非接触シングルサイドプローブ構造

【課題】非接触シングルサイドプローブ構造を提供する。
【解決手段】非接触シングルサイドプローブの構造を、複数の絶縁膜と導電膜が繰り返し積層された切断面の内側の導電膜断面をプローブ電極とし、プローブ電極の外側領域に積層された導電膜断面をガード部として形成することによって、パターン電極のピッチに対応する導電膜厚にプローブ電極を形成し、微細なパターン電極に対応して断線及び短絡を検査できる他、電極とコンタクトホール間の距離が一定距離以上に維持されノイズに強くなるようにする。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非接触シングルサイドプローブ構造に係り、より詳細には、非接触シングルサイドプローブの構造を、複数の絶縁膜と導電膜が繰り返し積層された切断面の内側の導電膜断面がプローブ電極となり、プローブ電極の外側領域に積層された導電膜断面がガード部となるように形成することによって、パターン電極のピッチに対応する導電膜厚にプローブ電極を形成し、微細なパターン電極に対応して断線及び短絡を検査できるようにした非接触シングルサイドプローブ構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、データ転送線のような多線ケーブルの断線及び短絡を検査するためには、他の回路と分離した後にケーブル両端間の抵抗を測定する方法が用いられるが、この場合、必ず２人以上の作業員が必要とされる他、ケーブルの電線数が多いと電線番号を忘れやすいため反復チェックしなければならないことが頻繁に生じ、信頼度が落ちる他、作業時間が長くかかるなどの諸問題があった。
【０００３】
また、ＬＣＤやＰＤＰなどのような平板表示素子の透明電極の断線及び短絡を検出するためには、図１に示すように、それぞれのパターン電極１５の一端から電流を印加した後、該当のパターン電極１５の他端で電圧を測定してパターン電極１５の断線及び短絡を検査する、または、顕微鏡などで導線を追跡してきた。
【０００４】
したがって、一つのパターン電極の断線及び短絡を測定して異常の有無をチェックするためには、少なくとも２個以上のプローブが用いられ、多数のプローブが必要となるためコスト高を招くほか、パターン電極の長さが長くなると２人以上の測定者が異なる位置で測定しなければならず、時間及び労力が多くかかるという問題点があった。
【０００５】
また、接触式プローブは、パターン電極に加圧接触して接触不良を招く他、測定対象のパターン電極にスクラッチ（ｓｃｒａｔｃｈ）が発生して、さらなる不良を招くという問題点があった。
【０００６】
そこで、このような問題点を解決するための方法として、非接触探針電極の給電電極とセンサー電極が一つのモジュールで構成された非接触シングルサイドプローブを用いてパターン電極の一端においてパターン電極に接触しない状態でパターン電極の断線及び短絡を検査する検査装置が適用されている。
【０００７】
このような非接触シングルサイドプローブの探針子は、図２に示すように、内側に給電電極４１またはセンサー電極４２として用いるためのプローブ電極が位置し、その外周にガード部５０が配置されて接地されることによって、外部のノイズによる影響を受けないようにすること以外に、プローブ電極から給電される信号が外部に漏れることを防止している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、パターン電極の微細化及び多ピン化に伴ってパターン電極の断線及び短絡を検査するプローブも微細化しなければならないが、構造的にプローブ電極とこれを取り囲むガード部５０を外周に形成しなければならず、微細パターンに対応できないという問題点があった。
【０００９】
本発明は上記の問題点を解決するためのもので、その目的は、接触式シングルサイドプローブの構造を、複数の絶縁膜と導電膜が繰り返し積層された切断面の内側の導電膜断面がプローブ電極として形成され、プローブ電極の外側領域に積層された導電膜断面がガード部としてし形成されるようにすることによって、パターン電極のピッチに対応する導電膜厚にプローブ電極を形成し、微細なパターン電極に対応して断線及び短絡を検査できるようにした非接触シングルサイドプローブ構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するための本発明に係る非接触シングルサイドプローブ構造は、複数の絶縁膜と導電膜が繰り返し積層された切断面の内側の導電膜断面がプローブ電極として形成され、プローブ電極の外側領域に積層された導電膜断面がガード部として形成され、プローブ電極と前記ガード部間のそれぞれをインターフェースさせるためのコンタクトホールが含まれてなることを特徴とする。
