液晶表示装置
【課題】液状配向膜材料が表示領域外周のシール剤塗布領域へ濡れ広がることを抑制し、表示領域内における膜厚の均一性を確保する。
【解決手段】走査信号線駆動回路チップを搭載する基板ＳＵＢ１のゲート辺ａの端部で、シール剤塗布領域ＳＬの内側、かつ表示領域ＤＡの外周近傍に配置された第１の配向膜外縁規制部Ｚ１は第２の絶縁層ＰＡＳ２に開けた凹溝ＧＶと、この凹溝ＧＶに被覆した透明電極ＴＥで構成する。透明電極ＴＥを凹溝ＧＶの底部でコモンバスラインＣＢＬに接続する。またシール領域ＳＬの内側で第１の配向膜外縁規制部Ｚ１よりもシール領域ＳＬに近い部分に形成された第２の配向膜外縁規制部Ｚ２は、シール塗布領域ＳＬと平行な方向で透明電極ＴＥに形成したスリットＳＴで構成する。液状の配向膜材料の濡れ広がりは第１の配向膜外縁規制部Ｚ１及び第２の配向膜外縁規制部Ｚ２とで阻止される。
【解決手段】走査信号線駆動回路チップを搭載する基板ＳＵＢ１のゲート辺ａの端部で、シール剤塗布領域ＳＬの内側、かつ表示領域ＤＡの外周近傍に配置された第１の配向膜外縁規制部Ｚ１は第２の絶縁層ＰＡＳ２に開けた凹溝ＧＶと、この凹溝ＧＶに被覆した透明電極ＴＥで構成する。透明電極ＴＥを凹溝ＧＶの底部でコモンバスラインＣＢＬに接続する。またシール領域ＳＬの内側で第１の配向膜外縁規制部Ｚ１よりもシール領域ＳＬに近い部分に形成された第２の配向膜外縁規制部Ｚ２は、シール塗布領域ＳＬと平行な方向で透明電極ＴＥに形成したスリットＳＴで構成する。液状の配向膜材料の濡れ広がりは第１の配向膜外縁規制部Ｚ１及び第２の配向膜外縁規制部Ｚ２とで阻止される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に、液晶表示装置を構成する液晶表示パネルの基板内面に配向膜を塗布する際の配向膜材料の外縁制御に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
テレビや情報端末のディスプレイデバイスとして、第１基板と第２基板の一対の基板の間に液晶材料を封入した液晶表示パネルを用いた液晶表示装置が広く普及している。通常、この種の液晶表示装置を構成する液晶表示パネルは、一対の基板のうちの一方の基板の主面（内面）に複数本の走査信号線および走査信号線に対して絶縁して交差する複数本の映像信号線を有する。そして、隣接する２本の走査信号線と隣接する２本の映像信号線で囲まれた領域に１つの画素を形成し、各画素毎にオン・オフを制御するスイッチング素子や画素電極などが配置される。このスイッチング素子には一般に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が用いられる。そのため、薄膜トランジスタを設けた一方の基板を一般的に薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）と称する。また、このＴＦＴ基板と対をなす他方の基板を対向基板と称する。対向基板にＴＦＴ基板に有する画素対応で形成された複数色のカラーフィルタを有するものではカラーフィルタ基板（ＣＦ基板）と称する場合もある。
【０００３】
液晶表示パネルには、画素の駆動方式の違いでＴＮ方式やＶＡ方式のような縦電界方式、ＩＰＳ方式として知られる横電界方式がある。縦電界方式は、ＴＦＴ基板の画素電極と対向する対向電極（共通電極とも称する）は対向基板側に設けられる。また、横電界方式の場合では、前記対向電極は画素電極が形成されたＴＦＴ基板側に設けられる。
【０００４】
また、ＴＦＴ基板および対向基板は、画素電極と対向電極の間に電位差がない状態における液晶分子の向き（初期配向）や、画素電極と対向電極の間に電位差が生じたときの液晶分子の配列や傾きを制御するための機能（液晶配向制御能）を持つ配向膜が設けられる。
【０００５】
配向膜は、ＴＦＴ基板と対向基板の各主面の液晶材料（液晶層）との界面に設けられ、画素を二次元配置した表示領域の全体を覆うように形成されたポリイミドを好適とする樹脂膜の表面にラビング処理や偏光照射等を施して配向制御能を付与している。
【０００６】
前記ＴＦＴ基板および対向基板の各基板の表面に配向膜として形成するポリイミドなどの樹脂膜は、フレキソ印刷法と呼ばれる方法などを用いていたが、近年は、インクジェット印刷法を用いて形成する方法が提案されている（特許文献１）。インクジェット印刷法は、配向膜材料のインク（配向膜材料インク）をインクジェットノズルを用いて基板上に直接塗布するものである。この方法は非接触プロセスであることから、基板面や製造設備の低汚染化、溶液消費量の低減、プロセス時間の短縮などの種々の利点がある。
【特許文献１】特開２００１−３３７３１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前記インクジェット印刷法で配向膜を形成する場合、その塗布領域の周縁の位置規制が困難であることが指摘されている。すなわち、インクジェット印刷法で用いる配向膜材料インクの粘度は前記フレキソ印刷法などで用いられる材料の粘度に比べて低いため、インクジェット印刷法で配向膜となる樹脂膜の材料を基板上に塗布した場合、インクジェット装置のノズルから基板上に吐出された配向材料インクの濡れ広がることによる塗布領域の外縁位置は、これを制御することが難しい。
【０００８】
そのため、たとえば、走査信号線（ゲート配線、あるいは単にゲート線とも称する）、映像信号線（データ配線またはドレイン線、あるいは単にデータ線又はドレイン線とも言う）、ＴＦＴ、画素電極などが形成されたＴＦＴ基板の主面にインクジェット印刷法で配向膜を形成する際に、塗布した配向膜材料インクが主面上を濡れ広がり、対向基板を封着するシール剤塗布領域（シール領域）まで達してしまうことがある。配向膜がシール領域に達すると、シール剤と基板の下層に配向膜材料が存在することによるシール剤とＴＦＴ基板との密着性が不十分となって、封着不良や対向基板との位置ずれの原因になり、あるいは液晶材料の漏れをもたらす。
【０００９】
インクジェット印刷法で配向膜を形成する際に、印刷した配向膜材料インクがシール領域まで濡れ広がらないようにするため、例えば、印刷した配向膜材料インクの濡れ広がりの量を考慮して、あらかじめ配向膜材料を印刷する領域を小さくする方法が考えられる。しかしながら、この方法では、有効な表示領域を狭くすることにもなり、また表示領域内で印刷した配向膜の膜厚にばらつきが生じ易い。
【００１０】
この他にも、例えば、印刷する配向膜材料インクの粘度を高くして濡れ広がりを抑制する方法が考えられる。しかしながら、この方法では、印刷時の射出不良（ノズル詰り）により配向膜材料インクが塗布されない領域が発生し易い。
【００１１】
本発明の目的は、たとえば、液晶表示パネルの製造プロセスにおける配向膜形成の際、表示領域の外周部分での配向膜材料の不要な濡れ広がりを抑制し、かつ、表示領域内における配向膜の膜厚の均一性を維持することが可能な構造を備えた液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するための本発明の代表的な構成の概略を説明すれば、以下の通りである。すなわち、本発明の液晶表示装置は、対向配置された一方の基板である第１基板および他方の基板である第２基板と、該第１基板および第２基板の対向間隙の周縁に沿って環状に配置されたシール領域と、前記第１基板および第２基板と前記シール領域で囲まれた空間に封入された液晶層とを有し、前記シール領域の内側に表示領域が形成された液晶表示パネルで構成される。
【００１３】
本発明では、上記の構成を有する液晶表示パネルの前記第１基板および第２基板の対向する各主面の前記液晶層との界面に配向膜をそれぞれ有し、前記第１基板と前記第２基板の少なくとも一方の主面の上に第１絶縁層を介して設けられた導電層と、前記導電層の上に設けられた第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に設けられた透明電極と、前記第２絶縁層の前記表示領域の外周、かつ前記シール領域の内側における前記表示領域に近い第１部分に設けられた１または複数の凹溝と、前記透明電極を前記凹溝の内側面および底面に延在させた第１の配向膜外縁規制部と、前記第２絶縁層の前記表示領域の外周、かつ前記第１の配向膜外縁規制部より前記シール領域に寄った第２部分に、前記透明電極を前記表示領域の外周に沿った方向に長く除去して形成された１または複数のスリットからなる第２の配向膜外縁規制部を設けた。
【００１４】
本発明では、前記第１の配向膜外縁規制部の前記凹溝に前記表示領域の外周に沿った方向に長い部分を有するものとすることができる。また、この凹溝に前記表示領域の外周に直交する方向に長い部分を有するものとすることができる。
【００１５】
本発明では、前記第１基板に、複数本の走査信号線と、前記複数本の走査信号線と絶縁されて交差する複数本の映像信号線と、２本の隣接する走査信号線と２本の隣接する映像信号線で囲まれた領域に対して配置される薄膜トランジスタおよび画素電極とを設け、前記複数の走査配線を前記第１基板の前記第１絶縁層の下層に配置し、前記第１の配向膜外縁規制部の前記凹溝を複数の前記走査配線の配置部分の間に形成し、前記透明電極を前記凹溝の前記底面に露呈された前記導電層に接続した構成とすることができる。
【００１６】
本発明では、第２の配向膜外縁規制部の前記スリットに、前記表示領域の外周に沿った方向に長い部分を有するものとすることができ、また、前記導電層と前記透明電極をＩＴＯなどの同一導電材料で形成することができる。
【００１７】
また、本発明では、前記第１基板に、複数本の走査信号線と、前記複数本の走査信号線と絶縁されて交差する複数本の映像信号線と、２本の隣接する走査信号線と２本の隣接する映像信号線で囲まれた領域に対して配置される薄膜トランジスタおよび画素電極とを設け、
前記複数の映像信号線の前記表示領域と前記シール領域の間に、前記複数の映像信号線のそれぞれの間をダイオード回路により互いに接続した保護ダイオード形成領域と、前記複数の映像信号線の前記シール領域側と前記保護ダイオード形成領域との間に、複数の凹溝と、前記透明電極を前記凹溝の内側面および底面に延在させた第３の配向膜外縁規制部を設けた。
【００１８】
本発明では、前記第３の配向膜外縁規制部を構成する前記凹溝を、前記表示領域の外周に並行な方向に長い部分を有すると共に、互いに歯合する如く千鳥状に配置することができる。そして、前記映像信号線を、前記千鳥状に配置された前記複数の凹溝の間を縫ってジグザグに配線させることができる。
【００１９】
本発明では、前記導電層と前記透明電極はＩＴＯなどの同一導電材料で形成することができる。
【００２０】
なお、本発明は、特許請求の範囲に記載の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能である。
【発明の効果】
【００２１】
第１基板の走査信号線の延在方向、すなわち表示領域から走査信号線駆動回路に走査信号線を引き出す領域の表面は凹凸が少ない。この部分に第１の配向膜外縁規制部と第２の配向膜外縁規制部を第１基板の走査信号線の延在方向に沿って設けたことで、第１の配向膜外縁規制部で規制し切れなかった配向膜材料インクの濡れ広がりがあっても、これを第２の配向膜外縁規制部２段階で阻止することで、シール領域に到達するのを防止できる。
【００２２】
また、第１基板の走査信号線の延在方向、すなわち表示領域から映像信号線駆動回路に映像信号線を引き出す領域にも第３の配向膜外縁規制部を設けることで、配向膜材料インクの濡れ広がりが阻止される。この第３の配向膜外縁規制部の凹溝の長手方向を配向膜材料インクの濡れ広がりの方向に立ち塞がるように設け、さらに複数の凹溝を互いに歯合するごとくジグザグ配置することで配向膜材料インクの濡れ広がりを効果的に阻止できる。
【００２３】
第１、第２、第３の配向膜外縁規制部の凹溝部分を含めて形成される透明電極の表面は配向膜材料インクの濡れ性が低い。そのため、凹溝のみを設けた場合よりも格段に大きい配向膜材料インクの濡れ広がりの抑制効果が得られる。また、配向膜材料インクの濡れ広がりを制御できることにより、表示領域内における膜厚の均一性を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の最良の実施形態を実施例の図面を参照して詳細に説明する。なお、以下に説明する各実施例の図面において、同一機能を有するものには同一符号を付し、その繰り返しの説明はしない。
【実施例１】
【００２５】
図１は、本発明による実施例１の液晶表示パネルの概略構成を示す模式平面図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。実施例１の液晶表示装置は、貼り合わせた一方の基板である第１基板ＳＵＢ１と他方の基板である第２基板ＳＵＢ２と、該第１基板および第２基板の対向間隙の周縁に沿って環状に配置されたシール領域ＳＬと、前記第１基板および第２基板と前記シール領域で囲まれた空間に封入された液晶層とを有し、前記シール領域の内側に表示領域が形成された液晶表示パネルで構成される。映像または画像を表示する表示領域ＤＡは、平面でみて第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２および液晶層ＬＣが重なる領域に形成される。
