形成した場合、接続部材Xは有機機能層を貫通しさえすれば、簡単に補助配線4に到達することができ、確実に導通接続する可能性が高くなる。
【0039】
(3)上記実施形態では、接続部材Xを含むペーストPを塗布することで、接続部材Xを打ち込んでいたが、例えば図11(a)に示すように、ピン状の導電性部材X1に圧力を加えるなどの方法によって、当該導電性部材X1を補助配線4に沿って離間的に複数本打ち込んでも良い。また、補助配線4の横方向の長さ分を長辺方向の長さとする板状の導電性部材を打ち込むことにより、補助配線4上の横方向の長さ分を全て導通接続しても良い。
【0040】
さらに、図11(b)に示すように、カラーフィルタ基板22のBMパターン24にピン状の導電性部材X2を形成し、基板2と貼り合わせることによって、共通電極21側から上記導電性部材X2を打ち込んでも良い。なお、この導電性部材X2は、離間的に複数本形成しても良いし、上記と同様に、補助配線4の横方向の長さ分を長辺方向の長さとする板状の導電性部材をBMパターン24に形成しても良い。
【0041】
[電子機器]
最後に、本発明に係る電子機器について、携帯電話を例に挙げて説明する。
図12は、携帯電話300の全体構成を示す斜視図である。携帯電話300は、筺体301、複数の操作ボタンが設けられた操作部302、画像や動画、文字等を表示する表示部303を有する。表示部303には、本実施形態に係る有機EL装置1が搭載されている。このように、共通電極21の電圧の不均一に起因する表示品質の低下を防止した有機EL装置1を搭載したので、快適な表示を実現可能な電子機器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0042】
【図1】本発明の一実施形態によって製造された有機EL装置1の構成を示す平面図及び当該平面図におけるA−A矢視断面図である。
【図2】本発明の一実施形態における画素電極・補助配線形成工程及び隔壁形成工程を示す説明図である。
【図3】本発明の一実施形態における有機機能層形成工程を示す説明図である。
【図4】本発明の一実施形態における導通接続工程を示す説明図である。
【図5】本発明の一実施形態におけるペーストPの塗布方法の変形例を示す第1説明図である。
【図6】本発明の一実施形態におけるペーストPの塗布方法の変形例を示す第2説明図である。
【図7】本発明の一実施形態におけるペーストPの塗布方法の変形例を示す第3説明図である。
【図8】本発明の一実施形態における補助配線4の変形例を示す第1の説明図である。
【図9】本発明の一実施形態における補助配線4の変形例を示す第2の説明図である。
【図10】本発明の一実施形態における画素領域3の平面図である。
【図11】本発明の一実施形態における接続部材Xの変形例を示す説明図である。
【図12】本発明の一実施形態における有機EL装置1を備えた電子機器の説明図である。
【符号の説明】
【0043】
1…有機EL装置、2…基板、3…画素領域、4…補助配線、5…駆動用TFT、14…画素電極、18…正孔注入/輸送層、19…発光層、20…電子注入/輸送層、21共通電極、22…カラーフィルタ基板、23…カラーフィルタ、24…BMパターン
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機EL装置の製造方法、有機EL装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
バックライト等の光源を必要としない自発光素子を備えた表示装置として、近年、エレクトロルミネッセンス(以下、ELと称す)素子を備えた有機EL装置が注目されている。有機EL装置は、有機EL材料からなる発光層を一対の電極により挟持した発光素子を、基板面内に複数設けた構成を備えたもので、発光層からの光の取り出し方向の違いにより、基板側から光を取り出すボトムエミッション構造と、封止基板やカラーフィルタ基板等の対向基板側から光を取り出すトップエミッション構造とに分類される。近年では、有機EL装置の大型化、高精細化、高輝度化に対するニーズが高く、発光素子の高開口率化、高効率化を実現するのに有利なトップエミッション構造の有機EL装置の研究開発が盛んに行われている。
【0003】
トップエミッション構造の有機EL装置においては、一般的に、発光層を挟む一対の電極のうち共通電極は、光が射出される側に配置されている。そして、この共通電極は透光性を有する導電材料、例えば、ITO(インジウム・スズ酸化物)膜やIZO(インジウム・亜鉛酸化物)膜等によって形成されている。このようなITO膜やIZO膜は金属膜と比べて抵抗が大きいため、共通電極内において電圧の不均一を招き、表示品質が低下する恐れがある。このため、特に大型のトップエミッション構造の有機EL装置では、基板上に抵抗が小さい補助配線を形成し、この補助配線と共通電極の途中部位とを電気的に接続することによって共通電極の電圧降下を防止している。
