【課題】微細な周期的構造について高精度かつ高スループットでの形状計測を実現するための基板計測方法を提供すること。
【解決手段】周期的構造を構成する単位構造体の形状に関する形状パラメータから注目パラメータを選択し、単位構造体の形状を計測するための計測条件を注目パラメータに応じて決定する工程と、決定された計測条件に従い、周期的構造が形成された基板上の基準面に平行な面内における方位角を変化させながら、周期的構造へ電磁波を入射させる工程と、周期的構造での反射により、基準面に平行な方向である方位角方向と、基準面に垂直な方向である仰角方向とへ散乱した電磁波を検出する工程と、を含み、計測条件は、周期的構造での反射による電磁波の散乱強度の分布を表す散乱プロファイルの算出と、注目パラメータの値を変化させるごとの散乱プロファイルを比較した比較結果に応じた最適化と、を経て決定される。 （もっと読む）

【課題】ナノスケールの高分解能画像を得る。
【解決手段】１以上の試料を特徴付けるための超高速システム（および方法）である。特徴付けられる試料を有するステージ組立部を含む。持続時間が１ピコ秒未満の光パルスを放射することができるレーザー源を有する。レーザー源に接続されたカソードを有し、特定の実施例において、カソードは１ピコ秒未満の電子パルスを放射することができる。ステージ上の試料に電子パルスの焦点を合わせられる電子レンズ組立部を有する。試料を通過する電子を捕らえる検出部を有する。検出部はプロセッサを有し、試料の構造を代表する試料を通過する電子に関連付けられた信号（たとえば、データ信号）を供給する。プロセッサは、試料の構造に関連付けられた情報を出力するために、試料を通過する関連付けられたデータ信号を処理し、出力デバイスに出力する。 （もっと読む）

【課題】単結晶の加工変質層の評価を簡便かつ定量的にできるような非破壊検査を提供する。
【解決手段】単結晶の加工変質層を検出するための単結晶から得られるＸ線ロッキングカーブの解析方法であって、ピーク強度に対する裾部分の強度の比率に基づいて前記加工変質層を評価する方法である。この際、前記裾野部分の位置を、Ｘ線解析強度がバックグラウンドレベルまで減衰した位置、または、ピーク位置から±５０００秒離れた位置とする。 （もっと読む）

本発明は、文書を形成する媒質に吸収させたまたは埋め込んだナノ粒子の利用に基づいた文書の同定および照合システムならびに同定および照合する方法に関する。それによって、各々独自の特性を有する、異なるナノ粒子を組み合わせることによって、ナノ粒子の異なる光反射率特性を使用して、高性能の偽造特定を提供する。
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【課題】試料の内部構造を破壊することなく分析する。
【解決手段】干渉性Ｘ線が発せられるＸ線源と、前記Ｘ線源からのＸ線をコリメートするＸ線コリメータと、Ｘ線を吸収又は反射する材料により形成されており、前記Ｘ線の可干渉となる位置に設けられた参照穴及びＸ線透過窓とを有し、前記コリメートされたＸ線が照射されるＸ線吸収部と、前記Ｘ線透過窓を透過したＸ線が照射される位置に設置される試料と、前記試料により生じる散乱Ｘ線と、前記参照穴を通過したＸ線との干渉により生じたホログラムを検出する検出器と、前記検出器により得られた前記ホログラムに基づき前記試料の内部構造のイメージ画像を得るためフーリエ変換を行う処理部と、を有し、前記試料は、前記Ｘ線吸収部に対し相対的に移動させることができるものであることを特徴とするＸ線分析装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．９×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板の（０００１）面または（０００−１）面１ｃから＜１０−１０＞方向に１０°以上８０°以下で傾斜したＩＩＩ族窒化物結晶基板１。 （もっと読む）

【課題】使用後の軸受から、ラジアル荷重、アキシアル荷重、および回転回数を合理的に推定することのできる使用条件推定方法を提案する。
【解決手段】使用後の転がり軸受の回転輪と固定輪に対してＸ線分析を行い、このＸ線分析の結果から回転輪の最大転動体荷重の推定値を得ると共に、固定輪の任意の１点以上の位置での転動体荷重の推定値を得る（Ｓ１）。得られた回転輪の最大転動体荷重の推定値と固定輪の任意の１点以上の位置での転動体荷重の推定値とから軸受の負荷分布を推定する（Ｓ２）。この負荷分布と軸受における転動体と内外輪との接触角とから、ラジアル荷重とアキシアル荷重とを推定する（Ｓ３）。負荷分布と、負荷回数Ｎ、繰り返し応力Ｓ、Ｘ線分析で求まる半価幅ｗ(°）の関係を求めておいた結果とから、使用された回転回数を推定する（Ｓ４）。 （もっと読む）

