【課題】Ｘ線ホログラム撮像用の試料構造体に、参照光が通過する実効的に小さな参照光孔を容易に形成する。
【解決手段】Ｘ線を透過する支持基板３の下面上に形成されたＸ線遮蔽層２と、遮蔽層２を貫通し底面に支持基板３を表出する透過窓５と、支持基板３上の透過窓５直上に形成された薄膜試料４と、透過窓５に入射するＸ線の可干渉長内に開設され、遮蔽層２及び支持基板３を斜めに貫通する参照光透過用の参照光孔６とを有し、垂直方向視したとき、参照光孔６の上下の開口形状６ａ、６ｂが、一部重畳するＸ線ホログラム撮像用の試料構造体１０。 （もっと読む）

【課題】モルタル又はコンクリートの終局の断熱温度上昇量を迅速、且つ精度よく予測できる方法を提供すること。
【解決手段】セメントクリンカーを含み、Ｋ_２Ｏ含有量が０．２０〜０．６０質量％であるセメントの粉末Ｘ線回折結果をプロファイルフィッティング法により解析して、セメントクリンカーに含まれるクリンカー鉱物の結晶情報を得る第一工程と、結晶情報を基に、セメントクリンカーを含むセメントから得られるモルタル又はコンクリートの終局の断熱温度上昇量を予測する第二工程と、を有するモルタル又はコンクリートの終局の断熱温度上昇量の予測方法。 （もっと読む）

【課題】高温雰囲気中において、高電界を印加したときの絶縁破壊電圧が高い積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１は、コンデンサ本体１０と、第１及び第２の電極１１，１２とを備えている。コンデンサ本体１０は、誘電体セラミックスからなる。第１及び第２の電極１１，１２は、コンデンサ本体１０内に設けられている。第１及び第２の電極１１，１２は、セラミック層１０ｅを介して互いに対向している。積層セラミックコンデンサ１では、３００Ｋにおいて電界を印加していない状態の第１及び第２の電極１１，１２の格子定数をａ_０とし、４００Ｋにおいて３０ｋＶ／ｍｍの電界を印加したときの第１及び第２の電極１１，１２の格子定数をａ_１としたときに、（｜ａ_１−ａ_０｜×１００）／ａ_０が０．１８以下である。 （もっと読む）

【課題】 ２次元平面におけるナノサイズの粒子の大きさを測定するとともに、その粒子の２次元平面での平面的分布を測定するＸ線小角散乱測定装置を提供する。
【解決手段】本発明によれば，Ｘ線を放射するＸ線源と、Ｘ線源から放射されるＸ線を、単色化された平行光にして出射させるモノクロメーターと、出射されるＸ線が線状領域を照射するように、モノクロメーターのＸ線の出射領域を規定するスリットと、試料を搭載可能な平面ステージを前記試料がＸ線に照射される位置に搬送する搬送部と、Ｘ線の照射をうけた前記試料の線状領域から散乱されて形成されるＸ線散乱像を検出する２次元型検出器と、
を備え、前記搬送部が前記線状領域の長手方向と交差する方向に前記平面ステージを搬送するＸ線小角散乱測定装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】コンクリート構造物の内部状態を効率良く非破壊検査する検査線発生装置を提供する。
【解決手段】フェムト秒レーザパルスを発生するフェムト秒レーザ発生装置１ａと、該フェムト秒レーザ発生装置１ａから入射したフェムト秒レーザパルスを第１の方向あるいは第２の方向に択一的に出射する可動ミラー１ｂと、該可動ミラー１ｂによって第１の方向に出射したフェムト秒レーザパルスをテラヘルツ光に変換し、検査線として外部に出射する光伝導アンテナ１ｊと、上記可動ミラー１ｂによって第２の方向に出射したフェムト秒レーザパルスに基づいて所定元素のイオン線を発生するイオン線発生器１ｎと、該電子線発生器１ｎから入射したイオン線に基づいて中性子線を発生し、検査線として外部に出射する中性子線発生器１ｓとを具備する検査線発生装置により、効率的な非破壊検査が可能となる。 （もっと読む）

