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Fターム[2F067GG01]の内容

波動性又は粒子性放射線を用いた測長装置 (9,092) | 標準、基準 (146) | 標準となるもの (146)

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パターン化された構造の少なくとも1つのパラメータの測定で使用するための方法およびシステムが提供される。方法は:構造の異なる位置上の測定に対応する複数の測定された信号を含む測定されたデータと、理論的信号と測定された信号との間の関係は、構造の少なくとも1つのパラメータを示す理論的信号を示すデータとを含む入力データを提供する過程と;構造の少なくとも1つの性質を特徴付ける少なくとも1つの選択されたグローバルパラメータに基づきペナルティ関数を提供する過程と;フィッティングプロシージャの前記実行は、理論的信号と測定された信号との間の最適化された関係を決定するために前記ペナルティ関数を使用することと、構造の前記少なくとも1つのパラメータを決定するために最適化された関係を使用することとを含む、理論的信号と測定された信号との間のフィッティングプロシージャを実行する過程と;からなる。
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【課題】量産品で安価なX線管を用いて、高いX線管電圧にて高出力線量の白色X線を発生させると共に、白色X線からローパスフィルタ手段により低エネルギー域の軟X線を高線量で抽出して試料に照射可能なX線測定装置を実現する。
【解決手段】X線源から出射される軟X線を含むX線を試料に照射し、試料の透過線量をX線検出器で検出するX線測定装置において、
前記X線源より円錐状に出射されたX線ビームを、スライスした扇状ビームX線に生成するコリメータと、
前記扇状ビームX線を所定の角度で入射し、反射した前記軟X線を前記試料に照射する反射ミラーと、
を備える。 (もっと読む)


【課題】
測長SEMは高速な寸法計測が可能であるが,原理上,パターン形状に依存したシステマティックな計測バイアスを有す問題がある。測長SEMの計測値を校正するには,例えば,AFMの計測値との比較が必要であるが,従来,測長SEMとAFMとで同一箇所の寸法計測を行うのは容易ではなかった。
【解決手段】
設計レイアウトデータを用い,測長SEMとAFMの撮像レシピを自動作成する。また,両装置間の撮像位置ずれ,撮像倍率ずれを自動補正する。これにより,両装置の寸法計測結果の照合を,より容易かつ高精度に行うことが可能となる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、試料を変えることなく、スケールレベルが異なる歪みを一貫して計測できる歪み計測手段を提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、歪み計測用パターンは、歪み計測方法にて試料の歪みを可視化する為に試料表面に形成され、異なるスケールレベルの歪みに適合した複数のパターンを同一試料面に重ねて形成してあること、また、前記各パターンは、相互にその規則性、形状又は大きさが異ならせてあることを特徴とする手段を用いた。
また、前記歪み計測用パターンにおいて、モアレ法用のグリッドパターンと画像相関法用のドットパターンとが重ねられてなること、ミリスケール用パターンと、ナノスケール用パターンとにより構成されていることを特徴とする手段を採用した。 (もっと読む)


【課題】リターディング電圧印加方式によってナノインプリント用フォトマスク上のパターン寸法を正確に測定することができる微小寸法測定走査電子顕微鏡(CD-SEM)等の荷電粒子線装置を提供することにある。
【解決手段】ナノインプリント用フォトマスクをホールダに装着するためのアタッチメントを用いる。倍率ずれを求め、それを用いて、ナノインプリント用フォトマスク上のパターンの寸法の測定結果を修正する。倍率ずれは、ホールダの寸法校正用試料とナノインプリント用フォトマスクの寸法校正用試料を用いて求める。更に、倍率ずれは、ナノインプリント用フォトマスクの帯電電圧から求めてもよい。 (もっと読む)


【課題】放射線の線量を少なくでき、簡易な方法でかつ従来と同様な精度の腐食調査が可能な腐食画像を得る方法及び装置を得る。
【解決手段】本発明に係る腐食画像取得方法は、放射線を被検査体に照射して前記被検査体を透過した放射線に基づいて前記被検査体の腐食状態を示す腐食画像を取得する腐食画像取得方法であって、前記被検査体を透過した放射線を検出する検出手段としてフォトンカウンティングセンサを用い、フォトンカウンティングセンサで得られた結果に基づいて腐食画像を形成するようにしたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】原子スケールで制御されて作製された3次元構造を持ち、その構造が大気中でも安定であり、かつSEMやSTMでも観察可能な導電性を持つ計測標準試料を提供すると共に、計測標準試料を使用した走査型顕微鏡(AFM、STM、SEM、SLM等)の校正方法を提供する。
【解決手段】主表面{111}面又は{111}面から10度以内のオフ角の単結晶ダイタモンド基板と、該単結晶ダイタモンド基板上に形成された1ステップ高さ;0.206nmの原子的に平坦なテラス面をn段(n≧1の整数)有する三角形島構造体とを備え、三角形島構造体のテラス面のステップ段差を高さの標準とするナノメートルスケール計測を行うための計測標準資料として利用する。 (もっと読む)