【００２６】
また、本実施例では、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２は、平面でみた外形寸法が異なる。液晶表示装置が、例えば、テレビやパソコン向けの比較的大型の表示装置の場合、図１のｘ方向に平行な２辺（長辺）のうちの１辺と、ｙ方向に平行な２辺（短辺）のうちの１辺が平面でみて重なるように配置される。
【００２７】
また、一対の基板のうちの大きい方の基板である第１基板ＳＵＢ１は、薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）とも呼ばれる。例えば、図示は省略したが、図１のｘ方向に延在する複数本の走査信号線（ゲート線）や、ｙ方向に延在する複数本の映像信号線（データ線）が設けられる。また、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１は、２本の隣接する走査信号線と２本の隣接する映像信号線で囲まれた領域が１つの画素が形成される画素領域となり、各画素領域にＴＦＴや画素電極が配置される。
【００２８】
また、一対の基板のうちの小さいほうの基板である第２基板ＳＵＢ２は、対向基板とも呼ばれる。前記液晶表示パネルがＲＧＢ方式のカラー液晶表示パネルの場合、カラーの１画素（１ピクセル）は、３つの副画素（サブピクセル）からなり、対向基板２には、サブ画素毎に赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色（Ｇ）のカラーフィルタ、青色（Ｂ）のカラーフィルタが配置される。
【００２９】
また、前記液晶表示パネルが、たとえば、ＴＮ方式やＶＡ方式のような縦電界方式と称される駆動方式である場合、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の前記画素電極と対向する対向電極（共通電極とも呼ばれる）は、対向基板ＳＵＢ２側に設けられる。また、前記液晶表示パネルが、例えばＩＰＳ方式のような横電界方式と呼ばれる駆動方式の場合、前記対向電極は、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１側に設けられる。
【００３０】
また、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１のｙ方向に平行な２つの短辺ａ，ｂのうち、対向基板ＳＵＢ２の辺と重ならない方の短辺ａは、例えば、各走査信号線に走査信号を入力するためのドライバＩＣ（走査信号線駆動回路チップ）、または該ドライバＩＣが実装されたＣＯＦまたはＴＣＰなどが接続される辺である。また、各走査信号線は、各画素領域に対して配置されたＴＦＴのゲートと接続されている。そのため、以下の説明では、走査信号を入力するためのドライバＩＣ、または該ドライバＩＣが実装されたＣＯＦまたはＴＣＰなどが接続される短辺ａをゲート辺と呼び、ゲート辺と平行なもう一方の短辺ｂを反ゲート辺と呼ぶこととする。
【００３１】
また、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１のｘ方向に平行な２つの長辺ｃ，ｄのうち、対向基板ＳＵＢ２の辺と重ならない方の長辺ｃは、例えば、各映像信号線（データ線又はドレイン線）に映像信号（階調信号とも呼ばれる）を入力するためのドライバＩＣ（映像信号線駆動回路チップ）、または該ドライバＩＣが実装されたＣＯＦまたはＴＣＰなどが接続される辺である。また、各映像信号線は、各画素領域に対して配置されたＴＦＴのドレインと接続されている。そのため、以下の説明では、映像信号を入力するためのドライバＩＣ、または該ドライバＩＣが実装されたＣＯＦまたはＴＣＰなどが接続される長辺ｃをドレイン辺と呼び、ドレイン辺と平行なもう一方の長辺ｄを反ドレイン辺と呼ぶこととする。なお、この他の構成として、第１基板ＳＵＢ１のｘ方向両辺にスペースを設け、これら両短辺に走査信号線駆動回路チップを搭載するもの、あるいは、さらにｙ方向両辺にもスペースを設けて、それぞれの長辺に映像信号線駆動回路チップを搭載するものもある。
【００３２】
図３は、図１のゲート辺における領域ＡＲ１の概略構造例を示す断面図である。また、図４は、図１のゲート辺における領域ＡＲ１の概略構造例を示す図３を上側から見た平面図である。図３と図４において、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の主面には走査信号線ＧＬが形成されている。この走査信号線ＧＬは表示領域側では斜行配線となっている。走査信号線ＧＬの上層には第１の絶縁層ＰＡＳ１、さらに第２の絶縁層ＰＡＳ２が形成されている。
【００３３】
ＴＦＴ基板ＳＵＢ１のゲート辺ａの端部には、第１の絶縁層ＰＡＳ１と第２の絶縁層ＰＡＳ２に開けた開口とその縁近傍に透明導電膜ＴＥを成膜した走査配線端子ＧＬＴが形成されている。また、符号ＤＡで示した領域は表示領域であり、この表示領域ＤＡに近い外周部分に第１の配向膜外縁規制部Ｚ１が配置されている。第１の配向膜外縁規制部Ｚ１の下層には、第１の絶縁層ＰＡＳ１と第２の絶縁層ＰＡＳ２の間に形成されたコモンバスラインＣＢＬを有し、第２の絶縁層ＰＡＳ２に形成した凹溝にＩＴＯを好適とする透明導電膜ＴＥが被覆され、凹溝の底部で透明導電膜ＴＥが導電層であるコモンバスラインＣＢＬに接続している。
【００３４】
符号ＳＬはシール領域である。前記第１の配向膜外縁規制部Ｚ１よりも走査配線端子ＧＬＴ方向に離れた位置でシール領域ＳＬの内側に第２の配向膜外縁規制部Ｚ２が形成されている。第２の配向膜外縁規制部Ｚ２は第２の絶縁層ＰＡＳ２の上に成膜された透明導電膜ＴＥを線状に除去した１又は複数のスリットＳＴが形成されている。なお、透明導電膜ＴＥは第２の配向膜外縁規制部Ｚ２で終端しており、シール領域ＳＬには達していない。
【００３５】
図５は、第１の配向膜外縁規制部の近傍を拡大して示した模式平面図である。図６は、図５のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。本実施例の液晶表示パネルにおいて、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１のゲート辺ａの近くにある表示領域の外周付近には、２本の隣接する走査信号線ＧＬと２本の隣接する映像信号線ＤＬで囲まれた画素領域が２次元的に配置されている表示領域ＤＡの外側に、例えば、映像信号線ＤＬと同時に形成されるコモンバスラインＣＢＬが設けられている。コモンバスラインＣＢＬは、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の表面に第１の絶縁層ＰＡＳ１を介して設けられている。なお、第１の絶縁層ＰＡＳ１は、表示領域ＤＡにおいて走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬの間に介在する絶縁層であり、コモンバスラインＣＢＬと走査信号線ＧＬが交差する領域では、コモンバスラインＣＢＬと走査信号線ＧＬの間に介在している。
【００３６】
また、コモンバスラインＣＢＬの上には、第２の絶縁層ＰＡＳ２および導電層ＴＥが設けられている。第２の絶縁層ＰＡＳ２には、たとえば、図５に示すようなスルーホールＴＨ１が設けられており、透明電極ＴＥは、スルーホールＴＨ１によって導電層であるコモンバスラインＣＢＬと電気的に接続されている。また、透明電極ＴＥは、スルーホールＴＨ２によって、走査信号線ＧＬと並行する共通信号線ＣＬまたは保持容量線などと電気的に接続されている。また、透明電極ＴＥは、画素領域に形成される画素電極と同じＩＴＯを好適とする透明電極材料で形成されている。
【００３７】
また、本実施例の液晶表示パネルにおいて、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１は、図５および図６に示すように、コモンバスラインＣＢＬの上の第２の絶縁層ＰＡＳ２に、スルーホールＴＨ１，ＴＨ２とは別の凹溝ＧＶが設けられている。凹溝ＧＶの表面は、透明電極ＴＥによって覆われており、これら凹溝ＧＶと導電層ＴＥとで第１の配向膜外縁規制部Ｚ１が構成される。第１の配向膜外縁規制部Ｚ１を構成する凹溝ＧＶは、図５に示すように、表示領域ＤＡの外周に沿った方向（ｙ方向）に長く延びる溝や、ｙ方向と直交するｘ方向に折れ曲がった溝、又は分岐した溝の組み合わせからなる。また、凹溝ＧＶは、２本の隣接する走査信号線ＧＬの間に形成される溝のパターンを１つの単位にして、２本の隣接する走査信号線ＧＬの間毎にそのパターンを形成している。
【００３８】
図７および図８は、本実施例における第１の配向膜外縁規制部の機能を説明するための図５および図６と同様の模式図である。図７は、配向膜材料インクを塗布したときの当該材料インクの広がりを説明する図である。図８は、図７のＣ−Ｃ’線でみた模式断面図である。なお、図７は、図１に示した領域ＡＲ１におけるＴＦＴ基板の第１の配向膜外縁規制部の部分を拡大して示した平面図である。
【００３９】
本実施例において、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１に配向膜を形成するときには、例えば、インクジェット印刷法などを用いて、表示領域ＤＡおよびその周辺のわずかな領域のみに液状の樹脂材料ＯＲＩ（配向膜材料インク）を塗布した後、焼成する。このとき、インクジェット印刷法を用いて塗布した液状の配向膜材料インクＯＲＩは、図７に太矢印で示すように、表示領域ＤＡから外側すなわち図１のシール領域ＳＬに向かう方向に濡れ広がる。またこのとき、従来のＴＦＴ基板ＳＵＢ１の場合、ゲート辺ａに近い領域では、走査信号線ＧＬの延在方向に沿って液状の配向膜材料インクＯＲＩが濡れ広がりやすく、シール領域まで達してしまうことがあった。
【００４０】
しかしながら、本実施例では、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１に設けた第１の配向膜外縁規制部Ｚ１により、配向膜材料インクＯＲＩが表示領域ＤＡからゲート辺ａに向かう方向に濡れ広がるとき、シール領域ＳＬに達する前に第２の絶縁層ＰＡＳ２の凹溝ＧＶおよび導電層ＴＥ上を通る。このとき、濡れ広がって凹溝ＧＶに達した配向膜材料インクＯＲＩは、図８上段に示すように、最初は、凹溝ＧＶには流れ込まず、凹溝ＧＶを避けて流れるため、流れを制御できる（時間が経過すれば、図８下段に示すように、インクは凹溝ＧＶ内に落ちる）。またこのとき、配向膜材料インクＯＲＩは透明電極ＴＥに対する濡れ性が低いので、凹溝ＧＶの表面にＩＴＯを好適とする透明電極ＴＥを設けておくと、凹溝ＧＶにおいて液状の配向膜材料インクＯＲＩの濡れ広がりをさらに抑制することができる。凹溝ＧＶは１本でもそれなりの効果はあるが、複数本とするのが望ましい。
【００４１】
しかし、液晶表示パネルのサイズに応じた配向膜材料インクＯＲＩの塗布量、粘度、塗布雰囲気等によっては第１の配向膜外縁規制部Ｚ１を超えてシール材を配置する領域ＳＬに達する場合がある。本実施例では、図３および図４で説明したように、第１の配向膜外縁規制部Ｚ１よりも走査配線端子ＧＬＴ方向に離れた位置でシール領域ＳＬの内側に寄った部分に形成した第２の配向膜外縁規制部Ｚ２によって、第１の配向膜外縁規制部Ｚ１を超えて濡れ広がる配向膜材料インクＯＲＩがシール領域に達するのを阻止する。
【００４２】
図９は、第２の配向膜外縁規制部の説明図で、図９（ａ）は上面図、図９（ｂ）は図９（ａ）の要部を拡大して示す断面図である。第２の配向膜外縁規制部Ｚ２は第２の絶縁層ＰＡＳ２の上に成膜された透明電極ＴＥを線状に除去した複数のスリットＳＴで形成されている。なお、透明電極ＴＥは第１の配向膜外縁規制部Ｚ１から延びており、第２の配向膜外縁規制部Ｚ２のシール領域ＳＬ側で終端し、該シール領域ＳＬには達していない。このスリットＳＴも一本でもある程度の効果はあるが、配向膜材料インクＯＲＩの確実な阻止のためには複数本とするのが望ましい。
【実施例２】
【００４３】
図１０は、本発明による実施例２の液晶表示パネルの概略構成を模式的に示す図１のＡＲ２で示すＴＦＴ基板のドレイン辺の要部平面図である。また、図１１は、図１０に示した領域ＡＲ３の概略構成を拡大して示した模式平面図である。図１２は、図１１のＤ−Ｄ’線における模式断面図である。図１３は、図１０に示した領域ＡＲ４の概略構成を拡大して示した模式平面図である。図１４は、図１３のＥ−Ｅ’線における模式断面図である。
【００４４】