【課題】チタンを屋根、壁材のような大気環境中で使用した場合に発生する変色の程度を、表面皮膜の性質（材料学的特徴）の観点から簡便に評価する方法を提供するものである。
【解決手段】表面に酸化皮膜が形成されているチタンについて、以下の方法で求めた当該酸化皮膜の結晶サイズ（ｎｍ）：ｔからチタンの大気環境中における耐変色性を評価する方法である。
（ステップ１）Ｘ線入射角度を２度以下の低角度に保った条件で大気環境中保持前である初期状態のチタン表面のＸ線回折図形の測定を行う。
（ステップ２）得られたＸ線回折図形で、散乱ベクトル：ｑが、５＜ｑ＜３０ｎｍ^-1の範囲に観察されるピークの半値幅：ｗより次式により結晶サイズ：ｔを求める。
ｔ＝０．９λ／（ｗｃｏｓθ_B）（式１）、ｑ＝４π（ｓｉｎθ_B）／λ （式２）
ここで、λ：使用した単色Ｘ線の波長（ｎｍ）、θ_B：ブラッグ角である。 （もっと読む）

【課題】 屈折コントラスト法の問題点を解決することのできるＸ線撮像装置およびＸ線撮像方法を提供する。
【解決手段】 Ｘ線発生手段から発生したＸ線を空間的に分割する分割素子を有する。また、分割されたＸ線が入射する第１の蛍光体が複数配列された蛍光体アレイを有する。この第１の蛍光体は、Ｘ線の入射位置に応じてＸ線による蛍光の発光量が変化するように構成されている。また、蛍光体アレイから発光した蛍光の強度を検出するための検出手段を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折測定により結晶構造を評価する際、反射指数ｈｋｌ依存性を用いて、ピーク拡がり要因を簡便に解析、同定する結晶の構造解析方法を提供する。
【解決手段】ピークの中心部分のピーク拡がり形状は受光系開口角に依存しない不変な形状になっているが、ピークの中心部分から離れた位置に、受光系開口角に依存してピーク形状が変化するサブピークが現れる場合、広開口角条件(w/o slit)で測定したｈｋｌ反射プロファイルにおいてサブピークが観測されず、狭開口角条件(with slit)で測定したｈｋｌ反射プロファイルにおいてサブピークが観測されることを確認することにより、大きなｔｗｉｓｔ角の差を有する領域に関して、サブピークの要因として、ｔｗｉｓｔ角の差以外の要因の寄与も存在することを判定する。 （もっと読む）

【課題】 多量の反応ガスを流しながらＸ線回折で試料（亜鉛フェライト脱硫剤）の反応過程（炭素析出）をその場で観察する。
【解決手段】 試料を流通する前と流通した後の反応ガスの組成が変化しない状態に試料２１を保持する微分反応評価試料保持部１５を備え、検証条件を保持した状態でＸ線回折装置（Ｘ線発生手段２５、二次元Ｘ線検出手段２６）により試料２１の組成の形態変化をその場で直接解析し、炭素の析出が生じる過程での形態変化を検証する。 （もっと読む）

【課題】従来のエリアディテクタ方式の３軸応力測定法の問題点を解決し、より精度の高い測定方法を提供すること。
【解決手段】被検物にＸ線を照射して得られる回折環に基いて３軸応力を測定する方法である。第一の態様では、４つの入射方向(φ₀ ＝ 0°、90°、180°、270°)にてＸ線を斜めに照射して各々回折環を得、φ₀ ＝(0°、180°)では（σ_x −σ_z ）、τ_yzを求め、φ₀ ＝(90°、270°)では（σ_y−σ_z ）、τ_xz を求め、これらの回折環からτ_xyσ_z を求め、もって６個の３軸応力成分を得る。第二の態様では、垂直入射と２つの斜め入射φ₀ ＝(0°、90°)によって回折環を得、垂直入射ではτ_xz、τ_yz を、φ₀ ＝ 0°では（σ_x−σ_z ）、τ_xy を、φ₀ ＝ 90°では（σ_y −σ_z ）、τ_xy を求め、これらの回折環からσ_z を求め、もって６個の３軸応力成分を得る。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて分解能をより一層向上させることができる荷電粒子顕微鏡及び解析方法を提供する。
【解決手段】試料２０内で広がった電子線プローブをＣＣＤカメラ２３で撮影し、電子線プローブ（実効的プローブ）の形状、大きさ及び強度分布のデータを取得する。その後、ＣＣＤカメラ２３を電子線の通過域から退避させ、ＳＴＥＭ検出器２２により観察像を取得するとともに、ＥＥＬＳ検出器２４によりＥＥＬＳスペクトルを取得する。次いで、電子線プローブ（実効的プローブ）の形状、大きさ及び強度分布のデータを使用し、分析目的位置毎に分析目的位置に照射される電子線量（強度）とその周囲に照射される電子線量とを演算し、その結果に基づいてＳＴＥＭ検出器２２又はＥＥＬＳ検出器２４により得た測定値を演算処理して、周囲の影響を排除した真の測定値を得る。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内に実装された半導体チップの反り応力を、パッケージを破壊することなくＸ線を用いて測定する方法と装置およびプログラム等を提供する。
【解決手段】単結晶基板をパッケージ材料で封止した部品にＸ線を照射し、前記単結晶基板からの回折Ｘ線を前記パッケージ材料越しに検出し、前記検出ステップの結果を用いて前記単結晶基板の応力を求める。 （もっと読む）