【課題】海上や河川上に設けられたコンクリート構造物の内部状態を容易に非破壊検査する。
【解決手段】船体本体１と、検査線発生部５と、該検査線発生部５から入射した中性子線を検査対象物Ｒに対して走査状に照射する照射手段６と、中性子線が検査対象物Ｒによって回折されて得られる回折中性子線を照射手段６の走査位置に応じて検出する検出手段８と、該検出手段８から入力される回折中性子線の検出信号に基づいて検査対象物Ｒの走査位置における物質の格子定数ｄを算出する格子定数算出手段９と、各走査位置における検査対象物Ｒの格子定数に基づいて検査対象物Ｒの内部状態を可視化する可視化手段９とを具備する。 （もっと読む）

【課題】累積損傷を受けた部材の損傷評価を適切に行うことができる方法を提供する。
【解決手段】本発明の損傷評価方法は、累積損傷を受けた部材の損傷評価方法であって、評価対象部材に対して電子後方散乱回折像法による結晶方位角度差を測定する工程と、測定された前記結晶方位角度差と、予め前記評価対象部材と同一成分系の部材に対して電子後方散乱回折像法による結晶方位角度差の測定と累積損傷試験とを行うことにより作成された前記結晶方位角度差と前記累積損傷との検量曲線とを用いて、前記評価対象部材の累積損傷を評価する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶基板の検査方法に関するもので、結晶の検査工程に要する時間を短縮することを目的とするものである。
【解決手段】準備工程として、結晶基板に樹脂溶液を塗布する第１の工程と、検査工程として、前記樹脂溶液を塗布した結晶基板を検査装置に固定し、検査を行い、その後、結晶基板を検査装置から取り外す第２の工程と、検査後工程として、検査装置から取り外された結晶基板を樹脂除去溶媒に浸漬し、結晶基板表面の樹脂を除去する第３の工程と、を備えた結晶基板の検査方法。 （もっと読む）

【課題】被検査物に不均一な分布の吸収がある場合においても、該被検査物におけるＸ線の透過率分布の影響を低減し、画質の良い位相像の撮像が可能となるＸ線撮像装置を提供する。
【解決手段】透過するＸ線によってタルボ効果により周期的な明暗パターンを形成する第１の格子と、
明暗パターンが形成される位置に配置され、明暗パターンの一部を遮光する第２の格子と、
Ｘ線強度分布を検出するＸ線強度検出器と、
Ｘ線強度検出器により検出されたＸ線の強度からＸ線の位相情報を取得する演算装置と、を備え、
第２の格子は明暗パターンの周期方向に対してそれぞれ逆方向の第１の遮光パターンによる第１の領域と第２の遮光パターンによる第２の領域を有し、
第１の領域と第２の領域を透過しＸ線の強度情報を用いて、前記被検査物におけるＸ線の透過率分布の影響を低減する演算を行なう。 （もっと読む）