本実施例の液晶表示パネルにおいて、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１のドレイン辺ｃの近くにある表示領域ＤＡの外周部を拡大してみると、図１０に示すように、表示領域ＤＡの外側に該表示領域ＤＡの外周に沿ってコモンバスラインＣＢＬが設けられている。このコモンバスラインＣＢＬは、走査信号線ＧＬと同時に形成されており、コモンバスラインＣＢＬと映像信号線ＤＬの間には第１の絶縁層ＰＡＳ１が介在している。
【００４５】
また、表示領域ＤＡから見て、コモンバスラインＣＢＬの外側で、かつ映像信号線ＤＬを集線している領域には、図１０乃至図１２に示すように、保護ダイオードが形成されている領域ＰＤｓがある。この保護ダイオードが形成された領域ＰＤｓには、図１１および図１２に示すように、第１の絶縁層ＰＡＳ１及び第２の絶縁層ＰＡＳ２を開口した凹溝ＧＶと、この凹溝ＧＶを覆う透明電極ＴＥにより構成された第３の配向膜外縁規制部Ｚ３が設けられている。
【００４６】
また、液晶表示パネルのドレイン辺ｃには、たとえば、図１０に示したように、コモンバスラインＣＢＬにコモン電圧を加えるためのコモン入力パターンＣＩＰＢが設けられている。このコモン入力パターンＣＩＰは走査信号線ＧＬと同時に形成されている。コモン入力パターンＣＩＰが設けられた領域には、たとえば、図１３および図１４に示すように、第２の絶縁層ＰＡＳ２および第１の絶縁層ＰＡＳ１を開口してコモン入力パターンＣＩＰに達する凹溝ＧＶとこの凹溝ＧＶを覆う透明電極ＴＥとにより構成された溝部が設けられている。
【００４７】
図１５は、配向膜材料インクの濡れ広がりの抑制する第３の配向膜外縁規制部Ｚ３の機能を説明するための模式断面図である。なお、コモン入力パターンＣＩＰによる配向膜材料インクの濡れ広がりの抑制機能も同様である。図１５は、図１２と同じ断面でみた図である。
【００４８】
ＴＦＴ基板ＳＵＢ１に配向膜を形成する際に、たとえば、インクジェット印刷法を用いて表示領域ＤＡおよびその周辺のわずかな領域のみに液状の配向樹脂材料インクＯＲＩを塗布する。塗布された配向樹脂材料インクＯＲＩは表示領域ＤＡからシール領域ＳＬがある外側に向かう方向に概ね等方的に濡れ広がり、表示領域ＤＡからドレイン辺ｃに向かう方向にも濡れ広がる。
【００４９】
しかし、本実施例のＴＦＴ基板ＳＵＢ１に設けた第３の配向膜外縁規制部Ｚ３およびコモン入力パターンＣＩＰに設けた凹溝ＧＶとこの凹溝ＧＶを覆う透明電極ＴＥにより構成された溝部は、配向樹脂材料インクＯＲＩは表示領域ＤＡからドレイン辺ｃに向かう方向に濡れ広がるときにも、シール領域ＳＬに達する前に、図１５に示すように、凹溝に流れ込むことができずに凹溝を避けて流れるため、抑制される。またこのとき、液状の配向樹脂材料インクＯＲＩは透明電極ＴＥに対する濡れ性が低いので、濡れ広がりはさらに抑制され、阻止される。
【００５０】
図１６は、ＴＦＴ基板のドレイン辺に設ける溝部の変形例を説明するための模式平面図である。図１７は、図１６のＦ−Ｆ’線における模式断面図である。
【００５１】
図１３および図１４に示した構成では、コモン入力パターンＣＩＰが、いわゆるベタパターンであり、溝部の周囲において第２の絶縁層ＰＡＳ２の表面が平坦である。そのため、このような溝部だけでは液状の配向樹脂材料インクＯＲＩの濡れ広がりを止められない可能性がある。
【００５２】
そのため、図１６および図１７に示すように、コモン入力パターンＣＩＰにスリットＳＴを入れることが望ましい。このように、スリットＳＴを入れることで、図１７に示すように、コモン入力パターンＣＩＰが介在している箇所と介在していない箇所で段差が生じ、配向樹脂材料インクＯＲＩの濡れ広がりを抑制することができる。
【００５３】
図１８は、本発明による実施例２の液晶表示パネルに設ける第３の配向膜外縁規制部Ｚ３の変形例を説明する図１１と同様の図１０のＡＲ３で示すＴＦＴ基板のドレイン辺の要部平面図である。また、図１９は、図１８における第３の配向膜外縁規制部Ｚ３の部分の一部拡大図である。
【００５４】
この構成では、複数の映像信号線ＤＬの前記表示領域と前記シール剤の配置領域の間に、複数の映像信号線のそれぞれの間をダイオード回路により互いに接続した保護ダイオード形成領域ＰＤsが形成されている。そして、複数の映像信号線ＤＬの前記シール領域側と前記保護ダイオード形成領域との間に、複数の凹溝ＧＶと透明電極ＴＥを凹溝ＧＶの内側面および底面に延在させた第３の配向膜外縁規制部Ｚ３を設けた。
【００５５】
この構成では、第３の配向膜外縁規制部Ｚ３を構成する複数の凹溝ＧＶを表示領域ＤＡの外周に並行な方向に長い部分配置し、かつ互いに歯合する如く千鳥状に配置した。そして、この第３の配向膜外縁規制部Ｚ３を横切る映像信号線ＤＬを前記千鳥状に配置された複数の凹溝ＧＶの間を縫ってジグザグに配線させる。透明電極ＴＥと導電層はＩＴＯなどの同一導電材料で形成する。透明電極ＴＥは複数の凹溝ＧＶ同士をつないでコモン入力パターンＣＩＰに接続されている。このように、凹溝ＧＶを多段に設けることにより、配向樹脂材料インクＯＲＩの濡れ広がりを確実に抑制することができる。
【００５６】
図２０は、本発明による実施例２の液晶表示パネルに設ける第３の配向膜外縁規制部Ｚ３の他の変形例を説明する図１８と同様の図１０のＡＲ３で示すＴＦＴ基板のドレイン辺の要部平面図である。また、図２１は、図２０における第３の配向膜外縁規制部Ｚ３の部分の一部拡大図である。
【００５７】
この変形例の構成も、複数の映像信号線ＤＬの前記表示領域と前記シール剤の配置領域の間に、複数の映像信号線のそれぞれの間をダイオード回路により互いに接続した保護ダイオード形成領域ＰＤsが形成されている。そして、複数の映像信号線ＤＬの前記シール領域側と前記保護ダイオード形成領域との間に、複数の凹溝ＧＶと透明電極ＴＥを凹溝ＧＶの内側面および底面に延在させた第３の配向膜外縁規制部Ｚ３を設けた。
【００５８】
この構成では、第３の配向膜外縁規制部Ｚ３を構成する複数の凹溝ＧＶを表示領域ＤＡの外周に並行な方向に長い部分配置し、かつ互いに歯合する如く配置すると共に、保護ダイオード形成領域ＰＤsで短く、シール領域側では長く形成した。そして、この第３の配向膜外縁規制部Ｚ３を横切る映像信号線ＤＬを複数の凹溝ＧＶの間を縫ってジグザグに配線させる。透明電極ＴＥと導電層はＩＴＯなどの同一導電材料で形成する。透明電極ＴＥは複数の凹溝ＧＶ同士をつないでコモン入力パターンＣＩＰに接続されている。
【００５９】
図２０と図２１に示した第３の配向膜外縁規制部Ｚ３の構成によれば、少ない段数の凹溝ＧＶであってもシール領域側では長く形成した凹溝ＧＶが確実に配向樹脂材料インクＯＲＩの濡れ広がりを抑制することができる。
【００６０】
図２２は、図１に示した領域ＡＲ５におけるＴＦＴ基板の概略構成を拡大して示した模式平面図である。図２３は、図２２のＧ−Ｇ’線およびＨ−Ｈ’線における模式断面図である。
【００６１】
これまで、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１のゲート辺ａおよびドレイン辺ｃの近傍における配向樹脂材料インクＯＲＩの濡れ広がりを制御する方法について説明した。本発明は、これに限らず、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の他の辺にも適用できる。以下、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の反ゲート辺ｂおよび反ドレイン辺ｄの近傍における配向樹脂材料インクＯＲＩの濡れ広がりを制御する方法について説明する。
【００６２】
ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の反ゲート辺ｂおよび反ドレイン辺ｄが接する角部は、例えば、図２２に示すように、表示領域ＤＡの外側に、表示領域ＤＡの外周に沿ってコモンバスラインＣＢＬが配置されている。このコモンバスラインＣＢＬは、走査信号線ＧＬと同時に形成され、図２３に示すように、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１と第１の絶縁層ＰＡＳ１の間に配置される。
【００６３】
また、コモンバスラインＣＢＬのうち、反ゲート辺ｂに沿った部分の上には、反ゲート辺ｂに沿った方向に長く延びる溝部が設けられ、反ドレイン辺ｄに沿った部分の上には、反ドレイン辺ｄに沿った方向に長く延びる溝部が設けられており、これら２つの溝部は、コモンバスラインＣＢＬの角部において連続している。
【００６４】
また、反ゲート辺ｂおよび反ドレイン辺ｄに沿って設けられる溝部は、たとえば、図２３に示すように、コモンバスラインＣＢＬの上に積層された第１の絶縁層ＰＡＳ１および第２の絶縁層ＰＡＳ２を開口して形成した凹溝ＧＶと、凹溝ＧＶを覆う透明電極ＴＥにより構成される。このとき、凹溝ＧＶの反ゲート辺ｂに沿った方向の長さは、複数本の走査信号線のうちの最外側に配置される２本の走査信号線の間隔よりも長くすることが望ましい。同様に、凹溝ＧＶの反ドレイン辺ｂに沿った方向の長さは、複数本の映像信号線のうちの最外側に配置される２本の映像信号線の間隔よりも長くすることが望ましい。またこのとき、透明電極ＴＥは、たとえば、図２２に示すように、平面でみてコモンバスラインＣＢＬ全体を覆うように形成する。
【００６５】
このようにすれば、塗布した液状の配向樹脂材料インクＯＲＩが表示領域ＤＡから反ゲート辺ｂや反ドレイン辺ｄに向かう方向に濡れ広がるときにも、シール領域ＳＬに達する前に、第２の絶縁層ＰＡＳ２および第１の絶縁層ＰＡＳ１を開口した凹溝ＧＶおよび導電層ＴＥで構成される溝部を通る。そのため、濡れ広がって溝部に達した液状の配向樹脂材料インクＯＲＩは、凹溝ＧＶに配向樹脂材料インクＯＲＩが流れ込むことができず、凹溝ＧＶに沿って流れる。またこのとき、液状の配向樹脂材料インクＯＲＩは導電層ＴＥに対する濡れ性が低いので、溝部の表面にＩＴＯで形成した透明電極ＴＥを設けておくことで、溝部において配向樹脂材料インクＯＲＩの濡れ広がりを抑制することができる。
【００６６】
また、図２２に示した構成例では、１つの溝部を設けているが、これに限らず、表示領域ＤＡからシール領域ＳＬに向かって２重、３重の溝部を設けてもよいことは言うまでもない。
【００６７】
図２４は、ＴＦＴ基板の反ゲート辺および反ドレイン辺に設ける溝部の他の変形例を説明するための模式断面図である。図２５は、ＴＦＴ基板の反ゲート辺および反ドレイン辺に設ける溝部のさらに他の変形例を説明するための模式断面図である。図２６は、ＴＦＴ基板の反ゲート辺および反ドレイン辺に設ける溝部のさらにまた他の変形例を説明するための模式断面図である。
【００６８】
図２２および図２３では、平面でみてコモンバスラインＣＢＬ全体を覆うように透明電極ＴＥを形成した場合を例に挙げているが、これに限らず、例えば、図２４に示すように、第１の絶縁層ＰＡＳ１および第２の絶縁層ＰＡＳ２を開口して形成した凹溝ＧＶの周辺のみに透明電極ＴＥを設けてもよい。
【００６９】
また、図２２および図２３では、走査信号線ＧＬと同時にコモンバスラインＣＢＬを形成した場合を例に挙げているが、これに限らず、たとえば、映像信号線ＤＬと同時にコモンバスラインＣＢＬを形成してもよい。この場合、溝部は、たとえば、図２５に示すように、第２の絶縁層ＰＡＳ２を開口して形成した凹溝ＧＶとその表面の透明電極ＴＥにより構成される。またこのとき、たとえば、図２６に示すように、凹溝ＧＶの周辺のみに透明電極ＴＥを設けてもよい。
【００７０】
以上説明したように、本実施例によれば、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１において、シール領域ＳＬよりも内側で、かつ、表示領域ＤＡの外側の概略環状の領域に、絶縁層を開口して設けた凹溝ＧＶとこの凹溝ＧＶの内側の側面および底面を含んでに延在する透明電極ＴＥで構成される溝部を設けることで、液晶表示パネルの配向膜を形成する際の、配向樹脂材料インクＯＲＩの表示領域の外側での濡れ広がりを抑制し、かつ、不要な濡れ広がりが抑制されることで、表示領域内における膜厚の均一性を維持することができる。
【００７１】
図２７乃至図２９は、本実施例の液晶表示パネルの表示領域に形成される１画素の一構成例を示す模式図である。図２７は、ＴＦＴ基板の表示領域を観察者側から見たときの１画素の一構成例を示す模式平面図である。図２８は、図２７のＪ−Ｊ’線における模式断面図である。図２９は、図２７のＫ−Ｋ’線における模式断面図である。
【００７２】
本実施例の液晶表示パネルがＩＳＰ方式と呼ばれる横電界駆動方式の場合、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴが設けられている。また、ＩＰＳ方式には、たとえば、平面でみた形状が櫛歯状の画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴを同じ層、すなわち同じ絶縁層の上に配置したものと、絶縁層を介して基板面に平行に配置したものがある。このうち、絶縁層を介して画素電極と対向電極を並行に配置したＩＰＳ方式の場合、ＴＦＴ基板の１画素の構成は、例えば、図２７乃至図２９に示すような構成になっている。
