【課題】微小領域の硬さ分布を非接触で求める。
【解決手段】１５ｎｍ〜１μｍ間隔で測定された立方晶金属の結晶方位分布より得た回転テンソル群より格子歪を決定し、前記格子歪より格子歪勾配に基づいて転位密度を求め、前記転位密度に基づいて硬さ分布を求める。 （もっと読む）

【課題】試料や試料の所望位置に、Ｘ線を、短時間で精度良く照射させることができるＸ線分析装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線分析装置１００は、Ｘ線マイクロビーム３を形成する集光装置２と、Ｘ線マイクロビームが照射された微小照射点を含んだ試料表面観察する観察用カメラ１０と、微小照射点から発生したＸ線マイクロビームを検出するＸ線検出器９と、試料を搭載している回転ステージ４と、回転ステージに載置されている第１並進駆動ステージ６と、回転ステージを上方に載置している第２並進駆動ステージ５と、観察用カメラを搭載している第１位置調整装置と、Ｘ線検出器を搭載している第２位置調整装置とを備えたＸ線分析装置であって、微小照射点が表面に位置するように配置されており、測定用試料の仮試料である基板７を備え、基板が、表面上に、基板の密度と異なる密度を有する微細な線模様を有している。 （もっと読む）

【課題】立方晶系の結晶構造を持つ金属材料に対して塑性歪を測定する。
【解決手段】結晶構造が立方晶系である金属材料の被測定部材、あるいは測定部材より採取した試験片の同一視野における変形前と変形後の結晶方位分布を取得する（Ｓ４，Ｓ７）。任意の結晶方位測定点と隣接する結晶方位測定点間における変形前と変形後の結晶方位分布より変形前と変形後の格子歪を求める（Ｓ５，Ｓ８）。変形前と変形後の格子歪から結晶内に蓄積した塑性歪を測定する（Ｓ３）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子線回折像を用いて、微小な結晶粒の結晶方位解析を可能にし、また、解析を自動化することにより、多点の結晶方位を迅速に解析することを目的とする。
【解決手段】本発明は、電子線を試料に照射して透過電子を検出する透過電子顕微鏡において、前記透過電子顕微鏡は、前記試料の電子線回折像を撮像する電子線回折像撮像部と、前記試料の組成情報を取得する検出部と、前記電子線回折像から格子面間隔の情報を取得する解析部と、前記取得された組成情報と前記格子面間隔の情報から試料の同定を行う物質同定部と、前記同定された試料の情報から、前記試料の回折像を演算する演算部と、を有し、当該演算された回折像と前記電子線回折像とのずれ量に基づいて、前記試料の結晶方向を特定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ロッキングカーブ解析によるＸ線回折による分析において、専門家やＸ線分析の熟練者でなくとも、測定から解析まで一貫して簡単な操作により、薄膜の膜厚や組成を解析できるようにする。
【解決手段】Ｘ線回折測定装置で測定された測定データを、Ｘ線回折分析装置から、ロッキングカーブ解析装置に転送する。そして、ユーザは、ロッキングカーブ解析装置に、膜構造のパラメタを入力する。入力させたパラメタを初期値として含むある範囲の中から、測定データと計算データのロッキングカーブの乖離が少ないパラメタを、パラレルテンパリング法によって探索して、最適パラメータとして求め、その後に、精密化として、最小二乗法によって、さらに、測定データと計算データのロッキングカーブの乖離が少ないパラメタを、試料構造のパラメタとして求める。 （もっと読む）