【課題】ウェハに打ち込んだイオンの影響や、パターン接続の有無、パターンエッジの形状などの影響による検出画像誤差を生じることなく画像を検出する。
【解決手段】パターン検査方は、対象物基板を撮像してディジタル画像を得、このディジタル画像を用いて予め座標データで登録した領域、又は予め登録したパターンと一致するパターンをマスクして欠陥を検出し、この検出した欠陥を表示するようにした。又本発明によるパターン検査方法においては、対象物基板を撮像してディジタル画像を得、このディジタル画像を用いて欠陥を検出し、この検出した欠陥のうち登録した特徴に一致する欠陥の表示非表示を切替えるか他と識別可能なように表示するようにした。 (もっと読む)


【課題】装置毎、或いは日々の変動に合わせて設定する必要のあった画像取得対象個所を自動で設定することができる、試料の管理機能を提供する。
【解決手段】機差測定を行う為にウェハ上に当該ウェハ上で測定済みのパターンの箇所及び当該測定済みの箇所を測定した装置の情報をマーキングするための領域(レプリカ領域等)を設け、当該マーキングを参照することにより、試料を管理する。マーキングの方法としては、電子線照射によるコンタミネーション付着を挙げられる。この場合、コンタミが付き易いように電子線照射密度を上げる。このために、倍率を上げる、プローブ電流の増加、積算フレーム枚数の増加などを実施することができる。 (もっと読む)


【課題】肉厚測定値について高精度に校正を行い、かつ操作性に優れた肉厚測定装置を提供する。
【解決手段】X線Rを発生させ、配管5を照射するX線発生装置2と、X線発生装置2から発生したX線Rを検出し、X線Rを光に変換することにより測定結果を画像化し撮像画像データを得るカラーI.I.3からなる肉厚測定装置であって、前記撮像画像データに対し所定の演算を行うことにより、校正された被測定物の肉厚量を求めることができる肉厚量校正手段を備えた肉厚測定装置、および前記肉厚測定装置を用いた肉厚測定方法である。 (もっと読む)


【課題】正確な位置の判別を可能にする基準スケールを提供する。
【解決手段】基準スケール10は、基準穴11aが所定の間隔で形成されている熱耐性の強い基板11と、基板11の各穴11aに充填され基板11と異なるX線の透過性を有する基材部12と、基材部12の一面に所定の精度の良い間隔で配置され基材部12と異なるX線の透過性を有し相対的に薄く形成された金属層13とを備えて構成される。この構成により、基準スケール10を撮影したX線画像の金属層13に対応する位置の精度は従来より高くなり、正確な位置の判別を可能にする。 (もっと読む)


【課題】配管内の減肉を計測する、マイクロ波配管減肉計測システムの提供
【解決手段】マイクロ波を配管内に伝播させ、マイクロ波の波長が配管の内径に依存する特徴を利用して、配管内の減肉により発生するマイクロ波の波長変化を計測することにより、マイクロ波非破壊検査を行うものである。配管内を伝播するマイクロ波の波長の変化を高感度に計測するために、配管内のマイクロ波を共振させることにより、マイクロ波の波長変化の計測を行う。
マイクロ波の発生、マイクロ波の計測、周波数の掃引等の制御には、ネットワークアナライザ100を用いた。ネットワークアナライザ100のマイクロ波発生部102から配管内へのマイクロ波の導入、配管内からのマイクロ波の引出、計測部104への導入には同軸ケーブルセンサ108を用いた。測定対象としたのは、円筒管110である。 (もっと読む)


【課題】微細な測定物の大きさの測定に適用することができて、作業者による測定値のばらつきが発生せず、測定精度が高い測長装置及び測長方法を提供する。
【解決手段】試料搭載部16の上に結晶格子間隔が既知の単結晶試料20を搭載し、STEM検出器17及び画像解析部18により結晶格子像を取得する。画像解析部18は、結晶格子像をフーリエ変換して回折スポット像を取得し、その回折スポット像の回折スポットの位置が理論上の回折スポットの位置と一致するように画像の倍率、縦横比及び歪みを補正する。そして、補正後の回折スポット像を逆フーリエ変換して実空間の画像とするとともに、スケールを逆数に変換して実空間のスケールとする。 (もっと読む)


【課題】
より微細な基準寸法を有する測長用標準部材およびその作製方法を含む電子ビーム測長技術を提供する。
【解決手段】
光学的手段により絶対寸法としてピッチ寸法が特定された第1の回折格子の配列(1)よりなるパターンを配置した半導体部材を有し、かつ、前記パターンは、前記第1の回折格子の配列(1)内の一部に、前記第1の回折格子とは異なる第2の回折格子の配列(2)を所定の周期で内在させた構成を有する。前記第1の回折格子および前記第2の回折格子は、それぞれ所定の長さと幅を有し、それぞれ所定の間隔で周期的に配列されており、かつ、前記パターンの周辺部に前記パターンの位置を特定するためのマーク(3)が配置されている。また、前記パターンは、最小ピッチ寸法が100nm以下である配列パターンを含む。パターン作製法として、電子ビーム一括露光法を用いる。 (もっと読む)