【００７３】
図２７乃至図２９において、まず、ガラスを好適とするＴＦＴ基板ＳＵＢ１の表面には、ｘ方向に延在する複数本の走査信号線ＧＬ、各走査信号線ＧＬと並行して配置された共通信号線ＣＬ、共通信号線ＣＬと接続した対向電極ＣＴが設けられている。このとき、各共通信号線ＣＬは、たとえば、図５に示したように、表示領域ＤＡの外側において、コモンバスラインＣＢＬに接続されている。またこのとき、各走査信号線ＧＬからみて、共通信号線ＣＬが配置された方向と反対側には、対向電極ＣＴに接続された共通接続パッドＣＰが設けられている。
【００７４】
そして、走査信号線ＧＬ、対向電極ＣＴなどの上には、第１の絶縁層ＰＡＳ１を介して半導体層ＳＣ、映像信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ２が設けられている。半導体層ＳＣは、たとえば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）で形成されており、ＴＦＴ素子のチャネル層として機能するものの他に、たとえば、走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬが立体的に交差する箇所における走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬの短絡を防ぐためのものなどが形成されている。またこのとき、ＴＦＴのチャネル層として機能する半導体層ＳＣは、走査信号線ＧＬの上に第１の絶縁層ＰＡＳ１を介して設けられており、走査信号線ＧＬと半導体層ＳＣの間に介在する第１の絶縁膜ＰＡＳ１が、ＴＦＴのゲート絶縁膜として機能する。
【００７５】
また、映像信号線ＤＬは、ｙ方向に延在する信号線であり、その一部が分岐してＴＦＴのチャネル層として機能する半導体層ＳＣ上に設けられている。この映像信号線ＤＬから分岐した部分がドレイン電極ＳＤ１である。
【００７６】
そして、半導体層ＳＣ、映像信号線ＤＬなどの上には、第２の絶縁層ＰＡＳ２を介して画素電極ＰＸおよびブリッジ配線ＢＲが設けられている。画素電極ＰＸは、スルーホールＴＨ３によりソース電極ＳＤ２と電気的に接続されている。また、画素電極ＰＸは、平面でみて対向電極ＣＴと重なる領域に複数本のスリット（開口部）ＰＳＬが設けられている。
【００７７】
また、ブリッジ配線ＢＲは、１本の走査信号線ＧＬを挟んで配置される２つの対向電極ＣＴを電気的に接続する配線であり、スルーホールＴＨ４，ＴＨ５により、走査信号線ＧＬを挟んで配置される共通信号線ＣＬおよび共通接続パッドＣＰと電気的に接続されている。
【００７８】
なお、本発明にかかる液晶表示パネルにおけるＴＦＴ基板ＳＵＢ１は、１画素の構成がある特定の構成のものに限定されるわけではなく、従来から一般に知られている種々の構成のＴＦＴ基板に適用することができることは言うまでもない。
【００７９】
以上、本発明を、最良の実施例に基づいて具体的に説明したが、本発明は、前記した実施例のいずれにも限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
【００８０】
例えば、前記実施例では、液晶表示パネルのＴＦＴ基板ＳＵＢ１に、配向膜材料インクの濡れ広がりを抑制する溝部を設ける例を説明した。しかしながら、本発明は、ＴＦＴ基板に限らず、対向基板の配向膜の形成にも適用できる。
【００８１】
液晶表示パネルが、ＴＮ方式やＶＡ方式の縦電界駆動方式の場合、対向電極ＣＴは対向基板に設けられる。このとき、対向基板は、たとえば、ガラス基板の表面にブラックマトリクス（遮光パターン）やカラーフィルタが設けられ、それらの上にオーバーコート層を介して対向電極が設けられている。そのため、たとえば、オーバーコート層を形成するときに、シール材が配置される領域よりも内側で、かつ、表示領域の外側領域にオーバーコート層を開口した凹溝を形成し、その凹溝の表面に対向電極を延在させて溝部を形成すれば、該溝部で配向膜の濡れ広がりを止めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明による実施例１の液晶表示パネルの概略構成を示す模式平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図３】図１のゲート辺における領域ＡＲ１の概略構造例を示す断面図である。
【図４】図１のゲート辺における領域ＡＲ１の概略構造例を示す図３を上側から見た平面図である。
【図５】第１の配向膜外縁規制部の近傍を拡大して示した模式平面図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【図７】配向膜材料インクを塗布したときの当該材料インクの広がりを説明する図である。
【図８】図７のＣ−Ｃ’線でみた模式断面図である。
【図９】第２の配向膜外縁規制部の説明図である。
【図１０】本発明による実施例２の液晶表示パネルの概略構成を模式的に示す図１のＡＲ２で示すＴＦＴ基板のドレイン辺の要部平面図である。
【図１１】図１０に示した領域ＡＲ３の概略構成を拡大して示した模式平面図である。
【図１２】図１１のＤ−Ｄ’線における模式断面図である。
【図１３】図１０に示した領域ＡＲ４の概略構成を拡大して示した模式平面図である。
【図１４】図１３のＥ−Ｅ’線における模式断面図である。
【図１５】配向膜材料インクの濡れ広がりの抑制する第３の配向膜外縁規制部Ｚ３の機能を説明するための模式断面図である。
【図１６】ＴＦＴ基板のドレイン辺に設ける溝部の変形例を説明するための模式平面図である。
【図１７】図１６のＦ−Ｆ’線における模式断面図である。
【図１８】本発明による実施例２の液晶表示パネルに設ける第３の配向膜外縁規制部Ｚ３の変形例を説明する図１１と同様の図１０のＡＲ３で示すＴＦＴ基板のドレイン辺の要部平面図である。
【図１９】図１８における第３の配向膜外縁規制部Ｚ３の部分の一部拡大図である。
【図２０】本発明による実施例２の液晶表示パネルに設ける第３の配向膜外縁規制部Ｚ３の他の変形例を説明する図１８と同様の図１０のＡＲ３で示すＴＦＴ基板のドレイン辺の要部平面図である。
【図２１】図２０における第３の配向膜外縁規制部Ｚ３の部分の一部拡大図である。
【図２２】図１に示した領域ＡＲ５におけるＴＦＴ基板の概略構成を拡大して示した模式平面図である。
【図２３】図２２のＧ−Ｇ’線およびＨ−Ｈ’線における模式断面図である。
【図２４】ＴＦＴ基板の反ゲート辺および反ドレイン辺に設ける溝部の他の変形例を説明するための模式断面図である。
【図２５】ＴＦＴ基板の反ゲート辺および反ドレイン辺に設ける溝部のさらに他の変形例を説明するための模式断面図である。
【図２６】ＴＦＴ基板の反ゲート辺および反ドレイン辺に設ける溝部のさらにまた他の変形例を説明するための模式断面図である。
【図２７】ＴＦＴ基板の表示領域を観察者側から見たときの１画素の一構成例を示す模式平面図である。
【図２８】図２７のＪ−Ｊ’線における模式断面図である。
【図２９】図２７のＫ−Ｋ’線における模式断面図である。
【符号の説明】
【００８３】
ＳＵＢ１・・・薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）
ＳＵＢ２・・・対向基板
ＳＬ・・・シール剤塗布領域（シール領域）
ＬＣ・・・液晶層
ＣＢＬ・・・コモンバスライン
ＴＥ・・・透明電極（ＩＴＯ膜）
ＧＶ・・・凹溝
ＯＲＩ・・・液状の配向膜材料（配向膜材料インク）
ＣＩＰ・・・コモン入力パターン
ＧＬ・・・走査信号線
ＤＬ・・・映像信号線
ＳＤ１・・・ドレイン電極
ＳＤ２・・・ソース電極
ＳＣ・・・チャネル層（半導体層）
ＰＸ・・・画素電極
ＣＴ・・・対向電極
ＰＡＳ１・・・第１の絶縁層
ＰＡＳ２・・・第２の絶縁層
ＣＬ・・・共通信号線
ＣＰ・・・共通接続パッド
ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３，ＴＨ４，ＴＨ５・・・スルーホール。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に、液晶表示装置を構成する液晶表示パネルの基板内面に配向膜を塗布する際の配向膜材料の外縁制御に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
テレビや情報端末のディスプレイデバイスとして、第１基板と第２基板の一対の基板の間に液晶材料を封入した液晶表示パネルを用いた液晶表示装置が広く普及している。通常、この種の液晶表示装置を構成する液晶表示パネルは、一対の基板のうちの一方の基板の主面（内面）に複数本の走査信号線および走査信号線に対して絶縁して交差する複数本の映像信号線を有する。そして、隣接する２本の走査信号線と隣接する２本の映像信号線で囲まれた領域に１つの画素を形成し、各画素毎にオン・オフを制御するスイッチング素子や画素電極などが配置される。このスイッチング素子には一般に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が用いられる。そのため、薄膜トランジスタを設けた一方の基板を一般的に薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）と称する。また、このＴＦＴ基板と対をなす他方の基板を対向基板と称する。対向基板にＴＦＴ基板に有する画素対応で形成された複数色のカラーフィルタを有するものではカラーフィルタ基板（ＣＦ基板）と称する場合もある。
【０００３】
液晶表示パネルには、画素の駆動方式の違いでＴＮ方式やＶＡ方式のような縦電界方式、ＩＰＳ方式として知られる横電界方式がある。縦電界方式は、ＴＦＴ基板の画素電極と対向する対向電極（共通電極とも称する）は対向基板側に設けられる。また、横電界方式の場合では、前記対向電極は画素電極が形成されたＴＦＴ基板側に設けられる。
【０００４】
また、ＴＦＴ基板および対向基板は、画素電極と対向電極の間に電位差がない状態における液晶分子の向き（初期配向）や、画素電極と対向電極の間に電位差が生じたときの液晶分子の配列や傾きを制御するための機能（液晶配向制御能）を持つ配向膜が設けられる。
【０００５】
配向膜は、ＴＦＴ基板と対向基板の各主面の液晶材料（液晶層）との界面に設けられ、画素を二次元配置した表示領域の全体を覆うように形成されたポリイミドを好適とする樹脂膜の表面にラビング処理や偏光照射等を施して配向制御能を付与している。
【０００６】
前記ＴＦＴ基板および対向基板の各基板の表面に配向膜として形成するポリイミドなどの樹脂膜は、フレキソ印刷法と呼ばれる方法などを用いていたが、近年は、インクジェット印刷法を用いて形成する方法が提案されている（特許文献１）。インクジェット印刷法は、配向膜材料のインク（配向膜材料インク）をインクジェットノズルを用いて基板上に直接塗布するものである。この方法は非接触プロセスであることから、基板面や製造設備の低汚染化、溶液消費量の低減、プロセス時間の短縮などの種々の利点がある。
【特許文献１】特開２００１−３３７３１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前記インクジェット印刷法で配向膜を形成する場合、その塗布領域の周縁の位置規制が困難であることが指摘されている。すなわち、インクジェット印刷法で用いる配向膜材料インクの粘度は前記フレキソ印刷法などで用いられる材料の粘度に比べて低いため、インクジェット印刷法で配向膜となる樹脂膜の材料を基板上に塗布した場合、インクジェット装置のノズルから基板上に吐出された配向材料インクの濡れ広がることによる塗布領域の外縁位置は、これを制御することが難しい。
【０００８】
そのため、たとえば、走査信号線（ゲート配線、あるいは単にゲート線とも称する）、映像信号線（データ配線またはドレイン線、あるいは単にデータ線又はドレイン線とも言う）、ＴＦＴ、画素電極などが形成されたＴＦＴ基板の主面にインクジェット印刷法で配向膜を形成する際に、塗布した配向膜材料インクが主面上を濡れ広がり、対向基板を封着するシール剤塗布領域（シール領域）まで達してしまうことがある。配向膜がシール領域に達すると、シール剤と基板の下層に配向膜材料が存在することによるシール剤とＴＦＴ基板との密着性が不十分となって、封着不良や対向基板との位置ずれの原因になり、あるいは液晶材料の漏れをもたらす。
【０００９】
インクジェット印刷法で配向膜を形成する際に、印刷した配向膜材料インクがシール領域まで濡れ広がらないようにするため、例えば、印刷した配向膜材料インクの濡れ広がりの量を考慮して、あらかじめ配向膜材料を印刷する領域を小さくする方法が考えられる。しかしながら、この方法では、有効な表示領域を狭くすることにもなり、また表示領域内で印刷した配向膜の膜厚にばらつきが生じ易い。