【００１１】
本発明において、絶縁膜と導電膜は、ＰＣＢやＦＰＣＢであることを特徴とする。
【００１２】
本発明において、絶縁膜と導電膜は、蒸着して形成された薄膜であることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明に係る非接触シングルサイドプローブ構造は、絶縁膜上部の全面にガード部を形成するための導電膜が形成された第１レイヤーと、絶縁膜の上部にプローブ電極とガード部がパターニングされた導電膜が形成された第２レイヤーが、前記第１レイヤー、前記第２レイヤー、前記第１レイヤーの順に積層された切断面で探針子が形成され、ガード部とインターフェースさせるためのガードコンタクトホールと、前記プローブ電極とインターフェースさせるための電極コンタクトホールが含まれていることを特徴とする。
【００１４】
本発明において、第２レイヤーには、前記プローブ電極が複数個パターニングされていることを特徴とする。
【００１５】
本発明において、第２レイヤーを複数個積層して前記プローブ電極を厚く形成することを特徴とする。
【００１６】
本発明において、絶縁膜と導電膜は、ＰＣＢやＦＰＣＢであることを特徴とする。
【００１７】
本発明において、絶縁膜と導電膜は、蒸着して形成された薄膜であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は、非接触シングルサイドプローブの構造を、複数の絶縁膜と導電膜が繰り返し積層された切断面の内側の導電膜断面がプローブ電極となり、プローブ電極の外側領域に積層された導電膜断面がガード部となるようにすることによって、パターン電極のピッチに対応する導電膜厚にプローブ電極を形成し、微細なパターン電極に対応して断線及び短絡を検査できる利点がある。
【００１９】
また、本発明は、探針子として用いられる切断面とインターフェースのためのコンタクトホール間を一定距離以上に維持でき、ノイズに強いという利点がある。
【００２０】
また、本発明は、絶縁膜と導電膜を半導体工程上の薄膜蒸着工程によって形成しても良いため、微細なパターン電極に対応できるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の好適な実施例を添付の図面に基づいて説明する。図面中、同一の構成要素には同一の符号及び名称を共通使用する。なお、下記の実施例は、本発明の権利範囲を限定するためのものではなく、本発明を例示するためのもので、したがって、当該技術分野で通常の知識を持つ者にとっては本発明の技術的思想内で様々な変形が可能であることは明らかである。
【００２２】
図３は、本発明による非接触シングルサイドプローブ構造を示す図である。
【００２３】
同図に示すように、複数の絶縁膜６１と導電膜６２が繰り返し積層された切断面の内側の導電膜６２断面が、プローブ電極である給電電極４１とセンサー電極４２として形成され、プローブ電極４１，４２の外側領域に積層された導電膜６２断面がガード部５０として形成され、全体的な形状が、図２に示す非接触シングルサイドプローブ構造と略同様に、絶縁膜６１と導電膜６２の厚さに該当するピッチの外側領域にガード部５０が形成され、その中心にプローブ電極として給電電極４１とセンサー電極４２が形成される。
【００２４】
そして、プローブ電極４１，４２を用いて給電またはセンシングし、ガード部５０を接地させるために、ケーブル１００を電極コンタクトホール９１とガードコンタクトホール９２を通して連結して検査装置とインターフェースさせる。
【００２５】
この場合、絶縁膜６１と導電膜６２は、ＰＣＢ（ＰｒｉｎｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔＢｏａｒｄ；印刷回路基板）やＦＰＣＢ（ＦｌｅｘｉｂｌｅＰｒｉｎｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔＢｏａｒｄ；軟性印刷回路基板）を積層して構成しても良く、より微細なラインのプローブ電極を形成するためには絶縁膜６１と導電膜６２を半導体製造工程によって薄膜蒸着で形成しても良い。
【００２６】
図４は、本発明による非接触シングルサイドプローブを構成する各レイヤーを示す図である。
【００２７】