【0004】
ところで、発光層を形成する方法としては、一般的に、真空下で有機EL材料を配置した蒸着ボートを蒸着マスクを挟んで基板と対向させ、上記蒸着ボートを加熱することにより有機EL材料を蒸着マスクを介して基板(より具体的には画素領域)に蒸着させる真空蒸着法が採用されている(例えば下記特許文献1参照)。この場合、画素毎に異なる色(R、G、Bのいずれか)を発光する有機EL材料をそれぞれ蒸着して発光層を形成することでフルカラー表示を行っている。一方、発光層に白色発光の有機EL材料を用い、対向基板にカラーフィルタ基板を用いることによってフルカラー表示を行うような有機EL表示装置の場合、画素毎に有機EL材料を変更する必要がないので、蒸着マスクを用いず、白色発光の有機EL材料を基板全面にべた蒸着することで発光層を形成している。
【0005】
このように、白色発光の有機EL材料を基板全面にべた蒸着するような場合、上記のようなトップエミッション構造を採用すると、補助配線上に有機EL材料が蒸着されることによって、補助配線と共通電極との導通が図れなくなるという問題がある。これを解決するために、有機EL材料を基板全面にべた蒸着するような場合であっても、蒸着マスクを用いることによって補助配線上に有機EL材料が蒸着することを防いでいた。
【特許文献1】特開2003−313655号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、上記のように、補助配線上に有機EL材料が蒸着されないようにするためには、高精度の蒸着マスクや、位置合わせ技術が要求され、これらの精度が十分でない場合、補助配線と共通電極との間に付着した有機EL材料が抵抗成分となり、共通電極内において電圧の不均一を招き、表示品質が低下する恐れがあった。
【0007】
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、トップエミッション構造を採用し補助配線を設けた有機EL装置において、表示品質の低下を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記課題を解決するために、本発明では、有機EL装置の製造方法に係る解決手段として、基板上に補助配線と複数の画素電極とを形成し、該補助配線及び各画素電極上に有機機能層を形成し、該有機機能層上に光透過性の共通電極を形成することにより複数の有機EL素子を前記基板上に形成する有機EL装置の製造方法であって、前記補助配線上の共通電極に所定の接続部材を打ち込むことにより前記共通電極と前記補助配線とを相互接続することを特徴とする。
この発明によれば、補助配線上の共通電極に接続部材を打ち込んで当該共通電極と補助配線とを相互接続することにより、補助配線上に蒸着された有機EL材料による抵抗の増加を防ぐことができ、その結果、共通電極内における電圧の不均一を低減して表示品質の低下を防止することが可能である。
【0009】
また、本発明では、補助配線が画素電極の下層に形成される場合には、前記補助配線上に当該補助配線の一部が露出するように開口を形成した上で有機機能層と共通電極とを形成することが好ましい。
この発明によれば、画素電極の形成された層より下層に補助配線を形成した場合であっても、開口を設けることにより確実に接続部材を打ち込んで共通電極と補助配線とを接続することが可能である。
【0010】
また、本発明では、接続部材を含む溶剤を前記補助配線に沿って連続的または間欠的に共通電極上に塗布し、当該塗布した溶剤に圧力を加えることによって前記接続部材を共通電極に打ち込むことが好ましい。
この発明によれば、効率良く短時間で接続部材を打ち込むことができる。
【0011】
また、本発明では、ピン状の接続部材を前記補助配線に沿って離間的に打ち込むことが好ましい。
この発明によれば、効率良く短時間で接続部材を打ち込むことができる。
【0012】
また、本発明では、前記補助配線の長さと略同一の長さを有する板状の接続部材を前記補助配線に沿って打ち込むことが好ましい。
この発明によれば、効率良く短時間で接続部材を打ち込むことができる。
【0013】
また、本発明では、前記基板のカラーフィルタ基板側に、ピン状の接続部材を補助配線の長さ方向に離間的に形成し、前記カラーフィルタ基板を前記基板に貼り合わせることによって、前記ピン状の接続部材を補助配線上の共通電極に打ち込むことが好ましい。
