【課題】プロセス変動の大きいパタ−ンを測定する場合に、予め登録した測定領域において、測定対象パターンの周囲に測定対象ではないパターンやゴミ等のノイズが存在すると正しい測定ができない。
【解決手段】試料の画像データのうち、パターンマッチングを行って位置合わせされた所定の領域を、パターン測定の対象から除外する非測定対象領域として設定する。例えばプロセス変動の大きいパターンを測定する場合では、パターンマッチングにおいてプロセス変動の小さいパターンを含んだ領域のみを使用し、パターン測定の際には、パターンマッチングに使用して位置合わせされた所定の領域を非測定対象領域として設定する。
【効果】測定領域と非測定対象領域が重畳する領域の影響を受けることがなく、プロセス変動の大きいパターンに対しても容易にかつ安定したパターン測定を可能とする。 （もっと読む）

【課題】
モデルベース計測法は、予め作成した種々の断面形状に対するＳＥＭ信号波形のライブラリとのマッチングにより断面形状を推定することが可能であるが、従来のモデルベース計測法では、断面形状のモデル化が適切か否かを判断するための機能、あるいは、推定結果の確からしさを確認する機能が供されていなかった。
【解決手段】
モデルベース計測にて実パターンの計測を行うのに先立ち、ライブラリ波形間のマッチングにより解空間（予測解空間）を求め提示する。また、モデルベース計測による実パターンの計測後に、実波形とライブラリ波形とのマッチングにより解空間（実解空間）を求め提示する。 （もっと読む）

【課題】高速かつ高感度で微小欠陥を検出する。
【解決手段】実施形態のパターン欠陥検査装置は、検査対象パターンに関する第１のデータに基づいて、前記検査対象パターンに対する電子ビームの照射点の軌道に関するデータを含み前記電子ビームの走査を制御するためのデータである電子ビーム照射点軌道データを生成する電子ビーム照射点軌道データ生成手段と、前記電子ビーム照射点軌道データに従って前記検査対象パターンに電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、前記電子ビームの照射により前記検査対象パターンから発生する二次電子を検出する二次電子検出手段と、前記二次電子検出手段の出力信号から前記二次電子の信号強度に関する第２のデータを取得する信号強度取得手段と、前記第２のデータから異常点を検出して前記検査対象パターンの欠陥として出力する欠陥検出手段と、を持つ。 （もっと読む）

【課題】本発明は、設計データと輪郭線、或いは輪郭線間のマッチングを行うに当たり、両者の対応点を正確に特定する画像処理装置、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、第１の線分によって形成される第１のパターンと、第２の線分によって形成される第２のパターン間の位置合わせを行うときに、第１の線分と第２の線分上にそれぞれ第１の対応点と、第２の対応点を設定し、第１の対応点と第２の対応点間の距離に基づいて、第１のパターンと第２のパターンの位置合わせを行うためのアライメント量を算出すると共に、第１の線分と第２の線分の形状差に応じて、第１の対応点、及び／又は第２の対応点の位置を変化させる。 （もっと読む）

【課題】設計データを制約条件として用い単調なパターンでも精度の良い連結画像を生成することを目的とする。設計データと画像データとのマッチングで大まかに基準位置を求めて、設計データとのズレ量を検索範囲として、隣接画像間でのマッチングを行い高速で精度の良い連結画像を生成する。
【解決手段】本発明の画像生成方法は、走査型電子顕微鏡を用いて電子デバイスパターンを検査する画像生成方法であって、電子デバイスパターンのレイアウト情報が記述された設計データを入力して記憶した設計データファイルと、撮像位置を変えて前記電子デバイスパターンを撮像して得た複数枚の分割画像データと、前記複数枚の分割画像データと前記設計データファイルの設計データとを用いて前記複数枚の分割画像データを１枚の画像に連結する画像連結手段とで構成される。 （もっと読む）

【課題】異なるピッチの周期的構造を持つ基板について、高精度かつ効率的な形状計測を可能とする基板計測方法を提供すること。
【解決手段】実施の形態の基板計測方法によれば、第１のピッチで形成された第１の周期的構造と、第１のピッチより小さい第２のピッチで形成された第２の周期的構造と、を含む計測対象について、シミュレーションにより、第１の周期的構造についての散乱プロファイルと、第２の周期的構造についての散乱プロファイルと、が算出される。第１の周期的構造及び第２の周期的構造から散乱した電磁波の検出により実測した散乱プロファイルから、第１の周期的構造による散乱プロファイルが抽出される。第１の周期的構造及び第２の周期的構造について実測した散乱プロファイルと、第１の周期的構造について抽出された散乱プロファイルとの差分が、第２の周期的構造による散乱プロファイルとして算出される。 （もっと読む）