【００１０】
この他にも、例えば、印刷する配向膜材料インクの粘度を高くして濡れ広がりを抑制する方法が考えられる。しかしながら、この方法では、印刷時の射出不良（ノズル詰り）により配向膜材料インクが塗布されない領域が発生し易い。
【００１１】
本発明の目的は、たとえば、液晶表示パネルの製造プロセスにおける配向膜形成の際、表示領域の外周部分での配向膜材料の不要な濡れ広がりを抑制し、かつ、表示領域内における配向膜の膜厚の均一性を維持することが可能な構造を備えた液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するための本発明の代表的な構成の概略を説明すれば、以下の通りである。すなわち、本発明の液晶表示装置は、対向配置された一方の基板である第１基板および他方の基板である第２基板と、該第１基板および第２基板の対向間隙の周縁に沿って環状に配置されたシール領域と、前記第１基板および第２基板と前記シール領域で囲まれた空間に封入された液晶層とを有し、前記シール領域の内側に表示領域が形成された液晶表示パネルで構成される。
【００１３】
本発明では、上記の構成を有する液晶表示パネルの前記第１基板および第２基板の対向する各主面の前記液晶層との界面に配向膜をそれぞれ有し、前記第１基板と前記第２基板の少なくとも一方の主面の上に第１絶縁層を介して設けられた導電層と、前記導電層の上に設けられた第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に設けられた透明電極と、前記第２絶縁層の前記表示領域の外周、かつ前記シール領域の内側における前記表示領域に近い第１部分に設けられた１または複数の凹溝と、前記透明電極を前記凹溝の内側面および底面に延在させた第１の配向膜外縁規制部と、前記第２絶縁層の前記表示領域の外周、かつ前記第１の配向膜外縁規制部より前記シール領域に寄った第２部分に、前記透明電極を前記表示領域の外周に沿った方向に長く除去して形成された１または複数のスリットからなる第２の配向膜外縁規制部を設けた。
【００１４】
本発明では、前記第１の配向膜外縁規制部の前記凹溝に前記表示領域の外周に沿った方向に長い部分を有するものとすることができる。また、この凹溝に前記表示領域の外周に直交する方向に長い部分を有するものとすることができる。
【００１５】
本発明では、前記第１基板に、複数本の走査信号線と、前記複数本の走査信号線と絶縁されて交差する複数本の映像信号線と、２本の隣接する走査信号線と２本の隣接する映像信号線で囲まれた領域に対して配置される薄膜トランジスタおよび画素電極とを設け、前記複数の走査配線を前記第１基板の前記第１絶縁層の下層に配置し、前記第１の配向膜外縁規制部の前記凹溝を複数の前記走査配線の配置部分の間に形成し、前記透明電極を前記凹溝の前記底面に露呈された前記導電層に接続した構成とすることができる。
【００１６】
本発明では、第２の配向膜外縁規制部の前記スリットに、前記表示領域の外周に沿った方向に長い部分を有するものとすることができ、また、前記導電層と前記透明電極をＩＴＯなどの同一導電材料で形成することができる。
【００１７】
また、本発明では、前記第１基板に、複数本の走査信号線と、前記複数本の走査信号線と絶縁されて交差する複数本の映像信号線と、２本の隣接する走査信号線と２本の隣接する映像信号線で囲まれた領域に対して配置される薄膜トランジスタおよび画素電極とを設け、
前記複数の映像信号線の前記表示領域と前記シール領域の間に、前記複数の映像信号線のそれぞれの間をダイオード回路により互いに接続した保護ダイオード形成領域と、前記複数の映像信号線の前記シール領域側と前記保護ダイオード形成領域との間に、複数の凹溝と、前記透明電極を前記凹溝の内側面および底面に延在させた第３の配向膜外縁規制部を設けた。
【００１８】
本発明では、前記第３の配向膜外縁規制部を構成する前記凹溝を、前記表示領域の外周に並行な方向に長い部分を有すると共に、互いに歯合する如く千鳥状に配置することができる。そして、前記映像信号線を、前記千鳥状に配置された前記複数の凹溝の間を縫ってジグザグに配線させることができる。
【００１９】
本発明では、前記導電層と前記透明電極はＩＴＯなどの同一導電材料で形成することができる。
【００２０】
なお、本発明は、特許請求の範囲に記載の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能である。
【発明の効果】
【００２１】
第１基板の走査信号線の延在方向、すなわち表示領域から走査信号線駆動回路に走査信号線を引き出す領域の表面は凹凸が少ない。この部分に第１の配向膜外縁規制部と第２の配向膜外縁規制部を第１基板の走査信号線の延在方向に沿って設けたことで、第１の配向膜外縁規制部で規制し切れなかった配向膜材料インクの濡れ広がりがあっても、これを第２の配向膜外縁規制部２段階で阻止することで、シール領域に到達するのを防止できる。
【００２２】
また、第１基板の走査信号線の延在方向、すなわち表示領域から映像信号線駆動回路に映像信号線を引き出す領域にも第３の配向膜外縁規制部を設けることで、配向膜材料インクの濡れ広がりが阻止される。この第３の配向膜外縁規制部の凹溝の長手方向を配向膜材料インクの濡れ広がりの方向に立ち塞がるように設け、さらに複数の凹溝を互いに歯合するごとくジグザグ配置することで配向膜材料インクの濡れ広がりを効果的に阻止できる。
【００２３】
第１、第２、第３の配向膜外縁規制部の凹溝部分を含めて形成される透明電極の表面は配向膜材料インクの濡れ性が低い。そのため、凹溝のみを設けた場合よりも格段に大きい配向膜材料インクの濡れ広がりの抑制効果が得られる。また、配向膜材料インクの濡れ広がりを制御できることにより、表示領域内における膜厚の均一性を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の最良の実施形態を実施例の図面を参照して詳細に説明する。なお、以下に説明する各実施例の図面において、同一機能を有するものには同一符号を付し、その繰り返しの説明はしない。
【実施例１】
【００２５】
図１は、本発明による実施例１の液晶表示パネルの概略構成を示す模式平面図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。実施例１の液晶表示装置は、貼り合わせた一方の基板である第１基板ＳＵＢ１と他方の基板である第２基板ＳＵＢ２と、該第１基板および第２基板の対向間隙の周縁に沿って環状に配置されたシール領域ＳＬと、前記第１基板および第２基板と前記シール領域で囲まれた空間に封入された液晶層とを有し、前記シール領域の内側に表示領域が形成された液晶表示パネルで構成される。映像または画像を表示する表示領域ＤＡは、平面でみて第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２および液晶層ＬＣが重なる領域に形成される。
【００２６】
また、本実施例では、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２は、平面でみた外形寸法が異なる。液晶表示装置が、例えば、テレビやパソコン向けの比較的大型の表示装置の場合、図１のｘ方向に平行な２辺（長辺）のうちの１辺と、ｙ方向に平行な２辺（短辺）のうちの１辺が平面でみて重なるように配置される。
【００２７】
また、一対の基板のうちの大きい方の基板である第１基板ＳＵＢ１は、薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）とも呼ばれる。例えば、図示は省略したが、図１のｘ方向に延在する複数本の走査信号線（ゲート線）や、ｙ方向に延在する複数本の映像信号線（データ線）が設けられる。また、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１は、２本の隣接する走査信号線と２本の隣接する映像信号線で囲まれた領域が１つの画素が形成される画素領域となり、各画素領域にＴＦＴや画素電極が配置される。
【００２８】
また、一対の基板のうちの小さいほうの基板である第２基板ＳＵＢ２は、対向基板とも呼ばれる。前記液晶表示パネルがＲＧＢ方式のカラー液晶表示パネルの場合、カラーの１画素（１ピクセル）は、３つの副画素（サブピクセル）からなり、対向基板２には、サブ画素毎に赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色（Ｇ）のカラーフィルタ、青色（Ｂ）のカラーフィルタが配置される。
【００２９】
また、前記液晶表示パネルが、たとえば、ＴＮ方式やＶＡ方式のような縦電界方式と称される駆動方式である場合、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の前記画素電極と対向する対向電極（共通電極とも呼ばれる）は、対向基板ＳＵＢ２側に設けられる。また、前記液晶表示パネルが、例えばＩＰＳ方式のような横電界方式と呼ばれる駆動方式の場合、前記対向電極は、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１側に設けられる。
【００３０】
また、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１のｙ方向に平行な２つの短辺ａ，ｂのうち、対向基板ＳＵＢ２の辺と重ならない方の短辺ａは、例えば、各走査信号線に走査信号を入力するためのドライバＩＣ（走査信号線駆動回路チップ）、または該ドライバＩＣが実装されたＣＯＦまたはＴＣＰなどが接続される辺である。また、各走査信号線は、各画素領域に対して配置されたＴＦＴのゲートと接続されている。そのため、以下の説明では、走査信号を入力するためのドライバＩＣ、または該ドライバＩＣが実装されたＣＯＦまたはＴＣＰなどが接続される短辺ａをゲート辺と呼び、ゲート辺と平行なもう一方の短辺ｂを反ゲート辺と呼ぶこととする。
【００３１】
また、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１のｘ方向に平行な２つの長辺ｃ，ｄのうち、対向基板ＳＵＢ２の辺と重ならない方の長辺ｃは、例えば、各映像信号線（データ線又はドレイン線）に映像信号（階調信号とも呼ばれる）を入力するためのドライバＩＣ（映像信号線駆動回路チップ）、または該ドライバＩＣが実装されたＣＯＦまたはＴＣＰなどが接続される辺である。また、各映像信号線は、各画素領域に対して配置されたＴＦＴのドレインと接続されている。そのため、以下の説明では、映像信号を入力するためのドライバＩＣ、または該ドライバＩＣが実装されたＣＯＦまたはＴＣＰなどが接続される長辺ｃをドレイン辺と呼び、ドレイン辺と平行なもう一方の長辺ｄを反ドレイン辺と呼ぶこととする。なお、この他の構成として、第１基板ＳＵＢ１のｘ方向両辺にスペースを設け、これら両短辺に走査信号線駆動回路チップを搭載するもの、あるいは、さらにｙ方向両辺にもスペースを設けて、それぞれの長辺に映像信号線駆動回路チップを搭載するものもある。
【００３２】
図３は、図１のゲート辺における領域ＡＲ１の概略構造例を示す断面図である。また、図４は、図１のゲート辺における領域ＡＲ１の概略構造例を示す図３を上側から見た平面図である。図３と図４において、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の主面には走査信号線ＧＬが形成されている。この走査信号線ＧＬは表示領域側では斜行配線となっている。走査信号線ＧＬの上層には第１の絶縁層ＰＡＳ１、さらに第２の絶縁層ＰＡＳ２が形成されている。
【００３３】
ＴＦＴ基板ＳＵＢ１のゲート辺ａの端部には、第１の絶縁層ＰＡＳ１と第２の絶縁層ＰＡＳ２に開けた開口とその縁近傍に透明導電膜ＴＥを成膜した走査配線端子ＧＬＴが形成されている。また、符号ＤＡで示した領域は表示領域であり、この表示領域ＤＡに近い外周部分に第１の配向膜外縁規制部Ｚ１が配置されている。第１の配向膜外縁規制部Ｚ１の下層には、第１の絶縁層ＰＡＳ１と第２の絶縁層ＰＡＳ２の間に形成されたコモンバスラインＣＢＬを有し、第２の絶縁層ＰＡＳ２に形成した凹溝にＩＴＯを好適とする透明導電膜ＴＥが被覆され、凹溝の底部で透明導電膜ＴＥが導電層であるコモンバスラインＣＢＬに接続している。
【００３４】
符号ＳＬはシール領域である。前記第１の配向膜外縁規制部Ｚ１よりも走査配線端子ＧＬＴ方向に離れた位置でシール領域ＳＬの内側に第２の配向膜外縁規制部Ｚ２が形成されている。第２の配向膜外縁規制部Ｚ２は第２の絶縁層ＰＡＳ２の上に成膜された透明導電膜ＴＥを線状に除去した１又は複数のスリットＳＴが形成されている。なお、透明導電膜ＴＥは第２の配向膜外縁規制部Ｚ２で終端しており、シール領域ＳＬには達していない。
【００３５】