この発明によれば、効率良く短時間で接続部材を打ち込むことができる。
【0014】
また、本発明では、前記基板のカラーフィルタ基板側に、板状の接続部材を補助配線の長さ方向に垂直に形成し、前記カラーフィルタ基板を前記基板に貼り合わせることによって、前記板状の接続部材を補助配線上の共通電極に打ち込むことが好ましい。
この発明によれば、効率良く短時間で接続部材を打ち込むことができる。
【0015】
一方、本発明では、有機EL装置に係る解決手段として、上記のいずれかの有機EL装置の製造方法により製造されることを特徴とする。
この発明によれば、共通電極内における電圧の不均一を低減して表示品質の低下を防止した有機EL装置を提供することができる。
【0016】
さらに、本発明では、電子機器に係る解決手段として、上記有機EL装置を備えることを特徴とする。
この発明によれば、共通電極内における電圧の不均一を低減して表示品質の低下を防止した有機EL装置を備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0017】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
なお、本実施形態は、発光層に白色発光の有機EL材料を用い、対向基板にカラーフィ
ルタ基板を用いることによってフルカラー表示を行うような有機EL装置の製造方法に関するものである。
【0018】
〔有機EL装置の構成〕
最初に、本実施形態によって製造された有機EL装置について説明する。
図1は、本実施形態によって製造された有機EL装置1の構成を示すものであり、(a)は平面図、(b)は上記平面図におけるA−A矢視断面図である。
この有機EL表示装置1は、図1(a)に示すように、基板2上には三原色の各色(R、G、B)に対応する長円形状の画素領域3が行列状に複数配置すると共に、横方向に配列する画素領域3間に横方向に延在する帯状の補助配線4が複数本配置されている。
【0019】
また、図1(b)に示すように、基板2上には駆動用TFT5が形成されている。この駆動用TFT5は、半導体膜6に形成されたソース領域5a、ドレイン領域5b、及びチャネル領域5cと、半導体膜6の表面に形成されたゲート絶縁膜7を介してチャネル領域5cに対向するゲート電極5dとによって主に構成されている。また、半導体膜6及びゲート絶縁膜7を覆う第1層間絶縁膜8が形成されており、この第1層間絶縁膜8を貫通して半導体膜6に達するコンタクトホール9,10内に、それぞれドレイン電極11、ソース電極12が埋設され、この各電極は上記ドレイン領域5b、ソース領域5aに導電接続されている。
【0020】
上記第1層間絶縁膜8上には第2平坦化絶縁膜13が形成されており、また、この第2平坦化絶縁膜13上には画素電極14と上述した補助配線4とが形成されている。画素電極14の一部は、第2平坦化絶縁膜13に貫設されたコンタクトホールに埋設されており、ドレイン電極11と導電接続されている。補助配線4は、上記画素電極14と同一層に形成されている。また、画素電極14の周縁部に一部乗り上げるようにして無機絶縁材料からなる無機バンク(第1隔壁層)16が形成されている。この無機バンク16上には、有機材料からなるバンク(第2隔壁層)17が積層されている。
【0021】
上記有機EL素子15は、画素電極14、当該画素電極14上に形成された正孔注入/輸送層18、当該正孔注入/輸送層18上に形成された発光層19、当該発光層19上に形成された電子注入/輸送層20及び当該電子注入/輸送層20上に形成された共通電極21によって構成されている。これら正孔注入/輸送層18、発光層19及び電子注入/輸送層20は、有機機能層を構成している。そして、共通電極21上には、補助配線4に沿って連続的に、つまり図1(a)の横方向に、導電性を有する球状の接続部材Xを多数含むペーストP(溶剤)が塗布されており、以下で説明するように、ペーストPに圧力を加えて接続部材Xを共通電極21に打ち込むことにより、当該共通電極21と補助電極4とは接続部材Xを介して導電接続されている。なお、この接触部材Xは、導電性を有するものであれば他の形状でも良い。
【0022】
基板2としては、いわゆるトップエミッション構造の有機EL装置の場合、有機EL素子15が配設された側から光を取り出す構成であるので、ガラス等の透明基板のほか、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム(プラスチックフィルム)などが挙げられる。また、画素電極14は、トップエミッション構造の場合には透光性である必要はなく、金属材料等の適宜な導電材料によって形成できる。
【0023】