【課題】高温測定が可能であり且つ繰り返して使用することができる試料ホルダを提供することを課題とする。
【解決手段】図（ａ）に示すように、ヒータ収納凹部２１へヒータ１５を入れ、下蓋１４を被せ、第２ボルト３５で固定する。これで、（ｂ）に示す形態のヒータ付き試料ホルダ１０が完成する。
【効果】Ｘ線透過部材３１は金属であるため、皺が寄ったり劣化する心配が無く、繰り返し使用することができると共に高温にも耐える。したがって、本発明によれば、普通のＸ線回析計測装置を用いるにも拘わらず高温測定が可能であり且つ繰り返して使用することができる試料ホルダが提供される。 （もっと読む）

【課題】ＭＣＸの集束端における焦点ボケを改善し、試料上の微小領域に高い強度のＸ線を照射する。
【解決手段】ＭＣＸ２において、Ｘ線入射側端部２ａは平行端、Ｘ線出射側端部２ｃはその端面面積がＸ線入射側端部２ａよりも小さな平行端であり、途中がボトルネック形状部２ｂとなっている。これにより、大きなサイズのＸ線源からＸ線入射側端部２ａに導入されたＸ線は、そのエネルギー密度が高まって平行束としてＸ出射側端部２ｃから出射し、中心軸が一致するように配置されたＦＺＰ３に導入される。ＭＣＸ２によりＸ線源から出たＸ線を効率良く収集して或る程度径を絞って小径のＦＺＰ３に導入し、ＦＺＰ３によりＸ線の集束径をさらに絞る。これにより、ごく狭い領域にＸ線を集中させることができる。 （もっと読む）

本発明は、特に低分子有機物質、例えば、薬物または薬物製品を特徴づける（キャラクタリゼーションする）方法を提供する。この方法は、固体低分子有機物質を短波長でのＸ線全散乱分析にかけるステップと、それによって生成されたデータを収集するステップと、データを数学的に変換し、洗練されたセットのデータを提供するステップとを含む。
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本発明が提供する改良された走査処理は、走査領域の周りの複数のＸ線放射源位置からＸ線を発生するように構成された、固定されたＸ線放射源と、走査領域を通って送られるＸ線を検出するように構成された検出器の第１のセットと、検出器の第１のセットからの出力を処理して、断層撮影画像データを生成するように構成された、少なくとも１つのプロセッサとを備える。Ｘ線検査システムを、他の検査技術、例えば、ＮＱＲによる検査、Ｘ線回折による検査、Ｘ線後方散乱による検査、または痕跡検出による検査と組み合わせて、使用する。 （もっと読む）

【課題】高い空間分解能と高い時間分解能と簡便なモニタリングとを兼ね備えた走査型リアルタイム顕微システムを実現する。
【解決手段】走査型リアルタイム顕微システム１０ａは、Ｘ線ビームを照射する光源３と、光源３から照射されたＸ線ビームを集光するゾーンプレート１と、Ｘ線ビームを集光するゾーンプレート１を動かす駆動機構２とを備え、駆動機構２は、ゾーンプレート１に入射するＸ線ビームの進行方向に垂直な方向の周りにゾーンプレート１を回動させる。 （もっと読む）

【課題】反射型小角散乱や回折がなされたＸ線強度を高分解能で測定でき、試料表面の微細構造を簡便に、かつ正確に計測することができるＸ線散乱測定装置およびＸ線散乱測定方法を提供する。
【解決手段】試料表面上の微細構造の計測に適したＸ線散乱測定装置１００であって、Ｘ線を発生させるＸ線源１４０と、発生したＸ線を連続して反射する第１のミラーおよび第２のミラーと、反射されたＸ線が照射される試料Ｓを支持する試料台１１０と、試料表面で散乱したＸ線を検出する２次元検出器１７０と、を備え、第１のミラーは、発生したＸ線を、試料表面に平行な面内で２次元検出器１７０上に集光し、第２のミラーは、第１のミラーで反射されたＸ線を、試料表面上に垂直な面内で試料表面に集光する。 （もっと読む）