【課題】ｎＡレベルのきわめて小さいエミッション電流値の電子線を利用して反射電子像回析パターンを生成することができる反射高速電子回析方法を提供する。
【解決手段】反射高速電子回析方法は、蛍光スクリーン１８の直前に配置されて反射電子を電流増幅するマイクロチャンネルプレート１７ａ，１７ｂを含み、ｎＡのレベルのエミッション電流値の電子線２８を電子銃１５から薄膜表面に向かって発射し、マイクロチャンネルプレート１７ａ，１７ｂによって電流増幅された反射電子を蛍光スクリーン１８に入射させ、反射電子から生成される反射電子像回析パターンを蛍光スクリーン１８に映し出す。 （もっと読む）

【課題】回折環の形状を短時間で精度良く検出できる、安価なＸ線回折装置を提供する。
【解決手段】測定対象物ＯＢにＸ線を照射するＸ線出射器１３、測定対象物ＯＢにて回折したＸ線を受光して回折環を記録するイメージングプレート２８を固定するテーブル２７及びレーザ光をイメージングプレート２８に照射して、回折環の形状を読み取るレーザ検出装置ＰＵＨを設ける。テーブル２７の中心に、Ｘ線を通過させる貫通孔を設ける。回折環を撮像した後、スピンドルモータ２４及びフィードモータ１８によって、テーブル２７を回転させるとともにイメージングプレート２８の受光面に平行に移動させた状態で、レーザ検出装置ＰＵＨによって、イメージングプレート２８にレーザ光を照射して、イメージングプレート２８が発する光の強度が極大となるときのレーザ照射位置を取得する。 （もっと読む）

【課題】 露光マスクを必要とせず、溝のアスペクト比の高い回折格子を容易かつ高精度で製造することができるＸ線タルボ干渉計用回折格子及びその製造方法、並びにＸ線タルボ干渉計を提供する。
【解決手段】紫外線透過性の基板２２上に、金属製のＸ線吸収部１０ｂ、２０ｂが一方向に沿って所定間隔で畝状に複数形成され、隣接するＸ線吸収部の間の溝部に紫外線硬化したフォトレジスト壁２６が介装され、Ｘ線吸収部は、基板上の金属膜２ｂｘを切削して形成され、溝部の側壁の表面粗さがＪＩＳ Ｂ０６０１で規定された算術平均高さＲａで０．１μｍ以下である切削金属層２ｂと、該切削金属層上にフォトレジスト壁を鋳型とする電鋳によって積層される１層以上の電鋳層４ｂ、６ｂとを備えているＸ線タルボ干渉計用回折格子１０、２０である。 （もっと読む）

【課題】ｎＡレベルのきわめて小さい電流値の電子線を利用して反射電子像回析パターンを生成することができる反射高速電子回析装置を提供する。
【解決手段】反射高速電子回析装置１０は、真空チャンバーの内部に着脱可能に設置された蒸着源１４ａ〜１４ｃと、試料１１に形成された薄膜に向かって電子線２８を発射する電子銃１５と、薄膜の表面において反射した反射電子から生成される反射電子像回析パターンを映し出す蛍光スクリーン１８と、反射電子を電流増幅するマイクロチャンネルプレート１７ａ，１７ｂとを有する。反射高速電子回析装置１０では、ｎＡのレベルのエミッション電流値の電子線２８を電子銃１５から薄膜に向かって発射する。 （もっと読む）

【課題】 溝のアスペクト比の高い回折格子を容易かつ高精度で製造することができるＸ線タルボ干渉計用回折格子及びその製造方法、並びにＸ線タルボ干渉計を提供する。
【解決手段】基板２２上に、金属製のＸ線吸収部１０ｂ、２０ｂが一方向に沿って所定間隔で畝状に複数形成され、隣接するＸ線吸収部の間の溝部１０ａ、２０ａに樹脂２６が介装され、Ｘ線吸収部は、２以上の単位金属層２ｂ、４ｂ、６ｂを基板の表面に垂直に積層してなり、単位金属層は金属膜を切削して形成され、該単位金属層の溝部の側壁２ｓ、４ｓ、６ｓの凹凸がＪＩＳ Ｂ０６０１で規定された算術平均高さＲａで０．１μｍ以下であるＸ線タルボ干渉計用回折格子１０、２０である。 （もっと読む）