【課題】試料の表面における特定の結晶方位を有する結晶粒子の面内分布を迅速且つ簡便に評価できる結晶方位評価装置を得ること。
【解決手段】結晶方位評価装置は、入射する放射線の中心軸に対して垂直な面に沿った方向へ移動可能であり、試料が載置された状態で放射線を透過するステージと、前記試料において特定の回折角で回折された放射線を選択的に通過させるように、前記放射線の中心軸の周辺を環状に延びた開口部を有する絞りと、前記放射線の中心軸に沿った方向へ移動可能であり、前記絞りを通過した放射線を検出する検出器と、前記検出器により検出された結果から前記試料の表面における結晶方位の分布を判定する判定部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】測定試料の結晶品質が著しく劣化し、ｔｗｉｓｔ分布に起因したピーク拡がりが著しく大きくなる場合にも、ｔｗｉｓｔ分布に起因したピーク拡がりを同定する結晶の構造解析方法を新たに提供する。
【解決手段】Ｘ線受光器１２の位置は固定し、試料１４のみを回転させるωスキャンモードを用いて、Ｘ線回折測定を行うことにより、横軸がスキャン角度Δθで縦軸がＸ線強度を表すｈｋｌ反射プロファイルを求め、求めたｈｋｌ反射プロファイルについて、再規格化工程、形状解析工程及び判定工程を適用して、ピーク拡がり形状が結晶のモザイク性により生じる局所的なｔｗｉｓｔ分布に起因して生じる形状か否か判定する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折（ＸＲＤ）及びコンピュータトモグラフィ（ＣＴ）を組み合わせた装置及び方法に関する。
【解決手段】イメージシステムは；Ｘ線ビームを放射するＸ線源と；2次元Ｘ線検出器と；試料位置；前記Ｘ線源、Ｘ線検出器及び試料を、前記試料位置でお互いに相対的に位置させるゴニオメーターと；前記２次元検出器からのインプットを処理し、前記2次元検出器からのインプットと、Ｘ線源、Ｘ線検出器及び試料の前記相対的位置に基づいて、試料の情報をアウトプットするコンピュータを含み；前記イメージシステムが、前記Ｘ線検出器を用いて回折角度２θの関数として、前記Ｘ線回折を測定して前記試料の角度分散Ｘ線回折を実行するＸ線回折モードで操作するように、及び試料の吸収を、2次元Ｘ線検出器を用いて前記試料に亘り位置の関数として試料の吸収を測定するコンピュータトモグラフィモードで操作するように、配置される。 （もっと読む）

【課題】より微細な欠陥をより高速に検出することができるパターン検査装置及びパターン検査方法を提供する。
【解決手段】Ｘ線を発生させるＸ線源と、前記Ｘ線源から出射されたＸ線をポイント状の平行光に絞り試料上に照射する絞り手段と、前記試料を透過したＸ線の直接光と、前記試料に形成されたパターンにより回折されたＸ線の回折光と、を遮蔽するマスクと、前記マスクにより遮蔽されないＸ線の二次元パターンを検出する二次元検出器と、前記試料の対応する２箇所に前記ポイント状のＸ線を照射してそれぞれ取得された前記二次元パターンの差分を算出する差分算出手段と、前記差分に基づいて欠陥の有無を判定する判定手段と、を備えたことを特徴とするパターン検査装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体エピタキシャル層を高解像度で分析する。
【解決手段】Ｘ線２６の集束するビーム３０を、エピタキシャル層がその上に形成されたサンプル２２の表面に配向するステップと、１つの回折ピークとエピタキシャル層に起因する周辺スペクトルを有する回折スペクトルを生成するため、サンプルから回折されたＸ線を検知し、同時に、検知されたＸ線を角度の関数として解析するステップと、からなる分析方法。周辺スペクトルの特性はエピタキシャル層の緩和を測定するために分析される。 （もっと読む）

【課題】基本的にはインクリメンタル型エンコーダを基本とする簡単で扱い易い構成を有し、アブソリュート型エンコーダのような複雑で高価な構成を用いることなく回転体の基準となる角度位置を認識できる測角器を提供する。
【解決手段】ウオームホイール２２，２３の回転角度を測定するための測角器２において、ウオームホイール２２，２３に設けられた測角用の第１識別用マーク３３と、第１識別用マーク３３を読取る第１検出部３６と、ウオームホイール２２，２３に設けられた第２識別用マーク３４と、第２識別用マーク３４を読取る第２検出部３７とを有しており、第１識別用マーク３３及び第２識別用マーク３４はウオームホイール２２の表面上に直接に形成されており、第２識別用マーク３４はウオームホイール２２，２３の回転中心線Ｘ１を中心とした一部の角度範囲に設けられている。 （もっと読む）