【課題】収束電子回折を用いた、物性の新規な測定方法を提供する。
【解決手段】物性の測定方法は、透過型電子顕微鏡により、試料の収束電子回折実験像を取得する工程と、収束電子回折実験像のＺｅｒｎｉｋｅモーメントの強度を計算する工程と、試料に関し物性を変化させて計算された収束電子回折計算像のＺｅｒｎｉｋｅモーメントの強度と、収束電子回折実験像のＺｅｒｎｉｋｅモーメントの強度とを比較する強度比較工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】
計測対象領域に曲線部分を持つパターンの寸法値を高精度に計測するためには、画像の垂直方向或いは水平方向とパターンの曲線部分における局所的な軌道とがなす角度を算出する必要がある。しかし、パターンエッジを基に該角度を算出した場合、エッジラフネスによりエッジ線の該角度がパターン軌道と異なるケースにおいて、測長精度低下を招く危険があるという課題があった。
【解決手段】
パターンの軌道を示す補助点列から前記角度を算出し、パターン計測を行なう手法を提供することにより、パターンエッジのラフネスの影響を抑制した高精度パターン計測を可能とする。 （もっと読む）

【課題】設計データと実際のパターン間の位置あわせするための確たる基準がなく、設計データが示す理想パターンに対し、測定対象パターンがどの程度ずれて形成されているのか等、何らかの基準に基づいて、測定することができなかった。
【解決手段】上述のような問題を解決するため、測定個所から離間した位置に形成され、走査電子顕微鏡等によって得られる画像上の基準パターンの位置情報と、設計データに基づいて検出される基準パターンと測定個所の位置関係の情報に基づいて、走査電子顕微鏡等による測定個所の基準位置を設定する。 （もっと読む）

【課題】欠陥箇所のフレームが特定可能な、又は保存画像の圧縮率が高い、或いはシステマティックな欠陥を抽出可能な高精度で低ダメージの走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】走査電子顕微鏡において、パターンの検査・測長のための合成画像を構成する個々のフレーム画像やサブフレーム画像に対してパターンの有無を判定するパターン有無判定部１０１２や倍率補正部１０１４、歪曲補正部１０１８、画像合成部１０１５及びそれら画像を動画形式で圧縮保存する記憶部１１１１を備える。 （もっと読む）

【課題】より迅速にチップの反りを測定できる手法を提供する。
【解決手段】単結晶基板の反り測定方法であって、角度広がりを持つＸ線を発生させる発生ステップと、前記角度広がりを持つＸ線を単結晶基板に照射する照射ステップと、前記単結晶基板からの回折Ｘ線を検出して、前記単結晶基板の反りを測定する検出・測定ステップと、を含むようにする。 （もっと読む）

【課題】周期的構造パターンに電磁波を照射してパターン形状を計測する場合に、計測時間を増大させることなく、高精度に計測することが可能なパターン計測方法およびパターン計測装置を提供することを目的とする。
【解決手段】複数のパターンが周期的に配列して構成され、かつ、各パターンが部分的に重なる周期的構造パターンに対して、異なる複数の入射方向から電磁波を照射する照射工程と、周期的構造パターンにより散乱される電磁波を検出して、その散乱プロファイルを検出する検出工程と、検出された散乱プロファイルから周期的構造パターンのパターン形状を計測する計測工程と、を含み、照射工程では、異なる複数の入射方向は、周期的構造パターンを構成する各パターンが部分的に重ならない入射方向である。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の線幅管理用に、ＣＤ−ＳＥＭが用いられているが、ＣＤ−ＳＥＭの自動測定機能は１次元対応で、２次元形状は、ＣＤ−ＳＥＭや他の顕微鏡から取得された画像を使って操作者が手動で検査しているので、この検査工程を自動化する技術を提供する。
【解決手段】「検査対象パターン画像」と検査対象パターンを製造するために使用する「設計データ」を用いるパターン検査装置であって、データから線分もしくは曲線で表現された基準パターン生成部１１と、検査対象パターン画像を生成する画像生成装置７と、検査対象パターン画像のエッジを検出し、検査対象パターン画像のエッジと線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、検査対象パターンの測定値を得る検査部１２と、測定値の分布から、パターンの製造に関するフィードバック情報を取得する出力部１３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】
パターン寸法計測のスループットを低下させることなくパターンの材料や立体構造に関する情報を得ることができる荷電粒子線顕微鏡を提供する。
【解決手段】
荷電粒子線顕微鏡において、試料の観察視野を走査して得られたフレーム画像を複数枚取得し（Ｓ３０４、Ｓ３０５）、それらの画像を積算し（Ｓ３０７）、試料上に形成されたパターンの寸法を算出（Ｓ３０８）すると共に、フレーム画像を構成する１フレーム画像またはサブフレーム画像等からなる分別画像（Ｓ３０９，Ｓ３１０）を用いてパターン情報を取得する（Ｓ３１４）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセス変動に依らず、高精度な測定，検査条件の設定を可能とする測定，検査条件設定方法、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、異なる製造条件にて形成された複数のパターンについて、荷電粒子線装置を用いた測定を行い、当該複数のパターンの基準寸法と、当該測定結果との差異、或いはばらつきが相対的に小さくなる測定条件を選択する測定条件設定方法、及びコンピュータプログラムを提案する。複数パターンの基準寸法は、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）によって、上記複数のパターンを測定することによって得るようにしても良いし、半導体パターンの設計データにシミュレーションを施すことによって得られるパターンの断面形状等に基づいて求めるようにしても良い。 （もっと読む）