図５は、第１の配向膜外縁規制部の近傍を拡大して示した模式平面図である。図６は、図５のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。本実施例の液晶表示パネルにおいて、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１のゲート辺ａの近くにある表示領域の外周付近には、２本の隣接する走査信号線ＧＬと２本の隣接する映像信号線ＤＬで囲まれた画素領域が２次元的に配置されている表示領域ＤＡの外側に、例えば、映像信号線ＤＬと同時に形成されるコモンバスラインＣＢＬが設けられている。コモンバスラインＣＢＬは、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の表面に第１の絶縁層ＰＡＳ１を介して設けられている。なお、第１の絶縁層ＰＡＳ１は、表示領域ＤＡにおいて走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬの間に介在する絶縁層であり、コモンバスラインＣＢＬと走査信号線ＧＬが交差する領域では、コモンバスラインＣＢＬと走査信号線ＧＬの間に介在している。
【００３６】
また、コモンバスラインＣＢＬの上には、第２の絶縁層ＰＡＳ２および導電層ＴＥが設けられている。第２の絶縁層ＰＡＳ２には、たとえば、図５に示すようなスルーホールＴＨ１が設けられており、透明電極ＴＥは、スルーホールＴＨ１によって導電層であるコモンバスラインＣＢＬと電気的に接続されている。また、透明電極ＴＥは、スルーホールＴＨ２によって、走査信号線ＧＬと並行する共通信号線ＣＬまたは保持容量線などと電気的に接続されている。また、透明電極ＴＥは、画素領域に形成される画素電極と同じＩＴＯを好適とする透明電極材料で形成されている。
【００３７】
また、本実施例の液晶表示パネルにおいて、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１は、図５および図６に示すように、コモンバスラインＣＢＬの上の第２の絶縁層ＰＡＳ２に、スルーホールＴＨ１，ＴＨ２とは別の凹溝ＧＶが設けられている。凹溝ＧＶの表面は、透明電極ＴＥによって覆われており、これら凹溝ＧＶと導電層ＴＥとで第１の配向膜外縁規制部Ｚ１が構成される。第１の配向膜外縁規制部Ｚ１を構成する凹溝ＧＶは、図５に示すように、表示領域ＤＡの外周に沿った方向（ｙ方向）に長く延びる溝や、ｙ方向と直交するｘ方向に折れ曲がった溝、又は分岐した溝の組み合わせからなる。また、凹溝ＧＶは、２本の隣接する走査信号線ＧＬの間に形成される溝のパターンを１つの単位にして、２本の隣接する走査信号線ＧＬの間毎にそのパターンを形成している。
【００３８】
図７および図８は、本実施例における第１の配向膜外縁規制部の機能を説明するための図５および図６と同様の模式図である。図７は、配向膜材料インクを塗布したときの当該材料インクの広がりを説明する図である。図８は、図７のＣ−Ｃ’線でみた模式断面図である。なお、図７は、図１に示した領域ＡＲ１におけるＴＦＴ基板の第１の配向膜外縁規制部の部分を拡大して示した平面図である。
【００３９】
本実施例において、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１に配向膜を形成するときには、例えば、インクジェット印刷法などを用いて、表示領域ＤＡおよびその周辺のわずかな領域のみに液状の樹脂材料ＯＲＩ（配向膜材料インク）を塗布した後、焼成する。このとき、インクジェット印刷法を用いて塗布した液状の配向膜材料インクＯＲＩは、図７に太矢印で示すように、表示領域ＤＡから外側すなわち図１のシール領域ＳＬに向かう方向に濡れ広がる。またこのとき、従来のＴＦＴ基板ＳＵＢ１の場合、ゲート辺ａに近い領域では、走査信号線ＧＬの延在方向に沿って液状の配向膜材料インクＯＲＩが濡れ広がりやすく、シール領域まで達してしまうことがあった。
【００４０】
しかしながら、本実施例では、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１に設けた第１の配向膜外縁規制部Ｚ１により、配向膜材料インクＯＲＩが表示領域ＤＡからゲート辺ａに向かう方向に濡れ広がるとき、シール領域ＳＬに達する前に第２の絶縁層ＰＡＳ２の凹溝ＧＶおよび導電層ＴＥ上を通る。このとき、濡れ広がって凹溝ＧＶに達した配向膜材料インクＯＲＩは、図８上段に示すように、最初は、凹溝ＧＶには流れ込まず、凹溝ＧＶを避けて流れるため、流れを制御できる（時間が経過すれば、図８下段に示すように、インクは凹溝ＧＶ内に落ちる）。またこのとき、配向膜材料インクＯＲＩは透明電極ＴＥに対する濡れ性が低いので、凹溝ＧＶの表面にＩＴＯを好適とする透明電極ＴＥを設けておくと、凹溝ＧＶにおいて液状の配向膜材料インクＯＲＩの濡れ広がりをさらに抑制することができる。凹溝ＧＶは１本でもそれなりの効果はあるが、複数本とするのが望ましい。
【００４１】
しかし、液晶表示パネルのサイズに応じた配向膜材料インクＯＲＩの塗布量、粘度、塗布雰囲気等によっては第１の配向膜外縁規制部Ｚ１を超えてシール材を配置する領域ＳＬに達する場合がある。本実施例では、図３および図４で説明したように、第１の配向膜外縁規制部Ｚ１よりも走査配線端子ＧＬＴ方向に離れた位置でシール領域ＳＬの内側に寄った部分に形成した第２の配向膜外縁規制部Ｚ２によって、第１の配向膜外縁規制部Ｚ１を超えて濡れ広がる配向膜材料インクＯＲＩがシール領域に達するのを阻止する。
【００４２】
図９は、第２の配向膜外縁規制部の説明図で、図９（ａ）は上面図、図９（ｂ）は図９（ａ）の要部を拡大して示す断面図である。第２の配向膜外縁規制部Ｚ２は第２の絶縁層ＰＡＳ２の上に成膜された透明電極ＴＥを線状に除去した複数のスリットＳＴで形成されている。なお、透明電極ＴＥは第１の配向膜外縁規制部Ｚ１から延びており、第２の配向膜外縁規制部Ｚ２のシール領域ＳＬ側で終端し、該シール領域ＳＬには達していない。このスリットＳＴも一本でもある程度の効果はあるが、配向膜材料インクＯＲＩの確実な阻止のためには複数本とするのが望ましい。
【実施例２】
【００４３】
図１０は、本発明による実施例２の液晶表示パネルの概略構成を模式的に示す図１のＡＲ２で示すＴＦＴ基板のドレイン辺の要部平面図である。また、図１１は、図１０に示した領域ＡＲ３の概略構成を拡大して示した模式平面図である。図１２は、図１１のＤ−Ｄ’線における模式断面図である。図１３は、図１０に示した領域ＡＲ４の概略構成を拡大して示した模式平面図である。図１４は、図１３のＥ−Ｅ’線における模式断面図である。
【００４４】
本実施例の液晶表示パネルにおいて、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１のドレイン辺ｃの近くにある表示領域ＤＡの外周部を拡大してみると、図１０に示すように、表示領域ＤＡの外側に該表示領域ＤＡの外周に沿ってコモンバスラインＣＢＬが設けられている。このコモンバスラインＣＢＬは、走査信号線ＧＬと同時に形成されており、コモンバスラインＣＢＬと映像信号線ＤＬの間には第１の絶縁層ＰＡＳ１が介在している。
【００４５】
また、表示領域ＤＡから見て、コモンバスラインＣＢＬの外側で、かつ映像信号線ＤＬを集線している領域には、図１０乃至図１２に示すように、保護ダイオードが形成されている領域ＰＤｓがある。この保護ダイオードが形成された領域ＰＤｓには、図１１および図１２に示すように、第１の絶縁層ＰＡＳ１及び第２の絶縁層ＰＡＳ２を開口した凹溝ＧＶと、この凹溝ＧＶを覆う透明電極ＴＥにより構成された第３の配向膜外縁規制部Ｚ３が設けられている。
【００４６】
また、液晶表示パネルのドレイン辺ｃには、たとえば、図１０に示したように、コモンバスラインＣＢＬにコモン電圧を加えるためのコモン入力パターンＣＩＰＢが設けられている。このコモン入力パターンＣＩＰは走査信号線ＧＬと同時に形成されている。コモン入力パターンＣＩＰが設けられた領域には、たとえば、図１３および図１４に示すように、第２の絶縁層ＰＡＳ２および第１の絶縁層ＰＡＳ１を開口してコモン入力パターンＣＩＰに達する凹溝ＧＶとこの凹溝ＧＶを覆う透明電極ＴＥとにより構成された溝部が設けられている。
【００４７】
図１５は、配向膜材料インクの濡れ広がりの抑制する第３の配向膜外縁規制部Ｚ３の機能を説明するための模式断面図である。なお、コモン入力パターンＣＩＰによる配向膜材料インクの濡れ広がりの抑制機能も同様である。図１５は、図１２と同じ断面でみた図である。
【００４８】
ＴＦＴ基板ＳＵＢ１に配向膜を形成する際に、たとえば、インクジェット印刷法を用いて表示領域ＤＡおよびその周辺のわずかな領域のみに液状の配向樹脂材料インクＯＲＩを塗布する。塗布された配向樹脂材料インクＯＲＩは表示領域ＤＡからシール領域ＳＬがある外側に向かう方向に概ね等方的に濡れ広がり、表示領域ＤＡからドレイン辺ｃに向かう方向にも濡れ広がる。
【００４９】
しかし、本実施例のＴＦＴ基板ＳＵＢ１に設けた第３の配向膜外縁規制部Ｚ３およびコモン入力パターンＣＩＰに設けた凹溝ＧＶとこの凹溝ＧＶを覆う透明電極ＴＥにより構成された溝部は、配向樹脂材料インクＯＲＩは表示領域ＤＡからドレイン辺ｃに向かう方向に濡れ広がるときにも、シール領域ＳＬに達する前に、図１５に示すように、凹溝に流れ込むことができずに凹溝を避けて流れるため、抑制される。またこのとき、液状の配向樹脂材料インクＯＲＩは透明電極ＴＥに対する濡れ性が低いので、濡れ広がりはさらに抑制され、阻止される。
【００５０】
図１６は、ＴＦＴ基板のドレイン辺に設ける溝部の変形例を説明するための模式平面図である。図１７は、図１６のＦ−Ｆ’線における模式断面図である。
【００５１】
図１３および図１４に示した構成では、コモン入力パターンＣＩＰが、いわゆるベタパターンであり、溝部の周囲において第２の絶縁層ＰＡＳ２の表面が平坦である。そのため、このような溝部だけでは液状の配向樹脂材料インクＯＲＩの濡れ広がりを止められない可能性がある。
【００５２】
そのため、図１６および図１７に示すように、コモン入力パターンＣＩＰにスリットＳＴを入れることが望ましい。このように、スリットＳＴを入れることで、図１７に示すように、コモン入力パターンＣＩＰが介在している箇所と介在していない箇所で段差が生じ、配向樹脂材料インクＯＲＩの濡れ広がりを抑制することができる。
【００５３】
図１８は、本発明による実施例２の液晶表示パネルに設ける第３の配向膜外縁規制部Ｚ３の変形例を説明する図１１と同様の図１０のＡＲ３で示すＴＦＴ基板のドレイン辺の要部平面図である。また、図１９は、図１８における第３の配向膜外縁規制部Ｚ３の部分の一部拡大図である。
【００５４】
この構成では、複数の映像信号線ＤＬの前記表示領域と前記シール剤の配置領域の間に、複数の映像信号線のそれぞれの間をダイオード回路により互いに接続した保護ダイオード形成領域ＰＤsが形成されている。そして、複数の映像信号線ＤＬの前記シール領域側と前記保護ダイオード形成領域との間に、複数の凹溝ＧＶと透明電極ＴＥを凹溝ＧＶの内側面および底面に延在させた第３の配向膜外縁規制部Ｚ３を設けた。
【００５５】
この構成では、第３の配向膜外縁規制部Ｚ３を構成する複数の凹溝ＧＶを表示領域ＤＡの外周に並行な方向に長い部分配置し、かつ互いに歯合する如く千鳥状に配置した。そして、この第３の配向膜外縁規制部Ｚ３を横切る映像信号線ＤＬを前記千鳥状に配置された複数の凹溝ＧＶの間を縫ってジグザグに配線させる。透明電極ＴＥと導電層はＩＴＯなどの同一導電材料で形成する。透明電極ＴＥは複数の凹溝ＧＶ同士をつないでコモン入力パターンＣＩＰに接続されている。このように、凹溝ＧＶを多段に設けることにより、配向樹脂材料インクＯＲＩの濡れ広がりを確実に抑制することができる。
【００５６】
図２０は、本発明による実施例２の液晶表示パネルに設ける第３の配向膜外縁規制部Ｚ３の他の変形例を説明する図１８と同様の図１０のＡＲ３で示すＴＦＴ基板のドレイン辺の要部平面図である。また、図２１は、図２０における第３の配向膜外縁規制部Ｚ３の部分の一部拡大図である。
【００５７】
この変形例の構成も、複数の映像信号線ＤＬの前記表示領域と前記シール剤の配置領域の間に、複数の映像信号線のそれぞれの間をダイオード回路により互いに接続した保護ダイオード形成領域ＰＤsが形成されている。そして、複数の映像信号線ＤＬの前記シール領域側と前記保護ダイオード形成領域との間に、複数の凹溝ＧＶと透明電極ＴＥを凹溝ＧＶの内側面および底面に延在させた第３の配向膜外縁規制部Ｚ３を設けた。
【００５８】
この構成では、第３の配向膜外縁規制部Ｚ３を構成する複数の凹溝ＧＶを表示領域ＤＡの外周に並行な方向に長い部分配置し、かつ互いに歯合する如く配置すると共に、保護ダイオード形成領域ＰＤsで短く、シール領域側では長く形成した。そして、この第３の配向膜外縁規制部Ｚ３を横切る映像信号線ＤＬを複数の凹溝ＧＶの間を縫ってジグザグに配線させる。透明電極ＴＥと導電層はＩＴＯなどの同一導電材料で形成する。透明電極ＴＥは複数の凹溝ＧＶ同士をつないでコモン入力パターンＣＩＰに接続されている。