【課題】
Ｘ線など電磁波の回折法によるひずみ測定において、測定中に被測定物の移動や変形により電磁波照射位置が変化した場合に、照射位置のずれを補正し、回折によるひずみ測定を精度良くする装置を提供する。
【解決手段】
試験片の表面の高さを非接触式の距離センサで計測し、試験片位置の変化に応じて同じ位置になるようにステージを移動することで、測定中に試験片に応力を印加するなどしても電磁波の照射位置が同じになるようにする。電磁波照射中に試験片の表面高さを測定する機構と、試験片高さ位置を最初と同じ位置に移動する機構、回折電磁波の回折角を測定する機構を備え、電磁波照射位置を試験片表面の同一位置となるように補正できることから、表面位置変化による測定誤差を回避し、正確な回折角測定が可能となる。 （もっと読む）

【課題】タンパク質の結晶化速度を制御することができる新規タンパク質結晶形成制御剤を提供する。
【解決手段】フッ素原子を含有するケイ酸塩化合物が溶液中のタンパク質に作用することで前記タンパク質の結晶化速度を制御するタンパク質結晶形成制御剤であって、前記フッ素原子を含有するケイ酸塩化合物が好ましくは０．１％〜９質量％、より好ましくは０．３％〜５質量％のフッ素原子を含有する層状ケイ酸塩化合物であるタンパク質結晶形成制御剤をタンパク質が溶解している溶液中に添加する。これにより、タンパク質の結晶化速度を速め、また、タンパク質の結晶核形成頻度と結晶の大きさを制御することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】複合部材中の結晶性粒子の結晶方位分布の偏りを解析する、結晶方位分布の偏りの解析方法を提供する。
【解決手段】結晶方位分布の偏りの解析方法は、複合部材中の結晶性粒子の断面を画像化する画像化工程と、画像化工程によって作成された画像のうちの上記結晶粒子の個々の結晶方位を判定する判定工程と、判定工程によって判定された結晶方位の分布を特定する分析工程と、分析工程で得られた分布を解析して結晶方位分布の偏りを解析する解析工程と、を有している。判定工程と解析工程とは、電子後方散乱回折像法を用いて行うことができる。 （もっと読む）

本発明は、試料のＸ線回折（ＸＲＤ）解析及び／又はＸ線蛍光（ＸＲＦ）解析を実行する方法であって、Ｘ線源からのＸ線を試料に照射し、走査波長選択器と波長選択器により選択されたＸ線を検出するＸ線検出器とを備えるＸＲＤ・ＸＲＦ複合検出装置を提供し、走査波長選択器を使用して試料により回折されるＸ線の固定波長を選択してＸ線検出器を使用して試料での１つ又は複数の値の回折角φでの選択された固定波長のＸ線を検出することにより試料のＸＲＤ解析を実行し、及び／又は、走査波長選択器を使用して試料により発せられたＸ線の波長を走査してＸ線検出器を使用して走査された波長のＸ線を検出することにより試料のＸＲＦ解析を実行する方法を提供する。試料のＸＲＤ解析及びＸＲＦ解析の両方を実行する装置であって、走査波長選択器と、ＸＲＤ・ＸＲＦ複合検出装置を備える装置も提供される。 （もっと読む）

【課題】微細な周期的構造について高精度かつ高スループットでの形状計測を実現するための基板計測方法を提供すること。
【解決手段】周期的構造を構成する単位構造体の形状に関する形状パラメータから注目パラメータを選択し、単位構造体の形状を計測するための計測条件を注目パラメータに応じて決定する工程と、決定された計測条件に従い、周期的構造が形成された基板上の基準面に平行な面内における方位角を変化させながら、周期的構造へ電磁波を入射させる工程と、周期的構造での反射により、基準面に平行な方向である方位角方向と、基準面に垂直な方向である仰角方向とへ散乱した電磁波を検出する工程と、を含み、計測条件は、周期的構造での反射による電磁波の散乱強度の分布を表す散乱プロファイルの算出と、注目パラメータの値を変化させるごとの散乱プロファイルを比較した比較結果に応じた最適化と、を経て決定される。 （もっと読む）