本実施形態における有機EL素子15は、共通電極21に透明な材料を用いることにより、発光層19で発光する光を共通電極21側から出射させるトップエミッション構造を採用したものである。透明な材料としては、例えば、インジウム・スズ酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、アルミニウム薄膜、マグネシウム銀の薄膜等を用いる事ができる。
【0024】
さらに、基板2と対向してカラーフィルタ基板22が設けられている。このカラーフィルタ基板22上には、三原色の各色(R、G、B)に対応するカラーフィルタ23と遮光用のBM(Black Matrix)パターン24が形成されている。また、カラーフィルタ基板22は、基板2側の画素領域3とカラーフィルタ23とが対向するように設けられている。なお、このカラーフィルタ基板22にはガラス等の透明性を有する基板が使用される。
【0025】
〔有機EL装置の製造方法〕
次に、上記有機EL装置1の製造方法について説明する。本実施形態では、ガラス等の基板2上に各種配線や駆動用TFT5等を形成する工程、該駆動用TFT5上に画素電極14及び補助配線4を形成する工程、当該画素電極14及び補助配線4上に隔壁(無機バンク16及びバンク17)を形成する工程、この隔壁上に有機機能層を形成する工程、有機機能層上に共通電極21を形成する工程、補助配線4に沿って連続的に共通電極21上にペーストPを塗布し、ペーストPに含まれる接続部材Xによって補助配線4と共通電極21とを導電接続する工程を実施することにより、有機EL装置1を製造するものである。これら各工程のうち、各種配線や駆動用TFT5等を形成する工程については、周知の工程と同様なので、これ以降の工程について詳しく説明する。
【0026】
(1)画素電極・補助配線形成工程
図2(a)に示すように、基板2上に駆動用TFT5、半導体膜6、ゲート絶縁膜7、第1層間絶縁膜8、ドレイン電極11、ソース電極12及び第2平坦化絶縁膜13が形成されると、蒸着法により第2平坦化絶縁膜13上にインジウム・スズ酸化物(ITO)を全面成膜し、またこの膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、図2(b)に示すように画素電極14及び補助配線4を形成する。なお、本実施形態の有機EL表示装置1は、前述したようにトップエミッションタイプなので、画素電極14及び補助配線4は、透明である必要がないので、よって上記インジウム・スズ酸化物に限定されることなく適宜な導電材料によって形成することができる。
【0027】
(2)隔壁形成工程
次に、図2(c)に示すように、第2平坦化絶縁膜13、画素電極14及び補助配線4上に第1の隔壁として無機バンク16を形成し、さらに図2(d)に示すように、第2の隔壁としてバンク17を形成する。無機バンク16は、例えばCVD法、スパッタ法、蒸着法等によって第2平坦化絶縁膜13、画素電極14及び補助配線4上の全面にSiO2、TiO2、SiN等の無機物膜を形成し、この無機物膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより形成する。この無機バンク16は、第2平坦化絶縁膜13上、画素電極14及び補助配線4の周縁部上のみに設けられ、画素電極14の中央近傍に位置する電極面14a及び補助配線4の中央近傍に位置する電極面4aは露出している。
【0028】
次いで、上記無機バンク16上にバンク17を形成する。このバンク17は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する有機樹脂を材料として用いることができる。バンク17は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂を溶媒に溶かしたものを、スピンコート、ディップコート等により塗布して形成する。そして、バンク17をフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口を設ける。このバンク17の開口部は、図2(d)に示すように、無機バンク16の開口部よりやや広く形成することが好ましい。
【0029】
このようにしてバンク17が形成されると、続いてプラズマ処理を行う。このプラズマ処理は、画素電極14の電極面14aを活性化するものであり、画素電極14の電極面14aの表面洗浄、更に仕事関数の調整、更には親液化を主な目的として行われる。
【0030】
(3)機機能層形成工程