【課題】接合された異種材料の界面を破壊することなく、その界面における結晶性物質の分析を行うことができるＸ線回折法を提供する。
【解決手段】異種材料の接合界面に存在する結晶性物質を同定するＸ線回折法で、次の過程を備える。異種材料の接合界面のうち、その断面が曲線で表される領域を分析対象面とする試料SをＸ線照射源10と回折線検出器30との間に配置する過程。照射源10から、分析対象面に対して、前記曲線の接線方向にＸ線52を照射する過程。このＸ線52の照射に伴って発生する回折線54を回折線検出器30で検出する過程。Ｘ線を分析対象面の接線方向に照射することで、非破壊状態の分析対象面から回折線を的確に検知することができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線ホログラフィ測定方法に関し、回折Ｘ線ホログラフィ測定と透過Ｘ線ホログラフィ測定の両方の測定を可能にする。
【解決手段】 測定部を有する基材の一の面に対する他の面にＸ線を吸収するＸ線吸収膜と、前記測定部に対応する前記他の面に、前記Ｘ線吸収膜を貫通する第１の開口と、前記Ｘ線吸収膜と前記基材と前記測定部位に隣接する領域とを貫通する第２の開口と、前記第２の開口の上方に設置される前記結晶片とを有する測定用試料の一の面に対する他の面からＸ線を照射し、前記測定部からの回折光と前記結晶片からの回折光を前記一の面側に位置する検出面で重ね合わせ、前記重ね合わせにより形成された干渉縞をホログラムとして分析する。 （もっと読む）

【課題】放射線源にマルチスリットを用いることなく放射線位相画像撮影装置を構成する。
【解決手段】電子線を射出する複数の電子源１５ａおよびその電子源１５ａから射出された電子線の衝突により放射線を射出するターゲット１５ｂを備えた放射線照射部１と、放射線を回折する格子構造が周期的に配置された第１の格子２と、放射線を透過および遮蔽する格子構造が周期的に配置された第２の格子３と、第２の格子３を透過した放射線を検出する放射線画像検出器とを設け、第１の格子２および前記第２の格子３を、放射線の光軸方向において、各電子源に対応する放射線に基づく第１の格子２の像同志を第２の格子３面上で略重ねることができるように配置し、各電子源１５ｂに対応する放射線が、それぞれ同一の被写体の位相画像を放射線画像検出器４上に形成する。 （もっと読む）

【課題】平行ビーム法を用いたＸ線回折法において、角度分解能が優れていて、Ｘ線強度の低下が少なく、構造が簡素化されたＸ線回折装置およびＸ線回折方法を提供する。
【解決手段】平行ビームのＸ線２４を試料２６に照射して、試料２６からの回折Ｘ線２８をミラー１８で反射させてからＸ線検出器２０で検出する。ミラー１８の反射面は複数の平坦反射面の組み合わせからなり、各平坦反射面の中心点は、試料２６の表面上に中心を有する等角螺旋の上にある。Ｘ線検出器２０は、回折平面に平行な平面内において１次元の位置感応型である。異なる平坦反射面で反射した反射Ｘ線が、Ｘ線検出器２０の異なる地点にそれぞれ到達する。異なる平坦反射面で反射した反射Ｘ線がＸ線検出器の同一の検出領域上で混在して検出されることを想定して、それらを互いに区別するための補正処理を実施する。 （もっと読む）

本発明は、３つの円形格子を持つＸ線差分の位相コントラスト撮像システムに関する。円形格子は、放射線ビームの光学軸と揃えられ、位相ステッピングが、焦点スポット、位相格子及び／又は吸収格子を備える光学軸に沿って実行される。測定される信号は、光学軸から離れる半径方向における位相―グラジエントである。
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【課題】 互いに積層されてパッケージに収容された複数の単結晶基板の夫々について、パッケージを破壊することなく反りを測定する。
【解決手段】
パッケージにＸ線を照射するステップと、受光スリットの調節及びパッケージの高さ方向の位置調節を行うことにより、パッケージに収容された複数の単結晶基板により回折された複数の回折Ｘ線のなかから、所望の単結晶基板からの回折Ｘ線だけを選択的に検出するステップと、所望の単結晶基板からの回折Ｘ線のロッキング曲線を測定するステップと、パッケージを所定方向に一定距離移動させるステップとを含み、ロッキング曲線測定を行うステップとパッケージを所定方向に一定距離移動させるステップとを繰り返し行う。 （もっと読む）