本発明は、内側空間を囲む少なくとも1つの壁を備える中空の物体に対して透過性放射線を用いて測定を実行する方法に関するものであり、前記壁は内面と外面を備え、前記方法は壁の内面の少なくとも一部の位置および形状を決定するために少なくとも実行される。
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【課題】半導体装置の製造過程において、コンタクトホールの底面に残る不要残存膜の厚さまたは抵抗値を高速、かつ高精度に推定する。
【解決手段】検査用標準試料1のコンタクトホール7を被検査対象のコンタクトホールとほぼ同じ材質および構造により構成し、電子線を照射して検査用標準試料1の二次電子画像の電位コントラストを測定し、検査用標準試料1の擬似欠陥部4におけるコンタクトホール7の電位コントラストとコンタクトホール7の底面に形成した擬似残存膜8の厚さまたは抵抗値との関係をあらかじめ取得しておく。その後、被検査対象のコンタクトホールへ電子線を照射して被検査対象の二次電子画像の電位コントラストを測定し、検査用標準試料1の電位コントラストと被検査対象の電位コントラストとを比較することにより、被検査対象のコンタクトホールの底面に残る不要残存膜の厚さまたは抵抗値を推定する。 (もっと読む)


【課題】 荷電粒子線顕微装置において、任意倍率における幾何歪みを高精度に測定し、補正する。
【解決手段】 周期構造を持つ標準試料を基準にした絶対歪みとして第1の倍率における幾何歪みを測定する。幾何歪み測定済の第1の倍率と、幾何歪み未測定の第2の倍率で微細構造試料を撮影する。第1の倍率の画像を第2の倍率まで等方的に伸縮した伸縮画像を生成する。第2の倍率における幾何歪みを、伸縮画像を基準とした相対歪みとして測定する。第1の倍率における絶対歪みと第2の倍率における相対歪みから 、第2の倍率における絶対歪みを求める。以後、第2の倍率を第1の倍率に置き換えて相対歪み測定を繰り返すことにより、任意倍率における幾何歪みを測定し、補正する。 (もっと読む)


【課題】 高精度測長校正を実現する校正用標準部材を提供する。
【解決手段】 光学的回折角測定が可能な回折格子パターンに座標位置を表すマークパターンを混在させ、かつ回折格子配列周囲に十字マークパターンを含んだダミーパターンを配置させることで本標準部材の作製および実現が可能となる。
【効果】 回折格子座標位置を示すマークを回折格子近傍に配置させることにより、校正に用いる回折格子位置の確認が容易になる。また、回折格子配列周囲に十字マークパターンを含んだダミーパターンを配置させることにより回折格子配列内の近接効果の差異の無い均一な回折格子パターンが実現できる。更に、十字マークを回折格子配列に隣接して配置できるので高精度な回折格子位置決めが実現できる標準部材を用いることにより高精度かつ容易な回折格子位置決め校正が可能となり次世代半導体加工に対応した高精度測長校正が実現できる。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、顕微鏡像の像分解能を客観的判断のもとに評価できる像評価方法の提供にある。
【解決手段】画像の部分領域の分解能を、前記画像全体或いは前記画像の一部領域に亘って求め、前記画像全体或いは前記一部領域に亘って平均化し、前記画像全体、或いは一部領域の分解能評価値とすることを特徴とする像評価方法を提供する。このような構成によれば、顕微鏡の像分解能の評価において、評価者の主観が入り込まないので、像分解能の評価値に対して高い精度と良い再現性を達成できる。 (もっと読む)


【課題】 試料の傾斜角や高さに依存することなく、精度のよい試料の画像計測が行なえる電子線装置と電子線装置用基準試料を提供する。
【解決手段】 上記目的を達成する本発明の電子線システムは、例えば図1に示すように、電子線を射出する電子線源1と、電子線源1から射出された電子線7を収束し、試料9に照射する電子光学系2と、電子線7が照射された試料9からの電子7dを受け取る検出部4と、試料9を支持する試料支持部3と、試料支持部3で支持された試料9に照射される電子線7と試料3とを相対的に傾斜させる試料傾斜部5(5a,5b)と、前記相対的な傾斜が自在であるように試料支持部3で支持された少なくとも傾斜した2面を有する基準試料9aから電子を受け取った検出部4からの検出信号を、傾斜毎に受け取り、前記傾斜した2面の画像と基準試料9aの基準寸法とから、基準試料9aの傾斜角度を求めるデータ処理部20等とを備える。 (もっと読む)


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