次に、図3に示すように、画素電極14、無機バンク16及びバンク17の全面に正孔注入/輸送層18を形成し、さらにその上に発光層19を形成し、さらにその上に電子注入/輸送層20を形成することによって有機機能層を形成する。正孔注入/輸送層18、発光層19及び電子注入/輸送層20は、各層に好適な蒸着材料を周知の蒸着法に基づいて蒸着することによって形成される。
【0031】
発光層19の蒸着材料としては、白色の蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の低分子材料を用いることができ、例えばアントラセンやピレン、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、またはこれら低分子材料に、ルブレン、キナクリドン誘導体、フェノキサゾン誘導体、DCM、DCJ、ペリノン、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ジアザインダセン誘導体等をドープして用いることができる。また、電子注入/輸送層20の蒸着材料としては、LiF等のアルカリ金属のフッ化物あるいは酸化物、マグネシウムリチウム等の合金等を用いることができる。
【0032】
(4)共通電極形成工程
そして、図4に示すように、電子注入/輸送層20上の全面に、共通電極21を形成する。この共通電極形成工程では、トップエミッション構造を実現するために、例えばイオンプレーティング法等の物理気相成長法により透明なITOを共通電極21として成膜する。またはアルミニウムの薄膜、マグネシウム銀の薄膜を蒸着法で形成して共通電極21とする。また、酸素や水分の影響による有機EL素子15の劣化を防止するために、共通電極21上に、酸化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素等の保護層を設けても良い。
【0033】
(5)ペースト塗布及び共通電極21と補助配線4との導通接続工程
続いて、図4に示すように、接続部材Xを含むペーストPを、ディスペンサ装置を用いて、補助配線4に沿って連続的に共通電極21上に塗布する。そして、ペーストPに対して上方から圧力を加えることによって、図1(b)に示すように、接続部材Xを共通電極21側から補助配線4側へ打ち込む。これにより、共通電極21と補助配線4とは、接続部材Xを介して導通接続される。
このような導通接続工程後に、基板2と対向する側にカラーフィルタ基板22を重ね合わせ、基板2とカラーフィルタ基板22とを封止樹脂にて貼り合せることにより、図1に示した有機EL装置1が完成する。なお、上記のような基板2とカラーフィルタ基板22との貼り合せ工程を利用してペーストPに圧力を加えても良い。
【0034】
以上のように、本実施形態によれば、補助配線4上の共通電極21に接続部材Xを打ち込んで当該共通電極21と補助配線4とを導通接続することにより、高精度に加工された蒸着マスクと当該蒸着マスクと基板との高精度な位置合わせ技術を用いることなく、補助配線4と共通電極21を接続することが可能である。そして、この結果として、共通電極21の電圧の不均一に起因する表示品質の低下を防止することができる。
【0035】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のような変形例が考えられる。
(1)上記実施形態では、補助配線4に沿って連続的に共通電極21上にペーストPを塗布したが、例えば図5に示すように、補助配線4に沿って間欠的にペーストPを共通電極21上に塗布して接続部材Xを打ち込んでも良い。また、図6に示すように、補助配線4が間欠的に配置されている場合でも、補助配線4に沿って連続的に共通電極21上にペーストPを塗布しても良い。さらに、図7に示すように、補助配線4が間欠的に配置されている場合、これら補助配線4と平面的に重ね合わさるように、間欠的に共通電極21上にペーストPを塗布しても良い。
【0036】
(2)また、上記実施形態では補助配線4が画素電極14と同一層に形成される有機EL表示装置1の製造方法について説明したが、補助配線4を画素電極14よりも下層に設けることが考えられる。図8は、このように補助配線4が画素電極14よりも下層に設けられた有機EL装置を示している。図8(a)は、ゲート電極5dと同一層に補助配線4を形成する場合を示し、図8(b)は、ドレイン電極11及びソース電極12と同一層に補助配線4を形成する場合を示している。また、図10(a)は、ゲート電極5dと同一層に補助配線4を形成する場合の、補助配線4、画素領域3、駆動用TFT5、開口部30の位置関係の一例を示す平面図である。この図に示すように、補助配線4は下層に形成されているため、共通電極21とのコンタクト用の開口部30が設けられている。
【0037】