【課題】温度変化を伴って所定角度範囲のＸ線測定を繰り返して行う場合に、Ｘ線測定の中断をできる限り抑えることができ、しかも、得られた測定結果の分析を正確且つ迅速に行えるＸ線分析装置を提供する。
【解決手段】試料にＸ線を照射したときにその試料から出たＸ線をＸ線検出器によって検出するＸ線分析装置である。温度変化曲線３９に従って試料温度を変化させながら、Ｘ線回折測定を行って２θ＝５°から２θ＝４０°の間で複数の回折線プロファイル３５を縦軸に沿って間隔をおいて複数描く。５°〜４０°の間で角度が増加する順方向移動時のＸ線強度データ３５（→）を角度座標軸（座標表示３６の横軸）上の５°から４０°へ向かって画面上で表示させ、角度が減少する逆方向移動時のＸ線強度データ３５（←）を同じ角度座標軸上の４０°から５°へ向かって画面上で表示させる。順・逆表示をスイッチアイコン４３によって切替えて表示できる。 （もっと読む）

【課題】隔壁、炉体カバー等が用いられているＸ線及び熱分析の同時測定装置において複数試料を自動的に順次に交換して測定できるようにする。
【解決手段】隔壁１７内で炉体によって試料１８を加熱し、炉体カバーで均熱化を行い、Ｘ線測定装置２及び熱分析測定装置３によって同時測定を行うＸ線及び熱分析の同時測定装置において、把持部材８１を持った搬送装置４によって炉体カバーを隔壁１７内からカバー載置部９１へ取出した状態で、交換試料１８を試料載置部９８から隔壁１７内へと搬送装置４によって搬送するようになっており、カバー載置部９１には炉体カバーの位置決め用ブロック９９が設けられ、試料載置部９８には試料容器の位置決めを行う部材が設けられている。炉体カバーや試料容器を隔壁１７内でＸ線通路Ｘ１に対して常に一定の相対位置に配置して、Ｘ線の進行を邪魔しないようにする。 （もっと読む）

【課題】 走査型電子顕微鏡を用いた、汎用性の高いドメイン観察方法を提供する。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いて、観察試料に電子線を照射して得られる反射電子像によりドメイン観察を行なう試料観察方法であって、試料を鏡面研磨し、研磨面に導電性を有する蒸着膜を形成して前記観察試料を作製する試料準備工程と、前記観察試料を、走査型電子顕微鏡で、前記電子線の加速電圧を３ｋＶ以上１０ｋＶ以下となるように設定するとともに、反射電子走査画像の輝度及び分布量を表示可能な輝度範囲内に平均的に分布するように設定するコントラストの条件に比べてコントラストを強調する条件で観察する観察工程と、を有するものである。 （もっと読む）

【課題】多重逆ファンビームｘ線回折イメージング（ＭＩＦＢ ＸＤＩ）システムのための多焦点ｘ線源（ＭＦＸＳ）を提供すること。
【解決手段】ＭＦＸＳは、ｙ軸と同一の直線上にＭＦＸＳの長さに沿って形成された複数の焦点（Ｎ）を含む。ＭＦＸＳは、複数の１次ビームを生成するように構成され、隣接するコヒーレントｘ線散乱検出器間の間隔Ｐが、次式：