【課題】放射線を用いた検査装置の撮像系を簡便に補正する手段を提供する。
【解決手段】保持部は、治具と一体に構成されている、被検査体を固定する。検出部は、前記被検査体または前記治具を透過した放射線を検出して透過画像を生成する。ずれ量特定部３６は、前記治具の透過画像を取得してその透過画像に映し出された治具の特徴点を特定し、当該透過画像に映し出された治具の特徴点と前記透過画像全体の中心とのずれ量を算出する。撮像制御部４０は、前記ずれ量に基づいて前記被検査体と透過画像を取得する放射線検出器との位置関係を補正する。 （もっと読む）

【課題】被測定対象物上のパターンの線幅あるいは線間隔などを測定した測定値の良否を判定する測定値の判定方法に関し、画像撮影時の焦点合わせの不良による画像の不明瞭、更にチャージによる画像ドリフトによる画像の不明瞭などによる、パターンの線幅などの測定不良を自動判定する。
【解決手段】被測定対象物上のパターンの信号強度分布を取得するステップと、取得した信号強度分布からパターンのエッジ位置を検出するステップと、エッジ位置の検出に用いたと同一の信号強度分布からパターンのエッジ部分のスロープ値を検出するステップと、検出したスロープ値が予め設定した所定範囲内のときに検出したエッジ位置をもとに算出した測定値が正しいと判定し、一方、所定範囲外のときに検出したエッジ位置をもとに算出した測定値が不良と判定するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で高精度かつ迅速にパターン形状を評価する。
【解決手段】被評価パターンＰ２の輪郭を検出し、許容値Ｌが予め与えられた基準パターンであってパターンＰ２の評価基準となる基準パターンＲＰ２の輪郭を検出し、基準パターンＲＰ２の輪郭と許容値Ｌに基づいてパターンＰ２の許容範囲ＡＳ２を生成し、検出されたパターンＰ２の輪郭と許容範囲ＡＳ２との相対位置関係を求めることによりパターンＰ２の輪郭と前記許容範囲との包含関係を判定し、さらに、その判定結果に基づいてパターンＰ２の良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】１個の線源を用いてスリービーム方式による測定を所定角度毎に実現し、コスト低減および計測精度の向上を共に図るような配管用厚さ測定装置を提供する。
【解決手段】被測定対象である配管に対してブレード部を円状に配置するベース部１００と、ベース部１００のブレード部の外周に沿って移動する側面移動部２００と、側面移動部２００に取り付けられる測定部３００と、側面移動部２００を移動させる移動用駆動部と、測定部３００のセンサおよび移動用駆動部が接続される演算・制御駆動部と、を備え、所定角度毎の測定部３００からの検出信号を蓄積し、１２０°毎に異なる３箇所の検出信号からスリービーム方式の原理により肉厚を測定する配管用厚さ測定装置１とした。 （もっと読む）

あるシステム及び方法が、再構築により、基板上のオブジェクトの概略構造を決定する。これは、例えば、リソグラフィ装置のクリティカルディメンション（ＣＤ）又はオーバレイ性能を評価するための微細構造のモデルベースのメトロロジーなどに適用できる。基板上のスタック上の格子などのオブジェクトの概略構造を決定するためにスキャトロメータが使用される。ウェーハ基板は上層と下地層とを有する。基板はスタックオブジェクト上の格子を含む第１のスキャトロメトリターゲット領域を有する。スタック上の格子は上層と下地層とからなる。上層は周期格子のパターンを備える。基板はさらに、上層がない、隣接する第２のスキャトロメトリターゲット領域を有する。第２の領域は、パターン形成されていない下地層のみを有する。 （もっと読む）