また、ドレイン電極11及びソース電極12並びにゲート電極5dとは異なる専用層に補助配線4を形成するようにしても良い。図9は、補助配線4をバンク17の上面に設けた場合の断面図であり、図10(b)は、このような場合の、補助配線4、画素領域3、駆動用TFT5の位置関係の一例を示す平面図である。この図に示すように、補助配線4をバンク17の上面に設けた場合も、補助配線4の上には有機機能層が積層するためペーストPを塗布して接続部材Xを打ち込む必要がある。
【0038】
このように補助配線4を画素電極14層の他層に設ける場合には、フォトリソグラフィ法に基づくパターニングによって補助配線4上に位置する各層に開口を形成した上で有機機能層を形成することが有効である。このような開口を形成した場合、接続部材Xは有機機能層を貫通しさえすれば、簡単に補助配線4に到達することができ、確実に導通接続する可能性が高くなる。
【0039】
(3)上記実施形態では、接続部材Xを含むペーストPを塗布することで、接続部材Xを打ち込んでいたが、例えば図11(a)に示すように、ピン状の導電性部材X1に圧力を加えるなどの方法によって、当該導電性部材X1を補助配線4に沿って離間的に複数本打ち込んでも良い。また、補助配線4の横方向の長さ分を長辺方向の長さとする板状の導電性部材を打ち込むことにより、補助配線4上の横方向の長さ分を全て導通接続しても良い。
【0040】
さらに、図11(b)に示すように、カラーフィルタ基板22のBMパターン24にピン状の導電性部材X2を形成し、基板2と貼り合わせることによって、共通電極21側から上記導電性部材X2を打ち込んでも良い。なお、この導電性部材X2は、離間的に複数本形成しても良いし、上記と同様に、補助配線4の横方向の長さ分を長辺方向の長さとする板状の導電性部材をBMパターン24に形成しても良い。
【0041】
[電子機器]
最後に、本発明に係る電子機器について、携帯電話を例に挙げて説明する。
図12は、携帯電話300の全体構成を示す斜視図である。携帯電話300は、筺体301、複数の操作ボタンが設けられた操作部302、画像や動画、文字等を表示する表示部303を有する。表示部303には、本実施形態に係る有機EL装置1が搭載されている。このように、共通電極21の電圧の不均一に起因する表示品質の低下を防止した有機EL装置1を搭載したので、快適な表示を実現可能な電子機器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0042】
【図1】本発明の一実施形態によって製造された有機EL装置1の構成を示す平面図及び当該平面図におけるA−A矢視断面図である。
【図2】本発明の一実施形態における画素電極・補助配線形成工程及び隔壁形成工程を示す説明図である。
【図3】本発明の一実施形態における有機機能層形成工程を示す説明図である。
【図4】本発明の一実施形態における導通接続工程を示す説明図である。
【図5】本発明の一実施形態におけるペーストPの塗布方法の変形例を示す第1説明図である。
【図6】本発明の一実施形態におけるペーストPの塗布方法の変形例を示す第2説明図である。
【図7】本発明の一実施形態におけるペーストPの塗布方法の変形例を示す第3説明図である。
【図8】本発明の一実施形態における補助配線4の変形例を示す第1の説明図である。
【図9】本発明の一実施形態における補助配線4の変形例を示す第2の説明図である。
【図10】本発明の一実施形態における画素領域3の平面図である。
【図11】本発明の一実施形態における接続部材Xの変形例を示す説明図である。
【図12】本発明の一実施形態における有機EL装置1を備えた電子機器の説明図である。
【符号の説明】
【0043】
1…有機EL装置、2…基板、3…画素領域、4…補助配線、5…駆動用TFT、14…画素電極、18…正孔注入/輸送層、19…発光層、20…電子注入/輸送層、21共通電極、22…カラーフィルタ基板、23…カラーフィルタ、24…BMパターン
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上に補助配線と複数の画素電極とを形成し、該補助配線及び各画素電極上に有機機能層を形成し、該有機機能層上に光透過性の共通電極を形成することにより複数の有機EL素子を前記基板上に形成する有機EL装置の製造方法であって、
前記補助配線上の共通電極に所定の接続部材を打ち込むことにより前記共通電極と前記補助配線とを相互接続する
ことを特徴とする有機EL装置の製造方法。
【請求項2】
補助配線が画素電極の下層に形成される場合には、前記補助配線上に当該補助配線の一部が露出するように開口を形成した上で有機機能層と共通電極とを形成することを特徴とする請求項1記載の有機EL装置の製造方法。
【請求項3】