上式で、Ｗ_sが前記複数の焦点の横方向範囲、Ｕがｙ軸から前記検査区域の頂部表面までの距離、Ｖが前記頂部表面から座標Ｘ＝Ｌにおける線までの距離、
を満たす場合に、１次ビームが検査区域内に位置決めされた対象物の断面を通って伝播するときに、少なくともＭ個のコヒーレントｘ線散乱検出器が１次ビームからのコヒーレント散乱光線を検出するように構成される。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線を発散するように出射するＸ線源を用いた場合においても、高精度かつ高コントラストの撮影画像を得ることが可能なＸ線撮影装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線撮影装置は、Ｘ線源と、第１周期の縞状の強度分布を生むタルボ効果を発現させる第１回折格子と、遮蔽部と透過部とが所定方向に第２周期で繰り返して縞状に配置され、かつ第１回折格子によって回折されたＸ線を更に回折する第２回折格子と、Ｘ線の強度の２次元分布を示す画像情報を得るＸ線検出手段とを備え、第２周期が、第１周期の約２倍であり、第２回折格子のうち、第１回折格子で回折されたＸ線が照射される面において、遮蔽部が占める面積の比率が１３％以上でかつ４１％以下であり、第２回折格子が、画像情報に係る画像にモアレ縞を発生させる。 （もっと読む）

【課題】産業廃棄物や産業副産物をセメント原料として大量に使用した場合であっても、セメント組成物の硬化の際における強度の変動幅を制御することが可能なセメント組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】石灰石、硅石、石炭灰、高炉スラグ、建設発生土、下水汚泥及び鉄源からなる群より選ばれる少なくとも１種を配合した原料を焼成して得られるセメントクリンカーと、石膏と、を混合して粉砕する工程を有するセメント組成物の製造方法であって、上記工程において、該セメント組成物におけるエーライト相の軸角βの測定値に基づいて、セメントクリンカーの原料原単位及び焼成条件の少なくとも一方を調整するセメント組成物の製造方法。 （もっと読む）

従来、位相情報を格子干渉計で検出された他の寄与から区別するために、位相ステッピング法が考えられてきた。これは複数のＸ線投影像の取得を伴う。これに対して、本発明は、位相ステッピングを要さずに位相コントラスト信号を抽出する、格子干渉計に基づいた革新的な高感度Ｘ線トモグラフィ位相コントラストイメージング方法を提供する。既存の位相ステッピング法と比べて、「逆投影」と呼ばれるこの新しい方法の主な利点は、画質を劣化させることなく、投与線量が著しく低減されることである。この新しい技術は、生物検体のイメージングと生体内研究に不可欠であり、将来の高速かつ低線量の位相コントラストイメージング法の前提条件をなす。
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【課題】ＦＩＢにより試料を作製する際に試料の表面に形成されたアモルファス層の厚さを、試料を破壊することなく正確に確認、評価する。そして、その結果に基づいて、多くの時間と手間を掛けることなく、アモルファス層を的確に可能な限り低減、除去して、良好な観察を行うことができるＴＥＭ試料を提供する。
【解決手段】表面にアモルファス層が形成されている試料の表面に電子線を照射し、試料を透過して得られた電子回折図形の輝度に基づいて、アモルファス層の厚さを評価する。電子回折図形内の回折スポットを結ぶ直線における輝度のラインプロファイルの内、最も高い輝度をＹ２とし、最も低い輝度をＹ１としたときの輝度の比率（Ｙ１／Ｙ２）を、アモルファス層の厚さが既知である他の試料における輝度の比率（Ｙ１／Ｙ２）と比較してアモルファス層の厚さを評価して、アモルファス層の厚さが所定の値以下となるまで、アモルファス層を低減、除去する。 （もっと読む）

【課題】結晶の歪みを容易に検出する。
【解決手段】ブラッグ反射条件から微小角ずれた条件でＸ線を結晶に照射し、結晶から透過するＸ線を検出し、透過Ｘ線が検出される位置の入射Ｘ線による軌跡からの変位に基づいて結晶の歪みを検出する。この条件で照射されたＸ線は結晶の歪みによって変位を受けるため、透過Ｘ線の位置を検出することで結晶歪みを検出可能である。結晶の縁または結晶ドメイン境界の近傍にＸ線を照射し、結晶の縁または結晶ドメイン境界に対応する位置に透過Ｘ線が検出されるか否かによって結晶の歪みを検出することが好適である。 （もっと読む）