【課題】露光マスクを必要とせず、Ｘ線タルボ干渉計用位相型回折格子を容易かつ高精度で製造することができる方法を提供する。
【解決手段】畝部１０ｂが複数形成され、隣接する畝部の間に樹脂部１２が介装されたＸ線タルボ干渉計用位相型回折格子１０の製造方法であって、モールド母材５０に単結晶ダイヤモンド製の刃具２００で溝部を切削加工し、溝の幅が４μｍ以下であるモールド形成工程と、シード層が成膜された面に未硬化樹脂が塗布された基板の塗布面に、モールドを加熱した状態で加圧浸漬し、その後未硬化樹脂が硬化する温度に冷却してモールドを前記基板から離して、突出部と溝部を有する樹脂部を形成する樹脂形成工程と、樹脂部の溝部に、溝部がＸ線干渉計で画像を得るときに照射するＸ線の位相をπ／２変化させる厚さの金属を電鋳して畝部を形成する回折格子の畝部形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】遮蔽格子を湾曲させることなく信号強度の向上を図ることが可能となるＸ線撮像装置を提供すること。
【解決手段】被検体を撮像するＸ線撮像装置は、Ｘ線源からのＸ線を回折することにより干渉パターンを形成する回折格子と、干渉パターンを形成するＸ線の一部を遮る遮蔽格子と、遮蔽格子からのＸ線の強度分布を検出するＸ線検出器を備える。
Ｘ線源から遮蔽格子へ引いた垂線と遮蔽格子との交点を遮蔽格子の中心とする。
また、遮蔽格子の中心との距離が所定の距離よりも小さい領域を遮蔽格子の中心部、遮蔽格子の中心との距離が所定の距離以上の領域を遮蔽格子の周辺部とする。このとき、遮蔽格子の中心部よりも遮蔽格子の周辺部の方が、Ｘ線が垂直に入射したときのＸ線透過率が高い。 （もっと読む）

【課題】結晶性ドメインを自動的に分析すること。
【解決手段】電子顕微鏡像の複数の領域それぞれについてフーリエ変換を行なうことによりフーリエ像を生成し（Ｓ１６）、前記フーリエ像の角度に対する強度を演算し（Ｓ１８）、前記強度に基づいて、前記電子顕微鏡像内の結晶性ドメインを分析する（Ｓ２６）結晶粒方位の分析方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＴシステムなどの撮像システムのための検出器モジュール、およびその検出器モジュールを製造するための方法を提供する。
【解決手段】検出器モジュールは、第１の面３０６および第２の面３０８を有する直接変換センサ３０２のアレイを含む。直接変換センサ３０２の第１の面３０６は、放射線を受け、受けた放射線を対応する電荷信号に変換するピクセルのアレイを形成するセグメント化電極面３１４を含み、第２の面３０８は共通電極面を含む。また、検出器モジュールは、１つまたは複数の直接変換センサに結合している読み出し電子回路を含み、読み出し電子回路は放射線から遮蔽されるように構成されている。さらに、検出器モジュールは、１つまたは複数の直接変換センサに第２の面３０８で結合しているバイアス電圧回路３１０を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、観測上の精度の限界と消滅則の影響を考慮し、かつ、高速な指数付けを可能とする技術を提供することである。
【解決手段】本発明の情報処理装置は、ｑ値の集合を取得する手段と、ｑ値の集合から、組合せに含まれない他のｑ値を算出可能な第１のｑ値の組合せを取得する手段と、第１のｑ値の組合せと他のｑ値から、結晶格子の逆格子の２次元部分格子の基底に係る第２のｑ値の組合せを取得する手段と、２次元部分格子の基底がそれぞれ共通する第２のｑ値の組合せ同士を関連付ける手段と、互いに関連付けられた第２のｑ値の組合せに含まれる異なるｑ値の数による比較を行う手段と、比較の結果が所定の条件を満たす関連付けに係る第２のｑ値の組合せから、結晶格子の逆格子に係る第３のｑ値の組合せを特定し、該特定した第３のｑ値の組合せから結晶格子の格子定数の候補を取得する手段と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 トールボット干渉法を用いた撮像装置において従来よりも容易に干渉パターンと遮蔽格子の相対位置を変更することができる撮像装置を提供すること。
【解決手段】 撮像装置１は、光源からの光を回折することで暗部と明部が配列方向に並んだ干渉パターン８１０を形成する回折格子３１０と、光源と検出器５１０との間の光路中に配置される光学ユニット７１０と、回折格子３１０を経た光を検出する検出器５１０と、を備え、光学ユニット７１０は、干渉パターン８１０と検出器５１０との相対位置が配列方向において変更するように光学ユニット７１０から出射する光の光軸の向きを変更することができ、検出器５１０は干渉パターン８１０と検出器５１０の相対位置の変化に対応して光を検出する。 （もっと読む）

【課題】多孔質材料の構造を容易かつ詳細に解析することを目的とする。
【解決手段】本発明の多孔質材料の構造解析方法は、小角電子線散乱により多孔質材料の電子線回折像の中央部に現れる小角電子線散乱部分を結像させることで小角電子線散乱像１５を形成することを特徴とする。特に、小角電子線散乱像１５の画像データに構造解析処理を施すことができる。また、小角電子線散乱部分の構造解析処理を併用することができる。さらに、透過像を併用することもできる。 （もっと読む）