まず、図４の（Ａ）に示す第１レイヤー７０は、探針子のガード部５０を形成する下部と上部を構成する層で、絶縁膜６１上部全面にガード部５０を形成するための導電膜６２が形成され、ガード部５０とインターフェースさせるためのガードコンタクトホール９２と、給電電極４１やセンサー電極４２とインターフェースさせるための電極コンタクトホール９１が形成される。
【００２８】
そして、図４の（Ｂ）に示す第２レイヤー８０は、絶縁膜６１上部にプローブ電極をなす給電電極４１とセンサー電極４２及びガード部５０のパターニングされた導電膜６２が形成され、ガード部５０とインターフェースさせるためのガードコンタクトホール９２と、給電電極４１やセンサー電極４２とインターフェースさせるための電極コンタクトホール９１が形成される。
【００２９】
このように構成された第１レイヤー７０と第２レイヤー８０を、図３に示すように、第１レイヤー７０、第２レイヤー８０、第２レイヤー８０、第１レイヤー７０の順に積層した切断面で探針子を形成するようになる。
【００３０】
このとき、プローブ電極である給電電極４１及びセンサー電極４２を厚く形成したい場合には、第２レイヤー８０を繰り返し積層して厚くすれば良い。
【００３１】
一方、図５に示すように、給電電極４１とセンサー電極４２を二重に形成し、それぞれの給電電極４１とセンサー電極４２を連結する電極コンタクトホール９１及びガードコンタクトホール９２をそれぞれ形成して一つのモジュールとして形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】一般のパターン電極の断線及び短絡検査方式を説明するための図である。
【図２】一般の非接触シングルサイドプローブの探針子を示す平面図である。
【図３】本発明の一実施例による非接触シングルサイドプローブの探針子を示す斜視図である。
【図４Ａ】本発明による非接触シングルサイドプローブの探針子を構成する各レイヤーを示す図である。
【図４Ｂ】本発明による非接触シングルサイドプローブの探針子を構成する各レイヤーを示す図である。
【図５】本発明の他の実施例による非接触シングルサイドプローブの探針子を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００３３】
４１給電電極
４２センサー電極
５０ガード部
６１絶縁膜
６２導電膜
７０第１レイヤー
８０第２レイヤー
９１電極コンタクトホール
９２ガードコンタクトホール
１００ケーブル

【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁膜と導電膜が繰り返し積層された切断面の内側の前記導電膜断面がプローブ電極として形成され、前記プローブ電極の外側領域に積層された前記導電膜断面がガード部として形成され、前記プローブ電極と前記ガード部間のそれぞれをインターフェースさせるためのコンタクトホールが含まれて形成されることを特徴とする、非接触シングルサイドプローブ構造。
【請求項２】
前記絶縁膜と前記導電膜は、ＰＣＢやＦＰＣＢであることを特徴とする、請求項１に記載の非接触シングルサイドプローブ構造。
【請求項３】
前記絶縁膜と前記導電膜は、蒸着して形成された薄膜であることを特徴とする、請求項１に記載の非接触シングルサイドプローブ構造。
【請求項４】
絶縁膜上部の全面にガード部を形成するための導電膜が形成された第１レイヤーと、絶縁膜の上部にプローブ電極とガード部のパターニングされた導電膜が形成された第２レイヤーが、前記第１レイヤー、前記第２レイヤー、前記第１レイヤーの順に積層された切断面で探針子が形成され、前記ガード部とインターフェースさせるためのガードコンタクトホールと、前記プローブ電極とインターフェースさせるための電極コンタクトホールが含まれていることを特徴とする、非接触シングルサイドプローブ構造。
【請求項５】
前記第２レイヤーには、前記プローブ電極が複数個パターニングされていることを特徴とする、請求項４に記載の非接触シングルサイドプローブ構造。
【請求項６】
前記第２レイヤーを複数個積層して前記プローブ電極を厚く形成することを特徴とする、請求項４に記載の非接触シングルサイドプローブ構造。
【請求項７】
前記絶縁膜と前記導電膜は、ＰＣＢやＦＰＣＢであることを特徴とする、請求項４に記載の非接触シングルサイドプローブ構造。
【請求項８】
前記絶縁膜と前記導電膜は、蒸着して形成された薄膜であることを特徴とする、請求項４に記載の非接触シングルサイドプローブ構造。

【図１】