【００５９】
図２０と図２１に示した第３の配向膜外縁規制部Ｚ３の構成によれば、少ない段数の凹溝ＧＶであってもシール領域側では長く形成した凹溝ＧＶが確実に配向樹脂材料インクＯＲＩの濡れ広がりを抑制することができる。
【００６０】
図２２は、図１に示した領域ＡＲ５におけるＴＦＴ基板の概略構成を拡大して示した模式平面図である。図２３は、図２２のＧ−Ｇ’線およびＨ−Ｈ’線における模式断面図である。
【００６１】
これまで、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１のゲート辺ａおよびドレイン辺ｃの近傍における配向樹脂材料インクＯＲＩの濡れ広がりを制御する方法について説明した。本発明は、これに限らず、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の他の辺にも適用できる。以下、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の反ゲート辺ｂおよび反ドレイン辺ｄの近傍における配向樹脂材料インクＯＲＩの濡れ広がりを制御する方法について説明する。
【００６２】
ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の反ゲート辺ｂおよび反ドレイン辺ｄが接する角部は、例えば、図２２に示すように、表示領域ＤＡの外側に、表示領域ＤＡの外周に沿ってコモンバスラインＣＢＬが配置されている。このコモンバスラインＣＢＬは、走査信号線ＧＬと同時に形成され、図２３に示すように、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１と第１の絶縁層ＰＡＳ１の間に配置される。
【００６３】
また、コモンバスラインＣＢＬのうち、反ゲート辺ｂに沿った部分の上には、反ゲート辺ｂに沿った方向に長く延びる溝部が設けられ、反ドレイン辺ｄに沿った部分の上には、反ドレイン辺ｄに沿った方向に長く延びる溝部が設けられており、これら２つの溝部は、コモンバスラインＣＢＬの角部において連続している。
【００６４】
また、反ゲート辺ｂおよび反ドレイン辺ｄに沿って設けられる溝部は、たとえば、図２３に示すように、コモンバスラインＣＢＬの上に積層された第１の絶縁層ＰＡＳ１および第２の絶縁層ＰＡＳ２を開口して形成した凹溝ＧＶと、凹溝ＧＶを覆う透明電極ＴＥにより構成される。このとき、凹溝ＧＶの反ゲート辺ｂに沿った方向の長さは、複数本の走査信号線のうちの最外側に配置される２本の走査信号線の間隔よりも長くすることが望ましい。同様に、凹溝ＧＶの反ドレイン辺ｂに沿った方向の長さは、複数本の映像信号線のうちの最外側に配置される２本の映像信号線の間隔よりも長くすることが望ましい。またこのとき、透明電極ＴＥは、たとえば、図２２に示すように、平面でみてコモンバスラインＣＢＬ全体を覆うように形成する。
【００６５】
このようにすれば、塗布した液状の配向樹脂材料インクＯＲＩが表示領域ＤＡから反ゲート辺ｂや反ドレイン辺ｄに向かう方向に濡れ広がるときにも、シール領域ＳＬに達する前に、第２の絶縁層ＰＡＳ２および第１の絶縁層ＰＡＳ１を開口した凹溝ＧＶおよび導電層ＴＥで構成される溝部を通る。そのため、濡れ広がって溝部に達した液状の配向樹脂材料インクＯＲＩは、凹溝ＧＶに配向樹脂材料インクＯＲＩが流れ込むことができず、凹溝ＧＶに沿って流れる。またこのとき、液状の配向樹脂材料インクＯＲＩは導電層ＴＥに対する濡れ性が低いので、溝部の表面にＩＴＯで形成した透明電極ＴＥを設けておくことで、溝部において配向樹脂材料インクＯＲＩの濡れ広がりを抑制することができる。
【００６６】
また、図２２に示した構成例では、１つの溝部を設けているが、これに限らず、表示領域ＤＡからシール領域ＳＬに向かって２重、３重の溝部を設けてもよいことは言うまでもない。
【００６７】
図２４は、ＴＦＴ基板の反ゲート辺および反ドレイン辺に設ける溝部の他の変形例を説明するための模式断面図である。図２５は、ＴＦＴ基板の反ゲート辺および反ドレイン辺に設ける溝部のさらに他の変形例を説明するための模式断面図である。図２６は、ＴＦＴ基板の反ゲート辺および反ドレイン辺に設ける溝部のさらにまた他の変形例を説明するための模式断面図である。
【００６８】
図２２および図２３では、平面でみてコモンバスラインＣＢＬ全体を覆うように透明電極ＴＥを形成した場合を例に挙げているが、これに限らず、例えば、図２４に示すように、第１の絶縁層ＰＡＳ１および第２の絶縁層ＰＡＳ２を開口して形成した凹溝ＧＶの周辺のみに透明電極ＴＥを設けてもよい。
【００６９】
また、図２２および図２３では、走査信号線ＧＬと同時にコモンバスラインＣＢＬを形成した場合を例に挙げているが、これに限らず、たとえば、映像信号線ＤＬと同時にコモンバスラインＣＢＬを形成してもよい。この場合、溝部は、たとえば、図２５に示すように、第２の絶縁層ＰＡＳ２を開口して形成した凹溝ＧＶとその表面の透明電極ＴＥにより構成される。またこのとき、たとえば、図２６に示すように、凹溝ＧＶの周辺のみに透明電極ＴＥを設けてもよい。
【００７０】
以上説明したように、本実施例によれば、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１において、シール領域ＳＬよりも内側で、かつ、表示領域ＤＡの外側の概略環状の領域に、絶縁層を開口して設けた凹溝ＧＶとこの凹溝ＧＶの内側の側面および底面を含んでに延在する透明電極ＴＥで構成される溝部を設けることで、液晶表示パネルの配向膜を形成する際の、配向樹脂材料インクＯＲＩの表示領域の外側での濡れ広がりを抑制し、かつ、不要な濡れ広がりが抑制されることで、表示領域内における膜厚の均一性を維持することができる。
【００７１】
図２７乃至図２９は、本実施例の液晶表示パネルの表示領域に形成される１画素の一構成例を示す模式図である。図２７は、ＴＦＴ基板の表示領域を観察者側から見たときの１画素の一構成例を示す模式平面図である。図２８は、図２７のＪ−Ｊ’線における模式断面図である。図２９は、図２７のＫ−Ｋ’線における模式断面図である。
【００７２】
本実施例の液晶表示パネルがＩＳＰ方式と呼ばれる横電界駆動方式の場合、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴが設けられている。また、ＩＰＳ方式には、たとえば、平面でみた形状が櫛歯状の画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴを同じ層、すなわち同じ絶縁層の上に配置したものと、絶縁層を介して基板面に平行に配置したものがある。このうち、絶縁層を介して画素電極と対向電極を並行に配置したＩＰＳ方式の場合、ＴＦＴ基板の１画素の構成は、例えば、図２７乃至図２９に示すような構成になっている。
【００７３】
図２７乃至図２９において、まず、ガラスを好適とするＴＦＴ基板ＳＵＢ１の表面には、ｘ方向に延在する複数本の走査信号線ＧＬ、各走査信号線ＧＬと並行して配置された共通信号線ＣＬ、共通信号線ＣＬと接続した対向電極ＣＴが設けられている。このとき、各共通信号線ＣＬは、たとえば、図５に示したように、表示領域ＤＡの外側において、コモンバスラインＣＢＬに接続されている。またこのとき、各走査信号線ＧＬからみて、共通信号線ＣＬが配置された方向と反対側には、対向電極ＣＴに接続された共通接続パッドＣＰが設けられている。
【００７４】
そして、走査信号線ＧＬ、対向電極ＣＴなどの上には、第１の絶縁層ＰＡＳ１を介して半導体層ＳＣ、映像信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ２が設けられている。半導体層ＳＣは、たとえば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）で形成されており、ＴＦＴ素子のチャネル層として機能するものの他に、たとえば、走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬが立体的に交差する箇所における走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬの短絡を防ぐためのものなどが形成されている。またこのとき、ＴＦＴのチャネル層として機能する半導体層ＳＣは、走査信号線ＧＬの上に第１の絶縁層ＰＡＳ１を介して設けられており、走査信号線ＧＬと半導体層ＳＣの間に介在する第１の絶縁膜ＰＡＳ１が、ＴＦＴのゲート絶縁膜として機能する。
【００７５】
また、映像信号線ＤＬは、ｙ方向に延在する信号線であり、その一部が分岐してＴＦＴのチャネル層として機能する半導体層ＳＣ上に設けられている。この映像信号線ＤＬから分岐した部分がドレイン電極ＳＤ１である。
【００７６】
そして、半導体層ＳＣ、映像信号線ＤＬなどの上には、第２の絶縁層ＰＡＳ２を介して画素電極ＰＸおよびブリッジ配線ＢＲが設けられている。画素電極ＰＸは、スルーホールＴＨ３によりソース電極ＳＤ２と電気的に接続されている。また、画素電極ＰＸは、平面でみて対向電極ＣＴと重なる領域に複数本のスリット（開口部）ＰＳＬが設けられている。
【００７７】
また、ブリッジ配線ＢＲは、１本の走査信号線ＧＬを挟んで配置される２つの対向電極ＣＴを電気的に接続する配線であり、スルーホールＴＨ４，ＴＨ５により、走査信号線ＧＬを挟んで配置される共通信号線ＣＬおよび共通接続パッドＣＰと電気的に接続されている。
【００７８】
なお、本発明にかかる液晶表示パネルにおけるＴＦＴ基板ＳＵＢ１は、１画素の構成がある特定の構成のものに限定されるわけではなく、従来から一般に知られている種々の構成のＴＦＴ基板に適用することができることは言うまでもない。
【００７９】
以上、本発明を、最良の実施例に基づいて具体的に説明したが、本発明は、前記した実施例のいずれにも限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
【００８０】
例えば、前記実施例では、液晶表示パネルのＴＦＴ基板ＳＵＢ１に、配向膜材料インクの濡れ広がりを抑制する溝部を設ける例を説明した。しかしながら、本発明は、ＴＦＴ基板に限らず、対向基板の配向膜の形成にも適用できる。
【００８１】
液晶表示パネルが、ＴＮ方式やＶＡ方式の縦電界駆動方式の場合、対向電極ＣＴは対向基板に設けられる。このとき、対向基板は、たとえば、ガラス基板の表面にブラックマトリクス（遮光パターン）やカラーフィルタが設けられ、それらの上にオーバーコート層を介して対向電極が設けられている。そのため、たとえば、オーバーコート層を形成するときに、シール材が配置される領域よりも内側で、かつ、表示領域の外側領域にオーバーコート層を開口した凹溝を形成し、その凹溝の表面に対向電極を延在させて溝部を形成すれば、該溝部で配向膜の濡れ広がりを止めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明による実施例１の液晶表示パネルの概略構成を示す模式平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図３】図１のゲート辺における領域ＡＲ１の概略構造例を示す断面図である。
【図４】図１のゲート辺における領域ＡＲ１の概略構造例を示す図３を上側から見た平面図である。
【図５】第１の配向膜外縁規制部の近傍を拡大して示した模式平面図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【図７】配向膜材料インクを塗布したときの当該材料インクの広がりを説明する図である。
【図８】図７のＣ−Ｃ’線でみた模式断面図である。
【図９】第２の配向膜外縁規制部の説明図である。
【図１０】本発明による実施例２の液晶表示パネルの概略構成を模式的に示す図１のＡＲ２で示すＴＦＴ基板のドレイン辺の要部平面図である。
【図１１】図１０に示した領域ＡＲ３の概略構成を拡大して示した模式平面図である。
【図１２】図１１のＤ−Ｄ’線における模式断面図である。
【図１３】図１０に示した領域ＡＲ４の概略構成を拡大して示した模式平面図である。
【図１４】図１３のＥ−Ｅ’線における模式断面図である。
【図１５】配向膜材料インクの濡れ広がりの抑制する第３の配向膜外縁規制部Ｚ３の機能を説明するための模式断面図である。
【図１６】ＴＦＴ基板のドレイン辺に設ける溝部の変形例を説明するための模式平面図である。
【図１７】図１６のＦ−Ｆ’線における模式断面図である。
【図１８】本発明による実施例２の液晶表示パネルに設ける第３の配向膜外縁規制部Ｚ３の変形例を説明する図１１と同様の図１０のＡＲ３で示すＴＦＴ基板のドレイン辺の要部平面図である。
【図１９】図１８における第３の配向膜外縁規制部Ｚ３の部分の一部拡大図である。
【図２０】本発明による実施例２の液晶表示パネルに設ける第３の配向膜外縁規制部Ｚ３の他の変形例を説明する図１８と同様の図１０のＡＲ３で示すＴＦＴ基板のドレイン辺の要部平面図である。