【課題】微粒子を三次元配向させる際の配向精度を高めることができる微粒子配向装置及び微粒子配向方法を提供する。
【解決手段】微粒子配向装置１は、磁場発生部１２と、微粒子を懸濁させた試料容器２を、回転磁場を形成するのに必要な速度で前記磁場発生部１２に対して相対回転させる駆動部１３と、前記試料容器２が１８０度回転するたびに、静磁場を形成するのに必要な所定時間ｔ_ｓの間、前記相対回転を一時的に略停止させるように前記駆動部１３を駆動制御する制御部１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】シースの除去を伴う超電導フィラメントの検査を迅速かつ精度よく行うことができる超電導線材の検査方法を提供する。
【解決手段】超電導線材５０は、超電導フィラメント１０と、銀または銀合金から作られ超電導フィラメント１０を被覆するシース２０とを有する。硝酸を含有する第１のエッチング液により、シース２０が厚さ方向に途中まで除去される。アンモニアおよび過酸化水素を含有する第２のエッチング液により、厚さ方向に途中まで除去されたシース２０を除去することで、超電導フィラメント１０が露出させられる。露出させられた超電導フィラメント１０が検査される。 （もっと読む）

【課題】試料の実像だけでなく、電子回折像も観察することができる光電子顕微鏡を提供すること。
【解決手段】光源からの光を試料に照射することにより前記試料から放出される光電子を対物レンズを介して結像し、拡大像を得る光電子顕微鏡において、前記対物レンズに、２以上の電極を備えさせ、２以上の前記電極を、前記光が２つの電極間を通るように設置する。このような構成をした光電子顕微鏡は、試料の実像だけでなく、電子回折像も観察することができる。 （もっと読む）

【課題】粗大粒を有した材料の内部応力を短時間かつ高精度に測定可能な方法を提供する。
【解決手段】本発明の内部応力の測定方法は、被測定物に放射光Ｘ線を照射する照射工程（Ｓ１）と、被測定物から透過したＸ線回折のゲージ体積を２次元スリットにより制限する制限工程（Ｓ２）と、制限されたゲージ体積中の回折スポットを２次元Ｘ線検出器により検出する検出工程（Ｓ３）と、被測定物を移動させて照射工程から検出工程までを繰り返す工程（Ｓ４）と、検出された回折スポットに基づいてゲージ体積中心に相当する位置の回折角を決定する解析工程（Ｓ５）と、を備える。解析工程では、回折スポットの位置と回折強度とを関係を放物線近似し、かつ、放物線の頂点に対応する位置の回折角の値をゲージ体積中心に相当する位置の回折角に設定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ピッチズレが抑制された狭ピッチで高アスペクト比な微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンをエッチングして形成された凸部の少なくとも頂上部に第１の絶縁層が設けられ、基板凹部に、下記の化学式（１）および化学式（２）（Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３は、アルキル基）で表される基を含むオルガノポリシロキサンを有する第２の絶縁層を形成して凹部の底部に金属を有するシード層を形成し、前記凹部に電気めっきにより金属を充填してめっき層を形成する微細構造体の製造方法。
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【課題】第１の格子と第２の格子の２つの格子を平行に配列し、この格子を用いて位相コントラスト画像を取得する放射線画像撮影装置において、２次元位相情報を有する高画質な位相コントラスト画像を取得する。
【解決手段】第１の格子および第２の格子のいずれか一方の格子を、位相コントラスト画像を構成する１つの画素に対応する所定の範囲内に複数の単位格子ＵＧ１，ＵＧ２が配列されたものとするとともに、その各単位格子ＵＧ１，ＵＧ２を構成する単位格子部材２２が互いに異なる方向に延びるものとし、その所定の範囲内の複数の単位格子ＵＧ１，ＵＧ２に対応する画素部によって検出された複数の検出信号に基づいて、位相コントラスト画像の１つの画素の画素信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】非破壊かつオンラインで金属層の結晶粒径及び粒径分布を評価する方法を実現する。
【解決手段】結晶組織を有し特定の面方位においてＸ線に対して回折ピークを持つ金属層にＸ線を照射して得られる回折ピークを入手するステップＡ、回折ピークに基づいて面積平均コラム長及び体積平均コラム長を求めるステップＢ、面積平均コラム長及び体積平均コラム長から結晶粒径の対数正規分布を求めるステップＣを具備する。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線分析方法及びＸ線分析装置に関し、参照孔を加工可能なサイズに保った状態において、高い分解能の試料イメージを得る。
【解決手段】 測定用窓部に配置した試料からのＸ線散乱強度を測定する工程と、参照孔からの参照光振幅を推定する工程と、前記Ｘ線散乱強度を推定した前記参照光振幅により補正して補正Ｘ線散乱強度を求める工程と、前記補正Ｘ線散乱強度をフーリエ逆変換して試料のイメージを再生する工程とを設ける。 （もっと読む）