接続部材を含む溶剤を前記補助配線に沿って連続的または間欠的に共通電極上に塗布し、当該塗布した溶剤に圧力を加えることによって前記接続部材を共通電極に打ち込むことを特徴とする請求項1または2記載の有機EL装置の製造方法。
【請求項4】
ピン状の接続部材を前記補助配線に沿って離間的に打ち込むことを特徴とする請求項1または2記載の有機EL装置の製造方法。
【請求項5】
前記補助配線の長さと略同一の長さを有する板状の接続部材を前記補助配線に沿って打ち込むことを特徴とする請求項1または2記載の有機EL装置の製造方法。
【請求項6】
前記基板のカラーフィルタ基板側に、ピン状の接続部材を補助配線の長さ方向に離間的に形成し、前記カラーフィルタ基板を前記基板に貼り合わせることによって、前記ピン状の接続部材を補助配線上の共通電極に打ち込むことを特徴とする請求項1または2記載の有機EL装置の製造方法。
【請求項7】
前記基板のカラーフィルタ基板側に、板状の接続部材を補助配線の長さ方向に垂直に形成し、前記カラーフィルタ基板を前記基板に貼り合わせることによって、前記板状の接続部材を補助配線上の共通電極に打ち込むことを特徴とする請求項1または2記載の有機EL装置の製造方法。
【請求項8】
請求項1〜7のいずれかに記載の有機EL装置の製造方法により製造されることを特徴とする有機EL装置。
【請求項9】
請求項8記載の有機EL装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項1】
基板上に補助配線と複数の画素電極とを形成し、該補助配線及び各画素電極上に有機機能層を形成し、該有機機能層上に光透過性の共通電極を形成することにより複数の有機EL素子を前記基板上に形成する有機EL装置の製造方法であって、
前記補助配線上の共通電極に所定の接続部材を打ち込むことにより前記共通電極と前記補助配線とを相互接続する
ことを特徴とする有機EL装置の製造方法。
【請求項2】
補助配線が画素電極の下層に形成される場合には、前記補助配線上に当該補助配線の一部が露出するように開口を形成した上で有機機能層と共通電極とを形成することを特徴とする請求項1記載の有機EL装置の製造方法。
【請求項3】
接続部材を含む溶剤を前記補助配線に沿って連続的または間欠的に共通電極上に塗布し、当該塗布した溶剤に圧力を加えることによって前記接続部材を共通電極に打ち込むことを特徴とする請求項1または2記載の有機EL装置の製造方法。
【請求項4】
ピン状の接続部材を前記補助配線に沿って離間的に打ち込むことを特徴とする請求項1または2記載の有機EL装置の製造方法。
【請求項5】
前記補助配線の長さと略同一の長さを有する板状の接続部材を前記補助配線に沿って打ち込むことを特徴とする請求項1または2記載の有機EL装置の製造方法。
【請求項6】
前記基板のカラーフィルタ基板側に、ピン状の接続部材を補助配線の長さ方向に離間的に形成し、前記カラーフィルタ基板を前記基板に貼り合わせることによって、前記ピン状の接続部材を補助配線上の共通電極に打ち込むことを特徴とする請求項1または2記載の有機EL装置の製造方法。
【請求項7】
前記基板のカラーフィルタ基板側に、板状の接続部材を補助配線の長さ方向に垂直に形成し、前記カラーフィルタ基板を前記基板に貼り合わせることによって、前記板状の接続部材を補助配線上の共通電極に打ち込むことを特徴とする請求項1または2記載の有機EL装置の製造方法。
【請求項8】
請求項1〜7のいずれかに記載の有機EL装置の製造方法により製造されることを特徴とする有機EL装置。
【請求項9】
請求項8記載の有機EL装置を備えることを特徴とする電子機器。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【公開番号】特開2007−108469(P2007−108469A)
【公開日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2005−299837(P2005−299837)
【出願日】平成17年10月14日(2005.10.14)
【出願人】(000002369)セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成19年4月26日(2007.4.26)
【国際特許分類】
【出願日】平成17年10月14日(2005.10.14)
【出願人】(000002369)セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Fターム(参考)】
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