【図２１】図２０における第３の配向膜外縁規制部Ｚ３の部分の一部拡大図である。
【図２２】図１に示した領域ＡＲ５におけるＴＦＴ基板の概略構成を拡大して示した模式平面図である。
【図２３】図２２のＧ−Ｇ’線およびＨ−Ｈ’線における模式断面図である。
【図２４】ＴＦＴ基板の反ゲート辺および反ドレイン辺に設ける溝部の他の変形例を説明するための模式断面図である。
【図２５】ＴＦＴ基板の反ゲート辺および反ドレイン辺に設ける溝部のさらに他の変形例を説明するための模式断面図である。
【図２６】ＴＦＴ基板の反ゲート辺および反ドレイン辺に設ける溝部のさらにまた他の変形例を説明するための模式断面図である。
【図２７】ＴＦＴ基板の表示領域を観察者側から見たときの１画素の一構成例を示す模式平面図である。
【図２８】図２７のＪ−Ｊ’線における模式断面図である。
【図２９】図２７のＫ−Ｋ’線における模式断面図である。
【符号の説明】
【００８３】
ＳＵＢ１・・・薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）
ＳＵＢ２・・・対向基板
ＳＬ・・・シール剤塗布領域（シール領域）
ＬＣ・・・液晶層
ＣＢＬ・・・コモンバスライン
ＴＥ・・・透明電極（ＩＴＯ膜）
ＧＶ・・・凹溝
ＯＲＩ・・・液状の配向膜材料（配向膜材料インク）
ＣＩＰ・・・コモン入力パターン
ＧＬ・・・走査信号線
ＤＬ・・・映像信号線
ＳＤ１・・・ドレイン電極
ＳＤ２・・・ソース電極
ＳＣ・・・チャネル層（半導体層）
ＰＸ・・・画素電極
ＣＴ・・・対向電極
ＰＡＳ１・・・第１の絶縁層
ＰＡＳ２・・・第２の絶縁層
ＣＬ・・・共通信号線
ＣＰ・・・共通接続パッド
ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３，ＴＨ４，ＴＨ５・・・スルーホール。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された第１基板および第２基板と、該第１基板および第２基板の対向間隙の周縁に沿って環状に配置されたシール剤塗布領域と、前記第１基板および第２基板と前記シール剤塗布領域で囲まれた空間に封入された液晶層とを有し、前記シール剤塗布領域の内側に表示領域が形成された液晶表示パネルで構成される液晶表示装置であって、
前記第１基板および第２基板の対向する各主面の前記液晶層との界面に配向膜をそれぞれ有し、
前記第１基板の主面の上に第１絶縁層を介して設けられた導電層と、
前記導電層の上に設けられた第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上に設けられた透明電極と、
前記第２絶縁層の前記表示領域の外周、かつ前記シール剤塗布領域の内側における前記表示領域に近い第１部分に設けられた１または複数の凹溝と、前記透明電極を前記凹溝の内側面および底面に延在させた第１の配向膜外縁規制部と、
前記第２絶縁層の前記表示領域の外周、かつ前記第１の配向膜外縁規制部より前記シール剤塗布領域に寄った第２部分に、前記透明電極を前記表示領域の外周に沿った方向に長く除去して形成された１または複数のスリットからなる第２の配向膜外縁規制部と、
を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の配向膜外縁規制部の前記凹溝は、前記表示領域の外周に沿った方向に長い部分を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１の配向膜外縁規制部の前記凹溝は、前記表示領域の外周に直交する方向に長い部分を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記第１基板は、複数本の走査信号線と、前記複数本の走査信号線とは絶縁されて交差する複数本の映像信号線と、２本の隣接する走査信号線と２本の隣接する映像信号線で囲まれた領域に対して配置される薄膜トランジスタおよび画素電極とを有し、
前記複数の走査配線は、前記第１基板の前記第１絶縁層の下層に配置されており、
前記第１の配向膜外縁規制部の前記凹溝は複数の前記走査配線の配置部分の間に形成されており、
前記透明電極は、前記凹溝の前記底面に露呈された前記導電層に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１において、
第２の配向膜外縁規制部の前記スリットは、前記表示領域の外周に沿った方向に長い部分を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１において、
前記導電層と前記透明電極は同一導電材料で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記導電層と前記透明電極はＩＴＯであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１において、
前記第１基板は、複数本の走査信号線と、前記複数本の走査信号線と立体的に交差する複数本の映像信号線と、２本の隣接する走査信号線と２本の隣接する映像信号線で囲まれた領域に対して配置される薄膜トランジスタおよび画素電極とを有し、
前記複数の映像信号線の前記表示領域と前記シール剤塗布領域の間に、前記複数の映像信号線のそれぞれの間をダイオード回路により互いに接続した保護ダイオード形成領域と、前記複数の映像信号線の前記シール剤塗布領域側と前記保護ダイオード形成領域との間に、複数の凹溝と、前記透明電極を前記凹溝の内側面および底面に延在させた第３の配向膜外縁規制部を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記第３の配向膜外縁規制部を構成する前記凹溝は、前記表示領域の外周に並行な方向に長い部分を有すると共に、互いに歯合する如く千鳥状に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記映像信号線は、前記千鳥状に配置された前記複数の凹溝の間を縫ってジグザグに配線されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項８において、
前記導電層と前記透明電極は同一導電材料で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記導電層と前記透明電極はＩＴＯであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１】
対向配置された第１基板および第２基板と、該第１基板および第２基板の対向間隙の周縁に沿って環状に配置されたシール剤塗布領域と、前記第１基板および第２基板と前記シール剤塗布領域で囲まれた空間に封入された液晶層とを有し、前記シール剤塗布領域の内側に表示領域が形成された液晶表示パネルで構成される液晶表示装置であって、
前記第１基板および第２基板の対向する各主面の前記液晶層との界面に配向膜をそれぞれ有し、
前記第１基板の主面の上に第１絶縁層を介して設けられた導電層と、
前記導電層の上に設けられた第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上に設けられた透明電極と、
前記第２絶縁層の前記表示領域の外周、かつ前記シール剤塗布領域の内側における前記表示領域に近い第１部分に設けられた１または複数の凹溝と、前記透明電極を前記凹溝の内側面および底面に延在させた第１の配向膜外縁規制部と、
前記第２絶縁層の前記表示領域の外周、かつ前記第１の配向膜外縁規制部より前記シール剤塗布領域に寄った第２部分に、前記透明電極を前記表示領域の外周に沿った方向に長く除去して形成された１または複数のスリットからなる第２の配向膜外縁規制部と、
を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の配向膜外縁規制部の前記凹溝は、前記表示領域の外周に沿った方向に長い部分を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１の配向膜外縁規制部の前記凹溝は、前記表示領域の外周に直交する方向に長い部分を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記第１基板は、複数本の走査信号線と、前記複数本の走査信号線とは絶縁されて交差する複数本の映像信号線と、２本の隣接する走査信号線と２本の隣接する映像信号線で囲まれた領域に対して配置される薄膜トランジスタおよび画素電極とを有し、
前記複数の走査配線は、前記第１基板の前記第１絶縁層の下層に配置されており、
前記第１の配向膜外縁規制部の前記凹溝は複数の前記走査配線の配置部分の間に形成されており、
前記透明電極は、前記凹溝の前記底面に露呈された前記導電層に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１において、
第２の配向膜外縁規制部の前記スリットは、前記表示領域の外周に沿った方向に長い部分を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１において、
前記導電層と前記透明電極は同一導電材料で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記導電層と前記透明電極はＩＴＯであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１において、
前記第１基板は、複数本の走査信号線と、前記複数本の走査信号線と立体的に交差する複数本の映像信号線と、２本の隣接する走査信号線と２本の隣接する映像信号線で囲まれた領域に対して配置される薄膜トランジスタおよび画素電極とを有し、
前記複数の映像信号線の前記表示領域と前記シール剤塗布領域の間に、前記複数の映像信号線のそれぞれの間をダイオード回路により互いに接続した保護ダイオード形成領域と、前記複数の映像信号線の前記シール剤塗布領域側と前記保護ダイオード形成領域との間に、複数の凹溝と、前記透明電極を前記凹溝の内側面および底面に延在させた第３の配向膜外縁規制部を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記第３の配向膜外縁規制部を構成する前記凹溝は、前記表示領域の外周に並行な方向に長い部分を有すると共に、互いに歯合する如く千鳥状に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記映像信号線は、前記千鳥状に配置された前記複数の凹溝の間を縫ってジグザグに配線されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項８において、
前記導電層と前記透明電極は同一導電材料で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記導電層と前記透明電極はＩＴＯであることを特徴とする液晶表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図６】
【図８】
【図９】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２８】
【図２９】
【図５】
【図７】
【図１０】
【図１１】
【図１６】
【図２２】
【図２７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図６】
【図８】
【図９】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２８】
【図２９】
【図５】
【図７】
【図１０】
【図１１】
【図１６】
【図２２】
【図２７】
【公開番号】特開２００８−２６３４５（Ｐ２００８−２６３４５Ａ）
【公開日】平成２０年２月７日（２００８．２．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１９５１０４（Ｐ２００６−１９５１０４）
【出願日】平成１８年７月１８日（２００６．７．１８）
【出願人】（５０６０８７８１９）株式会社ＩＰＳアルファテクノロジ (443)
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年２月７日（２００８．２．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年７月１８日（２００６．７．１８）
【出願人】（５０６０８７８１９）株式会社ＩＰＳアルファテクノロジ (443)
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【Ｆターム（参考）】
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